JP2015099183A - フォトマスクの製造方法およびパターン転写方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ハードマスクパターンをマスクとしてクロム系薄膜をエッチングする際に、パターン精度（ＣＤ精度）を向上することができるフォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】クロム系薄膜（１０５）上に形成された、ハードマスク膜（１０３）をパターニングして、ハードマスクパターン（１０３ａ）を形成するパターニング工程と、ハードマスクパターン（１０３ａ）をマスクとして、塩素および酸素を含むエッチングガスを用いて、クロム系薄膜（１０５）にドライエッチングを施すクロムドライエッチング工程と、を有し、クロムドライエッチング工程において、ドライエッチング装置内に存在させた有機ガスにより、クロム系薄膜（１０５）の側面において生じる等方性エッチング速度を低減する。
【選択図】図２

Description

本発明は、クロム系薄膜をドライエッチングして転写用パターンを形成することを含むフォトマスクの製造方法、およびこの方法により製造したフォトマスクを用いたパターン転写方法に関する。特に、大規模集積回路（ＬＳＩ）などを含む半導体装置の製造に用いられるフォトマスクの製造方法に関する。

半導体集積回路の高集積化などに伴い、その製造工程中の微細加工プロセスにおいて使用されるフォトマスクについて、従来以上に高いパターン精度が要求されている。

このような微細加工プロセスにおいて使用されるフォトマスクにおける転写用パターンの材料として、クロム系材料を使用することが知られている（たとえば、特許文献１参照）。

特許第４２７２６５４号公報

転写用パターンの材料としてクロム系材料を使用したフォトマスクの製造に際して、レジストパターンをマスクとするクロム系薄膜のエッチングについて、微小開口パターン（ホール）の寸法精度や形状精度を十分に達成できないという課題があった。

このような課題に対して、上記特許文献１には、レジストパターンをマスクとしてクロム系薄膜をエッチングする際に、ハロゲンおよび酸素を含むエッチングガスを用いるとともに、密度ジャンプが生じるプラズマ励起用パワーよりも低いパワーを適用する方法が記載されている。なお、密度ジャンプとは、プラズマ励起用パワーを増加させたときに、プラズマの電子密度が急激に増加する現象を指す。

また、上記特許文献１には、レジストパターンとクロム系薄膜とのエッチング選択比を１．５以下として、上方からエッチングされて削られるレジストパターンから生じる有機反応物を、当該レジストパターンの側壁に堆積させることにより、レジストパターンの寸法変動を低減する方法が記載されている。さらに、上記特許文献１には、レジストパターン以外の有機物を、エッチングされるレジスト層の側壁に堆積させる方法が記載されている。

しかしながら、半導体素子などの回路パターンの高精細化に伴い、フォトマスク上の設計パターン線幅と実測線幅とのずれ量に対する許容値は、非常に小さくなっている。半導体集積回路の集積度が増加するにつれて、半導体集積回路の製造過程でのデザインルールはさらに厳しくなり、ＣＤ（Critical Dimension）ユニフォーミティやＣＤリニアリティに対して、ますます厳しい要求がなされている。

一方で、パターンの微細化に伴い、レジストパターンのアスペクト比が増大し、たとえば現像時にレジストパターンが脱落するリスクが高まっている。

そこで、クロム系薄膜などの被エッチング膜をエッチングする際に、レジストパターンをマスクとして用いる替わりに、ハードマスクパターンをマスクとして用いることが提案されている。

ところで、ハードマスクパターンをマスクとしてクロム系薄膜をエッチングする場合には、上記特許文献１に記載された方法に頼ることはできない。すなわち、クロム系薄膜をエッチングする際に、レジストパターンの側壁に有機反応物を堆積させることによりレジストパターンの寸法変動を抑止するという方法では、レジストパターンではなくハードマスクを用いる系においては十分な作用を得ることができないという課題を、本発明者は見出した。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ハードマスクパターンをマスクとしてクロム系薄膜をエッチングする際に、パターン精度（ＣＤ精度）を向上することができるフォトマスクの製造方法およびパターン転写方法を提供することを目的とする。

本発明のフォトマスクの製造方法は、透明基板上に形成されたクロム系薄膜をドライエッチングして、転写用パターンを形成することを含むフォトマスクの製造方法であって、
前記クロム系薄膜上に形成された、ハードマスク膜をパターニングして、ハードマスクパターンを形成するパターニング工程と、前記ハードマスクパターンをマスクとして、塩素および酸素を含むエッチングガスを用いて、前記クロム系薄膜にドライエッチングを施すクロムドライエッチング工程と、を有し、前記クロムドライエッチング工程において、ドライエッチング装置内に存在させた有機ガスにより、前記クロム系薄膜の側面において生じる等方性エッチング速度を低減することを特徴とする。

上記フォトマスクの製造方法において、前記クロムドライエッチング工程において、前記有機ガスによって前記ドライエッチング装置内で生成された有機化学種が、前記クロム系薄膜の被エッチング側壁に堆積することにより、前記等方性エッチング速度を低減することが好ましい。

上記フォトマスクの製造方法において、前記クロムドライエッチング工程において、前記有機ガスを前記ドライエッチング装置内に導入してもよい。

上記フォトマスクの製造方法において、前記クロムドライエッチング工程において、前記ドライエッチング装置内に配置された有機物材料から有機化学種を発生させてもよい。

上記フォトマスクの製造方法において、前記パターニング工程において、前記ハードマスク膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記ハードマスク膜をエッチングすることにより、前記ハードマスクパターンを形成し、前記クロムドライエッチング工程の前に、前記レジストパターンを剥離除去してもよい。

上記フォトマスクの製造方法において、前記ハードマスクは、シリコン、タンタル、タングステンもしくはアルミニウムまたはこれらのいずれかの化合物を含んでいてもよい。

本発明のパターン転写方法は、上記フォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて、２５０ｎｍ以下の波長をもつ露光光により、前記転写用パターンを被転写体上に転写することを特徴とする。

本発明によれば、ハードマスクパターンをマスクとしてクロム系薄膜をエッチングする際に、パターン精度（ＣＤ精度）を向上することができる。

本実施の形態に係るフォトマスクの一例を示す断面模式図である。 上記実施の形態に係るフォトマスクの製造方法の一例を説明する図である。 上記実施の形態に係るフォトマスクの製造方法の一例を説明する図である。 クロム系薄膜の断面形状の劣化を説明する図である。 クロム系薄膜の断面形状の劣化を説明する図である。 第１の実施の形態に係るエッチング装置を示す概略図である。 第２の実施の形態に係るエッチング装置を示す概略図である。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの一例を示す断面模式図である。図１に示すように、フォトマスク１１０は、透明基板１０４上に転写用パターン１０５ａを備えて構成される。透明基板１０４としては、たとえば合成石英などを用いることができる。

フォトマスク１１０における転写用パターン１０５ａは、フォトマスク１１０を露光装置に搭載し、露光光を照射することにより、被転写体上に所望のパターンを形成するためのものである。

転写用パターン１０５ａは、透明基板１０４上にクロム系薄膜がパターニングされて構成されている。転写用パターン１０５ａは、本発明の効果を損なわない範囲で、他の膜パターンの上層または下層にクロム系薄膜が形成されて構成されていてもよい。すなわち、転写用パターン１０５ａは、透明基板１０４上に直接形成されたクロム系薄膜で構成されていてもよく、または、透明基板上１０４に他の膜を介して形成されたクロム系薄膜で構成されていてもよい。

フォトマスク１１０の有するＣＤは、３０ｎｍから１５０ｎｍ程度、特に、３０ｎｍから１００ｎｍ程度であることが好ましい。この場合、ＣＤユニフォーミティは、面内レンジを３ｎｍ以下、さらには２ｎｍ以下に抑えることが可能となる。ＣＤリニアリティは、１０ｎｍ以下とすることができる。

以下、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法について、詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図２は、第１の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法の一例について説明する図である。まず、透明基板１０４上にクロム系薄膜１０５が形成され、クロム系薄膜１０５上にハードマスク膜１０３が形成されたフォトマスクブランクを用意する（図２Ａ参照）。

クロム系薄膜１０５は、フォトマスクを製造した際に、転写用パターンとして露光時に露光光を遮光する遮光膜として機能する。ただし、本発明の効果を損なわない範囲で、クロム系薄膜は、所定の範囲の露光光透過率を有していてもよい。たとえば、クロム系薄膜１０５は、クロム単体、または、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化窒化物などのクロムの化合物で構成される。また、クロム系薄膜１０５は、その表面に反射防止層を備えていてもよい。透明基板１０４とクロム系薄膜１０５との間に、他の膜が形成されていてもよい。

ハードマスク膜１０３は、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）またはこれらの酸化物、窒化物などの化合物を含んで構成される。

クロム系薄膜１０５およびハードマスク膜１０３は、スパッタ法などの公知の成膜法を適用して形成できる。

続いて、フォトマスクブランクの最表面にレジスト膜１０２を形成する（図２Ｂ参照）。レジスト膜１０２は、フォトレジストや電子線レジストなど公知のレジストで構成される。ここでは、レジスト膜１０２が、電子線用のポジレジストで構成される場合を説明する。レジスト膜１０２は、スピンコータなどの公知の塗布装置を用いて形成できる。

続いて、レジスト付きのフォトマスクブランクを電子線描画装置にセットして、所定の設計データによるパターンを描画する。その後、レジスト膜１０２を現像して、レジストパターン１０２ａを形成する（図２Ｃ参照）。

続いて、レジストパターン１０２ａをマスクとして、ハードマスク膜１０３をドライエッチングすることにより、ハードマスクパターン１０３ａを形成する（図２Ｄ参照）。

レジストパターン１０２ａは、ハードマスク膜１０３のドライエッチングに耐えられる厚みを有していればよい。たとえば、レジストパターン１０２ａの厚みは、１５００Å以下とすることができる。また、レジストパターン１０２ａとハードマスク膜１０３とのエッチング選択比は、１〜１０とすることができる。

したがって、レジストパターンをマスクとしてクロム系薄膜をエッチングする場合と比較して、レジストパターン１０２ａの厚みを薄くすることができる。これにより、ハードマスクの精緻なパターニングが可能であり、最終的に形成される転写用パターンの形成精度を向上することが可能となる。

図２Ｄに示すハードマスクパターン１０３ａを形成することにより、レジストパターン１０２ａは既にその役割を終え、厚みが減少している。したがって、この段階で、図３に示すように、レジストパターン１０２ａを剥離除去してもよい。

続いて、ハードマスクパターン１０３ａをマスクとして、クロム系薄膜１０５をドライエッチングすることにより、転写用パターン１０５ａを形成する（図２Ｅ参照）。ハードマスクパターン１０３ａとクロム系薄膜１０５とのエッチング選択比は、１０以上、好ましくは２０〜６０程度とすることができる。

ところで、ハードマスクパターン１０３ａをマスクとして、クロム系薄膜１０５をドライエッチングする場合、次の２つの問題が生じるおそれがある。

第一に、ハードマスクパターン１０３ａのエッジに対してクロム系薄膜１０５のエッジが後退し、いわゆるアンダーカット部分が形成される問題が生じるおそれがある（図４参照）。

第二に、クロム系薄膜１０５の断面を垂直にするためにオーバーエッチングを進めると、ハードマスクパターン１０３ａとクロム系薄膜１０５との寸法の差異が広がり、いわゆる変換差が大きいパターニングとなってしまう問題が生じるおそれがある（図５参照）。ここで、変換差とは、エッチングマスクと被エッチング薄膜との寸法（ＣＤ）の差をいう。

このような変換差は、パターンの寸法に依存する傾向がある。すなわち、たとえば透明基板が露出した透光部などの幅の大きいスペースパターンと、幅の小さいスペースパターンとでは変換差が異なる。幅の小さいスペースパターンにおいて、クロム系薄膜１０５のエッチングは完了しにくい。これに伴い、幅の小さいスペースパターンにおいては、クロム系薄膜１０５の断面形状が劣化し、ＣＤ精度、特にＣＤリニアリティが低下する。

クロム系薄膜１０５の断面形状の劣化、すなわちクロム系薄膜１０５の断面が基板表面に対して垂直にならないことに起因して、わずかなエッチング量の差で大きなＣＤ差が生じやすくなる。また、四角形状を有する抜き部や残し部などの角の部分に、形状差が生じやすくなる。なお、抜き部とは、遮光部に囲まれた、設計上四角形状の透光部を指す。また、残し部とは、透光部に囲まれた、設計上四角形状の遮光部を指す。

このようなＣＤ差や形状差は、検査工程において、欠陥とする必要のない部分が欠陥と認識されてしまう疑似欠陥を生じやすく、検査の精度や効率に影響を与える。

パターン形状が設計データに対して忠実に形成されないと、半導体製造工程におけるリソグラフィー工程でのマージンが低下したり、条件設定に必要な工程が増加したり、変換差を解消するための設計データ加工（データサイジングなど）量が増大するなどの不都合が生じる。

そこで、本実施の形態においては、変換差を低減し、ＣＤリニアリティをさらに向上するとともに、パターンの断面形状が基板表面に対して垂直に近づくような方法を用いて、ハードマスクパターン１０３ａをマスクとして、クロム系薄膜１０５をドライエッチングする。

図６は、本実施の形態に係るクロム系薄膜１０５のドライエッチングに用いる装置２００の概略図である。図６に示すように、装置２００は、プラズマ発生コイル２０１と、コイル用高周波（ＲＦ：Radio Frequency）電源２０２と、減圧容器（チェンバー）２０３と、ＲＦ電極２０４と、ＲＦ電極用ＲＦ電源２０５と、ガス導入系２０６と、排気系２０７と、ＲＦ電極カバー２０８と、を含んで構成される。なお、図６においては、エッチング中のマスク基板１０１を一定温度に制御する機構は図示していない。

図６に示すように、ＲＦ電極２０４上には、マスク基板１０１が設置される。このマスク基板１０１は、たとえば図２Ｄに示すような構造を有する。ＲＦ電極２０４は、マスク基板１０１が設置される部分を除き、ＲＦ電極カバー２０８で被覆されている。

排気系２０７により、チェンバー２０３内は高真空の状態に保たれている。

ガス導入系２０６は、チェンバー２０３に対して塩素および酸素を含むガスを、エッチングガスとして導入する。エッチングガスは、ヘリウムなどの不活性ガスを含んでいてもよい。

さらに、本実施の形態においては、塩素および酸素を含むエッチングガスとともに、有機ガスを導入する。たとえば、この場合の有機ガスとしては、エタノールを用いることができる。

ただし、有機ガスの種類はこれに限られず、マスフローコントローラで使用可能なものであり、かつ、塩素以外のハロゲンを含まずに炭素および水素を含有する有機ガスであれば使用可能である。このような有機ガスとしては、たとえば、メタン、エタン、アセチレン、塩化ビニルまたは青酸ガスなどを用いることができる。

エッチングガスを導入した後、排気系２０７の排気量を調整して、チェンバー２０３内を所望の圧力に保つ。

この状態で、プラズマ発生コイル２０１に対して、コイル用ＲＦ電源２０２より高周波電力（ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）パワー）を供給することにより、チェンバー２０３内にプラズマを発生させる。プラズマ発生後、速やかにＲＦ電極２０４に対して、ＲＦ電極用ＲＦ電源２０５より高周波電力を供給する。

プラズマ発生コイル２０１に対して供給するプラズマ励起用パワーは、プラズマの密度ジャンプが起こるパワーよりも低いパワーまたは高いパワーとすることができる。なお、プラズマ励起用パワーとは、ＩＣＰ方式の場合は、ＩＣＰパワーを指す。

チェンバー２０３内に導入された有機ガスは、クロム系薄膜１０５のドライエッチング中に、等方性デポジション成分としてはたらく。具体的には、クロム系薄膜１０５のドライエッチング工程において、プラズマによって発生した電子やラジカルが、チェンバー２０３内に存在する有機ガスと反応して、有機化学種を生成する。この有機化学種は、エッチングされるクロム系薄膜１０５の側壁に堆積する。この堆積によって、クロム系薄膜１０５の等方性エッチングが阻害され、クロム系薄膜１０５の側面において生じる等方性エッチング速度が低減する。

これにより、クロム系薄膜１０５の側壁にアンダーカット部分が生じることが抑止され、透明基板１０４表面に対して垂直に近い側壁形状を得ることができる。この結果、クロム系薄膜１０５のエッチング終了時に行うオーバーエッチングの時間も短くすることができ、変換差を低減できるとともに、変換差のパターン寸法依存性をも低減できる。

第１の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法によれば、ハードマスクパターン１０３ａをマスクとしてクロム系薄膜１０５をドライエッチングするに際し、レジストパターン１０２ａは存在しない（図３参照）か、あるいは存在してもわずかな残存量となる（図２Ｄ参照）。そのため、レジストパターン１０２ａの側壁に有機反応物を堆積させることにより、レジストパターン１０２ａの寸法変動を低減する方法を用いることはできない。

しかしながら、ハードマスクパターン１０３ａをマスクとしてクロム系薄膜１０５をドライエッチングするに際し、装置２００のチェンバー２０３内に有機ガスを供給することにより、被エッチング材であるクロム系薄膜１０５自体の側壁に、有機化学種を堆積することができ、クロム系薄膜１０５の等方性エッチングの状態を制御することが可能となる。

また、第１の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法によれば、プラズマ発生コイル２０１に対して、プラズマの密度ジャンプが生じるプラズマ励起用パワーよりも高いパワーを適用しても、十分に、クロム系薄膜１０５側壁へ有機化学種を堆積することが可能となる。このようなパワーを用いることにより、プラズマ発生の安定性および均一性がより高まり、結果としてドライエッチング工程の安定性および面内均一性に寄与する。

また、第１の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法によれば、有機化学種の発生は、レジストパターン１０２ａに依存しないので、レジストパターン１０２ａがもつパターン形状、すなわち面内の被覆率に影響を受けず、所望の等方性エッチングの状態が制御しやすいという利点がある。

さらに、第１の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法によれば、クロム系薄膜１０５の断面形状が開口パターン（ホール）の寸法に依存して、開口パターンの寸法が小さくなると、クロム系薄膜１０５の断面にテーパ部が発生するという問題を改善できる。

従来技術において、クロム系薄膜をドライエッチングする際のパターンの断面形状や変換差を向上させる一助として、たとえば高ＲＦバイアス（Ｖｄｃ１５０Ｖ以上）を用いることが提案されていた。しかし、この場合には、クロム系薄膜表面の変化によるエッチング停止が生じるおそれがあった。一方、第１の実施の形態に係る方法によれば、このような不都合は解消される。

第１の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法によって製造されるフォトマスク１１０の用途には、特に制約はない。特に、２５０ｎｍ以下の露光波長をもつ露光光を用いて、転写用パターン１０５ａを被転写体上に転写する場合に、好適に用いることができる。このような露光光としては、たとえばＫｒＦやＡｒＦなどのエキシマレーザを用いることができる。

第１の実施の形態に係る装置２００を用いたフォトマスクの製造方法によれば、ハードマスクパターン１０３ａをマスクとしてクロム系薄膜１０５をドライエッチングする際に、クロム系薄膜１０５の側壁に有機化学種を堆積させて等方性エッチング速度を低減することにより、基板表面に対して垂直に近いクロム系薄膜１０５の側壁形状を得ることができる。これにより、ＣＤユニフォーミティやＣＤリニアリティなどを含むＣＤ精度を向上することが可能となる。

（第２の実施の形態）
第２の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる構成の装置を用いて、クロム系薄膜をドライエッチングする方法について説明する。以下、第２の実施の形態に係る装置の構成について図７に基づいて説明する。なお、図７において、図６に示す装置２００と共通する構成については同一の符号を付してその説明を省略する。

図７に示すように、装置２１０は、有機ＲＦ電極カバー２０８ａを備える点で、図６に示す装置２００と相違する。有機ＲＦ電極カバー２０８ａは、たとえばポリスチレンなどの有機高分子物質で構成されている。

有機ＲＦ電極カバー２０８ａを構成する有機高分子物質としては、ポリスチレンの他、塩素以外のハロゲンを含まずに炭素および水素を含有する有機高分子、またはカーボンを用いることができる。このような有機高分子としては、たとえば、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、メラミンまたはポリエチレンなどを用いることができる。

有機ＲＦ電極カバー２０８ａを備えることにより、クロム系薄膜１０５のドライエッチング工程において、有機ＲＦ電極カバー２０８ａ中の有機高分子が気化して有機化学種を生成する。有機化学種は、エッチング中のクロム系薄膜１０５の側壁に堆積して保護層として機能する。これにより、クロム系薄膜１０５の側壁にアンダーカット部が生じて、断面形状が劣化することを抑止することができる。

なお、有機高分子物質は、チェンバー２０３内の他の位置に設けられていてもよい。たとえば、図７に示す装置２１０には、チェンバー２０３内壁の少なくとも一部を被覆する有機内壁２０９が設けられている。

装置２１０においては、有機高分子物質で構成される有機ＲＦ電極カバー２０８ａと有機内壁２０９の少なくとも一方を備えるため、ガス導入系２０６から有機ガスを導入する必要がない。なお、その他のドライエッチング工程は、第１の実施の形態と同様である。

第２の実施の形態に係る装置２１０を用いたフォトマスクの製造方法によれば、ハードマスクパターン１０３ａをマスクとしてクロム系薄膜１０５をドライエッチングする際に、クロム系薄膜１０５の側壁に有機化学種を堆積させて等方性エッチング速度を低減することにより、基板表面に対して垂直に近いクロム系薄膜１０５の側壁形状を得ることができる。これにより、ＣＤユニフォーミティやＣＤリニアリティなどを含むＣＤ精度を向上することが可能となる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、さまざまに変更して実施可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更が可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施可能である。

１０１ マスク基板
１０２ レジスト膜
１０２ａ レジストパターン
１０３ ハードマスク膜
１０３ａ ハードマスクパターン
１０４ 透明基板
１０５ クロム系薄膜
１０５ａ 転写用パターン
１１０ フォトマスク
２００，２１０ 装置
２０１ プラズマ発生コイル
２０２ コイル用ＲＦ電源
２０３ チェンバー
２０４ ＲＦ電極
２０５ ＲＦ電極用ＲＦ電源
２０６ ガス導入系
２０７ 排気系
２０８ ＲＦ電極カバー
２０８ａ 有機ＲＦ電極カバー
２０９ 有機内壁

Claims (7)

1. 透明基板上に形成されたクロム系薄膜をドライエッチングして、転写用パターンを形成することを含むフォトマスクの製造方法であって、
   前記クロム系薄膜上に形成された、ハードマスク膜をパターニングして、ハードマスクパターンを形成するパターニング工程と、
   前記ハードマスクパターンをマスクとして、塩素および酸素を含むエッチングガスを用いて、前記クロム系薄膜にドライエッチングを施すクロムドライエッチング工程と、を有し、
   前記クロムドライエッチング工程において、ドライエッチング装置内に存在させた有機ガスにより、前記クロム系薄膜の側面において生じる等方性エッチング速度を低減することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
2. 前記クロムドライエッチング工程において、前記有機ガスによって前記ドライエッチング装置内で生成された有機化学種が、前記クロム系薄膜の被エッチング側壁に堆積することにより、前記等方性エッチング速度を低減することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
3. 前記クロムドライエッチング工程において、前記有機ガスを前記ドライエッチング装置内に導入することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
4. 前記クロムドライエッチング工程において、前記ドライエッチング装置内に配置された有機物材料から有機化学種を発生させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
5. 前記パターニング工程において、前記ハードマスク膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記ハードマスク膜をエッチングすることにより、前記ハードマスクパターンを形成し、前記クロムドライエッチング工程の前に、前記レジストパターンを剥離除去することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
6. 前記ハードマスクは、シリコン、タンタル、タングステンもしくはアルミニウムまたはこれらのいずれかの化合物を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて、２５０ｎｍ以下の波長をもつ露光光により、前記転写用パターンを被転写体上に転写することを特徴とするパターン転写方法。
   

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