TWI607279B - 相移空白遮罩及用其製造之光遮罩 - Google Patents

Description

相移空白遮罩及用其製造之光遮罩

本發明係關於一種用於製造用於半導體製造製程之光微影中之光遮罩的空白遮罩，且更尤其係關於一種高透射率相移空白遮罩，其包括具有高透射率之相移薄膜及具有高遮光作用或高蝕刻速度之遮光薄膜，以及用其製造之光遮罩。

為滿足現今對大規模積體電路高度整合及電路圖案結構之精細度的需求，半導體之高度微型製造技術已顯現為一個非常重要之問題。在積體電路之情況下，電路圖案已變得小型化以耗電低且高速操作，且關於用於各層之間的連接、電路元件佈局等接觸廊圖案的技術需求已高漲。

在精細圖案高度整合下，光遮罩所需之諸如解析度、圖案重合及其類似物之規範已逐漸加強。此外，製造複雜多層半導體裝置所需之聚焦深度界限已變成製造半導體裝置中之核心問題。

上述問題不僅由製造光遮罩及半導體裝置之製程引起，且亦由作為製造半導體裝置中之關鍵組件的空白遮罩之特徵引起。特定言之，用例如相移空白遮罩之空白遮罩製造之光遮罩提高對比度，藉此實現高解析度且因此改良聚焦深度界限。此係因為通過相移圖案之光線避免繞射，且因此進入晶片之暴露光線之入射角度減小，藉此改良解析度及聚焦深度。當相移薄膜之透射率變得更高時，解析度及聚焦深度獲得更大改良。

然而，若高透射率相移薄膜之透射率過高，則出現如下問題。

首先，例如不低於50%之高透射率造成不希望之圖案界定 在晶片最上抗蝕劑薄膜上，因為其在晶片暴露於光線時暴露於光線。因此，相移薄膜之透射率必須設定不高於50%。

第二，例如不低於20%之高透射率造成未指定抗蝕劑由於暴露光線重疊而暴露在暴露區域周圍。此一般稱為邊瓣問題。為解決此問題，相移薄膜必須經設計以具有不高於20%之透射率。

第三，相較於現有之具有6%透射率之MoSi化合物，高透射率相移薄膜一般經設計以增加矽(Si)含量，。順便而言，矽(Si)含量之增加造成在光遮罩製造製程之電子束修復中修復時間增加之問題。若修復花費長時間，則生產力降低且在電子束修復之後圖案之線邊緣粗糙度(line edge roughness，LER)變差。因此，難以製造具有良好品質之光遮罩。

第四，為製造高透射率相移薄膜，不僅增加矽(Si)含量，而且增加諸如氮(N)、氧(O)、碳(C)等輕元素之含量。若例如氮之輕元素之含量相對較高，則相移薄膜轉變成陶瓷且因此增加薄膜應力。若薄膜應力變得更高，則根據製造光遮罩時設計之開口率(清潔區)釋放應力，且因此改變圖案重合。當不僅製造記憶體裝置，而且亦製造邏輯裝置時此變得越來越成問題。

第五，高透射率相移薄膜必須具有比現有相移薄膜6%更高遮光作用。一般而言，可藉由增加厚度或減少諸如氮、氧等輕元素而增強遮光作用。然而，厚度增加相對於亞解析度特徵尺寸(sub-resolution feature size，SRFS)提高圖案縱橫比，且因此造成圖案塌陷。此外，輕元素減少相對降低蝕刻速度且因此增加上部抗蝕劑薄膜之厚度。若抗蝕劑薄膜厚度增加，則在電子束書寫時電子散射增加且因此難以實現高解析度。

本發明欲解決上述問題，且本發明之一目標為製備具有適當透射率之相移空白遮罩，藉此在晶片印刷時防止不希望之圖案且實現高解析度。

本發明之另一目標為製造一種高透射率相移空白遮罩，其中遮光薄膜具有高遮光作用及令人滿意之蝕刻速度，藉此使得抗蝕劑薄膜薄 且實現高解析度。

根據本發明之一態樣，提供一種相移空白遮罩，其包含堆疊在透明基板上之相移薄膜及遮光薄膜，該相移薄膜對暴露光線具有8%至20%之透射率。

相移薄膜可僅僅包含矽(Si)或矽(Si)與金屬之化合物，且該化合物可包含選自氮(N)、氧(O)及碳(C)之一或多種輕元素。

金屬可包含選自鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)中之一或多者。

相移薄膜可具有0at%~10at%金屬、50at%~80at%矽及20at%~50at%輕元素總和之組成比率。

若相移薄膜含有氮(N)，則氮(N)含量如與矽(Si)含量相比可不高於60%。

相移薄膜可包含組成比率不斷變化之單層薄膜，或多層薄膜，且相移薄膜可包含含有1at%~20at%氧(O)且佔據相移薄膜總厚度2%~30%之最上層。

最上層每個單位厚度可具有更高透射率且折射率比其下層低。

相移薄膜及透明基板之總指示讀數(total indicated reading，TIR)可相差不超過100nm。

相移薄膜可經歷熱製程，且該熱製程可包含維持預設溫度之薄膜緻密步驟，及逐步減少及維持溫度之薄膜穩定化步驟。

相移薄膜對暴露光線可具有170°至190°之相移度，及不高於40%之反射率。

相移薄膜可具有50nm至100nm之厚度。

遮光薄膜可包含具有30at%~70at%鉻(Cr)、10at%~40at%氮(N)、0~50at%氧(O)、0~30at%碳(C)之組成比率的鉻(Cr)化合 物。

遮光薄膜可包含具有1at%~30at%鉬(Mo)、30at%~60at%鉻(Cr)、10at%~40at%氮(N)、0~50at%氧(O)及0~30at%碳(C)之組成比率的鉬鉻(MoCr)化合物。

遮光薄膜可包含單層薄膜或具有兩層或超過兩層之多層薄膜且具有30nm至60nm之厚度。

相移薄膜及遮光薄膜之堆疊結構對暴露光線可具有2.5至3.5之光學密度及不高於40%之反射率。

相移薄膜及透明基板之總指示讀數(TIR)可相差不超過300nm。

遮光薄膜可具有0.4Å/sec to 3.0Å/sec之蝕刻速度。

相移空白遮罩可進一步包含佈置在相移薄膜與遮光薄膜之間的蝕刻終止薄膜及佈置於遮光薄膜上之硬薄膜中的一或多者。

設置於遮光薄膜上或下方之硬薄膜及蝕刻終止薄膜可包含鉻(Cr)化合物，該鉻(Cr)化合物進一步包含選自氧(O)、氮(N)及碳(C)中之一或多種輕元素，且具有鉻(Cr)：輕元素=60~100at%：0~40at%之組成比率。

蝕刻終止薄膜之蝕刻速度可比硬薄膜之蝕刻速度快0.2至5倍。

遮光薄膜可包含矽(Si)化合物或金屬矽化物(MSi)化合物，該化合物包含一或多種選自氧(O)、氮(N)及碳(C)之輕元素且具有0at%~15at%金屬、45at%~75at%矽及10at%~55at%輕元素總和之組成比率。

硬薄膜及蝕刻終止薄膜可具有2nm至10nm之厚度。

遮光薄膜及硬薄膜之總指示讀數(TIR)可相差不超過100nm。

遮光薄膜、蝕刻終止薄膜或硬薄膜可包含選自矽(Si)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、 鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)中之一或多者。

根據本發明之一態樣，提供一種使用以上相移空白遮罩製造之相移光遮罩。

100‧‧‧高透射率相移空白遮罩

102‧‧‧透明基板

104‧‧‧相移薄膜

106‧‧‧遮光薄膜

108‧‧‧硬薄膜

110‧‧‧蝕刻終止薄膜

112‧‧‧抗蝕劑薄膜

300‧‧‧具有高薄膜及蝕刻終止薄膜之高透射率相移空白遮罩

對於一般技術者而言，藉由參照附圖詳細描述例示性實施例，本發明的上述及其他目標、特徵及優點將變得更加顯而易見，其中：圖1為根據本發明之第一實施例的高透射率相移空白遮罩之橫截面圖；圖2為根據本發明之第二實施例，具有硬薄膜之高透射率相移空白遮罩之橫截面圖；圖3為根據本發明之第三實施例，具有高薄膜及蝕刻終止薄膜之高透射率相移空白遮罩的橫截面圖；圖4說明根據本發明之實驗性實例1製造相移空白遮罩及光遮罩之製程；圖5說明根據本發明之實驗性實例2製造相移空白遮罩及光遮罩之製程；圖6說明根據本發明之實驗性實例3製造相移空白遮罩及光遮罩之製程；以及圖7說明根據本發明之實驗性實例4製造相移空白遮罩及光遮罩之製程。

在下文中，將參考附圖較詳細地描述本發明之例示性實施例。然而，實施例僅僅出於例示目的而提供且不應視為限制本發明之範疇。因此，一般技術者應瞭解可自該等實施例進行各種修改及相等物。此外，本發明之範疇必須在所附申請專利範圍中定義。

圖1為根據本發明之第一實施例的高透射率相移空白遮罩100之橫截面圖。參看圖1，高透射率相移空白遮罩100包括透明基板102、相移薄膜104、遮光薄膜106及抗蝕劑薄膜112。

透明基板102可含有選自石英玻璃、合成石英玻璃及摻氟石英玻璃中之一或多者，且對暴露光線波長，例如193nm之波長具有至少90%之透射率。

若透明基板102之平坦度由總指示讀數(TIR)值之值界定，則控制142mm²面積內TIR值不大於500nm且較佳不大於100nm。在製造半導體裝置時，基板平坦度影響晶片印刷時之聚焦深度界限。因此，當透明基板應用於16nm類別中之邏輯裝置時，其可具有300nm之平坦度，且應用於10nm類別中之邏輯裝置時，其可具有150nm之平坦度，且應用於7nm類別中之邏輯裝置時，其可具有100nm之平坦度。

若透明基板102應用於浸沒式微影，則其必須進行雙折射率控制。此時，控制透明基板102具有不大於2nm/6.35mm且較佳不大於1nm/6.35mm之雙折射率。

相移薄膜104形成於透明基板102上。相移薄膜104可藉由選自濺鍍法、原子層生長法、化學沈積方法等中之一或多者形成。一般而言，相移薄膜104藉由濺鍍法形成。

相移薄膜104經設計以例如對193nm之暴露光線具有170°至190°之相移量及8%至20%、較佳10%至18%且更佳12%之透射率。若相移薄膜104具有不高於8%之透射率，則透射率高於具有6%透射率之一般使用之相移薄膜，藉此降低對比度且對實現高解析度具有不顯著作用。另一方面，若相移薄膜104具有不低於20%之透射率，則發生邊瓣問題且因此在晶片印刷期間在晶片印刷期間形成不希望圖案。

相移薄膜104對例如193nm之暴露光線可具有不大於40%且較佳不大於30%之反射率。此外，相移薄膜104可具有50nm至100nm之厚度。

相移薄膜104可僅僅含有矽(Si)或可含有矽(Si)及金屬化合物。此外，化合物可含有一或多種選自氮(N)、氧(O)及碳(C)中之輕元素。

特定言之，若相移薄膜104含有金屬(或過渡金屬)，則其 可含有選自鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)中之一或多者。較佳地，鉬(Mo)或鉭(Ta)可用作金屬。因此，相移薄膜104含有選自Si、SiN、SiC、SiO、SiON、SiCO、SiCN及SiCON中之一或多者。若相移薄膜104含有金屬，則其可為選自M(金屬)Si、MSiN、MSiC、MSiO、MSiON、MSiCO、MSiCN及MSiCON中之一或多者。

當相移薄膜104由矽(Si)化合物製成時，其濺鍍標靶藉由用硼(B)摻雜矽(Si)標靶以具有導電性來實現。

若相移薄膜104含有金屬，則可使用分別由金屬及矽製成之標靶施加共同濺鍍法，或可使用其中金屬摻合矽之雙組分標靶。此時，含有金屬之雙組分可具有Mo：Si=1at%~5at%：95at%~99at%之組成比率。

相移薄膜104可具有單層或多層結構。若相移薄膜104具有單層結構，則其可藉由其中組成比率恆定之單一薄膜或其中組成比率不斷變化之連續薄膜中的任一者或藉由其組合實現。另一方面，若相移薄膜104具有多層結構，例如包括兩層或超過兩層，則其最上層可含有氧(O)。若最上層含有氧(O)，則對用於清潔或其類似者之化學物質的抗性改良。

相移薄膜104具有0at%~10at%金屬、50at%~80at%矽及20at%~50at%輕元素總和，例如氧、氮及碳之總含量的組成比率。

若相移薄膜104具有兩層或超過兩層之多層結構，則最上層含有1at%~20at%之氧(O)。最上層之厚度佔據相移薄膜104總厚度之2%~30%。較佳地，最上層每個單位厚度具有更高透射率且折射率比下層低。

相移薄膜104經設計以具有不大於500MPa且較佳不大於200MPa之薄膜應力。若薄膜應力由TIR界定，則控制相移薄膜104與透明基板102之間TIR差異不高於100nm且較佳不高於50nm。

使用相移空白遮罩製造之光遮罩用於自記憶體裝置至邏輯裝置之各種領域。在邏輯裝置之情況下，其在光遮罩內盤內可具有各種圖案尺寸及圖案密度。因此，若相移薄膜104具有高度應力，則根據圖案尺 寸及密度，圖案重合未對準。此問題在圖案尺寸大之習知情況下不嚴重，但當圖案尺寸小型化時變得嚴重。為降低薄膜應力，相移薄膜可含有氮，如與矽(Si)相比，氮含量不高於60%且較佳40%。為此，在濺鍍下注射以形成相移薄膜之氮氣量設為相對於總氣體體積不超過60%。氮含量愈高，與矽(Si)組合之氮愈多，使得薄膜可轉變為陶瓷。此使得在濺鍍期間熱應力更高且因此增加應力。為降低薄膜應力，濺鍍系統包括經佈置不面向透明基板102但相對於透明基板102傾斜的濺鍍標靶，使得連接透明基板102之中心與濺鍍標靶中心之虛擬線可與透明基板102之水平虛擬線成45至85度角。因此，與透明基板102之衝突能量減少，藉此降低相移薄膜104之薄膜應力。

另外，用於降低相移薄膜104之薄膜應力的濺鍍可在0.01Pa~0.15Pa之工作壓力下實施。視工作壓力而定，由電漿形成引起之平均自由路徑(mean free path，MFP)變化。若MFP增加，則與透明基板102之衝突能量變得更高且因此相移薄膜104之應力增加。在工作壓力不低於0.15Pa之情況下，在濺鍍期間電漿不均勻地產生且因此薄膜之均勻性降低。另一方面，在工作壓力不高於0.01Pa之情況下，MFP增加且因此衝突能量增加，藉此增加薄膜應力。因此，0.01~0.15Pa之工作壓力可降低應力。

如上所述，為控制除薄膜生長製程以外之薄膜應力，相移薄膜104經歷100至500度之溫度下真空熱製程至真空快速熱製程，藉此控制其耐化學性及薄膜應力。詳言之，熱製程可設為具有對應於一或多個步驟之溫度控制區段。舉例而言，熱製程之第一步驟包括其中溫度增加且維持之薄膜緻密步驟，且第二步驟包括其中溫度逐步降低且維持之薄膜穩定化步驟。第二步驟可在低於第一步驟溫度之溫度下，例如在50℃至100℃之溫度下在30分鐘內進行。此係因為第二步驟之溫度快速改變可由於與第一步驟之溫度差異而給薄膜帶來應力，且長工作時間可提高雜質及其類似粒子吸附至薄膜表面之可能性。

遮光薄膜106可呈單層或多層形式設置於相移薄膜104上。

遮光薄膜106含有在底部乾式蝕刻時針對相移薄膜104之蝕 刻選擇性不低於10且較佳不低於20之材料。為此，遮光薄膜106可含有選自鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、鉿(Hf)、鎢(W)及矽(Si)中之一或多種材料，及除該材料外氮(N)、氧(O)、碳(C)、硼(B)及氫(H)中之一或多種輕元素。

舉例而言，遮光薄膜106可由除鉻(Cr)或鉬鉻(MoCr)之外含有一或多種選自氧、氮及碳之輕元素的化合物製成。遮光薄膜106可選擇性地含有金屬鉬(Mo)，使得遮光作用可比僅僅包括鉻(Cr)增強且氯(Cl)氣之蝕刻速度可變得更快。

若遮光薄膜106由鉻(Cr)化合物製成，則遮光薄膜106具有30at%~70at%鉻(Cr)、10at%~40at%氮(N)、0~50at%氧(O)及0~30at%碳(C)之組成比率。若遮光薄膜106由鉬鉻(MoCr)化合物製成，則遮光薄膜106具有1at%~30at%鉬(Mo)、30at%~60at%鉻(Cr)、10at%~40at%氮(N)、0~50at%氧(O)及0~30at%碳(C)之組成比率。遮光薄膜106含有30at%或更多鉬(Mo)，遮光作用及蝕刻速度改良，但耐化學性降低，而增加導因於重複清洗製程之光學密度之改變。因此，控制鉬(Mo)含量不高於30at%。為此，鉬(Mo)及鉻(Cr)之相應標靶可藉由共同濺鍍法施加，或可使用鉬鉻(MoCr)之雙組分合金標靶。此時，鉬鉻(MoCr)標靶可具有Mo：Cr=1~30at%：70~99at%且較佳Mo：Cr=5~20at%：80~95at%之組成比率。

遮光薄膜106可藉由單層薄膜或兩層或超過兩層之多層薄膜實現。遮光薄膜106具有30nm至60nm之厚度。

在相移薄膜104及遮光薄膜106依序堆疊之結構中，對具有193nm之波長的暴露光線，光學密度在2.5至3.5範圍內且反射率不高於40%且較佳不高於35%。

控制遮光薄膜106具有在200MPa至500MPa範圍內之薄膜應力。相移薄膜104與遮光薄膜106之間的TIR差不大於300nm、較佳不大於200nm且更佳不大於100nm。為此，遮光薄膜106如相移薄膜104 一般經歷快速熱製程，藉此控制薄膜應力。此時，溫度不超過相移薄膜104之快速熱製程之溫度。

遮光薄膜106具有0.2Å/sec至3.0Å/sec，且較佳0.8Å/sec至3.0Å/sec之蝕刻速度，且因此可使上部抗蝕劑薄膜112薄化。

抗蝕劑薄膜112藉由旋塗化學增幅型抗蝕劑(chemically amplified resist，CAR)形成，且具有40nm~150nm之厚度。

圖2為根據本發明之第二實施例，具有硬薄膜之高透射率相移空白遮罩之橫截面圖。第二實施例展示硬薄膜108添加至根據第一實施例之相移薄膜104及遮光薄膜106上。硬薄膜108插入於遮光薄膜106與抗蝕劑薄膜112之間。

特定言之，硬薄膜108可含有選自矽(Si)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)中之一或多者，且可較佳由除矽(Si)之外含有選自氧(O)、氮(N)及碳(C)中之一或多者的化合物製成。

硬薄膜108可具有2nm至10nm之厚度。

硬薄膜108可具有針對下層遮光薄膜106不低於10且較佳不低於20之蝕刻選擇性。

硬薄膜108具有不高於500MPa且較佳不高於200MPa之薄膜應力，且遮光薄膜106與硬薄膜108之間的TIR差不高於100nm。

此處，考慮到硬薄膜108，遮光薄膜106可具有0.2Å/sec至2.0Å/sec之蝕刻速度。此係防止由光遮罩製程(例如蝕刻製程)中在遮光薄膜106具有高蝕刻速度時總體過度蝕刻引起的臨界尺寸(critical dimension，CD)偏差。

為改良硬薄膜108上之黏著性，可選擇性地實施HMDS製程。

抗蝕劑薄膜112藉由將旋塗應用於化學增幅型抗蝕劑(CAR)而形成於硬薄膜108上，具有40nm至150nm之厚度。

圖3為根據本發明之第三實施例，具有高薄膜及蝕刻終止薄膜之高透射率相移空白遮罩300的橫截面圖。根據本發明之第三實施例的空白遮罩具有在圖1之相移薄膜104上包括蝕刻終止薄膜110及遮光薄膜106的結構或在遮光薄膜106上另外包括硬薄膜108之結構。

蝕刻終止薄膜110具有針對上部遮光薄膜106及下部相移薄膜104不低於10且較佳不低於20之蝕刻選擇性，且可含有選自矽(Si)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)中之一或多者，且較佳除鉻(Cr)之外含有選自氧、氮及碳之一或多種輕元素的化合物。此時，蝕刻終止薄膜110可具有鉻(Cr)：輕元素=60~100at%：0~40at%之組成比率。

蝕刻終止薄膜110可具有2nm至10nm之厚度。

當上部硬薄膜108圖案化時蝕刻終止薄膜110藉由一種蝕刻材料蝕刻，且蝕刻速度比硬薄膜108快0.2至5倍。此時，若蝕刻終止薄膜110之蝕刻速度比硬薄膜108慢很多，則延長對上部硬薄膜108之過度蝕刻，且因此硬薄膜108下方之遮光薄膜106可受損。另一方面，若蝕刻終止薄膜110之蝕刻速度比上部硬薄膜108快五倍或超過五倍，則圖案可底切或偏斜。因此，控制蝕刻終止薄膜110以使蝕刻速度為上部硬薄膜108的0.2至5倍且較佳0.5至3倍。

遮光薄膜106可含有矽(Si)、包括金屬(M)之金屬矽化物(MSi)、包括選自氧(O)、氮(N)及碳(C)之一或多者的矽化合物或金屬矽化物(MSi)化合物。舉例而言，遮光薄膜106可含有選自Si、SiN、SiC、SiO、SiON、SiCO、SiCN、SiCON、MSi、MSiN、MSiC、MSiO、MSiON、MSiCO、MSiCN及MSiCON中之一或多者。此處，金屬(M)可包括選自鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)之一或多者， 且較佳包括鉬(Mo)或鉭(Ta)。

用於形成遮光薄膜106之濺鍍標靶可僅僅含有矽(Si)或包括矽(Si)及一種金屬(M)之化合物。若遮光薄膜106由矽(Si)化合物製成，則其濺鍍標靶藉由用硼(B)摻雜矽(Si)標靶以具有導電性來實現。若遮光薄膜106含有金屬，則金屬及矽之相應標靶可藉由共同濺鍍法來施加，或可使用金屬摻合矽之雙組分標靶。此時，包括金屬之雙組分可具有Mo：Si=5at%~20at%：80at%~15at%之組成比率。

遮光薄膜106可具有單層或多層結構。若遮光薄膜106具有單層結構，則其可藉由其中組成比率恆定之單一薄膜與其中組成比率不斷變化之連續薄膜中的一或多者實現。另一方面，若遮光薄膜106具有多層結構，例如兩層或超過兩層，則包括於最上層中之氮(N)含量可高於下層，藉此控制反射率。

順便而言，為將修復(電子束修復)時對XeF₂氣體之自發化學反應降至最低，遮光薄膜106設為使得上層與下層之間的氮含量差異或在深度方向上全遮光薄膜106中氮含量之差異在至多30at%內且較佳20at%內。在遮光薄膜106之修復工作下，電子束及XeF₂氣體用於執行修復。此後，若修復係另外涉及於相鄰區域，則XeF₂氣體可進行破壞。此一般稱為「自發化學反應」，且自發化學反應由上層與下層之間對XeF2的蝕刻速度差異引起。因此，為防止自發化學反應XeF₂氣體，上層與下層之間或遮光薄膜106中的氮含量差異設為不高於30at%且較佳不高於20at%，藉此減少各層之間蝕刻速度差異。另外，蝕刻速度差異可藉由遮光薄膜106之鉬含量以及氮含量控制。在此情況下，鉬含量可控制在1at%至15at%範圍內，藉此控制自發化學反應。

遮光薄膜106具有0at%~15at%金屬、45at%~75at%矽、10at%~55at%輕元素總和，例如氧、氮及碳之總含量的組成比率。

若相移薄膜106具有兩層或超過兩層之多層結構，則最上層之厚度佔據相移薄膜106總厚度之2%~30%。

遮光薄膜106具有20nm至50nm之厚度，且遮光薄膜表 面具有不高於40%及較佳35%之反射率。

遮光薄膜106經形成以具有不大於500MPa且較佳不大於200MPa之薄膜應力。若薄膜應力由TIR界定，則控制相移薄膜與透明基板之間TIR差異不高於100nm且較佳不高於50nm。

在相移薄膜104、蝕刻終止薄膜110、遮光薄膜106依序堆疊之結構中，對具有193nm波長之暴露光線的光學密度在2.5至3.5範圍內。

硬薄膜108可含有選自矽(Si)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)之一或多者，且可較佳由僅僅鉻(Cr)或除鉻(Cr)之外含有選自氧(O)、氮(N)及碳(C)之一或多者的化合物製成。

抗蝕劑薄膜112藉由將旋塗應用於化學增幅型抗蝕劑(CAR)而形成於硬薄膜108上，具有40nm至150nm之厚度。

以下將詳細描述根據本發明之實施例的相移空白遮罩。

[本發明之實驗性實例-1]：製造高透射率相移空白遮罩

根據本發明，本發明之實驗性實例-1展示其中形成相移薄膜104、遮光薄膜106及抗蝕劑薄膜112之高透射率相移空白遮罩(參見圖4)。

<製造高透射率相移空白遮罩>

為製造高透射率相移空白遮罩，準備由合成石英玻璃製成之透明基板102。控制透明基板102以具有193nm下1nm/6.35mm之雙折射率，及148nm之平坦度。此處，平坦度由總指示讀數(TIR)界定。

隨後，為在透明基板102上形成相移薄膜104，摻雜有硼(B)之矽(Si)標靶在Ar：N₂=7：9 sccm及0.7kW工作功率下生長320秒，藉此在相移薄膜104中形成厚度為58nm且由SiN製成之下層。就此而言，使用n&k分析器量測透射率及相移度。結果，透射率為13%，且相移度為171度。

隨後，相同濺鍍系統應用於Ar：N₂：NO=7：7：7 sccm及0.7kW工作功率60秒，藉此在相移薄膜中形成厚度為5nm且由SiON製成之上層。此外，最終形成之相移薄膜104的透射率及相移度使用n&k分析器量測。結果，對於193nm，透射率為11.5%且相移度為178度，藉此實現特徵優良之相移薄膜104。

使用真空快速熱製程在350度之溫度下使如上製造之相移薄膜104經歷熱製程30分鐘。接著，使用超平系統量測之相移薄膜104之TIR為202nm，其與透明基板102相差+54nm。因此，相移薄膜104之薄膜應力優良。

隨後，為形成遮光薄膜106，MoCr[20：80at%]標靶在Ar：N₂=5：4 sccm及0.7kW工作功率下生長250秒，藉此在遮光薄膜106中形成厚度為30nm之下層。隨後，薄膜在Ar：N2：NO=5：3：3 sccm及0.6kW工作功率下生長120秒，藉此在遮光薄膜106中形成厚度為15nm之上層。

在如上依序堆疊之相移薄膜104及遮光薄膜106上，使用n&k分析器系統量測光學密度及反射率。結果，透射率為0.09%，光學密度為3.04，且反射率為31.5%，藉此實現良好空白遮罩。

此外，使用真空快速熱製程在350度之溫度下使如上製造之遮光薄膜106經歷熱製程30分鐘。接著，使用超平系統量測之遮光薄膜106之TIR為215nm，其與下部相移薄膜104相差+13nm。

隨後，遮光薄膜106用化學增幅型抗蝕劑(CAR)塗佈達100nm之厚度，藉此完成高透射率相移空白遮罩。

<製造高透射率相移光遮罩>

使用高透射率相移空白遮罩，如下製造光遮罩。

首先，EBM-8000之書寫系統用於暴露。此時，暴露抗蝕劑之暴露劑量為32uC/cm²。隨後，在110度之溫度下進行暴露後烘烤(pose exposure baking，PEB)10分鐘，且接著界定抗蝕劑圖案。隨後，抗蝕劑圖案經歷顯影後檢查(after-develop-inspection，ADI)，且藉由CD-SEM相對於解析度進行量測。

結果，等線(Iso-line)、線與空間(Line & space)及等空間(Iso-space)之解析度界定多達40nm，藉此完全確保抗蝕劑薄膜112之解析度。

隨後，藉由TETRA-X系統，基於氯(Cl)氣而無氧(O)氣，使用抗蝕劑薄膜112作為蝕刻遮罩來蝕刻下層遮光薄膜106。此時，遮光薄膜106具有1.78Å/sec之蝕刻速度，清洗時間展現252秒，且另外經歷30%過度蝕刻，藉此完成遮光薄膜106之圖案。隨後，剩餘抗蝕劑薄膜112之厚度藉由AFM系統量測。所量測之厚度為42nm，因此，當應用厚度為100nm之抗蝕劑薄膜112時，作為蝕刻遮罩無問題。

接著，移除抗蝕劑薄膜112，且藉由使用經圖案化之遮光薄膜106作為蝕刻遮罩，下部相移薄膜104經歷基於氟(F)氣之乾式蝕刻。

此後，進行第二抗蝕劑薄膜之塗佈，除外部環形盲區外之主要區域經歷暴露及顯影。接著藉由乾式蝕刻移除遮光薄膜106。隨後，移除抗蝕劑薄膜，藉此完成相移光遮罩。

如上製造之相移圖案之透射率及相移度使用MPM-193系統量測。結果，在193nm波長下透射率為12.2%且相移度為182度。因此，相移圖案具有良好特徵。

關於如上製造之光遮罩，關於40nm~1000nm之圖案量測CD線性，且其結果如下。

[本發明之實驗性實例-2]：製造具有硬薄膜之高透射率相移空白遮罩

根據本發明，本發明之實驗性實例2展示其中添加硬薄膜108以改良CD線性之相移空白遮罩(參見圖5)。

<製造具有硬薄膜之高透射率相移空白遮罩>

此實驗性實例2展示其中硬薄膜108添加至實驗性實例1之結構中的結構。為此，基於實驗性實例1，相移薄膜104及遮光薄膜106依序形成於透明基板102上，且接著硬薄膜108形成於遮光薄膜106上。

首先，為形成硬薄膜108，摻雜有硼(B)及具有5N純度之矽(Si)標靶在Ar：N₂：NO=7：7：7 sccm及0.7kW工作功率下生長35秒，藉此形成厚度為5nm之硬薄膜108。

接著，為改良硬薄膜108與抗蝕劑薄膜112之間的表面黏著，硬薄膜108經歷HMDS製程，且接著化學增幅型抗蝕劑薄膜112經歷旋塗以具有80nm之厚度，藉此完成空白遮罩。

在製造高透射率空白遮罩之方法中，實驗性實例1之遮光薄膜如下替換。

為在形成與實驗性實例1相同的相移薄膜之後形成遮光薄膜106，Cr標靶在Ar：N₂=5：2 sccm及0.7kW工作功率下生長262秒，藉此在遮光薄膜106中形成厚度為34nm之下層。隨後，薄膜在Ar：N₂：NO=5：2：2 sccm及0.6kW工作功率下生長125秒，藉此在遮光薄膜106中形成厚度為12nm之上層。

在如上依序堆疊之相移薄膜104及遮光薄膜106上，使用n&k分析器系統量測光學密度及反射率。結果，透射率為0.09%，光學密度為3.04，且反射率為29.5%，藉此實現良好空白遮罩。

此時，使用TETRA-X系統比較對遮光薄膜之蝕刻速率如下。

<製造具有硬薄膜之高透射率光遮罩>

使用具有硬薄膜108之高透射率相移空白遮罩，如下製造光遮罩。

如本發明之實驗性實例1，EBM-8000之書寫系統用於暴露。此時，暴露抗蝕劑之暴露劑量為31.5uC/cm²，其意指對基板無作用。隨後，在110度之溫度下進行暴露後烘烤(PEB)10分鐘，且接著界定抗蝕劑圖案。隨後，抗蝕劑圖案經歷顯影後檢查。

結果，等線、線與空間之解析度及等空間之解析度界定多達35nm，藉此具有增強解析度，高於不具有下部硬薄膜之作用。

隨後，使用抗蝕劑薄膜112作為蝕刻遮罩，藉由TETRA-X系統，基於氟(F)氣，蝕刻下部硬薄膜108。此時，硬薄膜108具有7.2Å/sec之蝕刻速度，且另外經歷100%過度蝕刻。隨後，量測剩餘抗蝕劑圖案之厚度。量測厚度為65nm，因此，作為蝕刻遮罩無問題。

接著，在移除抗蝕劑薄膜112之後，使用硬薄膜圖案108作為蝕刻遮罩，基於氯(Cl)氣，蝕刻下部遮光薄膜106。此時，蝕刻速度為1.80Å/sec且過度蝕刻為30%。隨後，為檢查下部遮光薄膜106針對硬薄膜108之蝕刻選擇性，量測硬薄膜108之厚度。結果，關於具有5nm厚度之硬薄膜108，下部遮光薄膜106展示4.5nm之厚度。因此，可固定關於硬薄膜108及遮光薄膜106之蝕刻選擇性。隨後，在硬薄膜108及遮光薄膜106經圖案化之狀態下，下部相移薄膜104經歷基於氟(F)氣之乾式蝕刻。此時，移除硬薄膜，同時形成相移薄膜104之圖案，且因此相移薄膜104及遮光薄膜圖案最終如本發明之實驗性實例1般保持。

另外，塗佈第二抗蝕劑薄膜，且接著在除盲區外之主要區域上移除遮光薄膜106，藉此完成相移光遮罩。

關於如上製造之光遮罩，關於40nm~1000nm之圖案量測CD線性，且其結果如下。

[本發明之實驗性實例3]：具有蝕刻終止薄膜及硬薄膜之高透射率相移空白遮罩的製造I

根據本發明，本發明之實驗性實例3展示一種製造具有蝕刻終止薄膜110及硬薄膜108之高透射率相移空白遮罩的方法及一種使用蝕刻終止薄膜110與硬薄膜108之間的蝕刻速度差異製造光遮罩之方法(參見圖6)。

<具有硬薄膜及蝕刻終止薄膜之高透射率空白遮罩的製造I>

在本發明之此實驗性實例3中，藉由使用鉻(Cr)標靶且在Ar：N₂=5：4 sccm及0.7kW工作功率下進行濺鍍28秒，在以上實驗性實例 1中形成之相移薄膜104上形成厚度為4nm之CrN之蝕刻終止薄膜110。

為形成遮光薄膜10，在Ar：N₂=9.9：3.2 sccm及0.7kW工作功率下使用MoSi[10：90at%]之標靶形成遮光薄膜106之下層，歷時340秒，厚度為30nm。隨後，在Ar：N₂=9.9：7.2 sccm及0.65kW工作功率下形成遮光薄膜106之上層，歷時25秒，厚度為4nm。

關於如上依序堆疊之相移薄膜104、蝕刻終止薄膜110及遮光薄膜106，對於193nm之波長，透射率為0.08%，光學密度為3.09，且反射率為33.5%。

接著，為在遮光薄膜106上形成硬薄膜108，鉻標靶在Ar：8 sccm及0.7kW工作功率下生長20秒，藉此完成厚度為4nm之硬薄膜108。

此外，旋塗化學增幅型抗蝕劑(CAR)以具有80nm之厚度，藉此完成空白遮罩。

<具有硬薄膜及蝕刻終止薄膜之高透射率光遮罩的製造I>

使用空白遮罩，光遮罩如下製造。

首先，EBM-8000之書寫系統用於施加暴露及顯影至抗蝕劑薄膜，且接著使用氯氣蝕刻硬薄膜108。此時，硬薄膜108之蝕刻速度為1.5Å/sec，且抗蝕劑薄膜112具有65nm之厚度，藉此具有令人滿意之蝕刻選擇性。

隨後，移除抗蝕劑薄膜112，且在氟氣下，藉由使用硬薄膜108作為蝕刻遮罩，蝕刻下部遮光薄膜，藉此形成圖案。此時，硬薄膜108之厚度為3.7nm。因此，硬薄膜108作為蝕刻遮罩之蝕刻選擇性優良。

隨後，再次使用氯(Cl)氣對蝕刻終止薄膜110進行蝕刻以形成圖案。此時，蝕刻終止薄膜之蝕刻速度為0.8Å/sec，且因此大約為硬薄膜108之蝕刻速度的一半。當蝕刻終止薄膜110最終經由過度蝕刻而圖案化時移除上部硬薄膜108。或者，可在蝕刻遮光薄膜之後移除抗蝕劑薄膜。

隨後，塗佈第二抗蝕劑薄膜，且使除盲區外之主要區域顯影。接著，藉由使用主要區域之第二抗蝕劑圖案112及蝕刻終止薄膜圖案110作為遮罩，在氟(F)氣下蝕刻下部相移薄膜，藉此形成相移薄膜圖案。 此時，相移薄膜104之蝕刻速度為15Å/sec，而遮光薄膜106之蝕刻速度為11.3Å/sec。因此，相移薄膜104之蝕刻速度相對較高。藉由此方法，當相移薄膜104圖案化時主要區域中之遮光薄膜106之圖案完全移除。

接著，主要區域中剩餘之蝕刻終止薄膜使用氯(Cl)氣移除，且盲區中剩餘之抗蝕劑圖案亦移除，藉此完成光遮罩。

關於如上製造之光遮罩，關於40nm~1000nm之圖案量測CD線性，且其結果如下。

[本發明之實驗性實例4]：具有蝕刻終止薄膜及硬薄膜之高透射率相移空白遮罩的製造II

根據本發明，本發明之實驗性實例4展示一種製造具有蝕刻終止薄膜110及硬薄膜108之高透射率相移空白遮罩的方法及一種使用蝕刻終止薄膜110與硬薄膜108之間的蝕刻速度差異製造光遮罩之方法(參見圖7)。

<具有硬薄膜及蝕刻終止薄膜之高透射率空白遮罩的製造II>

在本發明之此實驗性實例4中，藉由使用鉻(Cr)標靶在Ar：N₂：NO=9：5：5 sccm及0.7kW工作功率下，在以上實驗性實例3中形成之相移薄膜104上形成厚度為4nm之CrN之蝕刻終止薄膜110。此處，形成具有1.5Å/sec之蝕刻速度的蝕刻終止薄膜110。

此外，如實驗性實例3，遮光薄膜106形成於蝕刻終止薄膜110上。

接著，藉由使用鉻標靶在Ar：N₂：CH₄=5：1：2 sccm及0.7kW工作功率下，在遮光薄膜106上形成厚度為4nm之CrCN之硬薄膜108。此處，硬薄膜108之蝕刻速度為0.4Å/sec且因此至多為蝕刻終止薄膜110之蝕刻速度的三分之一。

此外，旋塗化學增幅型抗蝕劑(CAR)以具有80nm之厚度，藉此完成空白遮罩。

<具有硬薄膜及蝕刻終止薄膜之高透射率光遮罩的製造II>

使用空白遮罩，光遮罩如下製造。

首先，EBM-8000之書寫系統用於施加暴露及顯影至抗蝕劑薄膜，且接著使用氯氣蝕刻硬薄膜108。

隨後，移除抗蝕劑薄膜112，且在氟氣下，藉由使用硬薄膜108作為蝕刻遮罩，蝕刻下部遮光薄膜106，藉此圖案化遮光薄膜106。此時，硬薄膜108之剩餘厚度為3.93nm。因此，硬薄膜108作為蝕刻遮罩之蝕刻選擇性優良。

隨後，再次使用氯(Cl)氣對蝕刻終止薄膜110進行蝕刻以形成圖案。此時，關於終點偵測(end point detection，EPD)，蝕刻終止薄膜110展現28秒，且過度蝕刻10%，藉此完成圖案。此處，蝕刻終止薄膜110之蝕刻速度為1.5Å/sec，而硬薄膜108之蝕刻速度為0.4Å/sec，比蝕刻終止薄膜110之蝕刻速度的一半低。因此，硬薄膜108之圖案保持，且保持之圖案的厚度為2.2nm。

隨後，在氟氣下，使用剩餘硬薄膜108作為蝕刻遮罩蝕刻下部相移薄膜，藉此形成相移薄膜104之圖案。

隨後，塗佈第二抗蝕劑薄膜，且使除盲區外之主要區域暴露及顯影。此處，在形成第二抗蝕劑薄膜前可移除硬薄膜108或可不移除。

接著，依序蝕刻硬薄膜108、遮光薄膜106及蝕刻終止薄膜110，使得相移薄膜104之顯影圖案可暴露，且移除抗蝕劑圖案，藉此完成光遮罩。

[本發明之實驗性實例-5]：薄膜應力之測試結果

以下為降低相移薄膜之薄膜應力的實驗結果。

如表5中所示，測試結果展示對於相同氣體比率，TIR值視壓力及熱製程而變化。使用超平系統量測TIR。TIR變化之以下圖片藉由軟體處理以展示1：1定位結果之差異。

參看表5，可證實在高工作壓力下在應力控制製程期間TIR變化減少。此係因為當工作壓力變得更高時MFP縮短且因此原子衝突能量降低。此外，應瞭解RTP使薄膜穩定且因此釋放薄膜應力。

[本發明之實驗性實例-6]：耐化學性之測試結果

此實驗性實例6展示根據快速熱製程(RTP)之耐化學性之測試結果。

在85度溫度下硫酸及40度溫度下SC-1(標準清洗-I=NH4OH：H2O2：去離子水=1：1：5)之1次循環條件下測試耐化學性。

參看表6，根據RTP製程之存在測試相移薄膜之耐化學性。結果，每1次循環經歷熱製程之相移薄膜比未經歷熱製程之相移薄膜厚度 減少12.2Å。換言之，相移薄膜之厚度改良約50%。

根據本發明之一實施例，在晶片印刷時可防止不希望之圖案且實現高解析度，因為相移空白遮罩具有適當透射率。

此外，遮光薄膜具有高度遮光作用及令人滿意之蝕刻速度，使得抗蝕劑薄膜可具有不高於150nm且較佳不高於100nm之厚度，藉此製造解析度優良之高透射率相移空白遮罩。

另外，硬薄膜選擇性地設置於遮光薄膜上，且因此抗蝕劑薄膜可變得更薄，藉此製造品質優良之高透射率相移空白遮罩。

儘管上文已描述本發明之幾個示例性實施例，但本發明之技術範疇不限於以上示例性實施例。熟習此項技術者應瞭解可在不背離本發明之原理及精神下在此等示例性實施例中進行改變及修改，其範疇定義於所附申請專利範圍及其相等物中。

100‧‧‧高透射率相移空白遮罩

102‧‧‧透明基板

104‧‧‧相移薄膜

106‧‧‧遮光薄膜

112‧‧‧抗蝕劑薄膜

Claims (24)

1. 一種相移空白遮罩，其包含一透明基板；一相移薄膜，其位於該透明基板上；一遮光薄膜，其位於該相移薄膜上；該相移薄膜對193nm暴露光線具有8%至20%之一透射率，其中該相移薄膜及該遮光薄膜之該堆疊結構對暴露光線具有2.5至3.5之一光學密度及不高於40%之一反射率。
2. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該相移薄膜僅僅包含矽(Si)或矽(Si)與金屬之化合物，且該化合物包含選自氮(N)、氧(O)及碳(C)之一或多種輕元素。
3. 如申請專利範圍第2項之相移空白遮罩，其中該金屬包含選自鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)中之一或多者。
4. 如申請專利範圍第2項之相移空白遮罩，其中該相移薄膜具有0at%~10at%金屬、50at%~80at%矽及20at%~50at%輕元素總和之組成比率。
5. 如申請專利範圍第2項之相移空白遮罩，其中若該相移薄膜含有氮(N)，則氮(N)含量如與矽(Si)含量相比不高於60%。
6. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該相移薄膜包含組成比率不斷變化之一單層薄膜，或一多層薄膜，且該相移薄膜包含含有1at%~20at%氧(O)且佔據該相移薄膜總厚度2%~30%之一最上層。
7. 如申請專利範圍第6項之相移空白遮罩，其中該最上層每個單位厚度具有更高透射率且折射率比其下層低。
8. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該相移薄膜及該透明基板之總指示讀數(TIR)相差不超過100nm。
9. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該相移薄膜經歷一熱製 程，且該熱製程包含維持一預設溫度之一薄膜緻密步驟，及逐步減少及維持溫度之一薄膜穩定化步驟。
10. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該相移薄膜對該暴露光線具有170°至190°之相移度，及不高於40%之反射率。
11. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該相移薄膜具有50nm至100nm之一厚度。
12. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該遮光薄膜包含具有30at%~70at%鉻(Cr)、10at%~40at%氮(N)、0~50at%氧(O)、0~30at%碳(C)之一組成比率的一鉻(Cr)化合物。
13. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該遮光薄膜包含具有1at%~30at%鉬(Mo)、30at%~60at%鉻(Cr)、10at%~40at%氮(N)、0~50at%氧(O)及0~30at%碳(C)之一組成比率的一鉬鉻(MoCr)化合物。
14. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該遮光薄膜包含一單層薄膜或具有兩層或超過兩層之一多層薄膜且具有30nm至60nm之厚度。
15. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該相移薄膜及該透明基板之總指示讀數(TIR)相差不超過300nm。
16. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其中該遮光薄膜具有0.4Å/sec至3.0Å/sec之一蝕刻速度。
17. 如申請專利範圍第1項之相移空白遮罩，其進一步包含佈置在該相移薄膜與該遮光薄膜之間的一蝕刻終止薄膜與佈置於該遮光薄膜上之一硬薄膜中的一或多者。
18. 如申請專利範圍第17項之相移空白遮罩，其中設置於該遮光薄膜上或下方之該硬薄膜及該蝕刻終止薄膜包含鉻(Cr)化合物，該鉻(Cr)化合物進一步包含一或多種選自氧(O)、氮(N)及碳(C)之輕元素且具有鉻(Cr)：輕元素=60~100at%：0~40at%之一組成比率。
19. 如申請專利範圍第18項之相移空白遮罩，其中該蝕刻終止薄膜之蝕刻速度比該硬薄膜之蝕刻速度快0.2至5倍。
20. 如申請專利範圍第18項之相移空白遮罩，其中該遮光薄膜包含矽(Si)化合物或金屬矽化物(MSi)化合物，該化合物包含一或多種選自氧(O)、氮(N)及碳(C)之輕元素且具有0at%~15at%金屬、45at%~75at%矽及10at%~55at%輕元素總和之一組成比率。
21. 如申請專利範圍第17項之相移空白遮罩，其中該硬薄膜及該蝕刻終止薄膜具有2nm至10nm之一厚度。
22. 如申請專利範圍第17項之相移空白遮罩，其中該遮光薄膜及該硬薄膜之總指示讀數(TIR)相差不超過100nm。
23. 如申請專利範圍第18項之相移空白遮罩，其中該遮光薄膜、該蝕刻終止薄膜或該硬薄膜包含選自矽(Si)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、錳(Mn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、鉿(Hf)及鎢(W)中之一或多者。
24. 一種相移光遮罩，其使用如申請專利範圍第1項至第23項中任一項之相移空白遮罩製造。