JP2011228705A - フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオードの筐体及びその発光ダイオード構造 - Google Patents

フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオードの筐体及びその発光ダイオード構造 Download PDF

Info

Publication number
JP2011228705A
JP2011228705A JP2011088955A JP2011088955A JP2011228705A JP 2011228705 A JP2011228705 A JP 2011228705A JP 2011088955 A JP2011088955 A JP 2011088955A JP 2011088955 A JP2011088955 A JP 2011088955A JP 2011228705 A JP2011228705 A JP 2011228705A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
housing
fluorinated polymer
light
surface coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011088955A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5346351B2 (ja
Inventor
Bang Ming Huang
邦明 黄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of JP2011228705A publication Critical patent/JP2011228705A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5346351B2 publication Critical patent/JP5346351B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオードの筐体、及び、その発光ダイオード構造を提供すること。
【解決手段】本発明に係る筐体は、発光ダイオードチップを載置することに用いる筐体である。該筐体は、非フッ素化ポリマーからなるカバー体と、フッ素化ポリマーの分散液からなり、該カバー体の少なくとも一部を覆うと共に該カバー体に設置された発光ダイオードチップが発する光を反射することに用いる表面塗膜とを、含む。本発明の発光ダイオード構造は、上記筐体と発光ダイオードチップとを含む。
【選択図】図1A

Description

本発明は、発光ダイオードの構造に関し、特に、フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオードの筐体及びその発光ダイオード構造に関する。
光取り出し効率を向上することは、以前から、発光ダイオードの発展における重要な課題であった。光取り出し効率が向上し難い原因のひとつは、発光ダイオードチップ自体と周辺素子のインターフェースの内部反射或いは屈折により、チップから発した光が逆に周辺素子に吸収されてしまっていたことにある。この問題を解決するため、通常、発光ダイオードは二酸化チタンを含有する筐体で覆われていた。二酸化チタンは、可視光線反射率を向上することができる。一般に、この種の筐体は、ポリフェニルヒドラジン(polyphenylhydrazine、PPA)エンジニアリングプラスチックで製造される。しかしながら、このようなアプローチの欠点は、二酸化チタンが徐々にポリフェニルヒドラジン筐体の色を白色から黄色に変えるために、これに伴って光取り出し効率も徐々に下がっていくことである。
公知技術では、別の解決方法として特許文献1に記載されているように、フッ素を含有するエンジニアリングプラスチックをポリフェニルヒドラジンに代替することが提案されている。この技術においては、射出成形により、フッ素化ポリマーを発光ダイオードの一体化筐体として製造する。この技術はポリフェニルヒドラジンの黄ばみ問題を解決できるが、フッ素化ポリマーの価格は非常に高いため、フッ素化ポリマーで発光ダイオードの一体化筐体を製造した場合には、コストが大幅に増えてしまい、各種の発光ダイオード素子に実施することは非常に難しい。
米国特許公開US20100032702号公報
そこで、本発明は上記のような公知技術の問題点に鑑み、1つの実施例においてフッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオード筐体(housing)を含み、新規で且つ革新的な発光ダイオード構造を提供する。フッ素化ポリマーの表面塗膜に非フッ素ポリマーのエンジニアリングプラスチックからなる筐体本体(housing body)で覆うことである。この実施例に基づいて形成されたフッ素化ポリマーの表面塗膜は、フッ素化ポリマーの分散液を筐体本体に塗布したものである。これにより、ここで使用するフッ素化ポリマーは公知の射出成形による一体化技術に比較して非常に多く節約できる。且つ、この実施例によることで、市場ですでに幅広く使用されている他の非フッ素ポリマーのエンジニアリングプラスチック筐体を利用し続けることもでき、資源の浪費を避けるという長所を持っている。
本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマーの表面塗膜の艶が安定し、可視光線を反射でき、且つ耐溶接割れ性を持ち260℃〜280℃の溶接工程において3分間以上耐えることができる。
本発明の1つの実施例によれば、筐体本体はポリフェニルヒドラジンのPPAエンジニアリングプラスチックからなることができる。本発明の実施例に基づくと、筐体本体は液晶高分子のエンジニアリングプラスチックからなることができる。
本発明の1つの実施例によれば、筐体本体は発光ダイオードチップを収容するための凹溝を更に含み、表面塗膜が凹溝の表面のみを覆うことができる。
本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマー分の散液がフッ素化ポリマーを含み、該フッ素化ポリマーがフッ化ビニル(vinyl floride、VF)のホモポリマーと、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(perfluoroalkoxy fluorocarbon resin、PFA)の共重合体或いはフッ化ビニリデン(vinylidene fluoride、VDF)のホモポリマーとを、含む。
本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマーの分散液は、可視光線を発散できる充填材を含む。
本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマーの分散液は、該表面塗膜のモジュラスを調整できる充填材を含む。
本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマーの分散液は、発光(luminescent)化合物を含む。
本発明の他の態様によれば、さらに他の課題が解決され、これらは、上述の課題と併せて、以下の実施形態により、詳細に開示される。
本発明は、フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオード筐体を提供する。フッ素化ポリマーの表面塗膜は、フッ素化ポリマーの分散液を筐体本体に塗布したものである。ここで使用するフッ素化ポリマーは公知の射出成形による一体化技術に比較して非常に多く節約できる。また、本発明では、市場ですでに幅広く使用されている他の非フッ素ポリマーのエンジニアリングプラスチック筐体を利用し続けることもでき、資源の浪費を避けることができる。
本発明の実施例に基づく凹溝を備えた各種発光ダイオードの筐体を示す断面図である。 本発明の実施例に基づく凹溝を備えた各種発光ダイオードの筐体を示す断面図である。 本発明の実施例に基づく凹溝を備えた各種発光ダイオードの筐体を示す断面図である。 本発明の実施例に基づく凹溝を備えた各種発光ダイオードの筐体を示す断面図である。 本発明の実施例に基づく凹溝を備えていない各種発光ダイオードの筐体を示す断面図である。 本発明の実施例に基づく図1Aの筐体を含む発光ダイオードの筐体を示す断面図である。
以下に、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の態様について説明する。添付図面内の類似する構成要素には、同じ符号を付する。本発明をはっきり表現するため、添付図面内の各構成要素は実物の縮尺通りには作図されていない。また、本発明の内容が曖昧になることを避けるため、以下の説明では、公知の部品・コンポーネント、関連する材料、及び関連するプロセス技術については、省略する。
本発明の実施例によれば、発光ダイオードチップの筐体は多種多様の機能を持つことができ、LEDチップパッケージ体に適した位置と配向を提供することで、回路板に電気的に接続するLEDチップパッケージ体の載置具とすることができる。パッケージ体内には蛍光体(phosphors)を含むことができる。例を挙げると、青色光LEDチップは緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせることで白色光を発生できる。その他、発光ダイオードチップの筐体はLED装置の全体的な輝度も増すため、光線を反射できる。
図1A乃至図1Dは、本発明の凹溝を備えた発光ダイオードチップの筐体を示す各実施例である。図1Aに示すように、発光ダイオードチップを載置することに用いる筐体100には、金属枠101と、金属枠101に連結する筐体本体(カバー体)102とを、含む。図内の破線で示すように金属枠101は、選択的に筐体本体102の中を貫くようにできる。金属枠101は、導電性金属からなることができる。筐体本体102は非フッ素化ポリマーからなり、例えばポリフェニルヒドラジン(PPA)、液晶高分子(LCP)或いはその他適したエンジニアリングプラスチックで、射出成形されたものである。LEDチップを載置する位置として筐体本体102が凹溝103を形成する。凹溝103は一個以上のLEDチップを収容できる。凹溝103は光線を欲する角度に沿って反射させることでき、その深さ、壁面の傾斜角度、大きさ等を設計者に決定させることができる。
同様に図1Aを参照しながら説明する。筐体100は筐体本体102の表面の少なくとも一部を覆う表面塗膜104を更に含む。表面塗膜104はフッ素化ポリマーの分散液からなり、筐体本体102に設置された発光ダイオードチップが発する光を反射するために用いる。図1Aに示す表面塗膜104は金属枠101上部にある筐体本体102の表面を覆う。表面塗膜104は金属枠101の一端を覆う延伸部104aを更に含む。図1Bは別の実施例に基づいて発光ダイオードチップの筐体110を示したもので、図1Aとの相違点は、表面塗膜114が凹溝103の表面のみを覆うことである。図1Cは、別の実施例に基づき発光ダイオードチップの筐体120を示したもので、図1Bとの相違点は、表面塗膜124が凹溝103の表面を覆う以外にも筐体本体102の頂部表面102aの一部も覆うが、金属枠101以上の一部の筐体本体102が露出し、表面塗膜124で覆われないことである。図1Dは別の実施例に基づき発光ダイオードチップの筐体130を示したもので、図1Aとの相違点は表面塗膜134が筐体本体102の表面全体を覆うことである。
図1A乃至図1Dは、例示により本発明の実施例内の表面塗膜の各種変化を説明するための図で、これらは各表面塗膜の形成工程に関係する。金属枠及び筐体本体の製作が完成した後、適切なマスクを伴ったスパッタリングや吹付塗装或いは含浸などの適切な塗布技術を利用し又はポスト塗布エッチングにより、余分な塗膜を除去して本発明の各種態様の表面塗膜を完成させることができる。図2は凹溝の無いフラット式発光ダイオードチップの筐体200で、金属枠101と、筐体本体202と、金属枠101上部にある筐体本体202の表面全体を覆う表面塗膜204とを、含む。本発明の実施例は上記に限らず、本発明の表面塗膜には該筐体本体に設置された発光ダイオードチップが発した光を反射できる各種実施例を含むことについて当業者が理解できるはずである。
上記のように、表面塗膜はフッ素化ポリマーの分散液からなる。本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマーの表面塗膜の艶が安定し、可視光線を反射でき、且つ耐溶接割れ性を持ち260℃〜280℃の溶接工程において3分間以上耐えることができる。本発明の1つの実施例に基づくと、フッ素化ポリマーの表面塗膜の380nm〜780nm波長範囲における光反射性(photopic reflectance)が少なくとも約80%である。
フッ素化ポリマーの分散液には、フッ素化ポリマー及びその他適した充填材を含む。フッ素化ポリマーの含有量はフッ素化ポリマーの分散液の総重量の約30wt%〜90wt%で、充填材の含有量はフッ素化ポリマーの分散液の総重量の約10wt%〜70wt%となる。フッ素化ポリマーの分散液は、塗布工程を実施してカバー体にデポジションする特長を持ち、塗布工程は吹付塗装、含浸或いはその他各種適した技術により行うことができる。
フッ素化ポリマーの分散液内のフッ素化ポリマーには、各種分子量のポリマーを含み、ポリマーのモノマーは、2〜8個の炭素を有することができる。フッ素化ポリマーは単一モノマーからなるホモポリマー或いは複数のモノマーからなる共重合物、若しくは上記の両者を含んだ各種組み合せとすることができる。モノマーはフッ素を含有、又はフッ素を含有しないこともできる。例を挙げると、フッ素を含有しないモノマーはエチレン或いはプロピレンとすることができる。フッ素を含有するモノマーはテトラフルオロエチレン(tetrafluoroethylene、TFE)、フッ化ビニル(vinyl floride、VF)、フッ化ビニリデン(vinylidene fluoride、VDF)、ヘキサフルオロイソブチレン(hexafluoroisobutylene、HFIB)、ヘキサフルオロプロペン(hexafluoropropylene、HFP)或いはパーフルオロ(アルキルビニルエーテル)(perfluoro (alkyl vinyl ether、PAVE)とすることができるが、これに限らない。PAVEのパーフルオロアルキル基は、1〜5個の炭素原子を含み、直鎖状又は分岐状の構造とすることができ、例えばパーフルオロ(メチルビニルエーテル)(perfluoro(methyl vinyl ether)、PMVE)、パーフルオロ(エチルビニルエーテル)(perfluoro(ethyl vinyl ether)、PEVE)、パーフルオロ(プロピルビニルエーテル)(perfluoro (propyl vinyl ether)、PPVE)、及びパーフルオロ(ブチルビニルエーテル)(perfluoro (butyl vinyl ether、PBVE)である。実例で説明した本発明の各種フッ素化ポリマーは、下記の各項目及びその各種組み合せから選択できるが、これに限るものではなく、つまりTFE及びHFPの共重合物はパーフルオロ-エチレン-プロピレン(perfluorinated ethylene-propylene、FEP)と呼ばれ、TFE及びPAVEの共重合物がペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(perfluoroalkoxy fluorocarbon resin、PFA)と呼ばれ、VDFのホモポリマーがPVDFと呼ばれ、エチレン及びTFEの共重合物がエチレン・四フッ化エチレン共重合物(ethylene tetrafluoroethylene、ETFE)と呼ばれ、VFのホモポリマーがPVFと呼ばれ、三フッ化塩化エチレン(chlorotrifluoroethylene)のホモポリマーがPCTFEと呼ばれ、三フッ化塩化エチレン及びエチレンの共重合物がECTFEと呼ばれる。
本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマーの分散液には可視光線を発散できる充填材を含む。可視光線を発散する粒子の種類が非常に多く、例を挙げると、金属塩類、金属水素酸化物或いは金属酸化物、又は二酸化チタンような白色顔料とすることができる。1つの実施例において、可視光線を発散する粒子の含有量はフッ素化ポリマーの分散液の総重量の約20wt%〜60wt%とする。
本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマーの分散液には該表面塗膜のモジュラスを調整できる充填材を含むことができる。詳細に言うと、該表面塗膜のモジュラス(modulus)の調整は適した充填材を介して線形熱膨張係数、熱伝導係数を調整でき、適した充填材はガラス繊維或いは中空ガラス微球体(hollow glass microspheres)とすることができる。
本発明の1つの実施例によれば、フッ素化ポリマーの分散液には発光(luminescent)化合物を含む。発光化合物は表面塗膜が反射したい光線を要望の色に変換させることができる働きを持っている。例を挙げると、反射したい青色光を緑色光又は赤色光に変換、若しくはUV光を青色光、緑色光或いは赤色光に変換できる。発光化合物は燐光性化合物(phosphorescent)又は蛍光化合物(fluorescent)等とすることができる。
図3は本発明の1つの実施例に基づき、筐体100と発光ダイオードチップ301とを含む発光ダイオード構造300を示す。図に示すように、筐体100は図1Aに示す筐体である。筐体100には凹溝103を含み、凹溝103の上方にパッケージ体303が覆うLEDチップ301を載置する。LEDチップ301は任意の適したLEDチップとすることができ、例えば発光範囲はUV光から赤外線までのLEDチップとする。発光ダイオード構造300は図1Aに示す筐体100を例としているが、これに限定されない。発光ダイオード構造はLEDチップを本発明の各種実施例の筐体の上方に設置できる。
以上に述べたものは本発明の好ましい実施例のみであって、そのような具体例に限定することで狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神及び範囲から離れることなく行われる種々の改良変更をなし得ることは後記の特許請求の範囲内に含めるものであるのが勿論である。
本発明は、フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオード筐体を提供する。フッ素化ポリマーの表面塗膜は、フッ素化ポリマーの分散液を筐体本体に塗布したものである。ここで使用するフッ素化ポリマーは公知の射出成形による一体化技術に比較して非常に多く節約できる。また、本発明では、市場ですでに幅広く使用されている他の非フッ素ポリマーのエンジニアリングプラスチック筐体を利用し続けることもでき、資源の浪費を避けることができる。
100、110、120、130、200 筐体
101 金属枠
102、202 筐体本体
102a 頂部表面
103 凹溝
104、114、124、134、204 表面塗膜
104a 延伸部
300 発光ダイオード構造
301 LEDチップ
303 パッケージ体

Claims (8)

  1. 発光ダイオードチップを載置することに用いる筐体であって、
    非フッ素化ポリマーからなる筐体本体と、
    フッ素化ポリマーの分散液からなり、前記筐体本体の少なくとも一部を覆うと共に前記筐体本体に設置された発光ダイオードチップが発する光を反射することに用いる表面塗膜とを、含むことを特徴とする発光ダイオードチップを載置することに用いる筐体。
  2. 前記筐体本体は、PPAエンジニアリングプラスチックからなることを特徴とする請求項1に記載の筐体。
  3. 前記筐体本体は、前記発光ダイオードチップを収容することに用いる凹溝を更に含み、前記表面塗膜が前記凹溝の表面のみを覆うことを特徴とする請求項1に記載の筐体。
  4. 前記フッ素化ポリマーの分散液は、フッ素化ポリマーを含み、前記フッ素化ポリマーがフッ化ビニル(vinyl floride)のホモポリマーと、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(perfluoroalkoxy fluorocarbon resin)の共重合体、或いは、フッ化ビニリデン(vinylidene fluoride)のホモポリマーとを、含むことを特徴とする請求項1に記載の筐体。
  5. 前記フッ素化ポリマーの分散液は、可視光線を発散できる充填材を含むことを特徴とする請求項1に記載の筐体。
  6. 前記フッ素化ポリマーの分散液は、前記表面塗膜のモジュラスを調整できる充填材を含むことを特徴とする請求項1に記載の筐体。
  7. 前記フッ素化ポリマーの分散液は、発光(luminescent)化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の筐体。
  8. 発光ダイオード構造であって、
    請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載の筐体と、
    前記筐体に設置された発光ダイオードチップとを、含むことを特徴とする発光ダイオード構造。
JP2011088955A 2010-04-14 2011-04-13 フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオードの筐体及びその発光ダイオード構造 Active JP5346351B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099111570A TWI509838B (zh) 2010-04-14 2010-04-14 具氟化聚合物之表面塗層的發光二極體外殼及其發光二極體結構
TW099111570 2010-04-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011228705A true JP2011228705A (ja) 2011-11-10
JP5346351B2 JP5346351B2 (ja) 2013-11-20

Family

ID=44787590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011088955A Active JP5346351B2 (ja) 2010-04-14 2011-04-13 フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオードの筐体及びその発光ダイオード構造

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9000463B2 (ja)
JP (1) JP5346351B2 (ja)
TW (1) TWI509838B (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019488A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Citizen Electronics Co Ltd 光伝送モジュール
JP2007242820A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Asahi Kasei Corp 発光デバイス及び発光デバイスモジュール
JP2009051876A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Three M Innovative Properties Co コーティング組成物及びそれを使用した物品
US20100032702A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Light-Emitting Diode Housing Comprising Fluoropolymer
WO2010035788A1 (ja) * 2008-09-25 2010-04-01 デンカAgsp株式会社 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2010177443A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置及び発光モジュール

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE492141T1 (de) * 2005-06-30 2011-01-15 Koninkl Philips Electronics Nv Beleuchtungssystem mit einem gelbes und grünes licht emittierenden leuchtstoff
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8901583B2 (en) * 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
CN102244178A (zh) * 2010-05-14 2011-11-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019488A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Citizen Electronics Co Ltd 光伝送モジュール
JP2007242820A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Asahi Kasei Corp 発光デバイス及び発光デバイスモジュール
JP2009051876A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Three M Innovative Properties Co コーティング組成物及びそれを使用した物品
US20100032702A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Light-Emitting Diode Housing Comprising Fluoropolymer
WO2010035788A1 (ja) * 2008-09-25 2010-04-01 デンカAgsp株式会社 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2010177443A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置及び発光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US9000463B2 (en) 2015-04-07
TWI509838B (zh) 2015-11-21
TW201135981A (en) 2011-10-16
JP5346351B2 (ja) 2013-11-20
US20110254038A1 (en) 2011-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9548429B2 (en) Packaging for ultraviolet optoelectronic device
US20120148820A1 (en) Mold release film and process for producing light emitting diode
US9508908B2 (en) LED with scattering features in substrate
TW200412675A (en) Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens
US10147854B2 (en) Packaging for ultraviolet optoelectronic device
JP2008041968A (ja) 発光素子モジュール
CN110915006A (zh) 一种紫外光源封装元件
US20160064631A1 (en) Packaging for Ultraviolet Optoelectronic Device
CN1652365A (zh) 表面安装型发光二极管及其制造方法
US10886426B2 (en) Method for producing an electronic device and electronic device
KR20180119516A (ko) 발광장치 및 그 제조방법
JP5346351B2 (ja) フッ素化ポリマーの表面塗膜を備えた発光ダイオードの筐体及びその発光ダイオード構造
JP6642594B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2001102639A (ja) フッ素系ポリマーを用いて封止した発光ダイオードおよびレーザーダイオード装置
JP2001036149A (ja) 光源装置
US20160149099A1 (en) Light Emitting Device Substrate with Inclined Sidewalls
KR102590826B1 (ko) Uv 엘이디 패키지
KR102598500B1 (ko) 발광소자 패키지
TW201336111A (zh) 發光二極體外殼的表面處理方法
US12002908B2 (en) Light-emitting packaging device
CN102222751A (zh) 用以承载发光二极管晶片的外壳及其发光二极管结构
JP6856787B1 (ja) 電子部品の製造方法
US11538970B2 (en) Light emitting diode device
CN116364832A (zh) 一种半导体封装结构及发光装置
JP2006295054A (ja) 光源

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121002

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130806

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130816

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5346351

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250