JP2011228044A - イオン源及びイオン注入装置 - Google Patents
イオン源及びイオン注入装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011228044A JP2011228044A JP2010095033A JP2010095033A JP2011228044A JP 2011228044 A JP2011228044 A JP 2011228044A JP 2010095033 A JP2010095033 A JP 2010095033A JP 2010095033 A JP2010095033 A JP 2010095033A JP 2011228044 A JP2011228044 A JP 2011228044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion source
- plasma generation
- filament
- side wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 9
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 58
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】直方体形状をなし、一の側壁21aにイオン引き出し口21Hが形成されたプラズマ生成容器21と、イオン引き出し口21Hが形成された側壁21a以外の他の側壁21b〜21fの外面に沿って設けられ、プラズマ生成容器21内部にカスプ磁場を形成する複数の磁石22と、プラズマ生成容器21の隣接する側壁間に形成される角部21Kから内部に挿入して設けられた1以上のフィラメント23とを備える。
【選択図】図3
Description
このように構成した本実施形態に係るイオン注入装置100によれば、角部21Kからフィラメント23を挿入して設けることにより、従来磁石22が配置されていないデットスペースを有効活用するとともに、全ての側壁(引き出し口が形成された側壁を除く。)において磁石22配置を妨げることなくプラズマ生成容器21内にフィラメント23を配置することができる。これにより、カスプ磁場による電子の閉じ込め効果を向上させることができ、プラズマ生成効率を向上させることができる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
2 ・・・イオン源
21 ・・・プラズマ生成容器
21H ・・・イオン引き出し口
21a ・・・一の側壁(前側壁)
21b〜21f・・・他の側壁
21K ・・・角部
22 ・・・複数の磁石
23 ・・・フィラメント
25 ・・・支持板
Claims (7)
- イオン源ガスが導入されて内部でプラズマを生成するための直方体形状をなす容器であって、一の側壁にイオン引き出し口が形成されたプラズマ生成容器と、
前記イオン引き出し口が形成された側壁以外の他の側壁の外面に沿って外部に設けられ、前記プラズマ生成容器の内部にカスプ磁場を形成する複数の磁石と、
前記プラズマ生成容器の隣接する側壁間に形成される角部から内部に挿入して設けられ、電子を放出してプラズマ生成容器内で放電を生じさせて前記イオン源ガスを電離させてプラズマを生成する1以上のフィラメントと、を備えるイオン源。 - 前記複数の磁石が、前記他の側壁それぞれの外面に対向して設けられた概略平板状の強磁性体からなる支持板において略等間隔に支持されている請求項1記載のイオン源。
- 前記フィラメントが、複数の角部に設けられている請求項1又は2記載のイオン源。
- 前記フィラメントが、1つの角部において、当該角部に沿って複数設けられている請求項1、2又は3記載のイオン源。
- 前記フィラメントが、当該イオン引き出し口の長手方向及びイオン引き出し方向からなる平面に対して対称位置にある角部に設けられている請求項1、2、3又は4記載のイオン源。
- 前記対称位置にある角部に設けられたフィラメントが、当該角部に沿った方向において互いに異なる位置に設けられている請求項5記載のイオン源。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のイオン源を用いたイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010095033A JP5257399B2 (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | イオン源及びイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010095033A JP5257399B2 (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | イオン源及びイオン注入装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011228044A true JP2011228044A (ja) | 2011-11-10 |
JP5257399B2 JP5257399B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=45043201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010095033A Active JP5257399B2 (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | イオン源及びイオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5257399B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106847661A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-06-13 | 北京丹华科技发展有限公司 | 一种等离子体源以及镀膜机 |
CN107993909A (zh) * | 2017-08-18 | 2018-05-04 | 日新离子机器株式会社 | 离子源 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5790900A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Hitachi Ltd | Neutral particle incident device ion source |
JPS57185653A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-15 | Toshiba Corp | Ion-source device |
JPS6224537A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Hitachi Ltd | イオン源 |
JPS6269363U (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | ||
JPS62281236A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Hitachi Ltd | イオン源 |
JPH02129650U (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | ||
JPH08335447A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
-
2010
- 2010-04-16 JP JP2010095033A patent/JP5257399B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5790900A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Hitachi Ltd | Neutral particle incident device ion source |
JPS57185653A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-15 | Toshiba Corp | Ion-source device |
JPS6224537A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Hitachi Ltd | イオン源 |
JPS6269363U (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | ||
JPS62281236A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Hitachi Ltd | イオン源 |
JPH02129650U (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | ||
JPH08335447A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106847661A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-06-13 | 北京丹华科技发展有限公司 | 一种等离子体源以及镀膜机 |
CN107993909A (zh) * | 2017-08-18 | 2018-05-04 | 日新离子机器株式会社 | 离子源 |
KR101948231B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2019-02-14 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | 이온 소스 |
CN107993909B (zh) * | 2017-08-18 | 2019-05-14 | 日新离子机器株式会社 | 离子源 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5257399B2 (ja) | 2013-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5040723B2 (ja) | イオン源 | |
JP4179337B2 (ja) | イオン源およびその運転方法 | |
US7791041B2 (en) | Ion source, ion implantation apparatus, and ion implantation method | |
JP3716700B2 (ja) | イオン源およびその運転方法 | |
JP5822767B2 (ja) | イオン源装置及びイオンビーム生成方法 | |
KR101366512B1 (ko) | 인출 전극계 및 슬릿 전극 | |
US8840844B2 (en) | Plasma generating apparatus | |
TW201833966A (zh) | 離子產生裝置 | |
JP4175604B2 (ja) | イオン源 | |
JP5257399B2 (ja) | イオン源及びイオン注入装置 | |
WO2010143479A1 (ja) | イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法 | |
JP2019186104A (ja) | イオン源、イオンビーム照射装置及びイオン源の運転方法 | |
JP2008091338A (ja) | ブロードビームイオン注入構造 | |
JP5545452B2 (ja) | プラズマ閉じ込め容器およびこれを備えたイオン源 | |
JP2004055390A (ja) | イオン源 | |
JP2024013271A (ja) | イオン源 | |
JP4336780B2 (ja) | イオン源 | |
JP5495236B2 (ja) | イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法 | |
JP5695805B2 (ja) | イオンビーム処理のための磁場低減装置及び磁気プラズマ供給システム | |
JP6733284B2 (ja) | イオン源 | |
JP2005038689A (ja) | イオン源 | |
KR20230133188A (ko) | 이온원 | |
JP2019036478A (ja) | イオン源 | |
JPH04368754A (ja) | イオン源 | |
JPH11154472A (ja) | イオン源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130408 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160502 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5257399 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |