JPH08335447A - イオン源 - Google Patents

イオン源

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JPH08335447A
JPH08335447A JP16685595A JP16685595A JPH08335447A JP H08335447 A JPH08335447 A JP H08335447A JP 16685595 A JP16685595 A JP 16685595A JP 16685595 A JP16685595 A JP 16685595A JP H08335447 A JPH08335447 A JP H08335447A
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JP
Japan
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electrode
electrodes
chamber
plasma
ring
Prior art date
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Pending
Application number
JP16685595A
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English (en)
Inventor
Shuichi Maeno
修一 前野
Yasunori Ando
靖典 安東
Hiroshi Inami
宏 稲実
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 4枚の引き出し電極を有するイオン源におい
て電極の製造コストを削減すること。 【構成】 第1電極と第4電極を同一形状同一寸法にす
る。第2電極と第3電極を同一形状同一寸法にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、4枚電極を有するイ
オン源の電極構造に関する。イオン源は原料ガスを直流
放電、交流放電、高周波放電などによって励起しプラズ
マとして、電極の作用によってイオンビ−ムとして引き
出すものである。チャンバ内には、放電を起こさせるた
めのフィラメント、対向電極、ヒ−タなどが設けられ
る。チャンバは真空に引かれる。マイクロ波を励起源と
する時はマグネトロンとチャンバが導波管によって結合
される。原料ガス導入口があってここからチャンバ内に
原料ガスが導かれる。チャンバの一方の開口には電極系
が設置される。これはイオンビ−ムの通る穴が多数穿孔
されている導体の板である。
【0002】3枚組または4枚組のものがある。電極の
間には適当な電圧がかかっている。3枚電極の場合は、
1枚目を加速電極(プラズマ電極、正電極)といい正高
電圧がかかっている。2枚目は減速電極(負電極)とい
い負電圧がかかっている。二次電子がイオン源に入るの
を防ぐものである。3枚目が接地電極である。4枚組の
ものは正電極が2枚あり、これが1枚目と2枚目になっ
ている。3枚目は負電極であり、4枚目が接地電極であ
る。それぞれ円板状の金属板であって、同じ箇所にイオ
ンビ−ムを通すための穴が開いている。本発明は4枚電
極のイオン源の改良に関する。
【0003】
【従来の技術】イオン源はイオンを利用する機器、装置
に広く採用される。例えばイオン注入装置や、表面処理
装置などのイオン生成機構として用いられる。多くのイ
オン源は3枚電極である。加速電圧の低いものは3枚電
極で十分である。4枚電極のイオン源は少ない。しかし
加速電圧が数百keVを越えるものは4枚電極であるこ
とが望ましい。4枚電極であると、1枚目、2枚目には
正高電圧が、3枚目は低い負電圧がかかっている。4枚
目が接地電極である(V=0)。1、2枚目の電位差は
小さい。3、4枚目の電位差も小さい。場合によるがせ
いぜい数keVの程度である。
【0004】4枚の電極の間隔をD1、D2、D3とす
る。1枚目と2枚目電極の間隔D1は小さくできる。電
位差が小さいからである。3枚目と4枚目の電極間隔D
3も狭くできる。やはり電位差が小さいからである。し
かし2枚目と3枚目の間隔D2はそれほど詰める訳には
ゆかない。電極間の電位差が大きいからである。イオン
ビ−ムの分布からすると電極間隔は狭い方が良い。広い
とビ−ムが拡がってしまうからである。しかし相互の絶
縁などの問題もあり電極間隔をあまりに狭くすることが
できない。
【0005】4枚電極のイオン源は例えば、Ian G.Brow
n,"High Current Ion Source",Proc.12th Symp.on ISIA
T '89,Tokyo,p63(1989) に説明がある。図4に概略の構
成を示す。円筒形のチャンバ1の周囲に永久磁石2を多
数埋め込み、チャンバ1の上方にフィラメント3をもっ
ている。原料ガスはガス入り口4からチャンバ1内に導
入される。原料ガスをフィラメント3とチャンバ1壁の
間のア−ク放電によって励起している。下方には平行平
板の4枚電極L1、L2、L3、L4を備える。電極は
平行平板の有孔板を周辺において上向きに支えるような
構造になっている。つまりどの電極も上向きに凸型の断
面をしている。支持のための機構が上向きの円錐形状で
ある。最も外側においてこれらの4つの電極の支持機構
M1、M2、M3、M4は絶縁体5によって支持され
る。
【0006】絶縁による支持部が下方にくるから、どう
しても電極は上に凸の形状になる。つまりコップを伏せ
たような形になる。電極には単に電圧をかければ良いと
いうものではない。プラズマの衝突によって電極が加熱
されるから、これを冷やすために電極の内部に冷却水、
冷却液を流す必要がある。このために冷却液の配管の問
題もある。このような訳で、4枚の電極の全てが上向き
に凸形状になっていたのである。
【0007】上向きといってもそれぞれ形状が違う。イ
オンビ−ムの広がりを押さえるために電極間隔は狭い。
しかし外周の支持部は絶縁を高め、配管を通す必要があ
るから、上下に十分に離す必要がある。すると、支持脚
の部分の長さが、4枚の電極L1、L2、L3、L4の
全てにおいて異なってくる。従って4枚の電極の全てが
異なる形状を持っている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の4枚電極型イオ
ン源の場合、4枚の電極つまり、第1電極、第2電極、
第3電極、第4電極の全てが異なる形状を持つ。取り付
ける部位が違うのであるから、電極形状が相違するのは
当然であるように思われる。異なる電極が4つあるの
で、それぞれ異なる4種類の治具を使って4種類の電極
を作製する必要がある。同じものを作るよりも手数も余
計にかかる。同一の工作機械によって作るとすれば、治
具を交換する時間も余分にかかる。つまり製造に要する
時間が長い。さらに、4種類の異なる電極を在庫する必
要がある。
【0009】電極製造のための治具の数を減らすことが
本発明の第1の目的である。電極製造時の治具交換の時
間を短縮することが本発明の第2の目的である。在庫し
ておくべき電極の数を減らすようにした電極構造を提供
することが本発明の第3の目的である。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、4枚電極のう
ち、第1電極L1と第4電極L4を同じ寸法構造にし、
第2電極L2と第3電極L3を同じ寸法構造にする。つ
まり本発明はL1=L4、L2=L3とする。これによ
って電極の種類を2つに減少させることができる。
【0011】
【作用】本発明のイオン源は、4枚電極であって、第1
電極と第4電極が同一の形状寸法であって、第2電極と
第3電極が同一の形状寸法である。図5に本発明のイオ
ン源の概略の構成を示す。真空チャンバ1の外周には永
久磁石2が多数設置されている。これはプラズマをチャ
ンバの中央部に閉じ込めるものである。フィラメント3
がチャンバ1内に設けられて、チャンバとの間でア−ク
放電を起こさせるようになっている。
【0012】ガス導入口4から原料ガスがチャンバに導
入されて、これが放電によってプラズマになる。チャン
バの開口には4枚の電極L1、L2、L3、L4が平行
になるように設けられる。それぞれには同じ位置にイオ
ンビ−ムを通すべき孔が穿孔されている。電極は導体の
平行板を両側の支持機構によって絶縁板5に対して支持
する。
【0013】本発明においては2つずつの電極が同一で
あるから、電極の製造工程が単純化される。第1電極と
第4電極が同一であるので、同じ治具によって続けて製
造することができる。治具交換の手数が省ける。同様
に、第2電極と第3電極が同一であるから、同じ治具に
よって製造できる。治具交換をせずに続けて2つの電極
を製造することができる。電極製造の時間を短縮するこ
とができる。製造コストも削減できる。2種類の電極だ
けを作れば良いので、治具が2種類で済む。治具代をも
節減することができる。
【0014】
【実施例】図1〜図3によって本発明の実施例に係るイ
オン源チャンバの電極部分を説明する。図1は相互の部
材の支持結合関係を主に示す。図2は冷却溶媒の系統を
主に示す。
【0015】チャンバ1は円筒状の真空容器である。円
周壁面には多数の永久磁石2が固定される。これらの磁
石はカスプ磁場を壁面内部に形成し、プラズマが壁面に
衝突しないように閉じ込める作用がある。永久磁石2の
端部は螺子6によってチャンバ壁に対して固定される。
チャンバ1の壁の下フランジ7はボルト8によって外リ
ング9に固着される。外リング9の直下には絶縁円筒1
0がチャンバと同心状に配置される。外リング9は円筒
10の上にボルト11によって固定される。円筒10の
さらに下には下リング12がある。これはボルト13に
よって絶縁円筒10に固着される。下リング12はさら
にボルト14によって他の部材に取り付けられるがこれ
以後の部材の図示は略する。
【0016】Oリング15が外リング9と下フランジ7
の間に介装される。他のOリング16が外リング9と絶
縁円筒10の間に設けられる。第3のOリング17が絶
縁円筒10の下面と下リング12の間に設けられる、何
れもイオン源内部の真空を維持するためである。
【0017】下フランジ7の内側下部には内リング18
があり、これは螺子19によって外リング9に固結され
ている。第1電極L1は円板状であって、イオンビ−ム
を通す多数の孔20を持つ。また円板の中央に冷却媒体
を通す水平の冷却媒体路がある。冷却媒体路は図1には
現われない。図2に示す。実際には孔20のある部位に
は媒体路がない。孔20を避けて冷却媒体路が形成され
る。電極はすべてプラズマによって加熱されるから、冷
却が必要である。第1電極L1の外周はL字型のフラン
ジ21になっており、ここにおいて螺子22によって第
1電極は内リング18に固定される。
【0018】第1電極L1の直ぐ下に、第2電極L2が
ある。隙間は極僅かである。電極板には多数の孔23が
穿たれている。イオンビ−ムを通すためである。孔の分
布した領域の外側には枠部24がある。円環状の絶縁ス
ペ−サ25が螺子26によって内リング18に固定され
る。絶縁スペ−サ25の下端に螺子27によって第2電
極の枠部24が取り付けてある。第1電極L1と第2電
極L2は接近しているが互いに接触しておらず、この間
に数kVの電圧をかけることができる。第2電極の下に
第3電極がある。第3電極も平板に多数の孔28を穿っ
たものである。外周には枠部29がある。
【0019】円筒状の支持円環30が電極系の下方にあ
り、第3電極L3と第4電極L4を支持する。支持円環
30は下鍔部31と上鍔部32を有する。下鍔部31に
よって、装置支持部に結合される。上鍔部32は、第3
電極と、第4電極を支持する。上鍔部32上には、環状
の絶縁リング33が螺子34によって取り付けられる。
第3電極L3の枠部29が、螺子35によって絶縁リン
グ33の上に固定される。支持円筒30の下鍔部31
は、螺子36によって下リング12に取り付けられる。
【0020】第4電極L4は、第3電極L3の直下に設
けられる。第4電極も多数のイオンビ−ムの通し孔37
を有する。螺子38によって、第4電極L4のフランジ
39が、支持円筒30の上鍔部32に固定される。図1
に示すように、4つの電極のうち、第1電極と第4電極
は同一の形状寸法をしている。第2電極L2と第3電極
L3も同じ形状と寸法である。これらは、ある中間面に
関して面対称の関係に配置されている。
【0021】図2によって冷却系を説明する。外リング
9の側周には半径方向に冷却媒体路41が穿孔されてい
る。これが内リング18に穿たれた媒体路42に連続す
る。さらにこれは第1電極のフランジ21に設けられた
媒体路43へと続く。これから冷却媒体は、第1電極の
中央部に設けられる冷却路44に入り、第1電極を冷却
する。第1電極の内部を通過して媒体反対側の冷却媒体
路45、46、47を通り外部に排出される。
【0022】第2電極L2の冷却系統も同様である。外
リング9には半径方向の媒体路(図に現れない)が穿設
される。これが内フランジの媒体路(図に現れない)に
連通し、絶縁スペ−サ25の媒体路51に続く。さらに
第2電極L2の枠部24の内部に穿たれた媒体路52に
連続する。これから媒体は、第2電極L2の内部にある
冷却路53に入る。これが内側から第2電極L2を冷却
する。冷却後の媒体は、別異の媒体路54、55を通り
外部に出て行く。
【0023】第3電極の冷却系は下方から冷却媒体を与
える。下リング12に穿孔された通路(図に現れない)
に外部から媒体が与えられる。この通路が冷却パイプ6
1に続く。冷却パイプ61には、絶縁スペ−サ33の経
路62が続いている。これが第3電極の枠部29の媒体
路63に連通する。枠部から、冷却媒体は電極中の冷却
路64に入る。これが内部より第3電極を冷却する。こ
の後媒体は、反対側に設けられる媒体路65、66、6
7を通って排出される。
【0024】第4電極の冷却系もほぼ同様に設けられ
る。下リング12に半径方向に穿孔した媒体経路70へ
外部から冷却媒体が供給される。媒体経路70がパイプ
71に続く。これがフランジに設けられた媒体路72に
連通している。媒体路72から電極中にある媒体路73
へと冷却媒体が通って行く。第4電極がこれによって冷
却される。この後、冷却媒体は経路74、75、76、
77を通って外部に排出される。
【0025】図1によって電極の機械的支持構造を説明
した。図2によって冷却系を述べた。次に電力系統を説
明する。4枚の電極は互いに絶縁されており、異なる電
位にバイアスされる。第1電極と第4電極の場合は外リ
ング9や下リング12によって直接に電圧を与えること
ができる。中間の第2電極と第3電極は工夫が必要であ
る。図3に第2電極L2のバイアス系を示す。チャンバ
の下フランジ7には縦孔79が、内リング18には縦孔
80が穿孔されている。
【0026】ここに継ぎ棒81が縦に通っている。継ぎ
棒81の下端が第2電極の枠部24の螺子孔82にねじ
込まれている。継ぎ棒81の上端は、吊り螺子83によ
って支持される。吊り螺子83はナット84によって下
フランジ7に対して適当な高さに固定される。吊り螺子
83が中心に導体棒を持ち、これから第2電極のバイア
ス電位が与えられる。
【0027】
【発明の効果】4枚の電極を持つイオン源において、第
1電極と第4電極を同一の形状寸法の電極としている。
第3電極と第2電極も同一の形状寸法の電極としてい
る。つまり第4電極と第1電極は互換性を持つ。第2電
極と第3電極も互換性を有するようになる。従来4種類
の電極を製造しなければならなかったものが本発明によ
れば2種類の電極のみで足りるようになる。
【0028】電極製造のための治具の数を減らすことが
できる。治具交換の手数も半分になる。従って製造工程
が簡略化される。電極製造時間が短縮される。電極製造
コストを削減することができる。さらに電極を在庫する
際においても4種類の電極を保管する必要がなく、2種
類の電極のみを保管すればよい。在庫管理が容易にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る電極構造の支持機構を示
す断面図。
【図2】本発明の実施例に係る電極構造の冷却媒体路の
機構を示す断面図。
【図3】本発明の実施例に係る電極構造のうち第2電極
のバイアス構造を示す断面図。
【図4】従来例に係る4枚電極を有するイオン源の構造
を示す概略断面図。
【図5】本発明の実施例に係る4枚電極を有するイオン
源の概略構造を示す断面図。
【符号の説明】
1 チャンバ 2 永久磁石 3 フィラメント 4 ガス導入口 5 絶縁板 6 螺子 7 下フランジ 8 ボルト 9 外リング 10 絶縁円筒 11 ボルト 12 下リング 13 ボルト 14 ボルト 15 Oリング 16 Oリング 17 Oリング 18 内リング 19 螺子 20 孔

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空に引くことのできるチャンバと、チ
    ャンバにイオンにすべき原料ガスを導入するガス導入口
    と、ガスを励起してプラズマにするための放電機構と、
    プラズマからイオンをビ−ムとして取り出すためにチャ
    ンバの出口に設けられ異なるバイアス電圧が印加される
    4枚の電極とを含み、4枚の電極の内、第1電極と第4
    電極が同一形状寸法であり、第2電極と第3電極が同一
    形状寸法であることを特徴とするイオン源。
JP16685595A 1995-06-07 1995-06-07 イオン源 Pending JPH08335447A (ja)

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