KR101366512B1 - 인출 전극계 및 슬릿 전극 - Google Patents

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닛신 이온기기 가부시기가이샤
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Abstract

복수개의 슬릿 전극을 가지는 이온원에 있어서, 전류량과 제어성이 밸런스를 이룬 이온빔을 인출한다.
본 발명의 이온원(1)은 인출 전극계로서 복수개의 슬릿 전극(7~10)을 가지는 이온원(1)이다. 그리고 슬릿 전극(7~10)은 개구부(15)를 가지는 전극 프레임(14)과 개구부(15) 내에 나란히 형성된 복수개의 전극봉(16)으로 구성되어 있는 동시에, 이온원(1)에서 발생되는 이온빔(2)의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 슬릿 전극(7)을 구성하는 전극봉(16)에 있어서, 이웃하는 전극봉(16) 사이에 형성되는 슬릿형상 개구부(17)의 형상이 이온빔(2)의 진행방향을 따라 대략 테이퍼형상이 되도록 구성되어 있다.

Description

인출 전극계 및 슬릿 전극{EXTRACTION ELECTRODE SYSTEM AND SLIT ELECTRODES}
본 발명은 이온빔 조사장치의 이온원에서 이용되는 슬릿 전극의 구성에 관한 것이다.
이온원으로부터 이온빔을 인출하기 위한 인출 전극계로서 복수개의 슬릿 전극이 이용된다. 이 슬릿 전극에는 다수의 슬릿형상 개구부가 형성되어 있다.
구체적으로는 이 슬릿 전극의 예가 특허문헌 1에 개시되어 있다. 여기서는 전극 프레임의 개구부 내에 복수개의 전극봉을 그 짧은 길이방향을 따라 나란히 형성함으로써, 각 전극봉 사이에 복수의 슬릿형상 개구부를 가지는 슬릿 전극이 구성되어 있다.
또 특허문헌 2에도 특허문헌 1과 동일한 슬릿 전극이 개시되어 있다. 여기서는 직사각형상의 전극 지지 프레임에 복수의 로드 통과 구멍을 마련해 두고, 이 구멍에 복수개의 로드가 삽입됨으로써, 각 로드 사이에 슬릿형상 개구부를 가지는 슬릿 전극이 구성되어 있다.
일본국 공고특허공보 평7-34358호(도 2, 도 3) 일본국 공개특허공보 평8-148106호(도 3, 도 5~도 7)
종래부터 알려져 있는 바와 같이, 이온원으로부터 인출되는 이온빔의 전류량과 그 형상 제어에는 전극에 형성된 인출 개구의 치수와 전극의 두께 치수의 비가 관련되어 있다. 개략적으로 설명하자면, 전극에 형성된 인출 개구의 치수를 A, 전극의 두께 치수를 D라고 했을 때, A/D로 표시되는 애스펙트비가 커지면, 전극을 통해 인출되는 이온빔의 전류량은 많아진다. 애스펙트비가 지나치게 커지면, 인출 개구 근방에 형성되는 이온의 방출면이 외부가 요란(예를 들면 전극간 방전)할 때에 복귀하기 어려워져 안정적으로 이온빔을 인출하기가 곤란해지는 등, 제어성에 문제가 생긴다. 또한 각 전극간의 얼라인먼트 어긋남에 대하여, 편향각이 커지는 것도 알려져 있다. 또, 전극이 얇아지기 때문에 강도적인 문제도 발생한다. 반대로 애스펙트비가 작아지면, 전극을 통해 인출되는 이온빔의 전류량이 적어진다. 한편 이온의 방출면이 안정적으로 형성되므로 이온빔의 형상 제어가 쉬워진다.
이온빔 조사장치의 운용상, 웨이퍼 등의 기판을 단시간에 처리하기 위해서는 이온원에서 인출되는 이온빔의 전류량이 많을수록 유리해진다. 한편 이온빔의 안정화는 장치 운용상 매우 중요하다. 그것을 위해서는 이온빔의 전류량과 안정성, 나아가서는 전극의 강도를 고려한 뒤에 상기 애스펙트비를 최적화할 필요가 있다. 또한 발산 각도가 작은 이온빔을 얻기 위해서는 특히 가속 전극의 형상을 최적화하는 것이 중요하다.
이에 대하여, 특허문헌 1, 2에 기재된 슬릿 전극에 구비된 전극봉이나 로드의 형상이 모두 원기둥형상인 것으로부터 알 수 있듯이, 이온원으로부터 어느 정도의 전류량과 제어성을 구비한 밸런스가 좋은 이온빔을 잘 인출하기 위한 수법에 대하여 전혀 개시되어 있지 않았다.
그래서 본 발명에서는 전류량과 제어성이 밸런스를 이룬 이온빔을 인출할 수 있는 이온원의 인출 전극계 및 슬릿 전극을 제공한다.
본 발명의 이온원의 인출 전극계는 인출 전극계로서 복수개의 슬릿 전극을 가지고 있으며, 상기 슬릿 전극은 개구부를 가지는 전극 프레임과 상기 개구부 내에 나란히 형성된 복수개의 전극봉으로 구성되어 있는 동시에, 상기 이온원에서 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 상기 슬릿 전극을 구성하는 상기 전극봉에 있어서, 이웃하는 전극봉 사이에 형성되는 슬릿형상 개구부의 형상이 상기 이온빔의 진행방향을 따라 대략 테이퍼형상이 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 구성을 채용함으로써, 빔 전류량과 제어성이 밸런스를 이룬 이온빔을 인출할 수 있다.
또한 제조 비용을 고려하면, 상기 이온원에서 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 상기 슬릿 전극 이외의 상기 슬릿 전극에 구비된 상기 전극봉의 형상이 대략 원기둥형상을 하고 있는 것이 바람직하다.
대략 원기둥형상의 전극봉은 제조 비용이 저렴하다. 그 때문에, 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 슬릿 전극 이외의 슬릿 전극에 구비된 전극봉을 대략 원기둥형상의 형상으로 하고 있으므로, 인출 전극계를 구성하는 슬릿 전극 전체로 생각했을 경우, 그 비용을 저렴하게 할 수 있다.
이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 슬릿 전극에 구비된 전극봉의 구체적인 구성으로는, 상기 이온원에서 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 상기 슬릿 전극을 구성하는 상기 전극봉은 상기 이온빔의 진행방향을 따라 대(大)직경부와 소(小)직경부를 가지고 있는 것이 바람직하다.
한편, 상기 이온원에서 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 상기 슬릿 전극을 구성하는 상기 전극봉은 상기 이온빔의 진행방향을 따라, 상기 대직경부와 상기 소직경부 사이에 경사부를 가지고 있어도 된다.
본 발명의 슬릿 전극은, 이온원의 인출 전극계에 사용되며, 개구부를 가지는 전극 프레임과 상기 개구부 내에 나란히 형성된 복수개의 전극봉으로 구성되는 슬릿 전극으로서, 이웃하는 상기 전극봉 사이에 형성되는 슬릿형상 개구부의 형상이 상기 이온원에서 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 대략 테이퍼형상이 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
슬릿 전극에 있어서, 상기 전극봉의 단면형상은 대략 테이퍼형상이다.
이온원에서 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 슬릿 전극을 구성하는 전극봉의 형상을, 이웃하는 전극봉 사이에서 구성되는 슬릿형상 개구부의 형상이 이온빔의 진행방향을 따라 대략 테이퍼형상이 되도록 구성하였으므로, 전류량과 제어성이 밸런스를 이룬 이온빔을 인출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 이온원의 일례이며, 그 단면도를 나타낸다.
도 2는 도 1의 이온원에 구비된 슬릿 전극의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 주요부 확대도로서, (a)는 슬릿 전극에서 일부의 뚜껑체를 떼어냈을 때의 모습을 나타내고, (b)는 (a)에 기재된 A-A선을 따라 자른 가속 전극의 단면의 모습을 나타내며, (c)는 (a)에 기재된 A-A선을 따라 자른 인출 전극, 억제 전극, 접지 전극의 단면의 모습을 나타낸다.
도 4는 도 1에 기재된 각 전극을 구성하는 전극봉의 단면형상을 확대한 도면이다.
도 5는 도 4에 기재된 가속 전극을 구성하는 전극봉의 사시도로서, (a)는 이온빔의 진행방향을 지면 위쪽으로 했을 때의 전극봉의 사시도이고, (b)는 이온빔의 진행방향을 지면 아래쪽으로 했을 때의 전극봉의 사시도를 나타낸다.
도 6(a)~(c)는 도 4에 기재된 가속 전극을 구성하는 전극봉의 변형예를 나타낸다.
이하의 실시형태에서 각 도면에 도시되어 있는 X, Y, Z의 각 축은 서로 직교하고 있다.
도 1에는 본 발명의 이온원(1)의 일례가 기재되어 있다. 이 이온원(1)은 이른바 버킷형 이온원이라고 불리는 타입의 이온원의 일종이다. 한편 여기서는 도시된 X방향에서의 중앙부에서 Z방향을 따라 이온원(1)을 절단했을 때의 단면의 모습이 도시되어 있다.
이 이온원(1)은 직사각형상의 플라즈마 생성용기(4)를 구비하고 있으며, 플라즈마 생성용기(4)로부터 리본형상의 이온빔(2)이 인출된다.
플라즈마 생성용기(4)에는 도시되지 않은 밸브를 통해 가스원(6)이 장착되어 있으며, 이 가스원(6)으로부터 이온빔(2)의 원료가 되는 가스(예를 들면 PH3, BF3,혹은 수소나 헬륨에 의해 희석된 가스)가 공급되고 있다. 또한 이 가스원(6)에는 도시되지 않은 가스 유량 조절기(매스 플로우 컨트롤러)가 접속되어 있으며, 이 가스 유량 조절기에 의해 가스원(6)으로부터 플라즈마 생성용기(4) 내부로의 가스 공급량이 조정되고 있다.
플라즈마 생성용기(4)의 일측면에는, Y방향을 따라 복수의 U자형 필라멘트(5)가 장착되어 있다. 이 필라멘트(5)들은 필라멘트(5)의 단자 사이에 접속되는 전원 VF를 이용해서, 각 필라멘트(5)에 흘려보내는 전류량을 조정할 수 있게 구성되어 있다. 이러한 구성으로 해 둠으로써, 이온원(1)으로부터 인출되는 이온빔(2)의 전류 밀도 분포를 조정할 수 있게 된다.
필라멘트(5)에 전류를 흘려보내 필라멘트(5)를 가열시킴으로써, 거기에서 전자가 방출된다. 이 전자가 플라즈마 생성용기(4) 내부에 공급된 가스(PH3나 BF3 등)에 충돌하여 가스의 전리를 야기하고, 플라즈마 생성용기(4) 내에 플라즈마(3)가 생성된다.
이 이온원(1)에는 플라즈마 생성용기(4)의 외벽을 따라 복수의 영구 자석(11)이 장착되어 있다. 이 영구 자석(11)에 의해, 플라즈마 생성용기(4)의 내부영역에 커스프 자장이 형성되고, 필라멘트(5)에서 방출된 전자가 소정 영역 내에 갇힌다. 한편, 영구 자석(11)은 도시되지 않은 홀더에 수납된 상태로 플라즈마 생성용기(4)에 장착되어 있다.
이온원(1)은 인출 전극계로서 4장의 전극을 가지고 있으며, 플라즈마 생성용기(4)로부터 이온빔(2)의 인출방향(도시된 Z방향, 이온빔(2)의 진행방향이라고도 부름)을 따라 가속 전극(7), 인출 전극(8), 억제 전극(9), 접지 전극(10)의 순으로 배치되어 있다. 각 전극과 플라즈마 생성용기(4)의 전위는 복수의 전원(V1~V5)에 의해 각각 다른 값으로 설정되어 있으며, 각 전극은 절연 플랜지(13)에 대하여 전기적으로 독립해서 장착되어 있다.
인출 전극계로서 이용되는 각 전극에는 후술하는 바와 같이 복수의 슬릿형상 개구부(17)가 마련되어 있으며, 이 슬릿형상 개구부(17)들을 통해 이온빔(2)의 인출이 이루어진다. 한편 인출 전극계로서 4장의 전극을 가지는 구성의 이온원(1)이 기재되어 있지만, 이것에 한정되지 않으며, 전극의 매수는 적어도 2장 이상 있으면 된다. 또한 필라멘트(5)의 개수도 복수개가 아니라 1개여도 무방하다.
도 2에는 도 1에서 설명한 인출 전극계를 구성하는 가속 전극(7), 인출 전극(8), 억제 전극(9), 접지 전극(10)의 예가 도시되어 있다. 이 전극들은 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 제시된 것과 같은 슬릿형상 개구부(17)를 가지는 슬릿 전극이며, 도 2에서 각 전극(7~10)은 지면 뒤쪽 방향(Z방향)으로 나란히 배치되어 있다. 슬릿형상 개구부(17)를 구성하는 전극봉(16)의 구성을 제외하고, 다른 구성은 각 전극에서 동일하기 때문에, 여기서는 1장의 전극을 예로 들어 그 구성을 설명한다.
이 슬릿 전극은 주로 개구부(15)를 가지는 전극 프레임(14)과 개구부(15) 내에 배치된 복수개의 전극봉(16)(도면 중, 해칭되어 있는 부재)으로 구성되어 있다.
각 전극봉(16)은 길이방향이 X방향을 따르도록 전극 프레임(14)에 지지되어 있는 동시에, Y방향을 따라 대략 동일한 간격을 두고 나란히 형성되어 있다.
Y방향을 따라 나란히 형성된 각 전극봉(16) 사이나 Y방향의 단부에 위치하는 각 전극봉(16)과 전극 프레임(14) 사이에는 슬릿형상 개구부(17)가 형성되어 있다. 이 도 2나 후술하는 도 3(a)~(c)에서는 도시를 간략화하기 위해, 전극봉(16)과 슬릿형상 개구부(17)에 대한 부호를 일부에만 부기하였다.
각 전극봉(16)의 X방향에서의 단부는 전극 프레임(14)에 형성된 전극봉 지지부(20)에 지지되어 있고, 이 위쪽을 덮도록 뚜껑체(18)가 나사(19)에 의해 전극 프레임(14)에 장착되어 있다.
도 2에 기재된 슬릿 전극에서 일부의 뚜껑체(18)를 떼어냈을 때의 모습이 도 3(a)에 도시되어 있다. 이 도면을 참작하면, 상술한 뚜껑체(18)에 의해 각 전극봉(16)의 단부 위쪽을 뚜껑체(18)가 덮고 있음을 알 수 있다. 도 3(a)의 A-A선을 따라 자른 단면의 모습이 도 3(b), 도 3(c)에 도시되어 있다. 도 3(b)에는 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 가속 전극(7)에서의 단면의 모습이 도시되어 있고, 도 3(c)에는 그 밖의 슬릿 전극(인출 전극(8), 억제 전극(9), 접지 전극(10))에서의 단면의 모습이 도시되어 있다.
제조 비용의 점에서 생각하면, 전극봉(16)의 형상은 대략 원기둥형상인 것이 바람직하다. 그것이 전극봉(16) 제조시에 쓸데없는 가공이 필요 없으므로, 제조비용을 저렴하게 할 수 있다. 이온원(1)으로부터 인출되는 이온빔(2)의 전류량이나 제어성은 주로 플라즈마 생성용기(4)의 플라즈마(3)로부터 이온빔(2)이 인출될 때에 결정된다. 그 때문에, 가속 전극(7) 이외의 슬릿 전극(인출 전극(8), 억제 전극(9), 접지 전극(10))을 구성하는 전극봉(16)의 형상은 제조 비용이 저렴한 대략 원기둥형상으로 해 두는 것이 바람직하다. 한편 설계상, 단면이 진원(眞圓)인 전극봉(16)을 제조했다고 해도, 제조 오차에 의해 약간의 일그러짐을 가지는 경우가 있다. 그러한 경우, 형상은 타원형상이 될지도 모른다. 이러한 것도 본 발명에 포함되므로 본 발명에서는 전극봉(16)의 형상을 대략 원기둥형상으로 하고 있다.
도 4는 도 1에 기재된 각 슬릿 전극을 구성하는 전극봉(16)의 단면형상의 모습을 확대한 것이다. 이 절단면은 도 3(a)에 도시된 B-B선을 따라 자른 절단면에 상당한다. 한편 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 가속 전극(7)을 구성하는 전극봉(16)의 단부에 있어서, 단면형상이 도 4에 기재된 것과는 다르다. 이것에 대하여 상세하게 기술하면, 개구부(15)의 안쪽에 배치되는 전극봉(16)의 형상은 도 4에 도시된 형상이고, 개구부(15)의 외측에 배치되는 전극봉(16)의 단부에서는 도 3(b)에 도시된 형상이 된다. 이 이유는 전극봉(16)의 길이방향에 있어서, 전체를 도 4에 도시된 단면형상을 가지는 전극봉(16)으로 해 두면, 전극봉(16)의 지지가 불안정해져, 각 전극봉(16) 사이에 형성되는 슬릿형상 개구부(17)의 형상을 균등하게 유지하기가 어려워지기 때문이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 각 슬릿 전극에서는 슬릿형상 개구부(17)의 중심위치가 대체로 일치하고 있다. 그리고 이온빔(2)의 진행방향(도시된 Z방향)을 따라 가장 상류측(Z방향 반대측)에 위치하는 가속 전극(7)을 구성하는 전극봉(16)은, 이웃하는 전극봉(16)과의 사이에 형성되는 슬릿형상 개구부(17)의 형상이 대략 테이퍼형상이 되도록 구성되어 있다.
여기서 말하는 대략 테이퍼형상이란, 도 4에 기재되어 있듯이, 전극봉(16)의 외형에 파선으로 그려져 있는 보조선(후술하는 대직경부(21)와 소직경부(22)를 연결하는 선)을 그었을 때, 슬릿형상 개구부(17)의 형상이 대체로 테이퍼형상을 하고 있음을 의미한다. 이와 같이, 슬릿형상 개구부(17)의 형상을 대략 테이퍼형상으로 하여, 이온빔(2)의 진행방향에서의 전극의 두께를 이온빔(2)의 진행방향을 따라 서서히 두꺼워지게 구성함으로써, 이온빔(2)의 진행방향을 따라 인출 개구의 치수와 전극 두께 치수와의 비를 변화시킬 수 있으며, 이로 인해 전류량과 제어성이 밸런스를 이룬 이온빔(2)을 인출할 수 있게 된다.
이상적으로는 슬릿형상 개구부(17)의 형상이 테이퍼형상이 되도록 전극봉(16)의 형상을 가공하는 방법을 생각할 수 있지만, 그러한 형상으로 전극봉(16)을 가공하는 것은 제조 정밀도나 가공 가격의 면에서 실용적이지 않다. 그 때문에, 상기한 바와 같은 형상의 전극봉(16)을 이용하여, 슬릿형상 개구부(17)의 형상이 대략 테이퍼형상이 되도록 하고 있다.
도 5(a), 5(b)에는 상술한 가속 전극(7)을 구성하는 전극봉(16)의 사시도가 도시되어 있다. 도 5(a)에 기재된 전극봉 단부(M)는 개구부(15)의 외측에 위치하는 전극봉 지지부(20)에 배치되고, 전극봉 중앙부(N)는 개구부(15)의 안쪽에 배치된다. 도면 중, 화살표 IB는 이 전극봉(16)을 구비한 가속 전극(7)이 이온원(1)에 장착되었을 때, 이온빔(2)이 인출되는 방향(이온빔(2)의 진행방향)에 상당한다. 전극봉 중앙부(N)에 착안하면, 이 전극봉(16)은 이온빔(2)의 진행방향(도면 중의 화살표 IB)을 따라, 대직경부(21)과 소직경부(22)를 가지고 있음을 알 수 있다. 도 5(b)에는 도 5(a)에 도시된 전극봉(16)의 배면(도 5(a)의 지면 아래쪽에 위치하는 면)측에서 전극봉(16)을 보았을 때의 모습이 도시되어 있다. 도시한 바와 같이 전극봉(16)의 배면은 거의 평평한 형상을 하고 있다. 도 5(a), 도 5(b)에 기재된 구성을 이용하고 있으므로, 기계적인 가공이 용이하며 가공 비용도 저렴하다. 한편 본 발명에서는 복수의 전극봉(16)을 슬릿형상 개구부(17) 내에 배치했을 때, 각 전극봉(16)이 나란히 형성된 방향에 있어서의 전극봉(16)의 치수에 관하여, 이온빔(2)의 진행방향을 따라 전극봉(16)을 보았을 때, 상술한 전극봉(16)의 치수가 가장 커지는 부분을 대직경부라고 부르고, 가장 작아지는 부분을 소직경부라고 부르고 있다.
도 6(a), 도 6(b)에는 상기한 전극봉(16)의 변형 단면예가 기재되어 있다. 이 도면들에서, 도시된 Z방향이 이온빔(2)의 진행방향에 상당하고, 도시된 전극봉(16)의 단면은 개구부(15)의 안쪽에 배치된 전극 중앙부에서의 단면이다. 이 도면들에 기재되어 있듯이, 이온빔(2)의 진행방향을 따라, 각 전극봉(16)은 대직경부(21)와 소직경부(22) 사이에 이온빔(2)의 진행방향과 비스듬히 교차하는 경사부(23)를 가지고 있다. 이러한 구성의 전극봉(16)을 이용해도, 도면 중에 파선으로 나타내는 바와 같이 이웃하는 전극봉(16) 사이에 형성되는 슬릿형상 개구부(17)의 형상을 대략 테이퍼형상으로 할 수 있다. 한편 전극봉 단부나 그 배면의 구성은 도 5(a), 도 5(b)에 나타낸 구성과 동일하다. 또한 도 6(c)에 도시되어 있는 바와 같이, 2개 이상의 경사부(23)를 구비한 구성이어도 된다.
상술한 것 외에, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 개량 및 변경을 해도 됨은 물론이다.
1 이온원 2 이온빔
7 가속 전극 8 인출 전극
9 억제 전극 10 접지 전극
14 전극 프레임 15 개구부
16 전극봉 17 슬릿형상 개구부
21 대직경부 22 소직경부
23 경사부

Claims (7)

  1. 복수개의 슬릿 전극을 가지는, 이온원의 인출 전극계로서,
    상기 슬릿 전극은,
    개구부를 가지는 전극 프레임과,
    상기 전극 프레임의 일면에 형성된 전극봉 지지부분에, 양 단부가 면접촉에 의해 지지되어 상기 개구부 내에 나란히 형성된 복수개의 전극봉과,
    상기 전극 프레임의 상기 전극봉 지지부분이 형성된 면에 장착되어 상기 전극봉 지지부분의 윗쪽을 덮는 뚜껑체를 구비하고,
    상기 이온원에 의해 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 상기 슬릿 전극을 구성하는 상기 전극봉은 상기 개구부 내에 배치되는 중앙부와, 상기 개구부 외에 배치되는 단부를 가지고,
    상기 전극봉의 중앙부는 이웃하는 전극봉 사이에 형성되는 슬릿형상 개구부의 형상이 상기 이온빔의 진행방향을 따라 테이퍼형상으로 넓어지도록 구성되어 있으며, 상기 전극봉의 단부와 상기 전극봉 지지부분의 접촉면은 평면형상인 것을 특징으로 하는 인출 전극계.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이온원에서 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 가장 상류측에 위치하는 상기 슬릿 전극 이외의 상기 슬릿 전극에 구비된 상기 전극봉의 형상이 원기둥형상을 하고 있는 것을 특징으로 하는 인출 전극계.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 이온원의 인출 전극계에 사용되며,
    개구부를 가지는 전극 프레임과,
    상기 전극 프레임의 일면에 형성된 전극봉 지지부분에 양 단부가 면접촉에 의해 지지되어 상기 개구부 내에 나란히 형성된 복수개의 전극봉과,
    상기 전극 프레임의 상기 전극봉 지지부분이 형성된 면에 장착되어 상기 전극봉 지지부분의 윗쪽을 덮는 뚜껑체를 구비하는 슬릿 전극으로서,
    상기 전극봉은 상기 개구부 내에 배치되는 중앙부와, 상기 개구부 외에 배치되는 단부를 가지고,
    상기 전극봉의 중앙부는, 이웃하는 전극봉 사이에 형성되는 슬릿형상 개구부의 형상이 상기 이온원에서 발생되는 이온빔의 진행방향을 따라 테이퍼형상으로 넓어지도록 구성되어 있으며, 상기 전극봉의 단부와 상기 전극봉 지지부분의 접촉면은 평면형상인 것을 특징으로 하는 슬릿 전극.
  7. 삭제
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