JP2011223763A - 直流機制御用電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来型の2レベル用IGBTモジュールを使用して、直流機制御用フルフリッジ回路を構成すると、損失が特定の素子に集中し、素子を大容量化する必要が生じる。
【解決手段】スイッチング素子直列回路と直列接続点に一端を接続した逆阻止型IGBTの逆並列接続回路からなる3レベル用IGBTモジュールを用いて、制御動作モードに応じて前記逆並列接続回路の他端を直流電源の正極又は負極に接続する。
【選択図】図1
【解決手段】スイッチング素子直列回路と直列接続点に一端を接続した逆阻止型IGBTの逆並列接続回路からなる3レベル用IGBTモジュールを用いて、制御動作モードに応じて前記逆並列接続回路の他端を直流電源の正極又は負極に接続する。
【選択図】図1
Description
本発明は、直流電源から直流機の4象限運転を行う電力変換回路に適用するパワー半導体モジュールの構成およびその接続方法に関する。
図6に直流機の4象限運転を実現する2レグ形Hブリッジ変換回路例を示す。直流電源1と並列にダイオードD31を逆並列接続したIGBTT31と、ダイオードD32を逆並列接続したIGBTT32とを直列接続した回路を内蔵したパワー半導体モジュールMJ3と、ダイオードD41を逆並列接続したIGBTT41と、ダイオードD42を逆並列接続したIGBTT42とを直列接続した回路を内蔵したパワー半導体モジュールMJ4とを接続し、これらモジュールの中点(U端子)間に直流機3を接続した回路である。
モジュールMJ3とMJ4は、通常市販されている2レベル変換回路用である。外観は図7に示すような構造で、出力端子として上部に端子P、端子N、端子Uを備えた構成である(実際はゲート端子も有するが、本特許に直接関係ないので省略する)。
本回路構成の動作モードとしては、図8に示すように、直流機の電流Iaと電圧Eaの極性に応じて、下記4つの動作モードがある。以下に各運転モードを説明する。
本回路構成の動作モードとしては、図8に示すように、直流機の電流Iaと電圧Eaの極性に応じて、下記4つの動作モードがある。以下に各運転モードを説明する。
(1)第1象限運転モード(正転、電動機動作)
この運転モードは、図9に示すようなモジュールMJ3のIGBTT31とモジュールMJ4のIGBTT42を主にオンさせることで実現する。但し、実際は直流電動機への印加電圧を制御するため、モジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41もオンさせ、モジュールMJ3のダイオードD32とモジュールMJ4のダイオードD41側へ転流させる必要がある。平均的には図9に示すEaの方向に電圧を印加する必要があるため、モジュールMJ3のIGBTT31側とモジュールMJ4のIGBTT42側が、IGBTT32側やIGBTT41側に比べて負担が大きくなる。
この運転モードは、図9に示すようなモジュールMJ3のIGBTT31とモジュールMJ4のIGBTT42を主にオンさせることで実現する。但し、実際は直流電動機への印加電圧を制御するため、モジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41もオンさせ、モジュールMJ3のダイオードD32とモジュールMJ4のダイオードD41側へ転流させる必要がある。平均的には図9に示すEaの方向に電圧を印加する必要があるため、モジュールMJ3のIGBTT31側とモジュールMJ4のIGBTT42側が、IGBTT32側やIGBTT41側に比べて負担が大きくなる。
(2)第2象限運転モード(正転、発電機動作)
この運転モードは、図10に示すようなモジュールMJ3のダイオードD32とモジュールMJ4のダイオードD41が主に導通している状態(電流方向がIaの状態でモジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41をオンさせる)で実現する。但し、実際は直流発電機の出力電圧を制御するため、モジュールMJ3のIGBTT31とモジュールMJ4のIGBTT42もオンさせ、モジュールMJ3のIGBTT31とモジュールMJ4のIGBTT42側へ転流させる必要がある。平均的には図10に示すEaの方向に電圧を出力させるため、モジュールTJ3のダイオードD32とモジュールMJ4のダイオードD41側の方が、モジュールTJ3のダイオードD31側やモジュールMJ4のダイオードD42側に比べて負担が大きくなる。
この運転モードは、図10に示すようなモジュールMJ3のダイオードD32とモジュールMJ4のダイオードD41が主に導通している状態(電流方向がIaの状態でモジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41をオンさせる)で実現する。但し、実際は直流発電機の出力電圧を制御するため、モジュールMJ3のIGBTT31とモジュールMJ4のIGBTT42もオンさせ、モジュールMJ3のIGBTT31とモジュールMJ4のIGBTT42側へ転流させる必要がある。平均的には図10に示すEaの方向に電圧を出力させるため、モジュールTJ3のダイオードD32とモジュールMJ4のダイオードD41側の方が、モジュールTJ3のダイオードD31側やモジュールMJ4のダイオードD42側に比べて負担が大きくなる。
(3)第3象限運転モード(逆転、電動機動作)
この運転モードは、図11に示すようなモジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41を主にオンさせることで実現する。但し、実際は直流電動機への印加電圧を制御するため、モジュールMJ34のIGBTT31とモジュール4のIGBTT42もオンさせ、モジュール3のダイオードD1とモジュール4のダイオードD42側へ転流させる必要がある。平均的には図11に示すEaの方向に電圧を印加する必要があるため、モジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41側の方が、モジュールMJ3のIGBTT31側やモジュールMJ4のIGBTT42側に比べて負担が大きくなる。
この運転モードは、図11に示すようなモジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41を主にオンさせることで実現する。但し、実際は直流電動機への印加電圧を制御するため、モジュールMJ34のIGBTT31とモジュール4のIGBTT42もオンさせ、モジュール3のダイオードD1とモジュール4のダイオードD42側へ転流させる必要がある。平均的には図11に示すEaの方向に電圧を印加する必要があるため、モジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41側の方が、モジュールMJ3のIGBTT31側やモジュールMJ4のIGBTT42側に比べて負担が大きくなる。
(4)第4象限運転モード(逆転、発電機動作)
この運転モードは、図12に示すようなモジュールMJ3のダイオードD31とモジュールMJ4のダイオードD42が主に導通している状態(電流方向がIaの状態でモジュールMJ3のIGBTT31とモジュールMJ4のIGBTT42をオンさせる)で実現する。但し、実際は直流発電機の出力電圧を制御するため、モジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41もオンさせ、モジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41側へ転流させる必要がある。平均的には図12に示すEaの方向に電圧を出力させるため、モジュールMJ3のダイオードD31とモジュールMJ4のダイオードD42側の方が、モジュールMJ3のダイオードD32側やモジュールMJ4のダイオードD41側に比べて負担が大きくなる。
この運転モードは、図12に示すようなモジュールMJ3のダイオードD31とモジュールMJ4のダイオードD42が主に導通している状態(電流方向がIaの状態でモジュールMJ3のIGBTT31とモジュールMJ4のIGBTT42をオンさせる)で実現する。但し、実際は直流発電機の出力電圧を制御するため、モジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41もオンさせ、モジュールMJ3のIGBTT32とモジュールMJ4のIGBTT41側へ転流させる必要がある。平均的には図12に示すEaの方向に電圧を出力させるため、モジュールMJ3のダイオードD31とモジュールMJ4のダイオードD42側の方が、モジュールMJ3のダイオードD32側やモジュールMJ4のダイオードD41側に比べて負担が大きくなる。
図6に示す直流機の4象限運転を実現する2レグ形Hブリッジ電力変換回路例は、特許文献1に、また図7に示す半導体モジュールは特許文献2に示されている。
図6に示す従来方式の直流機制御用変換回路に使用されるパワー半導体モジュールMJ3、MJ4としては、上アーム側のIGBTとダイオード、及び下アーム側のIGBTとダイオードが内蔵された図7に示すような外観で、内蔵の半導体チップの電流定格は同じものが市販されている。
前述のように、図6の直流機駆動システムにおいて、運転モードを第1象限から第4象限のいずれかで、連続して運転すると、特定のIGBT又はダイオードに電流が流れる期間が長くなり、その結果、特定のIGBT又はダイオードの発生損失が大きくなり、半導体チップの温度上昇も高くなる。
このような運転条件で図7のような一般的なモジュールを選定する場合は、上記の動作条件に基づいて、最も負担増となる特定のIGBT又はダイオードを基準に定格を決定する必要があるため、モジュールの大型化やコストアップ要因となっていた。また、特定の素子のみを定格アップさせるようなカスタムメイドのモジュールとすることも可能ではあるが、特注扱いとなり物量の関係で必ずしも経済的であるとは言えない。
従って、本願の課題は、直流機制御用変換回路において、各種運転モードで使用しても、特定の半導体チップの損失のみが増大することがなく、モジュールの大型化やコストアップを引き起こさない半導体モジュールとその適用回路を提供することである。
従って、本願の課題は、直流機制御用変換回路において、各種運転モードで使用しても、特定の半導体チップの損失のみが増大することがなく、モジュールの大型化やコストアップを引き起こさない半導体モジュールとその適用回路を提供することである。
上述の課題を解決するために、第1の発明においては、直流電源から2レグ形フルブリッジ変換回路により直流機の4象限運転を行うシステムにおいて、前記2レグ形フルブリッジ変換回路の各1レグ分の回路に適用するパワー半導体モジュールとして、前記直流電源の正側電位にコレクタが接続され、ダイオードが逆並列接続された第1のIGBTと、前記直流電源の負側電位にエミッタが接続され、ダイオードが逆並列接続された第2のIGBTと、前記第1のIGBTのエミッタと前記第2のIGBTのコレクタとの直列接続点に、逆耐圧を有する第3のIGBTと第4のIGBTとの逆並列接続回路の一端を接続したパワー半導体モジュールを用いる。
第2の発明においては、第1の発明における前記第3のIGBTと前記第4のIGBTとの逆並列接続回路の他端を、直流電源の正側電位又は負側電位に接続する。
第3の発明においては、第1又は第2の発明における前記第3のIGBTと前記第4のIGBTとの逆並列接続回路の他端を、直流電源の正側電位又は負側電位のいずれかに接続可能なスイッチ手段に接続する。
第3の発明においては、第1又は第2の発明における前記第3のIGBTと前記第4のIGBTとの逆並列接続回路の他端を、直流電源の正側電位又は負側電位のいずれかに接続可能なスイッチ手段に接続する。
第4の発明においては、第1〜第3の発明における前記第3のIGBT又は前記第4のIGBTの代わりに、逆耐圧を有しないIGBTとダイオードとの直列回路を用いる。
本発明では、パワー半導体モジュールとして、直流電源の正側電位にコレクタが接続され、ダイオードが逆並列接続された第1のIGBTと、直流電源の負側電位にエミッタが接続され、ダイオードが逆並列接続された第2のIGBTと、前記第1のIGBTのエミッタと前記第2のIGBTのコレクタとの直列接続点に、逆耐圧を有する第3のIGBTと第4のIGBTとの逆並列接続回路の一端を接続したパワー半導体モジュールを用い、運転モードに応じて、逆耐圧を有する第3のIGBTと第4のIGBTとの逆並列接続回路の他端を直流電源の正極又は負極に接続しているため、電流負担の大きいアームはIGBT又はダイオードが並列接続されることになる。その結果、特定の半導体チップの温度が上昇することがなくなり、半導体モジュールの大型化や装置のコストアップを抑制することが可能となる。
本発明の要点は、パワー半導体モジュールとして、直流電源の正側電位にコレクタが接続され、ダイオードが逆並列接続された第1のIGBTと、直流電源の負側電位にエミッタが接続され、ダイオードが逆並列接続された第2のIGBTと、前記第1のIGBTのエミッタと前記第2のIGBTのコレクタとの直列接続点に、逆耐圧を有する第3のIGBTと第4のIGBTとの逆並列接続回路の一端を接続したパワー半導体モジュールを用い、運転モードに応じて、逆耐圧を有する第3のIGBTと第4のIGBTとの逆並列接続回路の他端を直流電源の正極又は負極に接続し、電流負担の大きいアームのIGBT又はダイオードと並列接続するようにしている点である。
図13に3相3レベルインバータ回路を、図15に本変換回路に適用する1相分の専用モジュールを示す。図13に示す3レベルインバータ回路は、2分割された直流電源1P、1Nから、図15に示す専用モジュールを3個用いて3レベルの電圧波形を出力し、フィルタリアクトルLoを介して負荷2に交流電力を供給する直流−交流変換回路である。本モジュールは、図15に示すように、端子P、端子M、端子N、端子Uの4出力端子構造である。また、図14には本モジュールの内部回路図を示す。図14(a)が、端子Uと端子M間に逆耐圧を有しないIGBT(T3a、T4a)とダイオード(D3、D4)との直列回路を逆並列接続した回路、図14(b)が逆耐圧を有するIGBTT3、T4を逆並列に接続した回路である。本モジュールについては、特開2008−193779などに示されている。
本実施例は、図15に示す3レベルインバータ専用モジュールを直流機制御用の電力変換回路に適用する回路構成に関する。
本実施例は、図15に示す3レベルインバータ専用モジュールを直流機制御用の電力変換回路に適用する回路構成に関する。
図1に、本発明の第1の実施例(第1象限運転)を示す。図8に示した運転モードの中の第1象限運転のモードである。図9で説明したように、第1象限動作は直流機を電動機として、正転、力行動作させる運転モードである。半導体モジュールMJ1の端子Mを図1(b)に示すように直流電源1の正極に、半導体モジュールMJ2の端子Mを図1(a)に示すように直流電源1の負極に、それぞれ接続することにより、IGBTT11とIGBTT22の電流責務を軽減させている。即ち、直流機3を流れる電流は、破線で示すように、モジュールMJ1においては、IGBT11とIGBTT14で、モジュールMJ2においては、IGBTT22とIGBTT23でそれぞれ分流する。
図2に、本発明の第2の実施例(第2象限運転)を示す。図8に示した運転モードの中の第2象限運転のモードである。図10で説明したように、第2象限動作は直流機を発電機として、正転、回生動作させる運転モードである。図2に示すように、半導体モジュールMJ1の端子Mを直流電源1の負極に、半導体モジュールMJ2の端子Mを直流電源1の正極に、それぞれ接続することにより、ダイオードD12とダイオードD21の電流責務を軽減させている。即ち、直流機3を流れる電流は、破線で示すように、モジュールMJ1においては、ダイオードD12とIGBTT14で、モジュールMJ2においては、ダイオードD21とIGBTT23でそれぞれ分流する。
図3に、本発明の第3の実施例(第3象限運転)を示す。図8に示した運転モードの中の第3象限運転のモードである。図11で説明したように、第3象限動作は直流機を電動機として、逆転、力行動作させる運転モードである。半導体モジュールMJ1の端子Mを直流電源1の負極に、半導体モジュールMJ2の端子Mを直流電源1の正極に、それぞれ接続することにより、IGBTT12とIGBTT21の電流責務を軽減させている。即ち、直流機3を流れる電流は、破線で示すように、モジュールMJ1においては、IGBT12とIGBTT13で、モジュールMJ2においては、IGBTT21とIGBTT24でそれぞれ分流する。
図4に、本発明の第4の実施例(第4象限運転)を示す。図8に示した運転モードの中の第4象限運転のモードである。図12で説明したように、第4象限動作は直流機を発電機として、逆転、回生動作させる運転モードである。図4に示すように、半導体モジュールMJ1の端子Mを直流電源1の正極に、半導体モジュールMJ2の端子Mを直流電源1の負極に、それぞれ接続することにより、ダイオードD11とダイオードD22の電流責務を軽減させている。即ち、直流機3を流れる電流は、破線で示すように、モジュールMJ1においては、ダイオードD11とIGBTT13で、モジュールMJ2においては、ダイオードD22とIGBTT24でそれぞれ分流する。
図5に、本発明の第5の実施例(スイッチ切替方式)を示す。図8に示した運転モードに応じてモジュールの端子Mをスイッチで直流電源の正極又は負極に切替える方式である。
即ち、運転モードに応じて、モジュールMJ1の端子MはスイッチS1で、モジュールMJ2の端子MはスイッチS2で、直流電源1の正極又は負極に接続される。その結果、実施例1〜4と同様に、従来電流責務の大きかったIGBT又はダイオードとIGBTT13又はT14が並列接続され、特定の半導体チップの電流責務が大きくなることはない。
尚、上記実施例には、切替スイッチとして機械式の例を示したが、半導体スイッチでも構成できる。また、モジュール内の双方向スイッチ回路は、図14に示した回路の他、コレクタを共通とした逆並列接続回路でも実現できる。
即ち、運転モードに応じて、モジュールMJ1の端子MはスイッチS1で、モジュールMJ2の端子MはスイッチS2で、直流電源1の正極又は負極に接続される。その結果、実施例1〜4と同様に、従来電流責務の大きかったIGBT又はダイオードとIGBTT13又はT14が並列接続され、特定の半導体チップの電流責務が大きくなることはない。
尚、上記実施例には、切替スイッチとして機械式の例を示したが、半導体スイッチでも構成できる。また、モジュール内の双方向スイッチ回路は、図14に示した回路の他、コレクタを共通とした逆並列接続回路でも実現できる。
本発明は、2レッグのフルブリッジ変換回路の出力の波形を正負任意に調整することが可能であり、直流機制御用電源の他に、任意波形発生器、アルミサッシ着色用電源などへの適用が可能である。
1、1P、1N・・・直流電源 2・・・負荷 3・・・直流機
Lo・・・リアクトル MJ1、MJ2・・・3レベル用モジュール
MJ3、MJ4・・・2レベル用モジュール
T1、T2、T11、T12、T21、T22・・・IGBT
T31、T32、T41、T42、T3a、T4a・・・IGBT
T3、T4、T13、T14、T23、T24・・・逆阻止型IGBT
D1〜D4、D11、D12、D21、D22・・・ダイオード
D31、D32、D41、D42・・・ダイオード
Lo・・・リアクトル MJ1、MJ2・・・3レベル用モジュール
MJ3、MJ4・・・2レベル用モジュール
T1、T2、T11、T12、T21、T22・・・IGBT
T31、T32、T41、T42、T3a、T4a・・・IGBT
T3、T4、T13、T14、T23、T24・・・逆阻止型IGBT
D1〜D4、D11、D12、D21、D22・・・ダイオード
D31、D32、D41、D42・・・ダイオード
Claims (4)
- 直流電源から2レグ形フルブリッジ変換回路により直流機の4象限運転を行うシステムにおいて,前記2レグ形フルブリッジ変換回路の各1レグ分の回路に適用するパワー半導体モジュールとして,前記直流電源の正側電位にコレクタが接続され、ダイオードが逆並列接続された第1のIGBTと,前記直流電源の負側電位にエミッタが接続され、ダイオードが逆並列接続された第2のIGBTと,前記第1のIGBTのエミッタと前記第2のIGBTのコレクタとの直列接続点に,逆耐圧を有する第3のIGBTと第4のIGBTとの逆並列接続回路の一端を接続したパワー半導体モジュールを用いることを特徴とする直流機制御用電力変換装置。
- 前記第3のIGBTと前記第4のIGBTとの逆並列接続回路の他端を,直流電源の正側電位又は負側電位に接続することを特徴とする請求項1に記載の直流機制御用電力変換装置。
- 前記第3のIGBTと前記第4のIGBTとの逆並列接続回路の他端を,直流電源の正側電位又は負側電位のいずれかに接続可能なスイッチ手段に接続することを特徴とする請求項1又は2に記載の直流機制御用電力変換装置。
- 前記第3のIGBT又は前記第4のIGBTの代わりに,逆耐圧を有しないIGBTとダイオードとの直列回路を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の直流機制御用変換装置。
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JP2010091119A JP2011223763A (ja) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | 直流機制御用電力変換装置 |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
CN110198128A (zh) * | 2018-02-27 | 2019-09-03 | 三菱电机株式会社 | 3电平i型逆变器及半导体模块 |
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2010
- 2010-04-12 JP JP2010091119A patent/JP2011223763A/ja active Pending
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CN110198128A (zh) * | 2018-02-27 | 2019-09-03 | 三菱电机株式会社 | 3电平i型逆变器及半导体模块 |
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