JP2011219318A - グラファイト分散液及びその製造方法並びにグラファイト粉末 - Google Patents

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Abstract

【課題】小片化していないグラファイト粒子の分散液を提供する。
【解決手段】分散媒及び平均粒径が100μm以下のグラファイト粒子を含む混合液に、周波数10kHz以上1MHz以下及び振幅1μm以上100μm以下の超音波を1分以上印加するグラファイト分散液の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、グラファイト分散液及びその製造方法並びにグラファイト粉末に関する。
グラファイトは、炭素6員環のシート(グラフェン)の積層構造からなる物質である。
グラファイトの薄膜は、その良好な電気伝導特性及び化学的安定性から、将来のエレクトロニクス材料として近年にわかに注目を集めている。グラファイト(グラフェン)は、例えばいわゆる2次元電子チャネルが形成可能であり、電子の高速な移動状態が得られることが報告されている(非特許文献1参照)。
グラファイト薄膜のエレクトロニクス材料としての適用を考えた場合、グラファイト薄膜は絶縁性の基板上に形成することが重要となる。また、グラファイトを構成するグラフェンの層数は少ないことが望ましい。これは、グラフェンの層数が多くなるにつれて、外部から印加された電場がグラファイト内部で遮断されるため、ゲート電圧による電気特性の制御が困難になるためである。
グラファイト薄膜の絶縁性基板上への形成方法は、現在最も一般的な形成方法としては、(1)粘着性テープを用いてグラファイトの劈開を繰り返して薄膜を形成し、これを絶縁性基板上に分散させる方法、又は(2)強酸処理によるグラファイトの酸化及び精製を繰り返した後に、超音波洗浄器等の通常用いられる超音波で剥離し、遠心分離し、基板に塗布して高温で還元する方法がある。
しかしながら、これらグラファイトを劈開する方法では、1層〜数層のグラファイト薄膜を、再現性よく効率的に基板に固定することは困難であった。例えば(1)の方法では1〜数層のグラファイトを再現よく得ることはできず、非効率的で明らかに工業的には適さない。(2)の方法でも酸化処理に数日間を必要とし、精製処理等の工程が煩雑でさらに時間を必要とするため、非効率的で工業的に適さない。特に(2)の方法では、強い酸化処理でグラファイトはダメージを受け、短時間の超音波処理(剥離工程)で細分化してしまう問題がある。
一方、SiC基板を用いる技術では、所望の形状のパターンを再現性よく形成することが可能であり、予め設計された構造の電子素子を再現性よく作製することが可能となる。
しかしながら、このSiC基板を用いる方法では、まず1250℃以上の高温が必要になるうえ、SiC基板は低温の状態にしないと絶縁性が十分ではなく、一般的な温度範囲(20℃程度)では、SiC基板に電流が流れてしまう等の問題があった。
上記問題点に対し、基板の上に段差部を形成する第1工程と、基板を加熱しながら段差部を含む基板の上に炭素を含む化合物のガスを供給する第2工程を含むグラファイト膜の形成方法が開示されている(特許文献1)。
しかし、特許文献1に開示の技術では、熱CVD(Chemical Vapor Deposition)装置の処理室内で基板を850℃に加熱した状態でグラフェンを製造するので、高温に耐えうる基板上以外にグラフェンを製造することができなかった。またCVD装置は高価であるため、大面積への適用が困難であった。
特開2009−249654号公報
K.S.Novoselov et al.,"Tow-dimensional gas of massless Dirac fermions in grapheme",Nature,Vol.438,pp.197-200,2005.
本発明の目的は、小片化していないグラファイト粒子の分散液を提供することである。
本発明の他の目的は、小片化していないグラファイト粒子を含むグラファイト膜を提供することである。
本発明によれば、以下のグラファイト分散液の製造方法等が提供される。
1.分散媒及び平均粒径が100μm以下のグラファイト粒子を含む混合液に、周波数10kHz以上1MHz以下及び振幅1μm以上100μm以下の超音波を1分以上印加するグラファイト分散液の製造方法。
2.1に記載のグラファイト分散液の製造方法により得られるグラファイト分散液。
3.1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、
前記グラファイト粒子のζ電位が、それぞれ−100mV以上0mV以下であり、
前記グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であるグラファイト分散液。
4.1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、
前記グラファイト粒子が下記式(1)を満たし、
前記グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であるグラファイト分散液。
0.01≦O/C≦0.1 (1)
(式中、Oはグラファイト粒子中の酸素原子を表し、Cはグラファイト粒子中の炭素原子を表す。)
5.前記グラファイト粒子の全部又は一部がグラフェンである3又は4に記載のグラファイト分散液。
6.1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、
前記グラファイト粒子のζ電位が、それぞれ−100mV以上0mV以下であり、
前記グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であるグラファイト粉末。
7.1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、
前記グラファイト粒子が下記式(1)を満たし、
前記グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であるグラファイト粉末。
0.01≦O/C≦0.1 (1)
(式中、Oはグラファイト粒子中の酸素原子を表し、Cはグラファイト粒子中の炭素原子を表す。)
8.前記グラファイト粒子の全部又は一部がグラフェンである6又は7に記載のグラファイト粉末。
9.2〜5のいずれかに記載のグラファイト分散液から分散媒を乾燥して得られるグラファイト粉末。
10.6〜8のいずれかに記載のグラファイト粉末を含んでなるグラファイト膜。
11.10に記載のグラファイト膜を有する積層体。
本発明によれば、小片化していないグラファイト粒子の分散液が提供できる。
本発明によれば、小片化していないグラファイト粒子を含むグラファイト膜が提供できる。
本発明のグラファイト分散液の製造方法に用いることができる超音波発生装置の概略断面図である。 実施例1で製造したグラファイト分散液に含まれるグラフェンの原子間力顕微鏡観察の結果を示す図である。 実施例2で製造したグラファイト分散液に含まれるグラフェンの原子間力顕微鏡観察の結果を示す図である。 実施例3で製造したグラファイト分散液に含まれるグラフェンの原子間力顕微鏡観察の結果を示す図である。
本発明のグラファイト分散液の製造方法では、分散媒及び平均粒径が100μm以下のグラファイト粒子を含む混合液に、周波数10kHz以上1MHz以下及び振幅1μm以上100μm以下の超音波を1分以上印加する。
本発明の製造方法は、グラファイトを層剥離することができ、原料グラファイト粒子からグラフェンのみ、複数のグラフェンが積層してなるグラファイト粒子のみ、又はグラフェンと複数のグラフェンが積層してなるグラファイト粒子の両方を含む分散液を得ることができる。
尚、グラフェンとは、ベンゼン環を2次元平面に敷き詰めた6員環シートのことをいい、本発明では、グラフェンもグラファイト粒子に含むものとする。
グラファイトを酸化処理すると、グラファイトがダメージを受け、弱い超音波であっても剥離工程でグラフェンが寸断されて小片化してしまう。グラフェンが小片化することによって導電パスの接点数が増加し、得られる膜の導電性能は低下してしまう。本発明の製造方法は酸化還元工程を必要としないため、得られるグラフェン、複数のグラフェンが積層してなるグラファイト粒子を小片化させることがなく、分散液から得られる膜の導電性能低下を防ぐことができる。
また、グラファイトは酸化・還元によって物理的及び化学的ダメージを受け、グラファイト自体の電子移動度等の導電性能が低下してしまうが、本発明の製造方法は酸化還元工程を必要としないため、グラファイト自体の物性低下を防ぐことができる。
加えて、本発明の製造方法は酸化還元工程を必要としないので、簡素な工程で且つ短時間でグラファイト分散液を製造することができる。
グラファイト分散液の分散媒は、特に制限は無く、例えば水、メタノール等を用いることができる。
メタノールのように乾燥速度が速い溶媒であれば、遠心分離後の分散液塗布時に微細なグラファイトの再凝集を防止できる。また、分散媒が水の場合は、水中で分散し遠心分離後、乾燥し乾燥速度が速い溶媒を加え,再度軽度な分散工程を経て塗布することも可能である。
グラファイト粒子の平均粒径は100μm以下であり、好ましくは0.1μm以上100μm以下である。ここで平均粒径とは、累積50%となる粒径d50である。
グラファイト粒子の平均粒径が0.1μm未満の場合、グラファイト粒子の接触点が多いため、抵抗値が増加するおそれがある。一方、平均粒径が100μm超の場合、剥離が困難になるおそれがある。
また、グラファイト粒子は、超音波印加前にマイクロウェーブ処理をしてもよい。
超音波の周波数は、10kHz以上1MHz以下であり、好ましくは15kHz以上40kHz以下である。
超音波の周波数が、周波数10kHz未満の場合、騒音が大きくなるおそれがある。一方、周波数1MHz超の場合、十分な振幅が得られないおそれがあり、剥離が困難になるおそれがある。
超音波の振幅は、1μm以上100μm以下(ゼロツーピーク値)であり、好ましくは1μm以上50μm以下、より好ましくは振幅5μm以上20μm以下である。
振幅が1μm未満の場合、音圧が小さくなり、グラファイトの層間剥離が不十分になるおそれがある。一方、振幅が50μm超の場合、超音波ホーンの劣化する及び発熱が大きくなるおそれがある。
超音波の印加時間は、1分以上であり、好ましくは2分以上である。また、超音波の印加時間は、好ましくは1分以上120分以下であり、より好ましくは2分以上60分以下である。
超音波の印加時間が1分未満の場合、十分な分散効果が得れらないおそれがある。一方、印加時間が120分超では、非効率となるおそれがある。
尚、連続操作で分散液を製造する場合は、印加時間はベッセル容量Qと流入量(抜出し採取量)Qinの比Q/Qinで表される値で定義される。ここで、Q/QinのQinの単位は、流量単位/時間単位であり、QとQinの流量の単位は同一である。例えば、Qinの単位が(m/sec)であれば、Qの単位は(m)である。
超音波印加後、得られた混合液を例えばその全量又は一部を遠心分離機を用いて遠心分離し、上澄み液を採取することでグラファイト分散液が得られる。ここで、遠心分離の条件は、得たい分散液中のグラファイト粒子の濃度により適宜調整することが可能であるが、例えば、3000G、5〜10分とすることができる。
また、上記上澄み液を乾燥させ、例えばメタノール等の溶媒を添加して再溶解させ、グラファイト分散液としてもよい。
グラファイト分散液の分散前又は分散後に、さらに界面活性剤及び/又は分散安定剤を添加してもよい。
本発明のグラファイト分散液の製造方法は、例えば図1に示す超音波発生装置を用いることで実施できる。
図1に示す超音波発生装置1は、発振機10と振動子20がコードを介して接続しており、振動子20は超音波ホーン30と連結している。当該コードは、発振機10で発生させた信号を振動子20に伝える役割を担う。超音波ホーン30は、容器40とパッキン50を介してボルト60により隙間無く密着している。超音波ホーン30及び容器40により形成される空間内部に、分散媒及びグラファイト粒子からなる混合液を充填し、超音波ホーン30から発せられる超音波を印加することで、本発明の製造方法を実施することができる。
尚、超音波発生装置1は、ポンプ等により連続的に試料(分散媒及びグラファイト粒子からなる混合液)を供給、抜出し、循環できる構造をさらに含んでもよい。
超音波ホーン30の素材は、特に限定されず、例えばジュラルミン,ステンレス,チタン合金等が用いられ、好ましくはチタン合金製のホーンであり、さらに好ましくは超音波印加面にコバルト−クロム−タングステン溶射加工を施したチタン合金製のホーンである。
超音波ホーン30の超音波印下部の直径をDhとし、ホーン先端面における容器40の直径をDbとした場合、DhとDbの比は、例えばDb/Dh≦1.5であり、好ましくはDb/Dh≦1.2であり、より好ましくはDb/Dh≦1.1である。
Db及びDhが上記範囲にない場合、超音波が有効に作用しにくいおそれがある。
容器40の最大容量(mL)は、例えば超音波ホーン30の先端直径(cm)×100で表すことができる。
本発明の第1のグラファイト分散液は、1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、グラファイト粒子のζ電位が、それぞれ−100mV以上0mV以下であり、グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上である。
上記グラファイト粒子のζ電位とは、純水にグラファイト粒子を分散させてなるグラファイト分散液のζ電位を意味する。
グラファイト粒子のζ電位は、それぞれ−100mV以上0mV以下であり、好ましくは−70mV以上−10mV以下である。
ζ電位が−100mV未満の場合、OHによる酸化により大きくダメージを受けるおそれがある。一方、ζ電位が0mV超の場合、分散性が悪化するおそれがある。
グラファイト粒子の厚さの平均は50nm以下であり、好ましくは10nm以下である。
グラファイト粒子の厚さがの平均50nm超の場合、透明電極等の用途では透明性が不足する場合がある。
上記グラファイト粒子の厚さとは、グラフェンの積層方向の厚みを意味する。従って、例えばグラフェン粒子が1層のグラフェンである場合には、グラファイト粒子の厚みはグラフェン自体の厚さであり、グラファイト粒子が複数層のグラフェンからなる場合、グラファイト粒子の厚みは、グラフェンの積層体の厚さとなる。
尚、グラフェンの積層状態が均一でない場合(例えば、一部分が3層他の部分が5層)には、グラファイトの厚みは、積層体の1番厚い部分を意味する。
グラファイト粒子の面積方向の長径の平均は0.1μm以上であり、好ましくは1μm以上である。
グラファイト粒子の面積方向の長径の平均が0.1μm未満の場合、導電パスにおける接点が増加し導電性が低下するおそれがある。
上記グラファイト粒子の面積方向の長径とは、グラファイト粒子のグラフェンの面のうち、最も長い径を意味する。
本発明の第1のグラファイト分散液は、さらにカーボンナノチューブを含んでもよい。
カーボンナノチューブは特に限定されず、シングルウォールナノチューブ(SWNT)でもマルチウォールナノチューブ(MWNT)でもよく、また、その直径及び長さも特に限定されない。
本発明の第1のグラファイト分散液中の1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子は、好ましくは全部又は一部がグラフェンである。分散液が、1層のグラフェンからなるグラファイト粒子を少なくとも含むことで、この分散液を用いて製造した膜は透明性に優れる。
本発明の第1のグラファイト分散液は、上述した本発明のグラファイト分散液の製造方法により製造できる。
グラファイト分散液を製造するにあたっては、超音波印加前の原料グラファイト粒子と分散液中のグラファイト粒子とのζ電位の差である|ζdis−ζori|(ζ電位(ζori)の差の絶対値)が30mV以下であることが好ましい。
本発明の第2のグラファイト分散液は、1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、グラファイト粒子が式(1)を満たし、グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上である。
0.01≦O/C≦0.1 (1)
(式中、Oはグラファイト粒子中の酸素原子を表し、Cはグラファイト粒子中の炭素原子を表す。)
本発明の第2のグラファイト分散液に含まれるグラファイト粒子は、上記式(1)を満たす。グラファイト粒子中の酸素原子及び炭素原子は、分散媒を含まないグラファイト粉末を、真空中でX線光電子分光(XPS)測定することにより評価できる。
原子比O/Cが0.01未満の場合、分散性が悪化するおそれがある。一方、原子比O/Cが0.1超の場合、酸化によるダメージが大きいおそれがある。
本発明の第2のグラファイト分散液中のグラファイト粒子の厚さ及び面積方向の長径は、本発明の第1のグラファイト分散液と同様である。
本発明の第2のグラファイト分散液は、上述した本発明のグラファイト分散液の製造方法により製造できる。
グラファイト分散液を製造するにあたっては、原料のグラファイト粒子と分散液中のグラファイト粒子との酸素量の差の絶対値|qdis−qori|が5%以下であることが好ましい。
本発明の第2のグラファイト分散液が、カーボンナノチューブ等を含んでいてもよいこと、及びグラファイト粒子の一部又は全部がグラフェンであることが好ましいことは第1のグラファイト分散液と同様である。
本発明の第1のグラファイト粉末は、1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子からなり、グラファイト粒子のζ電位が、それぞれ−100mV以上0mV以下であり、グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上である。
本発明の第1のグラファイト粉末である1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子は、本発明の第1のグラファイト分散液に含まれる1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子と同様である。
また、本発明の第1のグラファイト粉末が、カーボンナノチューブ等を含んでいてもよいこと、及びグラファイト粒子の一部又は全部がグラフェンであることが好ましいことは第1のグラファイト分散液と同様である。
本発明の第1のグラファイト粉末は、本発明の第1のグラファイト分散液の分散媒を乾燥させることにより得られる。
乾燥温度は特に制限されず、分散媒が水の場合、乾燥温度は、好ましくは20℃以上100℃以下であり、分散媒がメタノールの場合、乾燥温度は、好ましくは0℃以上70℃以下である。
本発明の第2のグラファイト粉末は、1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子からなり、グラファイト粒子が下記式(1)を満たし、グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上である。
0.01≦O/C≦0.1 (1)
(式中、Oはグラファイト粒子中の酸素原子を表し、Cはグラファイト粒子中の炭素原子を表す。)
本発明の第2のグラファイト粉末である1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子は、本発明の第2のグラファイト分散液に含まれる1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子と同様である。
また、本発明の第2のグラファイト粉末が、カーボンナノチューブ等を含んでいてもよいこと、及びグラファイト粒子の一部又は全部がグラフェンであることが好ましいことは、本発明の第2のグラファイト分散液と同様である。
本発明の第2のグラファイト粉末は、本発明の第2のグラファイト分散液の分散媒を乾燥させることにより得られる。
乾燥温度は特に制限されず、分散媒が水の場合、乾燥温度は、好ましくは20℃以上100℃以下であり、分散媒がメタノールの場合、乾燥温度は、好ましくは0℃以上70℃以下である。
本発明の第1及び第2のグラファイト粉末はグラファイト膜の材料として好適に用いることができる。
本発明のグラファイト膜は、本発明の第1のグラファイト粉末又は第2のグラファイト粉末を含む膜である。
グラファイト膜中のグラファイト粉末の含有量は、導電性及び透明度を高めるために多いほど好ましく、より好ましくは本発明のグラファイト膜は、本発明の第1のグラファイト粉末又は第2のグラファイト粉末のみからなる。
本発明の積層体は、本発明のグラファイト膜を有する積層体である。
本発明の積層体は、グラファイト膜以外の構成は特に制限されず、例えば基板上にグラファイト膜が形成されてなる積層体である。
基板は特に制限されず、例えばシリコン基板、プラスチック基板、プラスチックシート、プラスチックフィルム、ガラス基板、各種の金属基板、金属シート、金属フィルム等が挙げられる。
本発明の積層体は、上述の基板上にグラファイト膜が形成されてなる積層体にさらに電極を形成して、導電素子として用いることもできる。
本発明の積層体は、例えば積層体がグラファイト膜及び基板の積層体である場合、基板に本発明のグラファイト分散液を塗布及び乾燥させることにより製造できる。
特に本発明のグラファイト分散液は化学的剥離法のような塗布後の高温還元処理や熱CVD法のような熱処理工程が不要であるので、基板の制限なく塗布することができる。
実施例1
純水50mlにグラファイト粒子(SGP−3,平均粒子径3μm,SECカーボン社製)を0.018g加え、周波数19kHz及び振幅9μm(ゼロ ツー ピーク値)の超音波を3分間印加し、純水とグラファイト粒子の混合液を得た。得られた純水及びグラファイト粒子からなる混合液を3000rpm及び10分の条件で遠心分離し、上澄み液を採取してグラファイト分散液を得た。
グラフェンの状態を確認するために、得られた分散液をUV処理シリコン基板上に滴下及び乾燥し、原子間力顕微鏡(以下AFM)で観察した。観察結果を図2に示す。
その結果、視野(76μm×76μm)内に、厚さ約1nm及び大きさ約3μm×5μmの多数のグラフェンが観察され、視野中のグラフェン粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であることが確認された。グラフェンの大きさは、原料グラファイト粒子の大きさ(約3μm)とほぼ同じであり、小片化していないことが確認された。
実施例2
グラファイト粒子(SGP−3,平均粒子径3μm,SECカーボン社製)0.018gに150W及び4分の条件でマイクロウェーブ処理(マイクロウェーブオーブン CEM社製 Discover System)を施した。
純水50mlにマイクロウェーブ処理したグラファイト粒子を加え、周波数19kHz及び振幅9μm(ゼロ ツー ピーク値)の超音波を3分間印加し、純水及びグラファイト粒子の混合液を得た。得られた純水及びグラファイト粒子からなる混合液を3000rpm及び10分の条件で遠心分離し、上澄み液を採取してグラファイト分散液を得た。
グラフェンの状態を確認するために、得られた分散液をUV処理シリコン基板上に滴下及び乾燥し、AFMで観察した。結果を図3に示す。
その結果、視野(5μm×5μm)内に、厚さ約1nm及び大きさ約1μm×2.5μmのグラフェンが観察され、視野中のグラフェン粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であることが確認された。グラフェンの大きさは原料グラファイト粒子の大きさ(約3μm)とほぼ同じであり、小片化していないことが確認された。
実施例3
純水50mlにグラファイト粒子(SGP−3,平均粒子径3μm,SECカーボン社製)を0.018g加え、周波数19kHz及び振幅9μm(ゼロ ツー ピーク値)の超音波を15分間印加し、純水及びグラファイト粒子の混合液を得た。得られた純水及びグラファイト粒子からなる混合液を3000rpm及び10分の条件で遠心分離し、上澄み液を採取してグラファイト分散液を得た。
グラフェンの状態を確認するために、得られた分散液をUV処理シリコン基板上に滴下及び乾燥し、AFMで観察した。結果を図4に示す。
その結果、視野(2μm×2μm)内に、厚さ約1nm及び大きさ約1μm×1.5μmのグラフェンが観察され、視野中のグラフェン粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であることが確認された。グラフェンの大きさは原料グラファイトの大きさ(約3μm)とほぼ同じであり、小片化していないことが確認された。
実施例3の遠心分離前の分散液及び遠心分離後の分散液のζ電位及びXPS(X線光電子分光装置、アルバック・ファイQ2000)による酸素量(O/C)を測定した。酸素量(O/C)については、各分散液を真空乾燥し、得られた乾燥試料をアルミニウム箔(Alfoil)上にサンプリングし中和銃onで測定した。結果を表1に示す。
また、純粋水中で手で振って攪拌した試料(バージングラファイト)のζ電位及び酸素量についても同様に評価した。結果を表1に示す。ζ電位はシスメックス社製Zetasizer Nano ZSを用いてpH6で測定した.
表1から分かるように、本発明の分散液中のグラファイトは強く酸化されていないことが確認された。
尚、Alfoilの代わりにインジウム箔(Infoil)を用いた場合でも、表1と同様の結果が得られた。
比較例1
純水50mlにグラファイト粒子(SGP−3,平均粒子径3μm,SECカーボン社製)を0.018g加え、周波数19kMz及び振幅9μmの超音波を0.5分印加し、純水及びグラファイト粒子からなる混合液を得た。得られた純水及びグラファイト粒子からなる混合液を3000rpm及び10分の条件で遠心分離し、上澄み液を採取しグラファイト分散液を得た。
グラフェンの状態を確認するため、得られた分散液をUV処理シリコン基板上に滴下及び乾燥し、AFMで観察した。
その結果、剥離が十分に起こっておらず、原料グラファイト粒子がそのまま観察される等、グラフェンが得られていないことが確認された。
本発明のグラファイト分散液は、太陽光発電システムの透明電極及びリチウムイオン電池電極の電極材料、並びにグリース、潤滑油及び高分子複合材料の増ちょう剤又は添加剤として用いることができる。
1 超音波発生装置
10 発振機
20 振動子
30 ホーン
40 容器
50 パッキン
60 ボルト

Claims (11)

  1. 分散媒及び平均粒径が100μm以下のグラファイト粒子を含む混合液に、周波数10kHz以上1MHz以下及び振幅1μm以上100μm以下の超音波を1分以上印加するグラファイト分散液の製造方法。
  2. 請求項1に記載のグラファイト分散液の製造方法により得られるグラファイト分散液。
  3. 1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、
    前記グラファイト粒子のζ電位が、それぞれ−100mV以上0mV以下であり、
    前記グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であるグラファイト分散液。
  4. 1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、
    前記グラファイト粒子が下記式(1)を満たし、
    前記グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であるグラファイト分散液。
    0.01≦O/C≦0.1 (1)
    (式中、Oはグラファイト粒子中の酸素原子を表し、Cはグラファイト粒子中の炭素原子を表す。)
  5. 前記グラファイト粒子の全部又は一部がグラフェンである請求項3又は4に記載のグラファイト分散液。
  6. 1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、
    前記グラファイト粒子のζ電位が、それぞれ−100mV以上0mV以下であり、
    前記グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であるグラファイト粉末。
  7. 1層以上のグラフェンからなるグラファイト粒子を含み、
    前記グラファイト粒子が下記式(1)を満たし、
    前記グラファイト粒子の厚さの平均が50nm以下であって、面積方向の長径の平均が0.1μm以上であるグラファイト粉末。
    0.01≦O/C≦0.1 (1)
    (式中、Oはグラファイト粒子中の酸素原子を表し、Cはグラファイト粒子中の炭素原子を表す。)
  8. 前記グラファイト粒子の全部又は一部がグラフェンである請求項6又は7に記載のグラファイト粉末。
  9. 請求項2〜5のいずれかに記載のグラファイト分散液から分散媒を乾燥して得られるグラファイト粉末。
  10. 請求項6〜8のいずれかに記載のグラファイト粉末を含んでなるグラファイト膜。
  11. 請求項10に記載のグラファイト膜を有する積層体。
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