JP2011216772A - 半導体装置の製造方法および接合治具 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子1が緩挿可能な開口部と、この開口部の開口縁に開口部の開口断面積より大きい開口断面積を有する接合材逃がし部とを有する接合治具4を用いる半導体装置5の製造方法であって、基板2と半導体素子1との間に金属粒子を含有した接合材3を狭持する工程と、半導体素子1が開口部に緩挿されるように接合治具4を配置する工程と、接合治具4を介して半導体素子1と基板2との間を200℃以上500℃以下の温度環境下において加圧する工程とを備えたものである。
【選択図】図1
Description
図1は、この発明を実施するための実施の形態1における、半導体装置の製造方法の工程を説明する工程図である。半導体素子1として、Siチップを用意する。このSiチップは、次のようにして作製する。φ5インチで厚さ500μmのSiウェハを用意し、裏面(鏡面研磨されていない面)に、例えばスパッタリング法を用いて、Siウェハ側から順にTi層を約100nm厚、Ni層を約300nm厚およびAu層を約50nm厚で成膜する。この金属膜が成膜されたSiウェハを縦横7mmの正方形に切断して本実施の形態のSiチップとした。
実施の形態2においては、実施の形態1で用いた治具の形状を変化させた場合に、製造される半導体装置の特性の変化を調べたものである。半導体素子の形状は、実施の形態1と同様に、縦横7mmの正方形で厚さ500μmである。
実施の形態3においては、実施の形態1の半導体装置の製造方法において、基板に溝構造の余剰接合材吸収部を備えたものである。
接合材は、余剰接合材吸収溝内で、接合材逃がし穴7を境界面として下向きから上向きに流動し、はみ出した接合材は確実に溝状の余剰接合材吸収部に吸収される。
してショートする不具合を防ぐ効果もある。
2 基板
3 接合材
4 治具
5 半導体装置
6 余剰接合材吸収部
Claims (3)
- 半導体素子が緩挿可能な開口部と、
この開口部の開口縁に前記開口部の開口断面積より大きい開口断面積を有する接合材逃がし部と
を有する接合治具を用いる半導体装置の製造方法であって、
基板と前記半導体素子との間に金属粒子を含有した接合材を狭持する工程と、
前記半導体素子が前記開口部に緩挿されるように前記接合治具を配置する工程と、
前記接合治具を介して前記半導体素子と前記基板との間を200℃以上500℃以下の温度環境下において加圧する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の表面の半導体素子との間に狭持された接合材が接触する周辺に溝を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体素子が緩挿可能な開口部と、
この開口部の開口縁に前記開口部の開口断面積より大きい開口断面積を有する接合材逃がし部と
を有することを特徴とする接合治具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010085210A JP5636720B2 (ja) | 2010-04-01 | 2010-04-01 | 半導体装置の製造方法および接合治具 |
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Publications (2)
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JP2011216772A true JP2011216772A (ja) | 2011-10-27 |
JP5636720B2 JP5636720B2 (ja) | 2014-12-10 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5636720B2 (ja) |
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