JP2011213493A - セラミックデバイスの製造方法およびセラミックデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することによりセラミックデバイスを製造する方法が、積層体の表面および裏面となるセラミックスグリーンシートに、アルミナを主成分とし、焼成時において積層体の焼成収縮挙動に対する拘束能を有するペーストを塗布する工程と、ペーストが塗布された積層体を焼成することによって、ペーストの焼成収縮挙動の拘束下で積層体をあらかじめ定められた収縮率で焼成収縮させてセラミックデバイスを得る工程と、を備える。
【選択図】図2
Description
はじめに、本発明の製造方法により製造されるセラミックデバイスの一例であるセンサ素子101を含む、ガスセンサ100の概略構成について説明する。
次に、センサ素子101を製造するプロセスについてより詳細に説明する。
以上のようなプロセスを経ることで、所定の設計寸法をみたすとともに、素子厚に対する反り量の比率が10%以内に抑制されたセンサ素子101を、得ることが出来る。なお、本実施の形態において、反り量とは、図3に示すように、センサ素子101の最下端部(図3では長手方向の両端102,103)をテーブル400で支持したときの最下端部から最上端部104までの距離L3と、センサ素子101の板厚L4との差(L3−L4)のことである。一般的に、素子厚に対する反り量の割合が10%以内であれば、センサ素子は、図示しないコネクタなどの外部部品への組み付けその他に際して良好な形状を有しているといえるところ、本実施の形態によって得られるセンサ素子101は、この要件を満たしている。すなわち、本実施の形態に係る製造方法によれば、反りが良好に抑制されたセンサ素子101が実現される。これは、反り抑制ペーストを塗布したことの効果である。
上述の実施の形態においては、反り抑制ペーストを積層体の表裏面に塗布する場合について説明したが、本発明の適用はこれに限られるものではなく、積層体の表裏面のいずれか一方に塗布する態様であってもよい。
2 第2基板層
3 第3基板層
4 第1固体電解質層
5 スペーサ層
6 第2固体電解質層
90 多孔質層
100 ガスセンサ
101 センサ素子
Claims (7)
- 複数のセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することによりセラミックデバイスを製造する方法であって、
a)前記積層体の表面および裏面となるセラミックスグリーンシートに、アルミナを主成分とし、焼成時において前記積層体の焼成収縮挙動に対する拘束能を有するペーストを塗布する工程と、
b)前記ペーストが塗布された前記積層体を焼成することによって、前記ペーストの焼成収縮挙動の拘束下で前記積層体をあらかじめ定められた収縮率で焼成収縮させてセラミックデバイスを得る工程と、
を備えることを特徴とするセラミックデバイスの製造方法。 - 請求項1に記載のセラミックデバイスの製造方法であって、
前記工程a)における前記積層体の表面および裏面での前記ペーストの塗布面積比率が68%以上であることを特徴とするセラミックデバイスの製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載のセラミックデバイスの製造方法であって、
前記工程a)における前記積層体の表面および裏面への前記ペーストの塗布厚みが5μm以上20μm以下であることを特徴とするセラミックデバイスの製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のセラミックデバイスの製造方法であって、
前記工程a)における前記ペースト中の添加剤の割合が3重量%以上20重量%以下であることを特徴とするセラミックデバイスの製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のセラミックデバイスの製造方法であって、
前記工程b)において得られる前記セラミックデバイスが、表面および裏面に気孔率が5%以上25%以下の多孔質層を備えることを特徴とするセラミックデバイスの製造方法。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載のセラミックデバイスの製造方法であって、
前記セラミックデバイスが酸素イオン導電性固体電解質セラミックスからなるセンサ素子であることを特徴とするセラミックデバイスの製造方法。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の製造方法によって製造されたセラミックデバイス。
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