JP2011210496A - 集束イオンビーム装置及びチップ先端構造検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チップ1にガスを供給するガス供給部と、イオンビーム11を引き出す引出電極4と、イオンビーム11の照射方向を調整するガンアライメント電極9とを有する集束イオンビーム装置であり、チップ1の先端の一つの原子から放出されたイオンビームを通過させる開口部10aを有するアパーチャ10と、開口部10aを通過したイオンビーム11の電流量を測定する電流測定部と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明に係る集束イオンビーム装置は、針状のチップと、チップにガスを供給するガス供給部と、チップとの間で電圧を印加しチップ表面に吸着したガスをイオン化してイオンビームを引き出す引出電極と、イオンビームの照射方向を調整するアライメント電極と、試料にイオンビームを集束させるレンズ系とを有する集束イオンビーム装置であり、チップの先端の一つの原子から放出されたイオンビームを通過させる開口部を有し、アライメント電極よりも試料側に設置されたアパーチャと、開口部を通過したイオンビームの電流量を測定する電流測定部と、を有する。これにより、チップの先端の一つの原子から放出されたイオンビームのビーム電流を測定することができる。
本実施形態の集束イオンビーム装置は、図1に示すように、針状のチップ1(エミッター)と、チップ1にガスを供給するイオン源用ガスノズル2とイオン源用ガス供給源3からなるガス供給部と、チップ1との間で電圧を印加し、チップ1の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極4と、イオンを試料13に向けて加速させるカソード電極5からなるイオン銃部19を備えている。また針状のチップ1はチップ1を支持するフィラメント(図示せず)に電流を流すことにより加熱する機構を備えている。そして、イオン銃部19とレンズ系の間に配置された第二のアパーチャ10と、第二のアパーチャ10を移動させるアパーチャ駆動部110と、試料13にイオンビーム11を集束させる集束レンズ電極6と対物レンズ電極8からなるレンズ系を備えている。これによりイオン銃部19から放出されたイオンビーム11を制限することができる。また、集束レンズ電極6と対物レンズ電極8の間に開口部7aを有する第一のアパーチャ7を備えている。また、第一のアパーチャ7は開口径の異なる開口部を備えている(図示せず)。異なる大きさの開口径を選択し、ビーム軸上に設置することで、通過するイオンビーム11のビーム量を調整することができる。そして、イオン銃部19を装置の外側からレンズ系に対して相対的に移動可能な調整機構20を備える。
電界電離型イオン源は、図2に示すように、イオン発生室21と、チップ1と、引出電極4と、冷却装置24とを備えている。
図1に示すように、イオン銃部19は、上記電界電離型イオン源と引出電極4を通過したイオン11aを試料13に向けて加速させるカソード電極5とを備えている。そして、イオン銃部19は調整機構20と接続されている。調整機構20は真空外部からイオン銃部19をレンズ系に対して相対的に移動する。これによりレンズ系に入射するイオンビーム11の位置を調整することができる。
レンズ系は、チップ1側から試料13側に向けて順に、イオンビーム11を集束する集束レンズ電極6と、イオンビーム11を絞り込む第一のアパーチャ7と、イオンビーム11の光軸を調整するアライナ(図示せず)と、イオンビーム11の非点を調整するスティグマ(図示せず)と、イオンビーム11を試料13に対して集束する対物レンズ電極8と、試料上でイオンビーム11を走査する偏向器(図示せず)とを備えて構成される。
ガス銃18は、試料13表面にデポジション膜の原料ガス(例えば、フェナントレン、ナフタレンなどのカーボン系ガス、プラチナやタングステンなどの金属を含有する金属化合物ガスなど)を原料容器からノズルを通して供給する構成になっている。
図3に示すように、チップ1から放出されるイオンビーム11の照射方向は、チップ1の先端1aの構造(終端原子の配置)によって異なる。図3(a)は、チップ1の先端の終端原子1bが一つの原子である場合のチップ1の模式図である。図3(a)のように一つの終端原子からイオンビーム11が放出される。このときチップ1の先端1aは図3(b)のようにピラミッド構造になっており、先端が一つの原子で終端されている。図3(c)は、チップ1の先端の終端原子1bが三つの原子である場合のチップ1の模式図である。図3(c)のように三つの終端原子からそれぞれイオンビーム11が放出される。このときチップ1の先端1aは図3(d)のようにピラミッド構造になっており、先端が三つの原子で終端されている。チップ1の終端原子数の制御は、チップ1と引出電極4との間の供給電圧により制御することができる。
チップ先端の構造を確認するために、チップ1の先端の一つの原子から放出されたイオンビームのみを通過させる開口部を有するアパーチャを用いる。この開口部は次のように設計する。図4(a)に示すように、チップ1の先端の曲率半径40をrとし、終端原子1bの原子半径41をaとする。また、図4(b)に示すように、チップ1の先端と第二のアパーチャ10との距離をLとし、第二のアパーチャ10上におけるイオンビーム半径10cをbとする。すると、第二のアパーチャ10上でのチップ1の終端原子1bの原子像の倍率はM=L/rで表すことができる。そして、第二のアパーチャ上におけるイオンビーム半径は、b=aM=aL/rで表すことができる。従って、チップ1の先端の一つの原子から放出されたイオンビームのみを通過させる第二のアパーチャ10の開口部10aは、aL/rよりも大きく、かつ、終端原子1bが三つの原子であるときに放出される他のイオンビームが通過可能な径よりも小さいものとする。これにより、チップ1の先端の一つの原子から放出されたイオンビームのみを通過させることができる。例えば、チップ1の曲率半径が10nm、50nm、100nmの場合、終端原子1bの原子半径を0.3nm、チップ1とアパーチャ10の距離を50mmとすれば、開口部10aの半径をそれぞれ1.5mm、0.3mm、0.15mmに設定すればよい。また、第二のアパーチャ10は、開口径の異なる開口部を備え、通過させるイオンビームの電流量を調整することが可能である。
図5に示すように、第二のアパーチャ10よりも試料13側に配置したファラデーカップ113を用いてチップ1の先端構造を検査する手法について説明する。イオンビーム11がチップ1の先端の一つの原子から放出されたイオンビームのみを通過させる開口部を通過するようにアパーチャ駆動部110により第二のアパーチャ10を移動する。また、イオンビーム11が照射されるように、ファラデーカップ駆動部114を用いてファラデーカップ113を移動させる。そして、チップ1からイオンビーム11を照射させる。ファラデーカップに照射されたビーム電流を電流測定部111で測定する。測定した電流値を、制御部16を介して表示部17に表示する。イオンビーム11が開口部10aを通過するように調整を行う。
図7に示すように、ビームブランキングによりイオンビーム電流を測定しチップ1の先端構造を検査する手法について説明する。イオンビーム11がチップ1の先端の一つの原子から放出されたイオンビームのみを通過させる開口部を通過するようにアパーチャ駆動部110により第二のアパーチャ10を移動する。また、電流測定電極112を構成するブランキング電極112aによりイオンビーム11をビーム測定電極112bに照射されるように偏向する。そして、ファラデーカップに照射されたビーム電流を電流測定部111で測定する。測定したイオンビーム11の電流値を用いて上述したとおりチップ1の先端構造の検査を実施する。
2…イオン源用ガスノズル
3…イオン源用ガス供給源
4…引出電極
5…カソード電極
6…集束レンズ電極
7…第一のアパーチャ
7a…開口部
8…対物レンズ電極
9…ガンアライメント
10…第二のアパーチャ
10a…開口部
11…イオンビーム
12…試料ステージ
13…試料
14…検出器
15…試料室
16…制御部
17…表示部
18…ガス銃
19…イオン銃部
20…調整機構
21…イオン発生室
24…冷却装置
25…ガス分子
27…電圧供給部
Claims (6)
- 針状のチップと、チップにガスを供給するガス供給部と、チップとの間で電圧を印加しチップ表面に吸着したガスをイオン化してイオンビームを引き出す引出電極と、イオンビームの照射方向を調整するアライメント電極と、試料にイオンビームを集束させるレンズ系とを有する集束イオンビーム装置において、
前記チップの先端の一つの原子から放出されたイオンビームを通過させる開口部を有し、前記アライメント電極よりも前記試料側に設置されたアパーチャと、
前記開口部を通過した前記イオンビームの電流量を測定する電流測定部と、を有する集束イオンビーム装置。 - 前記アパーチャは、通過させる前記イオンビームの電流量を制限する径の異なる複数の開口部を有する請求項1に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記開口部を前記イオンビームの照射軸上に移動可能なアパーチャ駆動部を有する請求項2に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記電流測定部は、前記イオンビームの照射軸上に移動可能で、前記アパーチャよりも前記試料側に設置され、前記イオンビームの電流量を測定するためのファラデーカップを有する請求項1から3のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- 前記電流測定部は、前記アパーチャよりも前記試料側に設置されたブランキング電極で偏向したイオンビームを測定するビーム測定電極を有する請求項1から3のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- チップにガスを供給し、前記チップと引出電極との間に電圧を印加し、前記チップの先端部からイオンビームを放出し、前記イオンビームの第一の電流量を測定する工程と、
前記チップに前記ガスを供給し、前記チップと前記引出電極との間に前記電圧を印加し、前記チップからイオンビームを放出し、前記チップの先端の一つの原子から放出され、アパーチャの開口部を通過したイオンビームの第二の電流量を測定する工程と、
前記第一の電流量と前記第二の電流量を比較し前記チップの先端構造を検査する工程と、からなるチップ先端構造検査方法。
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