JP2011209371A - 光変調器 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器3は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器3の出力に出力光導波路4が接続されている。マッハツェンダ型光変調器3から出力された変調光は出力光導波路4を伝播する。出力光導波路4に近接して受光部5,6が配置されている。受光部5,6は、出力光導波路4からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器3、出力光導波路4、及び受光部5,6は、1つのn型InP基板1上にモノリシックに集積されている。
【選択図】図1
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器3は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器3の出力に出力光導波路4が接続されている。マッハツェンダ型光変調器3から出力された変調光は出力光導波路4を伝播する。出力光導波路4に近接して受光部5,6が配置されている。受光部5,6は、出力光導波路4からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器3、出力光導波路4、及び受光部5,6は、1つのn型InP基板1上にモノリシックに集積されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、光ファイバ通信に使用する半導体マッハツェンダ型光変調器に関する。
近年、マッハツェンダ型光変調器が光ファイバ通信に使用されている(例えば、特許文献1参照)。このマッハツェンダ型光変調器は、マッハツェンダ型光変調器により変調された光を通す光導波路と1つの基板上にモノリシックに集積される。従来、光変調器の駆動状態を監視する受光素子は、光導波路の出力端に近接して光変調器の外部に配置されていた。
しかし、変調器と受光素子を別々の基板に形成していたため、両者の光学的な位置調整を精度良く行う必要があった。従って、製造工程が複雑になり、装置が高価になるという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は製造コストを低減できる光変調器を得るものである。
本発明は、入力光の強度又は位相を変調させるマッハツェンダ型光変調器と、前記マッハツェンダ型光変調器の出力に接続され、前記マッハツェンダ型光変調器から出力された変調光が伝播する出力光導波路と、前記出力光導波路に近接して配置され、前記出力光導波路からの漏洩光を検知する受光部とを備え、前記マッハツェンダ型光変調器、前記出力光導波路、及び前記受光部は、1つの基板上にモノリシックに集積されていることを特徴とする光変調器である。
本発明により、製造コストを低減できる。
本発明の実施の形態に係る光変調器について図面を参照して説明する。同じ構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係る光変調器を示す平面図である。1つのn型InP基板1(基板)上に、半導体レーザ2、マッハツェンダ型光変調器3、出力光導波路4、及び受光部5,6がモノリシックに集積されている。
図1は、実施の形態1に係る光変調器を示す平面図である。1つのn型InP基板1(基板)上に、半導体レーザ2、マッハツェンダ型光変調器3、出力光導波路4、及び受光部5,6がモノリシックに集積されている。
半導体レーザ2がレーザ光を発生させる。マッハツェンダ型光変調器3は、そのレーザ光(入力光)の強度又は位相を変調させる。出力光導波路4は、マッハツェンダ型光変調器3の出力に接続されている。マッハツェンダ型光変調器3から出力された変調光は、出力光導波路4を伝播する。受光部5,6は、出力光導波路4に近接して配置され、出力光導波路4からの漏洩光を検知する。
受光部5,6の検知感度を向上させ、かつ受光部5,6と出力光導波路4の光吸収層がエバネッセント結合して光出力が低下するのを防ぐため、受光部5,6と出力光導波路4との距離は2μm以上300μm以下であることが好ましい。
マッハツェンダ型光変調器3は、入力光を2つの光に分波する分波器7と、2つの光を合波する合波器8と、分波器7と合波器8の間に設けられた2つの光導波路9,10とを有する。制御部11は、2つの光導波路9,10に電圧を加えて光導波路9,10中の光の位相を変化させ、干渉状態を制御する。これにより、制御部11はマッハツェンダ型光変調器3を制御する。演算部12は変調光の波長を求める。制御部11及び演算部12の機能については後に詳細に説明する。
図2は、図1の半導体レーザ2を示す断面図である。n型InP基板1上に、n型InPバッファ層13、n型InPクラッド層14、InGaAsP多重量子井戸の活性層15、p型InP層16、p型InGaAsP回折格子層17、p型InPクラッド層18が順次形成されている。これらの両側は、p型InP埋込層19、n型InP埋込層20、及びp型InP埋込層21により埋め込まれている。p型InPクラッド層18及びp型InP埋込層21上にp型InPクラッド層22及びp型InGaAsPコンタクト層23が順次形成されている。
これらの積層構造はメサ形状にエッチングされている。その両側はSiNパッシベーション膜24で覆われている。p型InGaAsPコンタクト層23上にTi/Au電極25及びAuめっき層26が順次形成されている。n型InP基板1の裏面にTi/Au電極27及びAuめっき層28が順次形成されている。
図3は、図1の出力光導波路4及び受光部5,6を示す断面図である。出力光導波路4は、n型InP基板1上に順次形成されたn型InPクラッド層14、InGaAsP光導波層29、及びp型InPクラッド層18を有する。
受光部5は、n型InP基板1上に順次形成されたn型InPクラッド層14、光吸収層30、p型InPクラッド層18、及びp型InGaAsPコンタクト層23を有する。受光部5のp型InGaAsPコンタクト層23上に、Ti/Au電極25及びAuめっき層26が順次形成されている。受光部6は、受光部5の光吸収層30が光吸収層31に置き換わった構造である。
出力光導波路4及び受光部5,6は、それぞれメサ形状にエッチングされている。出力光導波路4の側面を覆うSiNパッシベーション膜24は光の一部を透過する。出力光導波路4から漏れた光の一部は、受光部5,6の光吸収層30,31に到達して電気信号に変換される。
受光部5の光吸収層30は、半導体レーザ2の活性層15の一部と同じ構造を有する。一方、受光部6の光吸収層31は、マッハツェンダ型光変調器3の活性層の一部と同じ構造を有する。そして、半導体レーザ2の活性層15とマッハツェンダ型光変調器3の活性層は波長感度特性が互いに異なる。従って、受光部5,6の波長感度特性は異なる。
制御部11は、DCバイアス電圧Vbと、変調信号と、正弦波の電気信号とを重畳した信号をマッハツェンダ型光変調器3に印加する。正弦波の周波数fは変調信号の周波数より小さく、その振幅ΔVは小さい。
図4は、実施の形態1に係る光変調器の光出力の強度とDCバイアス電圧との関係を示す図である。DCバイアス電圧Vbが最適バイアス電圧Voptの場合に光出力は最小になる。
図5は、実施の形態1に係る光変調器の光出力の周波数2×f成分の強度とDCバイアス電圧との関係を示す図である。DCバイアス電圧VbがVoptからΔV以内の範囲となった場合に、光出力の周波数2×fで変動する成分が発生する。この原理について説明する。DCバイアス電圧VbがVoptからΔV以上離れると、光出力の変動周波数はfのみである。一方、DCバイアス電圧VbがVoptからΔVの範囲内に調整されると、Voptは消光カーブ上の折り返し位置に相当するため、周波数fの電気信号が逓倍される。従って、光出力の周波数2×fで変動する成分が発生する。
制御部11は、受光部5,6で検知した光の周波数2×fで変動する成分が大きくなるようにDCバイアス電圧Vbをフィードバック制御する。これにより、Cバイアス電圧VbをVoptに調整することができる。
マッハツェンダ型光変調器3から出力された光の全てが出力光導波路4の内部を伝搬するわけではなく、その一部は出力光導波路4の近傍に漏洩する。その漏洩光は、光合波器8で合波されなかった非変調成分を含んでいる。この非変調成分は、出力光導波路4の近傍に配置された受光部5,6により、出力端に達するのを妨げられる。よって、非変調成分を低減できるので、変調効率が改善される。
また、上述のように受光部5,6の波長感度特性は異なる。演算部12は、これらの受光部5,6によりそれぞれ測定した変調光の受信強度の比又は変調光の受信強度の時間平均の比から変調光の波長を求める。
以上説明したように、本実施の形態では、半導体レーザ2、マッハツェンダ型光変調器3、出力光導波路4、及び受光部5,6は、1つのn型InP基板1(基板)上にモノリシックに集積されている。このため、従来のように変調器と受光素子を別々の基板に形成した場合に比べて、製造工程を簡素化できるため、製造コストを低減できる。
なお、実施の形態1では2つの受光部5,6が出力光導波路4に近接して配置されているが、受光部は1つでよし、3つ以上でもよい。
また、基板上にエピタキシャル成長された積層構造から出力光導波路4のメサ形状をエッチングにより形成する際に、同時に受光部5,6のメサ形状も形成することが好ましい。これにより、パターン精度が向上する。
また、マッハツェンダ型光変調器3の活性層は、InGaAsPの多重量子井戸構造又はAlGaInAsの多重量子井戸構造である。出力光導波路4の導波層は、InGaAsPに限らず、AlInAsやAlGaInAsなどの単層又はこれらの多層構造でもよい。
実施の形態2.
図6は、実施の形態2に係る光変調器を示す平面図である。ただし、制御部11及び演算部12は図示を省略している。実施の形態2では、実施の形態1の構成に加えて、マッハツェンダ型光変調器3と受光部5,6との間にメサ形状の遮蔽部32,33が配置されている。これにより、マッハツェンダ型光変調器3から漏洩した非変調光が受光部5,6に到達するのを防ぐことができる。
図6は、実施の形態2に係る光変調器を示す平面図である。ただし、制御部11及び演算部12は図示を省略している。実施の形態2では、実施の形態1の構成に加えて、マッハツェンダ型光変調器3と受光部5,6との間にメサ形状の遮蔽部32,33が配置されている。これにより、マッハツェンダ型光変調器3から漏洩した非変調光が受光部5,6に到達するのを防ぐことができる。
実施の形態3.
図7は、実施の形態3に係る光変調器を示す平面図である。ただし、制御部11及び演算部12は図示を省略している。実施の形態3では、実施の形態1の受光部5,6の代わりに、出力光導波路4の途中に形成された半導体光増幅器34に逆方向電圧を印加して受光部として動作させる。これにより実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
図7は、実施の形態3に係る光変調器を示す平面図である。ただし、制御部11及び演算部12は図示を省略している。実施の形態3では、実施の形態1の受光部5,6の代わりに、出力光導波路4の途中に形成された半導体光増幅器34に逆方向電圧を印加して受光部として動作させる。これにより実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
実施の形態4.
図8及び図9は、実施の形態4に係る光変調器の出力光導波路4を示す断面図である。実施の形態1の出力光導波路4の上に、p型InPクラッド層35、InGaAs又はInGaAsPの光吸収層36、n型InPクラッド層37、及びn型InGaAsコンタクト層38が順次形成されている。n型InGaAsコンタクト層38上にTi/Auカソード電極39及びめっき層40が順次形成されている。これらの構成により受光部41が構成される。即ち、実施の形態4では、実施の形態1の受光部5,6の代わりに、受光部41が出力光導波路4の上部に配置されている。出力光導波路4からの漏洩光の一部が光吸収層36で吸収され、電気信号に変換される。これにより実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
図8及び図9は、実施の形態4に係る光変調器の出力光導波路4を示す断面図である。実施の形態1の出力光導波路4の上に、p型InPクラッド層35、InGaAs又はInGaAsPの光吸収層36、n型InPクラッド層37、及びn型InGaAsコンタクト層38が順次形成されている。n型InGaAsコンタクト層38上にTi/Auカソード電極39及びめっき層40が順次形成されている。これらの構成により受光部41が構成される。即ち、実施の形態4では、実施の形態1の受光部5,6の代わりに、受光部41が出力光導波路4の上部に配置されている。出力光導波路4からの漏洩光の一部が光吸収層36で吸収され、電気信号に変換される。これにより実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
1 n型InP基板(基板)
2 半導体レーザ
3 マッハツェンダ型光変調器
4 出力光導波路
5 受光部(第1の受光部)
6 受光部(第2の受光部)
11 制御部
12 演算部
15 活性層
30,31 光吸収層
32,33 遮蔽部
34 半導体光増幅器
41 受光部
2 半導体レーザ
3 マッハツェンダ型光変調器
4 出力光導波路
5 受光部(第1の受光部)
6 受光部(第2の受光部)
11 制御部
12 演算部
15 活性層
30,31 光吸収層
32,33 遮蔽部
34 半導体光増幅器
41 受光部
Claims (9)
- 入力光の強度又は位相を変調させるマッハツェンダ型光変調器と、
前記マッハツェンダ型光変調器の出力に接続され、前記マッハツェンダ型光変調器から出力された変調光が伝播する出力光導波路と、
前記出力光導波路に近接して配置され、前記出力光導波路からの漏洩光を検知する受光部とを備え、
前記マッハツェンダ型光変調器、前記出力光導波路、及び前記受光部は、1つの基板上にモノリシックに集積されていることを特徴とする光変調器。 - 前記マッハツェンダ型光変調器を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、DCバイアス電圧と、変調信号と、周波数fの正弦波の電気信号とを重畳した信号を前記マッハツェンダ型光変調器に印加し、
前記制御部は、前記受光部で検知した光の周波数2×fで変動する成分が大きくなるように前記DCバイアス電圧をフィードバック制御することを特徴とする請求項1に記載の光変調器。 - 前記受光部は、波長感度特性の異なる第1及び第2の受光部と、前記第1及び第2の受光部によりそれぞれ測定した前記変調光の受信強度の比又は前記変調光の受信強度の時間平均の比から前記変調光の波長を求める演算部とを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調器。
- 前記マッハツェンダ型光変調器と共に前記基板上にモノリシックに集積され、前記マッハツェンダ型光変調器に前記入力光を供給する半導体レーザを更に備え、
前記受光部の光吸収層は、前記半導体レーザ部の活性層の一部と同じ構造を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調器。 - 前記受光部の光吸収層は、前記マッハツェンダ型光変調器の活性層の一部と同じ構造を有することを特徴とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調器。
- 前記マッハツェンダ型光変調器と共に前記基板上にモノリシックに集積され、前記マッハツェンダ型光変調器に前記入力光を供給する半導体レーザを更に備え、
前記受光部は、第1及び第2の受光部を有し、
前記第1の受光部の光吸収層は、前記半導体レーザ部の活性層の一部と同じ構造を有し、
前記第2の受光部の光吸収層は、前記マッハツェンダ型光変調器の活性層の一部と同じ構造を有することを特徴とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調器。 - 前記マッハツェンダ型光変調器と前記受光部との間に配置された遮蔽部を更に備えることを特徴とすることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の光変調器。
- 前記受光部は、前記出力光導波路の途中に形成された半導体光増幅器に逆方向電圧を印加して受光部として動作させたものであることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の光変調器。
- 前記受光部は、前記出力光導波路の上部に配置されていることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の光変調器。
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