JP2011194810A - 駆動装置、プリントヘッド及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】オン/オフ指令信号DRVON−Nが“L”レベルの場合、CMOSインバータ42の出力側のデータ端子DAが“H”レベルとなる。この結果、プリントヘッド13側の共通端子INも“H”レベルとなり、各発光サイリスタ210のアノード・カソード間に電源電圧VDDが印加される。この際、発光サイリスタ210−1〜210−nの内、発光指令されている発光サイリスタ210のゲートのみを、シフトレジスタ110によって選択的に“L”レベルとすることで、発光指令されているサイリスタ210がターンオンする。PMOS43のソースにVDD電源が接続され、サブストレート端子に、VDD電源よりも高いVDD5電源が接続されているので、PMOS43の閾値電圧が増加し、駆動回路41の発振を防止できる。
【選択図】図1
Description
図2は、本発明の実施例1における画像形成装置を示す概略の構成図である。
先ず、用紙カセット21に堆積した状態で収納されている用紙20が、ホッピングローラ22によって、上から1枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この用紙20は、搬送ローラ25、レジストローラ26及びピンチローラ23,24に挟持されて、プロセスユニット10−1の感光体ドラム11と転写ローラ27の間に搬送される。その後、用紙20は、感光体ドラム11及び転写ローラ27に挟持され、その記録面にトナー像が転写されると同時に感光体ドラム10−1の回転によって搬送される。同様にして、用紙20は、順次プロセスユニット10−2〜10−4を通過し、その通過過程で、各プリントヘッド13により形成された静電潜像を各現像器14によって現像した各色のトナー像が、その記録面に順次転写されて重ね合わされる。
図3は、図2中のプリントヘッド13の構成を示す概略の断面図である。図4は、図3中の基板ユニットを示す斜視図である。
図5は、図2の画像形成装置1におけるプリンタ制御回路の構成を示すブロック図である。
印刷制御部40は、上位コントローラからの制御信号SGlによって印刷指示を受信すると、先ず、温度センサ58によって定着器28内のヒータ28aが使用可能な温度範囲にあるか否かを検出し、温度範囲になければヒータ28aに通電し、使用可能な温度まで定着器28を加熱する。次に、ドライバ50を介して現像・転写プロセス用モータ51を回転させ、同時にチャージ信号SGCによって帯電用高圧電源59をオン状態にし、現像器14の帯電を行う。
図1は、本発明の実施例1における図5中の印刷制御部40及びプリントヘッド13の概略の回路構成を示すブロック図である。
図6(a)〜(d)は、図1中の発光サイリスタ210を示す構成図である。
図7(a)〜(c)は、図1中のPMOS43を示す構成図である。
図1において、例えば、印刷制御部40におけるオン/オフ指令信号DRVON−Nが“H”レベルの場合、CMOSインバータ42を構成するPMOS43がオフ状態、NMOS44がオン状態となり、出力側のデータ端子DAは、“L”レベル(≒0V)となる。この結果、接続コネクタ71−1、接続ケーブル70−1及び接続コネクタ72−1を介して、プリントヘッド13側の共通端子INも略0Vとなり、各発光サイリスタ210のアノードへ流れる駆動電流Ioutもゼロとなり、発光サイリスタ210−1〜210−nが全て非発光状態となる。
Id=K・(W/L)・(Vgs−Vtp)2
但し、K;定数
W;PMOS43のゲート幅
L;PMOS43のゲート長
Vtp;PMOS43の閾値電圧
Vgs;PMOS43のゲート・ソース間電圧(≒電源電圧VDD)
図8は、図1のプリントヘッド13及び印刷制御部40の詳細な動作を示すタイムチャートである。
図9(a)〜(d)は、図6の発光サイリスタ210におけるターンオン過程の動作説明図であり、同図(a)は発光サイリスタ210のシンボルと各端子の電圧、電流の記号を示す図、同図(b)は同図(a)の等価回路を示す図、及び同図(c)、(d)は動作波形を示す図である。
Vp=Vag+VoL
の関係がある。ピーク点のアノード電圧Vpが順方向に印加されることで、ゲート電流Ig(=PNPTR221のベース電流Ib)を生じる。図9(c)において、丸印を付して示すポイント(Ip,Vp)は、発光サイリスタ210のオフ領域AR1とオン遷移領域AR2との境目に相当している。
図10(a)、(b)は、図7のPMOS43のトランジスタ特性を示す図である。
Id=K・(W/L)・(Vgs−Vtp)2
但し、K;定数
W;PMOS43のゲート幅
L;PMOS43のゲート長
Vgs;PMOS43のゲート・ソース間電圧
Vtp;PMOS43の閾値電圧
本実施例1によれば、次の(1)〜(3)のような効果がある。
図11は、本発明の実施例2における印刷制御部及びプリントヘッドの概略の回路構成を示すブロック図であり、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
その他の構成は、実施例1と同様である。
図12(a)〜(d)は、図11中の終端抵抗130を示す構成図である。
RL=(L/W)×Rs
RL=(L/W)×Rs
図13(a)〜(d)は、図11における印刷制御部40及びプリントヘッド13Aの動作を示す図であり、同図(a)は図11における駆動回路41と1つの発光サイリスタ210と終端回路120との等価回路をモデル化した図、及び、同図(b)〜(d)はその動作時の電流波形図である。
Vo=Co/√εr
但し、Co;真空中における光速度、Co≒3×108[m/s]
εr;接続ケーブル70−1内で用いられる絶縁材料の比誘電率
この式より、信号伝達遅延時間Tdは、
Td=(L/Co)×√εr
となる。典型的な例として、接続ケーブル70−1の比誘電率εrを4、ケーブル長Lを1[m]とするとき、
Td≒6.7[nS]
となる。
Tr=2×Td×10≒6.7×20=134[nS]
となる。発光サイリスタ210におけるアノード電流Idの波形の立ち下がりにおける立ち下がり時間Tfにおいても同様である。
Zo/2≦RL≦2×Zo
と設定しても、同様の効果を得ることができる。
本実施例2によれば、実施例1と同様の効果があり、更に、次の(4)、(5)のような効果もある。
図14は、本発明の実施例3における印刷制御部及びプリントヘッドの概略の回路構成を示すブロック図であり、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
図14において、例えば、印刷制御部40Bにおけるオン/オフ指令信号DRVON−Pが“L”レベルの場合、CMOSインバータ42Bを構成するPMOS43Bがオン状態、NMOS44Bがオフ状態となり、出力側のデータ端子DAは、“H”レベル(≒電源電圧VDD)となる。この結果、プリントヘッド13B側の共通端子INも略電源電圧VDDとなり、各発光サイリスタ210Bのアノード・カソード間電圧は略0Vとなって、そこに流れる駆動電流Ioutもゼロとなり、発光サイリスタ210B−1〜210B−nが全て非発光状態となる。
Id=K・(W/L)・(Vgs−Vtn)2
但し、K;定数
W;NMOS44Bのゲート幅
L;NMOS44Bのゲート長
Vtn;NPMOS44Bの閾値電圧
Vgs;NMOS44Bのゲート・ソース間電圧(≒電源電圧VDD)
本実施例3によれば、実施例1とほぼ同様の効果がある。又、実施例2における図11の終端回路120をプリントヘッド13B側に設ければ、実施例2とほぼ同様の効果が得られる。
本発明は、上記実施例1〜3に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の(I)、(II)のようなものがある。
13,13A,13B プリントヘッド
40,40B 印刷制御部
41,41B 駆動回路
42,42B CMOSインバータ
43,43B PMOS
44,44B NMOS
110 シフトレジスタ
111,111−1〜111−n FF
120 終端回路
130,130−1〜130−3 終端抵抗
140 コンデンサ
200,200B 発光素子アレイ
210,210B,210−1〜210−n,210B−1〜210B−n 発光サイリスタ
Claims (15)
- 各々、第1電源と接続される第1端子と、前記第1端子との間に駆動電流を流すための第2端子と、前記第1端子及び前記第2端子間の導通状態を制御する第1制御端子とを有し、前記第1端子同士及び前記第2端子同士が共通接続された複数の3端子発光素子を駆動する駆動装置において、
第1MOSトランジスタを有し、入力された駆動信号に基づいて、前記複数の3端子発光素子のうち導通状態にあるものを駆動する駆動回路を備え、
前記第1MOSトランジスタは、
前記第1電源とは異なる電位の第2電源に接続された第3端子と、
共通接続された前記第2端子に接続された第4端子と、
前記駆動信号に基づいて前記第3端子及び前記第4端子間の導通状態を制御する第2制御端子と、
前記第1MOSトランジスタの閾値電圧を増加させる方向に、前記第2電源の電位とは異なる電位に設定されたサブストレート端子と、
を有することを特徴とする駆動装置。 - 前記駆動回路は、更に、
共通接続された前記第2端子と前記第1電源との間に接続され、前記駆動信号に基づき前記第1MOSトランジスタに対して相補的にオン/オフ動作する第2MOSトランジスタを有することを特徴とする請求項1記載の駆動装置。 - 前記第1電源の電位は、接地電位であり、
前記第2電源の電位は、電源電位であり、
前記サブストレート端子に設定された電位は、前記第2電源の電位よりも高い電位であり、
前記駆動信号は、論理“H”レベルと論理“L”レベルに遷移する信号であり、
前記第1MOSトランジスタは、前記第3端子であるソースと、前記第4端子であるドレーンと、前記第2制御端子であるゲートと、前記サブストレート端子とを有し、前記駆動信号の前記論理“L”レベルにより導通状態になるPチャネルMOSトランジスタであり、
前記第2MOSトランジスタは、NチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする請求項2記載の駆動装置。 - 前記第1電源の電位は、電源電位であり、
前記第2電源の電位は、接地電位であり、
前記サブストレート端子に設定された電位は、前記第2電源の電位よりも低い電位であり、
前記駆動信号は、論理“H”レベルと論理“L”レベルに遷移する信号であり、
前記第1MOSトランジスタは、前記第3端子であるソースと、前記第4端子であるドレーンと、前記第2制御端子であるゲートと、前記サブストレート端子とを有し、前記駆動信号の前記論理“H”レベルにより導通状態になるNチャネルMOSトランジスタであり、
前記第2MOSトランジスタは、PチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする請求項2記載の駆動装置。 - 前記第4端子と共通接続された前記第2端子とは、所定の特性インピーダンスを有する接続ケーブルにより接続され、
前記複数の3端子発光素子が配列された終端部には、共通接続された前記第2端子に接続された終端抵抗を有する終端回路が、配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の駆動装置。 - 前記終端回路は、
前記終端抵抗とコンデンサとを有し、前記終端抵抗及び前記コンデンサが、共通接続された前記第2端子と接地電位端子との間に直列に接続されていることを特徴とする請求項5記載の駆動装置。 - 前記終端抵抗は、前記接続ケーブルにおける前記特性インピーダンスと略等しい抵抗値を有することを特徴とする請求項5又は6記載の駆動装置。
- 前記終端抵抗の抵抗値をRL、前記接続ケーブルにおける前記特性インピーダンスをZoとした場合、
Zo/2≦RL≦2×Zo
の関係を満たすように設定されていることを特徴とする請求項5又は6記載の駆動装置。 - 前記3端子発光素子は、発光サイリスタであり、
前記駆動回路の等価出力抵抗値は、前記発光サイリスタのターンオン特性で定まる負性抵抗値の絶対値よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の駆動装置。 - 請求項9記載の駆動装置は、更に、
クロック信号に基づきシリアルデータを入力して複数のトリガ信号を順に出力し、前記発光サイリスタにおける前記第1制御端子に対して前記トリガ信号を与えて前記発光サイリスタをオン状態にするシフトレジスタを備えたことを特徴とする駆動装置。 - 前記終端抵抗は、前記シフトレジスタを集積する半導体チップ上に形成されていることを特徴とする請求項10記載の駆動装置。
- 前記発光サイリスタは、前記第1端子がカソード、前記第2端子がアノード、及び前記第1制御端子がゲートであり、
前記接続ケーブルは、同軸ケーブル、絶縁電線、ツイストペア電線、フレキシブルプラットケーブル、又は、フレキシブルプリント基板のいずれか1つであることを特徴する請求項9〜11のいずれか1項に記載の駆動装置。 - 前記終端抵抗は、半導体基板上に形成されたポリシリコン素材、不純物を拡散して形成した拡散抵抗素材、又は、前記発光サイリスタと同一素材をパターンニングして形成した素材のいずれか1つであることを特徴する請求項9〜12のいずれか1項に記載の駆動装置。
- 前記複数の3端子発光素子と、
請求項10〜13のいずれか1項に記載の駆動装置と、
を備えたことを特徴とするプリントヘッド。 - 請求項14記載のプリントヘッドを備え、
前記プリントヘッドにより露光されて記録媒体に画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
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