JP2011193010A - 半導体ウェハ及び高周波電子デバイス用半導体ウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板と、上記支持基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に気相成長され形成された窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、GaN基板に設けられたイオン注入層を境として上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は(000−1)窒素面側を上記支持基板側に有し、(0001)Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有する。
【選択図】 図4
Description
まず、本実施の形態に係る製造方法を用いて作製した半導体基板を図2(e)で説明する。
まず、HVPE法によって成長させた低転位密度の単結晶のGaN基板11を用意する。GaN基板11の表面側は、(000−1)窒素面となるように配置される。GaN基板11の厚さdは400μm程度である。
第1の窒化物半導体基板としてウルツ鉱型AlNからなるAlN基板を用い、実施例1と同様の方法で、シリコン基板2上にAlN薄膜を形成して半導体基板を作製した。実施例2によっても、実施例1と同様の作用効果が得られ、低転位密度の窒化物半導体薄膜を有する半導体基板を低コストで作製できる。
実施例1のGaN基板11の代わりに、(000−1)窒素面から任意の方向に0°以上8°未満、望ましくは1°以上3°未満の範囲でオフカットされた面が表面側となるように配置されたGaN基板を用い、実施例1と同様にして基板上にGaN薄膜を形成し、半導体基板を作製した。オフカットを0°以上8°未満の範囲にするのは、オフカットが8°以上になると、GaN基板上にエピタキシャル成長したGaN薄膜の表面モフォロジ(形態)が著しく劣化するからである。作製した半導体基板上に、MOVPE法で複数のエピタキシャル層を順次エピタキシャル成長させると、各エピタキシャル層のモフォロジ
が良好となる。
実施例1のシリコン基板2の代わりに、ガラス基板あるいは金属基板を用い、実施例1と同様にして基板上にGaN薄膜3を形成し、半導体基板を作製した。第2の基板としては、工業面での技術的蓄積からシリコンを用いることが望ましいが、実施例4のようにガラスや金属などのさらに安価な材料からなる基板を用いれば、実施例1と比べて、低転位密度の窒化物半導体薄膜を有する半導体基板をさらに低コストで作製できる。
2 シリコン基板(第2の基板)
3 GaN薄膜(窒化物半導体薄膜)
11 GaN基板(第1の窒化物半導体基板)
12 イオン注入層
13 亀裂層
Claims (6)
- 支持基板と、上記支持基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に気相成長され形成された窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、GaN基板に設けられたイオン注入層を境として上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は(000−1)窒素面側を上記支持基板側に有し、(0001)Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有することを特徴とする半導体ウェハ。
- 上記気相成長面は、0°以上8°未満のオフ角を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ。
- 上記気相成長面は、1°以上3°未満のオフ角を有することを特徴とする請求項1に記載された半導体ウェハ。
- 上記支持基板はSi基板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載された半導体ウェハ。
- 基板と、上記基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に形成された複数の窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、(000−1)窒素面から任意の方向にオフカットされたGaN基板に設けられたイオン注入層を境として、上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は(000−1)窒素面側を上記基板側に有し、(0001)Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有することを特徴とする半導体ウェハ。
- Si基板と、上記Si基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に形成された複数の窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える高周波電子デバイス用半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、(000−1)窒素面から任意の方向にオフカットされたGaN基板に設けられたイオン注入層を境として、上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は(000−1)窒素面側を上記Si基板側に有し、(0001)Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有し、かつ上記気相成長面は、1°以上3°未満のオフ角を有することを特徴とする高周波電子デバイス用半導体ウェハ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019216180A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 信越化学工業株式会社 | GaN積層基板の製造方法 |
CN113604885A (zh) * | 2016-08-08 | 2021-11-05 | 三菱化学株式会社 | C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法 |
WO2022097193A1 (ja) * | 2020-11-04 | 2022-05-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体積層構造およびその作製方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124092A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
JP2000349267A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Canon Inc | 半導体部材の作製方法 |
JP2001192300A (ja) * | 2000-01-04 | 2001-07-17 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法 |
JP2002261370A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 窒化物系半導体素子の作製方法 |
JP2002313689A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合せ基板の製造方法 |
JP2002319545A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系結晶の製造方法および結晶成長用基材 |
JP2003224042A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-08-08 | Soi Tec Silicon On Insulator Technologies | 半導体薄層の移し換え方法とそれに使用するドナーウエハの製造方法 |
JP2003347176A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-12-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP2004311526A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-04-28 JP JP2011100426A patent/JP2011193010A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124092A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
JP2000349267A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Canon Inc | 半導体部材の作製方法 |
JP2001192300A (ja) * | 2000-01-04 | 2001-07-17 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法 |
JP2002261370A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 窒化物系半導体素子の作製方法 |
JP2002313689A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合せ基板の製造方法 |
JP2002319545A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系結晶の製造方法および結晶成長用基材 |
JP2003224042A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-08-08 | Soi Tec Silicon On Insulator Technologies | 半導体薄層の移し換え方法とそれに使用するドナーウエハの製造方法 |
JP2003347176A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-12-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP2004311526A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113604885A (zh) * | 2016-08-08 | 2021-11-05 | 三菱化学株式会社 | C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法 |
CN113604885B (zh) * | 2016-08-08 | 2024-02-02 | 三菱化学株式会社 | C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法 |
JP2019216180A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 信越化学工業株式会社 | GaN積層基板の製造方法 |
WO2019240113A1 (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 信越化学工業株式会社 | GaN積層基板の製造方法 |
GB2589994A (en) * | 2018-06-13 | 2021-06-16 | Shinetsu Chemical Co | Method for producing GaN layered substrate |
GB2589994B (en) * | 2018-06-13 | 2022-03-02 | Shinetsu Chemical Co | Method for producing GaN layered substrate |
US11967530B2 (en) | 2018-06-13 | 2024-04-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing GaN layered substrate |
WO2022097193A1 (ja) * | 2020-11-04 | 2022-05-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体積層構造およびその作製方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
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