JP2011171398A - 多層配線基板の製造方法及び多層配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多層配線基板10を構成する配線積層部30の下面32側の樹脂絶縁層20には複数の開口部37が形成され、各開口部37に対応して複数の母基板接続端子45が配置される。複数の母基板接続端子45は、銅層を主体として構成され、銅層における端子外面45aの外周部が最外層の樹脂絶縁層20によって覆われている。最外層の樹脂絶縁層20の内側主面20aと、端子外面45aの外周部との界面に、銅よりもエッチングレートが低い金属からなる異種金属層48が形成されている。
【選択図】図1
Description
20〜24…樹脂絶縁層
20a…内側主面
26…導体層
30…積層構造体としての配線積層部
31…第1主面としての上面
32…第2主面としての下面
34…ビア導体
37…開口部
41…第1主面側接続端子としてのICチップ接続端子
42…第1主面側接続端子としてのコンデンサ接続端子
45…第2主面側接続端子としての母基板接続端子
45a…端子外面
48…異種金属層
49…保護金属層としてのめっき層
52…基材
55…金属箔としての銅箔
58…金属導体部
58a…金属導体部下層
58b…金属導体部上層
72…めっきレジスト
72a…開口部
Claims (6)
- 同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第1主面側には複数の第1主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第2主面側には複数の第2主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第1主面側または前記第2主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板の製造方法であって、
金属箔を剥離可能な状態で積層配置してなる基材を準備するとともに、銅めっきを行って金属導体部の一部をなす金属導体部下層を前記金属箔上に形成する金属導体部下層形成工程と、
前記金属導体部下層形成工程後、樹脂絶縁材料を主体とするビルドアップ材を前記金属箔及び前記金属導体部下層の上に積層して、前記第2主面側の最外層の樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程と、
前記金属導体部下層の上端面を前記第2主面側の最外層の樹脂絶縁層から露出させる金属導体部下層露出工程と、
前記金属導体部下層露出工程後、前記金属導体部下層の上端面及び前記第2主面側の最外層の樹脂絶縁層の上に、銅よりもエッチングレートが低い1種以上の金属からなる異種金属層を形成する異種金属層形成工程と、
前記異種金属層上に、前記上端面よりも面積が大きくて前記金属導体部の一部をなす金属導体部上層を、前記上端面に対応した位置に形成する金属導体部上層形成工程と、
前記金属導体部上層形成工程後、前記ビルドアップ材からなる複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化することにより積層構造体を形成するビルドアップ工程と、
前記ビルドアップ工程後、前記基材を除去して前記金属箔を露出させる基材除去工程と、
露出した前記金属箔及び前記金属導体部の少なくとも一部をエッチング除去することによって、前記複数の第2主面側接続端子を形成する接続端子形成工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記異種金属層形成工程後かつ前記金属導体部上層形成工程前に、前記上端面に対応した位置にて前記上端面よりも面積が大きい開口部を有するめっきレジストを前記異種金属層上に形成するレジスト形成工程を行い、
前記金属導体部上層形成工程後かつビルドアップ工程前に、前記めっきレジストを除去するレジスト除去工程と、前記異種金属層における露出箇所をエッチングして前記異種金属層を部分的に除去する異種金属層除去工程とを行う
ことを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記接続端子形成工程では、
露出した前記金属箔及び前記金属導体部下層をエッチング除去して、前記第2主面側の最外層の樹脂絶縁層に複数の開口部を形成するとともに、前記複数の開口部内にて露出した前記異種金属層の上に保護金属層を形成することによって、前記複数の第2主面側接続端子を形成する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記接続端子形成工程では、
露出した前記金属箔及び前記金属導体部下層をエッチング除去して、前記第2主面側の最外層の樹脂絶縁層に複数の開口部を形成するとともに、前記複数の開口部内にて露出した前記異種金属層をエッチング除去し、露出した前記金属導体部上層の上に保護金属層を形成することによって、前記複数の第2主面側接続端子を形成する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記異種金属層は、金、ニッケル、クロム、チタン、コバルト、パラジウム、スズ及び銀から選択される少なくとも1種の金属からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第1主面側には複数の第1主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第2主面側には複数の第2主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第1主面側または前記第2主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、
前記積層構造体の前記第2主面側において露出状態にある最外層の樹脂絶縁層には、前記複数の第2主面側接続端子において端子外面の一部を露呈させる複数の開口部が形成され、
前記複数の第2主面側接続端子は、銅層を主体として構成され、前記銅層における前記端子外面の外周部が前記最外層の樹脂絶縁層によって覆われ、
前記最外層の樹脂絶縁層の内側主面と、前記銅層における少なくとも前記端子外面の外周部との界面に、銅よりもエッチングレートが低い1種以上の金属からなる異種金属層が形成されている
ことを特徴とする多層配線基板。
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