JP2011171386A - 変位センサ、駆動装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】対象物の変位量を簡易な構成で計測することができる変位センサ、駆動装置、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】凹面鏡41の変位量を計測可能に構成され、圧電部材53に対する電圧の印加に伴って、圧電部材53から駆動力が伝達されて凹面鏡41に対して接触する接触位置まで変位する接触部材58と、接触部材58の変位量を計測する受光素子62と、受光素子62の計測結果に基づき、接触部材58が接触位置まで変位したか否かを判別すると共に、接触部材58が接触位置まで変位した旨を判別した時点での接触部材58の位置を、凹面鏡41の変位量を計測する際の基準となるスケール60の原点として設定する制御装置64とを備えた。
【選択図】図2
【解決手段】凹面鏡41の変位量を計測可能に構成され、圧電部材53に対する電圧の印加に伴って、圧電部材53から駆動力が伝達されて凹面鏡41に対して接触する接触位置まで変位する接触部材58と、接触部材58の変位量を計測する受光素子62と、受光素子62の計測結果に基づき、接触部材58が接触位置まで変位したか否かを判別すると共に、接触部材58が接触位置まで変位した旨を判別した時点での接触部材58の位置を、凹面鏡41の変位量を計測する際の基準となるスケール60の原点として設定する制御装置64とを備えた。
【選択図】図2
Description
本発明は、対象物の変位量を計測可能な変位センサ、該変位センサを備える駆動装置、該駆動装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。
一般に、半導体素子、液晶表示素子等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、レチクル、フォトマスク等のマスクに形成された所定のパターンを、投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハやガラスプレート等の基板上に転写する露光装置が用いられている。こうした露光装置では、投影光学系の結像特性を調整するために、投影光学系を構成する複数の光学部材のうち、一つの光学部材(例えば、ミラー)を局所的に変位させることがある(例えば、特許文献1参照)。
すなわち、上記露光装置には、投影光学系を構成するミラー(光学部材)を局所的に変位させるための変形手段が設けられている。この変形手段は、ミラーの裏面に対向して配置される複数の駆動棒と、複数の駆動棒をミラーの裏面に対して接近させる方向に変位させるアクチュエータとから構成されている。そして、この露光装置では、アクチュエータが、駆動棒をミラーに接触させた状態でミラーに接近させる方向に変位させると、固定手段によって固定されたミラーに対して駆動棒から押圧力が作用して、ミラーが局所的に変位するようになっている。
しかしながら、上記露光装置では、現在のミラーを局所的に変位させるために、測定装置から波面収差情報を取得し、波面収差を補正するのに必要なミラー形状、かかるミラー形状を形成するのに必要なアクチュエータが加えるべき変位力、この変位力に必要なアクチュエータの駆動力を算出している。しかし、このような構成では、ミラーの変位量を正確に求めることができない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、対象物の変位量を簡易な構成で精度良く計測できる変位センサを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、実施形態に示す図1〜図7に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の変位センサは、対象物(41)の変位量を計測可能な変位センサ(43)であって、前記対象物(41)に接触可能な接触部を有し、駆動源(53)からの駆動力によって前記対象物(41)に対して変位する変位部材(58)と、前記変位部材(58)の変位量を計測する変位計測部(59)と、前記接触部が前記対象物(41)に接触したか否かを判別する判別部(64)と、前記判別部(64)によって前記接触部が前記対象物(41)に接触したことを判別した時、前記変位計測部(59)に対して、前記対象物(41)の変位量を計測する際の原点を設定する原点設定部(64)とを備えることを要旨とする。
本発明の変位センサは、対象物(41)の変位量を計測可能な変位センサ(43)であって、前記対象物(41)に接触可能な接触部を有し、駆動源(53)からの駆動力によって前記対象物(41)に対して変位する変位部材(58)と、前記変位部材(58)の変位量を計測する変位計測部(59)と、前記接触部が前記対象物(41)に接触したか否かを判別する判別部(64)と、前記判別部(64)によって前記接触部が前記対象物(41)に接触したことを判別した時、前記変位計測部(59)に対して、前記対象物(41)の変位量を計測する際の原点を設定する原点設定部(64)とを備えることを要旨とする。
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
本発明によれば、対象物の変位量を簡易な構成で正確に計測することができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図4に基づき説明する。なお、本実施形態では、図1において、後述する投影光学系15を構成する反射屈折光学系の第1光軸AX1に平行にZ軸を、第1光軸AX1に垂直な面内において図1の紙面に平行にY軸を、紙面に垂直にX軸を、それぞれ設定している。
以下、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図4に基づき説明する。なお、本実施形態では、図1において、後述する投影光学系15を構成する反射屈折光学系の第1光軸AX1に平行にZ軸を、第1光軸AX1に垂直な面内において図1の紙面に平行にY軸を、紙面に垂直にX軸を、それぞれ設定している。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、所定の回路パターンが形成された透過型のレチクルRを露光光ELで照明することにより、露光面Wa(+Z方向側の面であって、図1では上面)にレジストなどの感光性材料が塗布された感光性基板としてのウエハWに回路パターンを形成するための装置である。そして、こうした露光装置11は、光源装置12から射出された露光光ELをレチクルRの被照射面Ra(+Z方向側の面)に導く照明光学系13と、レチクルRを保持するレチクルステージ14と、レチクルRを透過した露光光ELをウエハWの露光面Waに導く投影光学系15と、ウエハWを保持するウエハステージ16とを備えている。なお、本実施形態の光源装置12は、193nmの波長の光を出力するArFエキシマレーザ光源を有し、該ArFエキシマレーザ光源から出力される光が露光光ELとして露光装置11内に導かれる。
光源装置12と照明光学系13との間には、ビームマッチングユニット17が連結されている。ビームマッチングユニット17は、光源装置12と露光装置11とを光学的に接続しており、光源装置12から射出された露光光ELを露光装置11内に導くようになっている。なお、光源装置12から照明光学系13における最もレチクルR側の光学部材までの空間域は、露光光ELの吸収率が低い気体であるヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されている。
照明光学系13の下方には、架台18が設けられている。架台18は、定盤19上に立設される下部架台20と、該下部架台20上に支持される上部架台21とによって構成されている。また、上部架台21の上面にはレチクルステージ14が載置されている。レチクルステージ14は、レチクルRを保持する保持面14aをXY平面に対して平行とするように配置されている。また、レチクルステージ14は、レチクルステージ駆動部(図示略)の駆動によって、Y軸方向に所定ストロークで移動可能である。また、レチクルステージ駆動部は、レチクルステージ14をX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びZ軸周りの回転方向にも微小量移動させるように構成されている。そして、照明光学系13から射出される露光光ELは、レチクルRを透過した後、上部架台21の上壁部の略中央に形成された開口部22を介して架台18内に収容される投影光学系15に導かれるようになっている。なお、レチクルRが露光光ELで照明される場合、該レチクルRの被照射面Raの一部には、X軸方向に延びる略矩形状の照明領域が形成されるようになっている。
投影光学系15は、該投影光学系15の第1光軸AX1を中心とする略円筒状の上部鏡筒23と、第1光軸AX1と直交する第2光軸AX2を中心とする略円筒状の横鏡筒24と、上部鏡筒23よりもウエハW側に配置され且つ第1光軸AX1を中心とする略円筒状の下部鏡筒25とを備えている。下部鏡筒25は、下部架台20の上壁部の略中央に形成された開口部26を上下方向に挿通している。そして、これらの各鏡筒23,24,25は結合部材27を介して互いに結合されている。なお、結合部材27は、下部架台20における開口部26の口縁近傍に取り付けられている。
上部鏡筒23の上端部(+Z方向側の端部)には、該上部鏡筒23の開口を閉塞するカバーガラス31が設けられている。そして、投影光学系15に導かれる露光光ELは、カバーガラス31を透過して上部鏡筒23の内部に入射するようになっている。また、上部鏡筒23の下端部(−Z方向側の端部)は結合部材27に挿入されている。
なお、上部鏡筒23によって保持される複数(図1では1つのみ図示)の光学部材32は第1結像光学系33を構成している。そして、第1結像光学系33は、上部鏡筒23の内部にレチクルRの回路パターンの第1中間像を形成するようになっている。
横鏡筒24は、有底筒状をなしており、その底部35が結合部材27の側面に形成された開口部36を介して結合部材27に挿入されている。また、横鏡筒24の上側壁(即ち、上部鏡筒23側の側壁)には、第1光軸AX1を略中心とする開口部47が貫通形成されており、横鏡筒24内には、上部鏡筒23側から開口部47を介して露光光ELが入射するようになっている。また、横鏡筒24の下側壁(即ち、下部鏡筒25側の側壁)には、第1光軸AX1を略中心とする開口部48が貫通形成されており、横鏡筒24からは、開口部48を介して下部鏡筒25側に露光光ELが射出されるようになっている。こうした横鏡筒24は、結合部材27に挿入される底部35によって直角反射鏡38を保持している。
また、横鏡筒24は、横鏡筒24の内壁に固定された保持部材40を介して負レンズ39及び凹面鏡41を保持している。この凹面鏡41の側面には略円環状をなす被保持部41a(図2(a)参照)が形成されており、横鏡筒24の保持部材40はこの被保持部41aを介して凹面鏡41を保持している。一例として、横鏡筒24の保持部材40は、第2光軸AX2を中心とする周方向に沿って等間隔に複数(例えば3つ)配置されており、凹面鏡41は、保持部材40によって複数点(例えば3点)で保持されている。また、横鏡筒24内の右端側には、該横鏡筒24の内径とほぼ同一の径を有する円板状のリアクションプレート42が横鏡筒24の開口を閉塞するように設けられている。
横鏡筒24に保持される直角反射鏡38には、第1光路折り曲げ鏡44及び第2光路折り曲げ鏡45が形成されている。第1光路折り曲げ鏡44は、第1結像光学系33が形成する第1中間像の近傍位置に配置され、第1結像光学系33から開口部47を介して横鏡筒24内に入射する露光光ELをほぼ直角に反射して負レンズ39に導くようになっている。また、第2光路折り曲げ鏡45は、負レンズ39を通過して凹面鏡41で反射された露光光ELを、負レンズ39を再度通過させた後にほぼ直角に反射して開口部48を介してウエハW側に射出するようになっている。すなわち、本実施形態では、横鏡筒24によって保持される直角反射鏡38、負レンズ39、及び凹面鏡41によって第2結像光学系46が構成されている。こうした第2結像光学系46は、第1中間像の形成位置の近傍となる第2光路折り曲げ鏡45の近傍にレチクルRの回路パターンの第2中間像を形成するようになっている。なお、第2中間像は、第1中間像とほぼ等倍であり、レチクルRの回路パターンの二次像となっている。
下部鏡筒25の上端側は結合部材27に挿入されている。また、下部鏡筒25の下端側には、該下部鏡筒25の開口を閉塞するカバーガラス50が設けられている。そして、投影光学系15の内部を通過した露光光ELは、カバーガラス50を透過して投影光学系15から射出されるようになっている。
こうした下部鏡筒25内には、複数(図1では3つのみ図示)の光学部材51が第1光軸AX1に沿って保持されており、各光学部材51によって第3結像光学系52が構成されている。そして、第3結像光学系52は、第2結像光学系46によって形成される第2中間像からの光束に基づいて、レチクルRの回路パターンの縮小像(第2中間像の像であって回路パターンの最終像)をウエハWの露光面Waに形成するようになっている。また、投影光学系15の内部は、上記のカバーガラス31、リアクションプレート42、及びカバーガラス50によって気密化された状態で、露光光ELの吸収率が低い気体であるヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されている。
投影光学系15の下方には、ウエハステージ16が定盤19上に設けられている。ウエハステージ16は、ウエハWを保持する保持面16aをXY平面に対して平行とするように配置されている。また、ウエハステージ16は、ウエハステージ駆動部(図示略)によって、Y軸方向に移動可能である。また、ウエハステージ駆動部は、ウエハステージ16をX軸方向、Z軸方向及びZ軸周りの回転方向にも微小量移動させるように構成されている。
そして、本実施形態の露光装置11を用いてウエハWの一つのショット領域にレチクルRの回路パターンを形成する場合、照明光学系13によって照明領域をレチクルRに形成した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルステージ14に保持されるレチクルRをY軸方向(例えば、+Y方向側から−Y方向側)に所定ストローク毎に移動させる。また同時に、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハステージ16に保持されるウエハWをレチクルRのY軸方向に沿った移動に対して投影光学系15の縮小倍率に応じた速度比でY軸方向(例えば、−Y方向側から+Y方向側)に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハWの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
本実施形態の露光装置11では、横鏡筒24に保持される凹面鏡41の形状を意図的に変形させて、投影光学系15の光学特性が調整されるようになっている。そこで次に、凹面鏡41の形状を変形させるためのアクチュエータ43について説明する。
図2(a)(b)に示すように、リアクションプレート42には、投影光学系15の第2光軸AX2を中心とする径方向において凹面鏡41の被保持部41aとほぼ同一の位置にアクチュエータ43が固定されている。このアクチュエータ43は、投影光学系15の第2光軸AX2を中心とする周方向に沿った複数(例えば3つ)の位置に等間隔に配置されている。
アクチュエータ43には、圧電材料からなる圧電部材53と該圧電部材53に埋設された内部電極54とが、投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向において交互に積層して設けられている。また、内部電極54には、電源55側から延びる電力線56が接続されている。そして、電源55から電力線56を介して内部電極54に電圧が印加されることにより、内部電極54からは電界が生成されるようになっている。また、圧電部材53が内部電極54からの電界によって圧電効果を生じて投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に歪むように変形することにより、アクチュエータ43が投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に伸長するようになっている。
また、アクチュエータ43は、圧電部材53におけるリアクションプレート42とは反対側の端部に連結される棒状の剛性体からなるロッド57と、該ロッド57における長手方向の一端側の部位に連結され、凹面鏡41の被保持部41aに接触可能な接触部材58とを備えている。そして、接触部材58は、投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向におけるアクチュエータ43の伸長により、ロッド57を介して変位する。そして、この変位により、接触部材58は、凹面鏡41の被保持部41aに対して接触する。
また、アクチュエータ43は、圧電部材53の伸長量(変位量)を計測する光学式エンコーダ59を備える。光学式エンコーダ59は、等間隔に配列されたスリット(図示略)が形成されたスケール60と、スケール60を挟んで一方側に設けられる発光素子61と、スケール60を挟んで他方側に設けられる受光素子62とを備える。
スケール60は、これらのスリットがアクチュエータ43の伸長方向となる投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に配列させるように、圧電部材53におけるリアクションプレート42とは反対側の端部に設けられたブラケット63に固定されている。また、発光素子61及び受光素子62は、横鏡筒24の内壁面に不図示の保持部材を介して固定されている。したがって、スケール60は、発光素子61及び受光素子62に対して相対的に移動する。そして、受光素子62は、発光素子61から射出された計測光をスケール60のスリットを介して受光し、その出力結果を制御装置64に出力するようになっている。
制御装置64は、受光素子62から出力された出力結果に基づいてスケール60の変位量を計測するようになっている。したがって、スケール60の変位量を圧電部材53の伸長量として求めることができる。なお、電源55と内部電極54とを接続する電力線56の途中位置には、電源55から内部電極54に印加される電圧量を監視するための電圧センサ65が設けられている。そして、電圧センサ65は、電源55から内部電極54に印加される電圧値を制御装置64に出力するようになっている。
次に、上記のように構成された露光装置11の作用について、特に、アクチュエータ43が凹面鏡41の形状を変形させる際の作用について以下説明する。なお、図3(a)は、アクチュエータ43が投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に所定量だけ伸長した初期状態を示している。なお、アクチュエータ43が初期状態である場合、接触部材58は、凹面鏡41の被保持部41aに対して投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に間隔をあけて、すなわち非接触状態で配置されている。
さて、図3(b)に示すように、制御装置64が、電源55から内部電極54に印加される電圧値を増大させるように電源55に対して制御指令を送信する。すると、アクチュエータ43は、電源55から内部電極54に印加される電圧値が増大することに伴って、圧電部材53の変形量の大きさが増大する。その結果、アクチュエータ43は、投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に伸長する。
ここで、アクチュエータ43は、リアクションプレート42に固定されているため、圧電部材53におけるリアクションプレート42とは反対側の端部がリアクションプレート42から離間する方向に変位する。また同時に、アクチュエータ43は、接触部材58が剛性体からなるロッド57を介して圧電部材53に連結されているため、アクチュエータ43の伸長に伴って、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに対して接触する接触位置まで変位する。
さらに、スケール60は、圧電部材53の伸長に伴って、投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に変位する。すると、受光素子62は、スケール60のスリットによって断続的に遮蔽された計測光を受光し、その出力信号を制御装置64に出力する。
そして、制御装置64は、受光素子62からの出力信号に基づいてスケール60の変位量を算出する。なお、スケール60の変位量は、アクチュエータ43の伸長量及び接触部材58の変位量と等しい。そのため、受光素子62は、スケール60の変位量の計測を通じて接触部材58の変位量を計測するようになっている。
ところで、図4(a)において点線で示すように、アクチュエータ43は、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触する前において、内部電極54に印加される電圧値とアクチュエータ43の伸長量(具体的には、圧電部材53の変形量)の大きさとの間に一定の相関関係を有している。ここで、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触すると、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触する前の状態と比較して、接触部材58を変位させる際のアクチュエータ43の駆動負荷が増大する。そのため、アクチュエータ43は、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した状態では、内部電極54に印加する電圧値に対するアクチュエータ43の伸長量の比率が減少する。
この点、制御装置64は、受光素子62からの出力信号に基づいてスケール60の変位量を随時算出し、更には、スケール60の変位量の算出を通じてアクチュエータ43の伸長量を随時算出している。そして、制御装置64は、内部電極54に印加される電圧値とアクチュエータ43の伸長量とが上記の相関関係を満たさなくなった時点で、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別する。
具体的には、図4(b)に示すように、制御装置64は、内部電極54に印加する電圧値を単位量毎に増大させた場合におけるアクチュエータ43の伸長量の増大量、即ち、単位電圧当たりのアクチュエータ43の伸長量を随時算出する。ここで、単位電圧当たりのアクチュエータ43の伸長量は、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触する前の状態と比較して大きく低下する。そこで、本実施形態では、制御装置64は、単位電圧当たりのアクチュエータ43の伸長量が予め設定した基準値Xを下回った時点で接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別し、その時点における接触部材58の位置をスケール60の原点として設定する。そして、制御装置64は、スケール60の原点を基準とした接触部材58の変位量を、横鏡筒24の保持部材40に保持された状態にある凹面鏡41の被保持部41aの変位量として導出する。なお、凹面鏡41の被保持部41aの変位量には、単に凹面鏡41の被保持部41aの移動量だけでなく、凹面鏡41の変形量も含まれるものとする。
さらに、図4(a)に示すように、制御装置64は、投影光学系15又は凹面鏡41が所望の光学特性を得るために、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した接触位置から凹面鏡41の被保持部41aを押圧する方向に変位すべき変位量ΔLを算出する。そして、制御装置64は、スケール60の原点が設定された時点におけるアクチュエータ43の伸長量L1に対して上記の変位量ΔLを加算することにより、投影光学系15又は凹面鏡41が所望の光学特性を得るために必要なアクチュエータ43の伸長量L2(=L1+ΔL)を導出する。
また同時に、図4(b)に示すように、制御装置64は、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した状態で上記の変位量ΔLを満たすように接触部材58を変位させるために、電源55から内部電極54に印加すべき電圧値の変化量ΔVを算出する。そして、制御装置64は、スケール60の原点が設定された時点で内部電極54に印加される電圧値V1に対して、上記の変化量ΔVを加算することにより、電源55から内部電極54に印加すべき電圧値V2(=V1+ΔV)を導出する。
そして、図3(c)に示すように、制御装置64は、導出した電圧値V2を電源55から内部電極54に印加させるように電源55に対して制御指令を送信する。すると、アクチュエータ43は、電源55から内部電極54に印加される電圧値が増大することに伴って、圧電部材53の変形量が更に増大する。そして、アクチュエータ43は、投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に更に伸長する。また、接触部材58は、アクチュエータ43の伸長に伴って、横鏡筒24の保持部材40によって保持された状態にある凹面鏡41の被保持部41aを、投影光学系15の第2光軸AX2の軸線方向に押圧する。その結果、凹面鏡41は、接触部材58によって押圧される領域の近傍が局所的に変形する。
ところで、本実施形態では、制御装置64は、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触する時点、すなわち、スケール60の原点が設定された時点において電源55から内部電極54に印加される電圧値V1を算出する。そして、制御装置64は、この電圧値V1と圧電部材53の伸長特性とを比較することにより、アクチュエータ43が接触部材58を介して凹面鏡41の被保持部41aに付与可能な駆動力の最大値を推定する。そのため、制御装置64は、投影光学系15又は凹面鏡41が所望の光学特性を得られるように、アクチュエータ43が凹面鏡41の被保持部41aに対して駆動力を付与可能であるか否かを迅速且つ簡便に判別することが可能となる。
本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)制御装置64は、接触部材58の変位量が大きく変化したことが光学式エンコーダ59によって計測された場合に、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別し、その時点での接触部材58の位置をスケール60の原点として設定することができる。
(1)制御装置64は、接触部材58の変位量が大きく変化したことが光学式エンコーダ59によって計測された場合に、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別し、その時点での接触部材58の位置をスケール60の原点として設定することができる。
(2)制御装置64は、受光素子62からの出力信号に基づいてスケール60の変位量を随時算出し、更には、スケール60の変位量の算出を通じてアクチュエータ43の伸長量を随時算出する。そして、制御装置64は、内部電極54に印加される電圧値とアクチュエータ43の伸長量とが、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aから離間した状態における所定の相関関係を満たさなくなった時点で、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別することができる。
(3)接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した状態では、単位電圧当たりのアクチュエータ43の伸長量は、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触する前の状態と比較して大きく低下する。そのため、制御装置64は、単位電圧当たりのアクチュエータ43の伸長量が予め設定した基準値Xを下回った時点で、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を正確に判別することができる。
(4)制御装置64は、スケール60の原点が設定された時点で電源55から内部電極54に印加される電圧値V1と、圧電部材53の伸長特性とを比較することにより、アクチュエータ43が凹面鏡41に付与可能な駆動力の最大値を推定する。そのため、投影光学系15又は凹面鏡41が所望の光学特性を得られるように、アクチュエータ43が凹面鏡41を変形可能であるか否かを迅速且つ簡便に把握することができる。
(5)接触部材58は、凹面鏡41の被保持部41aに接触する接触位置から凹面鏡41の被保持部41aを押圧する方向に変位する際の変位量ΔLが、凹面鏡41の変形量に相当する。そこで、制御装置64は、この変位量ΔLを得るために内部電極54に対して更に印加すべき電圧値の変化量ΔVを算出する。そのため、制御装置64は、アクチュエータ43が凹面鏡41の被保持部41aに伝達する駆動力の大きさを精密に調整することができる。
(6)本実施形態では、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触したか否かを検出するための接触センサを新たに設けることは不要となる。そのため、部品点数が削減されることにより、装置全体の小型化に寄与することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図5(a)(b)に従って説明する。なお、第2の実施形態は、アクチュエータ43の伸長量を単位量毎に増大させる点が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
次に、本発明の第2の実施形態を図5(a)(b)に従って説明する。なお、第2の実施形態は、アクチュエータ43の伸長量を単位量毎に増大させる点が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
図5(a)に示すように、本実施形態の制御装置64は、電圧センサ65からの出力信号に基づいて内部電極54に印加される電圧値を随時算出している。そして、制御装置64は、内部電極54に印加される電圧値とアクチュエータ43の伸長量とが、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aから離間した状態における所定の相関関係を満たさなくなった時点で、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別する。
具体的には、図5(b)に示すように、制御装置64は、アクチュエータ43の伸長量を単位量毎に増大させた場合における内部電極54に印加される電圧値の増大量、即ち、単位伸長量当たりの内部電極54の電圧値を随時算出する。ここで、単位伸長量当たりの内部電極54の電圧値は、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触する前の状態と比較して大きく増大する。そこで、本実施形態では、制御装置64は、単位伸長量当たりの内部電極54の電圧値が予め設定した基準値Yを上回った時点で接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別し、その時点における接触部材58の位置をスケール60の原点として設定する。
したがって、本実施形態では、上記第1の実施形態の効果(1)〜(6)と同様の効果が得られる。
なお、上記各実施形態は、以下のような別の実施形態に変更してもよい。
なお、上記各実施形態は、以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記第1の実施形態において、制御装置64は、内部電極54に印加する電圧値を次第に増大させつつ単位電圧当たりのアクチュエータ43の伸長量の変化量を随時計測し、その変化量が負の値に転じた時点で接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別するようにしてもよい。
・上記第2の実施形態において、制御装置64は、内部電極54に印加する電圧値を次第に増大させつつ単位伸長量当たりの内部電極54の電圧値の変化量を随時計測し、その変化量が正の値に転じた時点で接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別するようにしてもよい。
・上記第1の実施形態において、電源55から内部電極54に印加される電圧値を監視するための電圧センサ65を省略した構成としてもよい。すなわち、制御装置64は、内部電極54に印加される電圧値を単位量毎に増大させるように電源55に対して制御指令を送信した後、受光素子62からアクチュエータ43の伸長量の計測結果を所定の時間間隔毎に受信し、更には、受光素子62から受信したアクチュエータ43の伸長量を単位電圧当たりのアクチュエータ43の伸長量として算出するようにしてもよい。
・上記第1の実施形態において、制御装置64は、単位電圧当たりのアクチュエータ43の伸長量を算出することなく、内部電極54に印加する電圧値とアクチュエータ43の伸長量とが所定の相関関係を満たすか否かを判定することにより、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別するようにしてもよい。
・上記第2の実施形態において、制御装置64は、単位伸長量当たりの内部電極54の電圧値を算出することなく、アクチュエータ43の伸長量と内部電極54に印加する電圧値とが所定の相関関係を満たすか否かを判定することにより、接触部材58が凹面鏡41の被保持部41aに接触した旨を判別するようにしてもよい。
・上記各実施形態において、凹面鏡41の形状を変形させるミラー変形装置をアクチュエータ43とは別部材構成で設け、このミラー変形装置によって変形される凹面鏡41の被保持部41aの変位量をアクチュエータ43によって計測するようにしてもよい。
・上記各実施形態において、静電アクチュエータ、電磁アクチュエータ等の他の駆動様式のアクチュエータ43を採用してもよい。すなわち、外部からの電圧の印加に伴って駆動力が生成される構成であれば任意のアクチュエータを採用することができる。
・上記各実施形態において、発光素子61から射出される計測光を反射させる反射型のスケール60を採用してもよい。
・上記各実施形態において、凹面鏡41を保持するための保持部材を省略し、複数のアクチュエータ43によって凹面鏡41を保持する構成としてもよい。
・上記各実施形態において、凹面鏡41を保持するための保持部材を省略し、複数のアクチュエータ43によって凹面鏡41を保持する構成としてもよい。
・上記各実施形態において、アクチュエータ43によって形状が変形される対象物は凹面鏡41に限定されず、投影光学系15を構成する他の光学素子を対象物としてもよい。また、照明光学系13を構成する各種の光学素子、更には、レチクルR及びウエハWを対象物としてもよい。
・上記各実施形態において、アクチュエータ43が計測する対象は、凹面鏡41の変形量に限らず、凹面鏡41の移動量や、光学素子の移動量を対象としてもよい。
・上記各実施形態において、光源装置12は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet)光を供給可能な光源であってもよい。
・上記各実施形態において、光源装置12は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet)光を供給可能な光源であってもよい。
・上記各実施形態において、露光装置11を、カバーガラス50とウエハWとの間の所定空間に1.1よりも大きな屈折率を有する任意の液体(例えば純水)を供給した状態で露光を行なう所謂液浸型の露光装置であってもよい。
・上記各実施形態において、露光装置11を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。
・上記各実施形態において、可変パターン生成器(例えば、DMD(Digital Mirror Device 又はDigital Micro-mirror Device ))を用いたマスクレス露光装置に具体化してもよい。
・上記各実施形態において、可変パターン生成器(例えば、DMD(Digital Mirror Device 又はDigital Micro-mirror Device ))を用いたマスクレス露光装置に具体化してもよい。
・上記各実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図6は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図7は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)においては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ステップS111(酸化ステップ)においては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
11…露光装置、41…対象物としての凹面鏡、43…変位センサ及び駆動装置としてのアクチュエータ、53…駆動源としての圧電部材、55…電圧印加部材としての電源、58…接触部材(変位部材)、61…変位計測部としての受光素子、64…判別部及び原点設定部としての制御装置、65…電圧計測部としての電圧センサ、W…基板としてのウエハ、X…基準値、Y…基準値。
Claims (12)
- 対象物の変位量を計測可能な変位センサであって、
前記対象物に接触可能な接触部を有し、駆動源からの駆動力によって前記対象物に対して変位する変位部材と、
前記変位部材の変位量を計測する変位計測部と、
前記接触部が前記対象物に接触したか否かを判別する判別部と、
前記判別部によって前記接触部が前記対象物に接触したことを判別した時、前記変位計測部に対して、前記対象物の変位量を計測する際の原点を設定する原点設定部と
を備えることを特徴とする変位センサ。 - 請求項1に記載の変位センサにおいて、
前記判別部は、前記駆動源に印加される電圧、及び前記接触部の変位量のうち、一方の要素を変化させた場合における他方の要素の変化量に基づき、前記接触部が前記対象物に接触したか否かを判別することを特徴とする変位センサ。 - 請求項2に記載の変位センサにおいて、
前記判別部は、前記駆動源に印加される電圧、及び前記接触部の変位量のうち、一方の要素を単位量毎に変化させた場合における他方の要素の変化量に基づき、前記接触部が前記対象物に接触したか否かを判別することを特徴とする変位センサ。 - 請求項3に記載の変位センサにおいて、
前記判別部は、前記駆動源に印加される電圧を単位量毎に変化させた場合における前記接触部の変位量の変化量が予め設定した基準値を下回った場合に、前記接触部が前記対象物に接触したことを判別することを特徴とする変位センサ。 - 請求項3に記載の変位センサにおいて、
前記判別部は、前記接触部の変位量を単位量毎に変化させた場合における前記駆動源に印加される電圧の変化量が予め設定した基準値を上回った場合に、前記接触部が前記対象物に接触したことを判別することを特徴とする変位センサ。 - 請求項1〜請求項5のうち何れか一項に記載の変位センサにおいて、
前記対象物は光学素子であることを特徴とする変位センサ。 - 請求項1〜請求項6のうち何れか一項に記載の変位センサと、
前記接触部に駆動力を伝達する駆動源と、
前記駆動源に電圧を印加する電圧印加部材と
を備え、
前記電圧印加部材によって電圧が印加された前記駆動源から前記接触部を介して前記対象物に駆動力を伝達することを特徴とする駆動装置。 - 請求項7に記載の駆動装置において、
前記駆動源は、電圧の印加に伴って伸縮可能な圧電部材を有し、
前記接触部には、前記圧電部材の伸縮量が前記駆動力として伝達され、
前記変位計測部は、前記圧電部材の伸縮量を前記接触部の変位量として計測することを特徴とする駆動装置。 - 請求項7又は請求項8に記載の駆動装置において、
前記駆動源に印加される電圧値を計測する電圧計測部を更に備えることを特徴とする駆動装置。 - 請求項7〜請求項9のうち何れか一項に記載の駆動装置において、
前記変位計測部の原点に基づいて、前記電圧印加部材から前記駆動源に印加する電圧の大きさを制御する制御装置を更に備えることを特徴とする駆動装置。 - 光学素子の形状を変形させる装置として請求項7〜請求項10のうち何れか一項に記載の駆動装置を備え、
前記光学素子を介して放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射し、該基板に所定のパターンを形成することを特徴とする露光装置。 - リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は請求項11に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
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JP2015070214A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | キヤノン株式会社 | 光学装置、投影光学系、露光装置および物品の製造方法 |
-
2010
- 2010-02-16 JP JP2010031672A patent/JP2011171386A/ja active Pending
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