JP2011163984A5 - - Google Patents
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Description
マイクロチップＣは、注入部１、主流路２、分岐流路３、ウェル４及び終端部５を形成した基板層ｃ２に基板層ｃ１、ｃ ３を貼り合わせて構成されている。マイクロチップＣでは、注入部１等が形成された基板層ｃ２と基板層ｃ３の貼り合わせを大気圧に対して負圧下で行うことにより、注入部１、主流路２、分岐流路３、ウェル４及び終端部５の内部が、大気圧に対して負圧（例えば１／１００気圧）となるように気密に封止されている。さらに、基板層ｃ２と基板層ｃ３の貼り合わせは真空下で行い、注入部１等の内部が真空となるように気密に封止することがより好ましい。
基板層ｃ１〜ｃ３の貼り合わせは、例えば、熱融着、接着剤、陽極接合、粘着シートを用いた接合、プラズマ活性化結合、超音波接合等の公知の手法により行うことができる。
基板層ｃ１〜ｃ３の貼り合わせは、例えば、熱融着、接着剤、陽極接合、粘着シートを用いた接合、プラズマ活性化結合、超音波接合等の公知の手法により行うことができる。
これを防止するため、マイクロチップＣは、自己封止性を備える基板層ｃ２に、ガス不透過性を備える基板層ｃ１、ｃ ３を貼り合わせて、３層構造とされていることを特徴とする。
基板層ｃ１、ｃ ３のガス不透過性を備える材料としては、ガラスやプラスチック類、金属類、セラミック類などが採用できる。
プラスチック類としては、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート：アクリル樹脂）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、ＳＡＮ樹脂（スチレン−アクリロニトリル共重合体）、ＭＳ樹脂（ＭＭＡ−スチレン共重合体）、ＴＰＸ（ポリ（４−メチルペンテン−１））、ポリオレフィン、ＳｉＭＡ（シロキサニルメタクリレートモノマー）−ＭＭＡ共重合体、ＳｉＭＡ−フッ素含有モノマー共重合体、シリコーンマクロマー（Ａ）−ＨＦＢｕＭＡ（ヘプタフルオロブチルメタクリレート）−ＭＭＡ３元共重合体、ジ置換ポリアセチレン系ポリマー等が挙げられる。
金属類としては、アルミニウム、銅、ステンレス（ＳＵＳ）、ケイ素、チタン、タングステン等が挙げられる。
セラミック類としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニア（ＺｒＯ２）、石英等があげられる。
ウェル４内に導入された物質の分析を光学的に行う場合には、基板層ｃ１〜ｃ３の材質は、光透過性を有し、自家蛍光が少なく、波長分散が小さいために光学誤差の少ない材料を選択することが好ましい。
プラスチック類としては、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート：アクリル樹脂）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、ＳＡＮ樹脂（スチレン−アクリロニトリル共重合体）、ＭＳ樹脂（ＭＭＡ−スチレン共重合体）、ＴＰＸ（ポリ（４−メチルペンテン−１））、ポリオレフィン、ＳｉＭＡ（シロキサニルメタクリレートモノマー）−ＭＭＡ共重合体、ＳｉＭＡ−フッ素含有モノマー共重合体、シリコーンマクロマー（Ａ）−ＨＦＢｕＭＡ（ヘプタフルオロブチルメタクリレート）−ＭＭＡ３元共重合体、ジ置換ポリアセチレン系ポリマー等が挙げられる。
金属類としては、アルミニウム、銅、ステンレス（ＳＵＳ）、ケイ素、チタン、タングステン等が挙げられる。
セラミック類としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニア（ＺｒＯ２）、石英等があげられる。
ウェル４内に導入された物質の分析を光学的に行う場合には、基板層ｃ１〜ｃ３の材質は、光透過性を有し、自家蛍光が少なく、波長分散が小さいために光学誤差の少ない材料を選択することが好ましい。
Claims (8)
- 溶液が導入される領域が、内部を大気圧に対して負圧とされて基板に配設され、
前記基板は、弾性変形による自己封止性を備える基板層と、該自己封止性を備える基板層の両面に積層されたガス不透過性を備える基板層と、を含んで構成されたマイクロチップ。 - 外部から前記溶液が穿刺注入される注入領域と、
溶液に含まれる物質あるいは該物質の反応生成物の分析場となる複数のウェルと、
一端において注入領域に連通し、かつ、各ウェルに分岐して接続する一本の流路と、が設けられ、
注入領域、ウェル、及び流路の内部が大気圧に対して負圧とされた請求項１記載のマイクロチップ。 - 前記注入領域は、前記弾性変形による自己封止性を備える基板層を含んで構成された請求項２記載のマイクロチップ。
- 前記ガス不透過性を備える基板層に、外部から前記溶液を前記注入領域へ穿刺注入するための穿刺孔が設けられた請求項２又は３記載のマイクロチップ。
- 前記弾性変形による自己封止性を備える基板層が、シリコーン系エラストマー、アクリル系エラストマー、ウレタン系エラストマー、フッ素系エラストマー、スチレン系エラストマー、エポキシ系エラストマー及び天然ゴムからなる群より選択される一の材料とされた請求項１〜４のいずれか１項記載のマイクロチップ。
- ガス不透過性を備える基板層が、ガラス、プラスチック類、金属類及びセラミック類からなる群より選択される一の材料とされた請求項１〜５のいずれか１項記載のマイクロチップ。
- 前記弾性変形による自己封止性を備える基板層が、ポリジメチルシロキサンからなり、
前記ガス不透過性を備える基板層が、プラスチック類からなる請求項１〜６のいずれか１項記載のマイクロチップ。 - 弾性変形による自己封止性を備える基板層の両面に、ガス不透過性を備える基板層を大気圧に対して負圧下で貼り合わせて、溶液が導入される領域が形成された基板を構成し、前記領域を気密に封止する手順を含むマイクロチップの製造方法。
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