JP2011159744A - 放射線検出素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】欠陥50が発生した信号配線3に当該欠陥箇所を挟んで接続された画素7A、7Bで信号配線3と並列配線102を短絡させて欠陥箇所に並列な並列回路80を構成する。
【選択図】図7
Description
図1には、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置100の全体構成が示されている。
次に、第2の実施の形態として、放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出素子10Bに本発明を適用した場合について説明する。
4 TFTスイッチ
5 電荷蓄積容量
7 画素
10A、10B 放射線検出素子
15B 第2絶縁膜
36 コンタクト(導電部)
50 断線(欠陥)
52 リーク(欠陥)
80 並列回路
101 走査配線
102 蓄積容量配線(並列配線)
103 センサ部
109 共通電極配線(並列配線)
Claims (8)
- 各々検出対象とする放射線が照射されることにより発生した電荷を蓄積し、当該蓄積された電荷を読み出すためのスイッチ素子を備え、一方向及び当該一方向に対する交差方向にマトリクス状に配列された多数の画素と、
前記画素のマトリクス配列における前記一方向の各画素列にそれぞれ設けられてそれぞれ画素列の各画素に備えられた各スイッチ素子に接続され、当該スイッチ素子のスイッチング状態に応じて前記画素に蓄積された電荷が流れる複数の信号配線と、
前記複数の信号配線のそれぞれに並んで設けられた複数の並列配線と、を備え、
欠陥が発生した信号配線に当該欠陥箇所を挟んで接続された複数の画素で前記信号配線と前記並列配線を短絡させて欠陥箇所に並列な並列回路を構成した
放射線検出素子。 - 前記複数の画素を、前記欠陥箇所を挟んで隣接する2つの画素とした
請求項1記載の放射線検出素子。 - 前記複数の並列配線は、それぞれ前記一方向の各画素列の各画素に対して共通に所定の電圧を印加するために設けられ、
前記並列回路を構成する前記並列配線を、前記並列回路として機能する部分の両側で切断した
請求項1又は請求項2記載の放射線検出素子。 - 前記画素のマトリクス配列における前記交差方向の各画素列にそれぞれ設けられてそれぞれ画素列の各画素に備えられた各スイッチ素子に接続され、当該スイッチ素子をスイッチングする制御信号が流れる複数の走査配線をさらに備え、
前記複数の画素で前記スイッチ素子と前記走査配線とを切断した
請求項1〜請求項3の何れか1項記載の放射線検出素子。 - 前記欠陥が前記走査配線と前記信号配線とのリークである場合、当該リークが発生した信号配線のリーク箇所と前記複数の画素のスイッチ素子の間で当該信号配線を切断した
請求項4記載の放射線検出素子。 - 前記画素は、一方の電極が前記並列配線に接続されると共に他方の電極が前記スイッチ素子に接続され、発生した電荷を蓄積する蓄積容量を備え、
前記複数の画素で前記スイッチ素子及び前記蓄積容量を短絡させた
請求項1〜請求項5の何れか1項記載の放射線検出素子。 - 前記画素は、前記並列配線に接続されて当該並列配線から所定のバイアス電圧が印加され、放射線が照射されることにより電荷を発生するセンサ部を備え、
前記複数の画素で前記スイッチ素子及び前記センサ部を短絡させた
請求項1〜請求項5の何れか1項記載の放射線検出素子。 - 前記画素は、前記並列配線と前記スイッチ素子の何れかの電極又は当該電極に接続された導電部の少なくとも一部が絶縁膜のみを介して重複するように設けられた
請求項1〜請求項7の何れか1項記載の放射線検出素子。
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