JP2011154919A - 観察方法および観察装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一の倍率で撮像した画像または設計データから求まるレイアウト画像から得られる画像特徴量を用いて、オートフォーカス実行時の焦点測度のステップ量を補正する。得られたステップ量に基づきオートフォーカスを実行し、観察,計測あるいは検査対象試料を撮像する。
【選択図】 図1
Description
以下、本実施例の実施形態を図面を用いて説明する。図1は、電子顕微鏡の概略構成を示す縦断面図である。走査型電子顕微鏡を半導体ウェーハに形成された回路パターンの欠陥観察に使用できるように改良したレビューSEM装置の撮像装置8は、電子ビームEBの発生から半導体ウェーハWFまでの間が真空に保たれ、電子源9,コンデンサレンズ10,11,偏向走査用コイル12,対物レンズ13,非点収差補正コイル27,XYステージ15,検出器25が設けられている。また、真空装置の外部には、記憶装置16,ディスプレイ17,入力装置18,画像演算部20,A/D変換部21,電子光学系制御部22,ステージ制御部23,高電圧安定化電源24が設置され、全体制御部19には、合焦位置解析演算部26が設けられている。
画像の明度値のヒストグラムの平均値、すなわち画像の平均明るさを求めることによって、画像の粗密さを定量化する。画像内のパターンが密であるときは、エッジが多く明るい傾向がある。また、画像内のパターンが疎であるときはエッジが少なく暗くなる傾向がある。したがって、画像において、明度値のヒストグラムから平均値をμbとすると、ステップ量の補正値RFbは式[1]で表すことができる。
RFb=k1×μb+k2 …式[1]
画像の明度値のヒストグラムの分散、すなわちコントラストを求めることによっても画像の粗密さを定量化することができる。画像内のパターンが密であるときは、エッジを多く含んでおり、コントラストが高い傾向がある。一方、画像内のパターンが疎であるときはエッジが少なくコントラストが低い傾向がある。画像の粗密さから決定される補正値RFcは明度値のヒストグラムの分散をσとすると、式[2]で表すことができる。式[2]においてk3とk4は定数であって、値はk1,k2と同様に決められる。
RFc=k3×σ+k4 …式[2]
SEM像にエッジ検出フィルタと呼ばれる空間フィルタを施すことによって、画像全体の平均値を算出し、粗密さを評価する。エッジ検出フィルタとしては、一次微分フィルタのソルベルフィルタやグラディエントフィルタ、二次微分フィルタのラプシアンフィルタ等が知られている。画像にエッジが多く含まれる場合、エッジ検出フィルタ処理後の画像の平均値は大きくなり、エッジが少ない場合は、平均値は小さくなる。したがって、ステップ量の補正値RFeは平均値をμeとすると、式[3]で表すことができる。式[3]におけるRFeはSEM像の粗密さを反映するものである。また、式[3]においてk5とk6は定数であり、値はk1,k2と同様に決められる。
RFe=k5×μe+k6 …式[3]
画像の空間周波数を評価する。空間周波数が高ければ、エッジなどの突然の変化が生じ、画像中のパターンは密である傾向にある。一方、空間周波数成分が低ければ、パターンが疎である傾向がある。したがって、ステップ量の補正値RFfは、画像中に最も多く含まれる空間周波数の成分をfとすると、式[4]で表すことができる。式[4]における補正値は、画像中のパターンの粗密さを反映したものである。また、式[4]においてk7とk8は定数であって、値はk1,k2と同様に決められる。
RFf=k7×f+k8 …式[4]
S=k9×A×MK/B …式[5]
S′=RFb×S …式[6]
S′=S×(RFb+RFc+RFe+RFf)×k10 …式[7]
S′=S×(k11×RFb+k12×RFc+k13×RFe+k14×RFf)×k10
…式[8]
FW/S′≧N …式[9]
本実施形態では、半導体ウェーハ上のパターンのレイアウト情報であるCADデータを用いたオートフォーカスのステップ量を決定する機能を備えた荷電粒子装置、特に欠陥レビュー装置について説明する。装置のハードウェア構成としては、図1とほぼ同様であるため、重複する部分については説明を省略し、必要に応じて図1の構成要素を引用する。
RFAn=k20×δA+k2 …式[10]
n=1,2,3,・・・
P2<RFAn<P1 …式[11]
S′=RFAn×S …式[12]
n=1,2,3・・・
9 電子源
10,11 コンデンサレンズ
12 偏向走査用コイル
13 対物レンズ
15 XYステージ
16 記憶装置
17 ディスプレイ
18 入力装置
19 全体制御部
20 画像演算部
21 A/D変換部
22 電子光学系制御部
23 ステージ制御部
24 高電圧安定化電源
25 検出器
26 合焦位置解析演算部
27 非点収差補正コイル
31 ネットワーク
32 検査装置
33 CADデータベースサーバ
Claims (18)
- 所定のステップ量ずつ焦点位置をずらして焦点位置の異なる複数の画像を取得し、前記複数の画像から合焦点位置を推定するオートフォーカス手段を備えた荷電粒子線装置において、
第一の倍率及び前記第一の倍率より高倍率の第二の倍率で画像を取得する撮像手段と、
前記第一の倍率の画像において選択された領域から画像特徴量を算出する合焦点位置解析演算手段と、
算出された前記画像特徴量を用いてステップ量を設定するステップ量決定手段と、
前記設定されたステップ量を用いて前記第二の倍率においてオートフォーカスを実行するオートフォーカス実行手段とを有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記画像特徴量は前記選択された領域におけるパターンの粗密さまたはパターンエッジの量であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
設定された前記ステップ量または前記画像特徴量が予め定められた基準を満たしているかどうかを判定するステップ量判定手段を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項3に記載の荷電粒子線装置において、
前記ステップ量判定手段は判定結果を表示することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記合焦点位置解析演算手段は、画像特徴量を算出する複数の方法を実行し、
前記ステップ量決定手段は、前記複数の方法のそれぞれを用いて算出された各画像特徴量から得られる複数のステップ量を組み合わせて前記オートフォーカス実行手段で用いるステップ量を設定することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5に記載の荷電粒子線装置において、
前記複数の方法により得られる画像特徴量の各々が、前記オートフォーカス実行手段で用いるステップ量に与える寄与を設定可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
さらにオートフォーカスパラメータ設定画面を有し、
前記ステップ量が前記画像特徴量を用いて自動的に設定されるモードを選択可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記第一の倍率の画像は第一の倍率で撮像した画像に対応するCADデータのパターンレイアウト画像であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8に記載の荷電粒子線装置において、
前記合焦点位置解析演算手段は、
前記パターンレイアウト画像を複数の領域に分割し、
当該分割された前記複数の領域のそれぞれで画像特徴量を算出し、
予め設定された基準を満たす画像特徴量を持つ領域を前記複数の領域から選択し、
前記ステップ量決定手段は、前記選択された領域から算出される画像特徴量に基づいてステップ量を算出することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子線装置において、
前記合焦点位置解析演算手段は、前記CADデータを隣接領域と重複部をもつ複数の領域に分割することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 所定のステップ量ずつ焦点位置をずらして焦点位置の異なる複数の画像を取得し前記複数の画像から合焦点位置を推定するオートフォーカス手段を備えた荷電粒子線装置に接続された情報処理装置において、
前記荷電粒子線装置から得られる低倍画像に対応したCADデータから選択された領域の画像特徴量を算出する合焦点位置解析演算手段と、
前記算出された画像特徴量を用いてステップ量を算出するステップ量決定手段と、
前記算出されたステップ量を前記荷電粒子線装置に送出するステップ量送出手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。 - 第一の倍率で画像を取得し、
前記第一の倍率の画像において選択された領域から画像特徴量を算出し、
焦点位置の異なる複数の画像を取得する際の焦点位置変化量であるステップ量を、算出された前記画像特徴量を用いて設定し、
前記第一の倍率より高倍率の第二の倍率において、設定された前記ステップ量ずつ焦点位置をずらして複数の画像を取得することでオートフォーカスを実行することを特徴とする荷電粒子線を用いた観察方法。 - 請求項12に記載の荷電粒子線を用いた観察方法において、
前記画像特徴量は前記第一の倍率で取得された画像から選択された領域におけるパターンの粗密さまたはパターンエッジの量であることを特徴とする荷電粒子線を用いた観察方法。 - 請求項12に記載の荷電粒子線を用いた観察方法において、
さらに、設定された前記ステップ量または前記画像特徴量が予め定められた基準を満たしているかどうかを判定することを特徴とする荷電粒子線を用いた観察方法。 - 請求項14に記載の荷電粒子線を用いた観察方法において、
さらに、判定結果を表示することを特徴とする荷電粒子線を用いた観察方法。 - 請求項14に記載の荷電粒子線を用いた観察方法において、
複数の方法を用いて画像特徴量を算出し、前記複数の方法のそれぞれを用いて算出された各画像特徴量から得られる複数のステップ量を組み合わせることでオートフォーカスに用いるステップ量が設定可能であることを特徴とする荷電粒子線を用いた観察方法。 - 請求項14に記載の荷電粒子線を用いた観察方法において、
前記第一の倍率の画像は第一の倍率で撮像した画像に対応するCADデータのパターンレイアウト画像であることを特徴とする荷電粒子線を用いた観察方法。 - 所定のステップ量ずつ焦点位置をずらして焦点位置の異なる複数の画像を取得し、当該複数の画像から合焦点位置を推定するオートフォーカス方法において、
第一の倍率で画像を取得し、
前記第一の倍率で取得された画像から画像特徴量を算出し、
焦点位置の異なる複数の画像を取得する際の予め決められたステップ量を算出された前記画像特徴量を用いて設定し、
前記第一の倍率より高倍率の第二の倍率において、設定された前記ステップ量を用いて焦点位置をずらして複数の画像を取得することでオートフォーカスを実行する、
ことを特徴とするオートフォーカス方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016505848A (ja) * | 2012-12-28 | 2016-02-25 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 自動鉱物識別を実行する方法 |
JP2017194448A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | インチョン ユニバーシティ インダストリー アカデミック コーポレーション ファウンデーションIncheon University Industry Academic Cooperation Foundation | Tsomイメージ獲得方法及び半導体装置検査方法 |
KR20210067869A (ko) * | 2019-11-29 | 2021-06-08 | 주식회사 히타치하이테크 | 하전 입자 빔 시스템, 하전 입자선 장치에 있어서의 초점 위치를 자동으로 탐색하는 범위를 결정하는 방법, 및 컴퓨터 시스템에, 하전 입자선 장치에 있어서의 초점 위치를 자동으로 탐색하는 범위를 결정시키기 위한 프로그램을 기록한 비일시적 기억 매체 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5542478B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-07-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線顕微鏡 |
US20160239584A1 (en) * | 2013-03-18 | 2016-08-18 | Tribase Systems, Inc. | Total quality management system and method for annotating and visualizing defects in manufactured parts |
US9257260B2 (en) * | 2013-04-27 | 2016-02-09 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for adaptively scanning a sample during electron beam inspection |
CN103344660B (zh) * | 2013-06-27 | 2015-07-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法 |
JP6072632B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2017-02-01 | 株式会社 日立産業制御ソリューションズ | 撮像装置、撮像方法および撮像システム |
JP6606749B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2019-11-20 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 焦点調節方法およびその装置 |
CZ306807B6 (cs) * | 2016-05-21 | 2017-07-12 | Tescan Brno, S.R.O. | Rastrovací elektronový mikroskop a způsob jeho provozu |
US10991542B2 (en) * | 2017-01-27 | 2021-04-27 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
WO2020154976A1 (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 深圳晶源信息技术有限公司 | 电路设计版图和电镜扫描图像的配准方法及系统、电路设计版图和其成像误差计算方法及电子设备 |
CN116045841B (zh) * | 2022-11-23 | 2023-08-04 | 深圳市中图仪器股份有限公司 | 聚焦曲线的拟合方法、拟合装置及测量系统 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005063678A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置における自動焦点補正方法および自動非点補正方法 |
JP2005285746A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡を用いた試料の観察方法及びその装置 |
JP2006310223A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Ebara Corp | 試料検査装置 |
JP2007200595A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 荷電粒子線装置、荷電粒子線の焦点調整方法、微細構造の測定方法、微細構造の検査方法および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1050245A (ja) | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置における焦点合わせ方法 |
US6853744B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-02-08 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for confirming electrical connection defects |
US7075077B2 (en) | 2004-03-03 | 2006-07-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of observing a specimen using a scanning electron microscope |
TWI324015B (en) * | 2006-12-22 | 2010-04-21 | Ind Tech Res Inst | Autofocus searching method |
JP5164598B2 (ja) | 2008-02-18 | 2013-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レビュー方法、およびレビュー装置 |
-
2010
- 2010-01-28 JP JP2010016155A patent/JP5325802B2/ja active Active
- 2010-11-08 US US13/575,822 patent/US8878925B2/en active Active
- 2010-11-08 WO PCT/JP2010/006532 patent/WO2011092771A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005063678A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置における自動焦点補正方法および自動非点補正方法 |
JP2005285746A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡を用いた試料の観察方法及びその装置 |
JP2006310223A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Ebara Corp | 試料検査装置 |
JP2007200595A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 荷電粒子線装置、荷電粒子線の焦点調整方法、微細構造の測定方法、微細構造の検査方法および半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016505848A (ja) * | 2012-12-28 | 2016-02-25 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 自動鉱物識別を実行する方法 |
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