JP2011144087A - 光ファイバの線引き方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】適切に線速の制御を行なうことができる光ファイバの線引き方法を提供する。
【解決手段】ガラスからなる光ファイバ母材1の一端を加熱溶融し、該一端からガラス光ファイバ3を線引きする方法であって、線引きしたガラス光ファイバの総体積を測定し、該測定した総体積をもとに、ガラス光ファイバ3の線速を変更する制御を行なう。好ましくは、前記ガラス光ファイバ3を第一線速にて線引きする第一線引き工程と、前記測定した総体積が所定値に達したときに、前記ガラス光ファイバ3の線速を、前記第一線速から第二線速まで加速する第二線引き工程と、を含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、ガラスからなる光ファイバ母材の一端を加熱溶融し、この一端からガラス光ファイバを線引きする方法に関するものである。
光ファイバは、ガラスからなる光ファイバ母材の一端を線引加熱炉にて加熱溶融し、この一端からガラス光ファイバを線引きし、線引きしたガラス光ファイバの外周に樹脂などからなる被覆を形成することによって製造される。
光ファイバ母材の先端部は、コア部の外径とクラッド部の外径との比が規格から外れている等の不良部が含まれている場合がある。このような先端部から線引きしたガラス光ファイバは、コア径やクラッド径が規格から外れたものになるので、製品として用いることができない。したがって、この不良部から線引きされたガラス光ファイバは、廃棄されるべきものである。なお、この不良部は、光ファイバの製造工程の立ち上げ時において、線引きの諸条件を調整するための試験的な線引きに有効活用されており、これによって、光ファイバ母材の良品部が試験的な線引きに用いられて廃棄されてしまうことを抑制している。
また、光ファイバの製造工程の立ち上げ時においては、ガラス光ファイバの線引きの速度(線速)は、当初は低い線速に設定され、ある時点で加速されて所定の高い線速にされる。その後線速はこの所定の線速で一定に制御され、製品となるガラス光ファイバが製造される。従来、かかる線速の制御について、光ファイバ母材の送り速度と線速とを関連付けて制御を行なうという方法が開示されている(たとえば特許文献1参照)。
特開2003−48738号公報
しかしながら、ガラス光ファイバの線引き工程には、光ファイバ母材が溶融し縮径する過程が含まれている。そのため、光ファイバ母材の送り速度と、線引きされてガラス光ファイバになったガラスの量との関係が、光ファイバ母材の外径や線引きしたガラス光ファイバの外径等の条件によって変動する。その結果、光ファイバの製造工程の立ち上げ時において光ファイバ母材の送り速度と線速とを関連付けて制御を行なった場合に、所定の線速に到達する前に良品部が消費されたりする場合があり、ガラス材料の浪費等が発生するという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ガラス材料の浪費等を防止し、適切に線速の制御を行なうことができる光ファイバの線引き方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る光ファイバの線引き方法は、ガラスからなる光ファイバ母材の一端を加熱溶融し、該一端からガラス光ファイバを線引きする方法であって、線引きしたガラス光ファイバの総体積を測定し、該測定した総体積をもとに、ガラス光ファイバの線速を変更する制御を行なうことを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバの線引き方法は、上記の発明において、前記ガラス光ファイバを第一線速にて線引きする第一線引き工程と、前記測定した総体積が所定値に達したときに、前記ガラス光ファイバの線速を、前記第一線速から第二線速まで加速する第二線引き工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバの線引き方法は、上記の発明において、前記所定値を、前記光ファイバ母材の一端における廃棄すべき不良部の体積と、前記第二線引き工程において線引きできるガラス光ファイバの総体積とをもとに設定することを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバの線引き方法は、上記の発明において、前記ガラス光ファイバの線速と外径とをもとに前記総体積を測定することを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバの線引き方法は、上記の発明において、前記光ファイバ母材の質量の減少量をもとに前記総体積を測定することを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバの線引き方法は、上記の発明において、前記第二線引き工程後に、前記第二線速にて製品となるガラス光ファイバを線引きする第三線引き工程をさらに含むことを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバの線引き方法は、上記の発明において、前記第一線引き工程において、前記光ファイバ母材の送り長を一旦増加させた後に、前記送り長を減少させることを特徴とする。
本発明によれば、線引きしたガラス光ファイバの総体積をもとにガラス光ファイバの線速を変更する制御を行なうので、ガラス材料の浪費等を防止し、適切に線速の制御を行なうことができるという効果を奏する。
図1は、実施の形態において用いる光ファイバの製造装置の全体構成を示す模式図である。 図2は、図1に示す光ファイバ母材の模式的な断面図である。 図3は、実施の形態におけるガラス光ファイバの線引速度(線速)、光ファイバの外径、および光ファイバ母材の送り長(母材送り長)の制御の一例のタイミングチャートを示した図である。 図4は、光ファイバ母材の先端部の状態の変化を示した図である。
以下に、図面を参照して本発明に係る光ファイバの線引き方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
(実施の形態)
図1は、本発明の実施の形態において用いる光ファイバの製造装置の全体構成を示す模式図である。図1に示すように、この光ファイバの製造装置100は、光ファイバ母材1の上端に溶着したガラス製の支持棒2を把持し、光ファイバ母材1を昇降させる昇降機構11と、ヒータ12aを有し、光ファイバ母材1の一端を加熱溶融するための線引加熱炉12と、光ファイバ母材1から線引きしたガラス光ファイバ3の外径を測定する外径測定器13と、ガラス光ファイバ3にHeガス等を吹き付けて冷却することができる冷却塔14と、ガラス光ファイバ3の通路に配置された、プライマリ被覆用の樹脂16aを被覆するプライマリダイス15a、UVランプ照射室17a、セカンダリ被覆用の樹脂16bを被覆するセカンダリダイス15b、およびUVランプ照射室17bと、引き取り機構としてのゴムからなるキャプスタンローラ18と、ガイドロール19とを備える。また、製造装置100は、さらに、外径測定器13が測定したガラス光ファイバ3の外径のデータと、キャプスタンローラ18の回転速度から得られたガラス光ファイバの線速のデータとを取り込むとともに、この外径および線速のデータ等に基づいて、昇降機構11、線引加熱炉12、冷却塔14、キャプスタンローラ18を制御する制御器Cを備える。
つぎに、本実施の形態において用いる光ファイバ母材1について説明する。光ファイバ母材1は、石英系ガラスからなり、その直径がたとえば100mm、長さがたとえば2000mmであり、不良部と良品部とを有する。図2は、図1に示す光ファイバ母材1の模式的な断面図である。図2に示すように、光ファイバ母材1は、不良部1aと良品部1bとを有する。良品部1bはコア部1baとクラッド部1bbとからなる。コア部1baとクラッド部1bbとの外径比は所望の規格を満たしている。したがって、良品部1bから線引きしたガラス光ファイバは、コア径やクラッド径が規格を満たすものとなり、製品となる光ファイバに用いることができる。一方、不良部1aは光ファイバ母材1の先端部に位置し、コア部1aaとクラッド部1abを有するが、最も先端においては、コア部1aaの代わりに、光ファイバ母材1の製造の際に用いたダミー棒1acが存在している。また、コア部1aaとクラッド部1abとの外径比は所望の規格からはずれている。そのため、不良部1aから線引きしたガラス光ファイバは、コア径やクラッド径が規格からはずれたものとなるか、あるいはコアのないガラス光ファイバとなるので、廃棄処理すべきものとなる。
以下、図1を用いて、本実施の形態に係る光ファイバの線引き方法について説明する。はじめに、光ファイバ母材1の不良部1aの体積W0を予め測定しておく。体積W0は、たとえばダミー棒1acとコア部1aaの境界を目視で確認したり、光ファイバ母材1の外径を測定したりして、コア部1baとクラッド部1bbとの外径比が規格を満たさないような部分を特定し、その部分の体積を測定することによって求めることができる。
つぎに、支持棒2を上端に溶着した光ファイバ母材1を線引加熱炉12にセットし、支持棒2を昇降機構11により把持する。つぎに、昇降機構11により光ファイバ母材1を下方に送りながら、ヒータ12aによって光ファイバ母材1の先端の不良部1aを加熱溶融し、ガラス光ファイバを線引きする。つぎに、外径測定器13は、線引きしたガラス光ファイバ3の外径を測定し、そのデータを制御器Cへ送信する。つぎに、必要に応じて冷却塔14によりガラス光ファイバ3を冷却する。つぎに、所定のタイミングでプライマリダイス15aによりガラス光ファイバ3に樹脂16aを塗布し、UVランプ照射室17aにて樹脂16aを硬化してプライマリ被覆を形成する。さらに、セカンダリダイス15bによりプライマリ被覆の外周に樹脂16bを塗布し、UVランプ照射室17bにて樹脂16bを硬化してセカンダリ被覆を形成する。このとき、光ファイバ母材1の先端の不良部1aを加熱溶融し、線引きしている間は、ガラス光ファイバ3に樹脂16aおよび16bを被覆せずに、キャプスタンローラ18によって引き取り、専用の処理装置で処理しても良い。この場合は、その後所定のタイミングで、ガラス光ファイバ3への樹脂16a及び16bの塗布を開始し、被覆を形成する。その結果、被覆が形成された光ファイバ4が製造される。この光ファイバ4は、キャプスタンローラ18によって引き取られ、ガイドロール19によってガイドされ、不図示の巻き取り機構によってドラムに巻き取られる。
上述した線引き工程は、第一、第二、第三の線引き工程からなる。第一線引き工程は、線引き工程の立ち上げ時の初期に行なわれるものであり、不良部1aから、比較的低い第一線速にてガラス光ファイバ3を線引きしながら、線引き諸条件の調整を行う。第二線引き工程では、線速を第一線速から第二線速まで加速を行う。第三線引工程では、製品となる光ファイバ4の製造をする際の高速の線速である第二線速にて、ガラス光ファイバ3の線引きを行なう。
本実施の形態では、第一線引き工程においては第一線速にてガラス光ファイバを線引きするとともに、該線引きしたガラス光ファイバの総体積を測定し、測定したガラス光ファイバの総体積が所定値に達したときに、該ガラス光ファイバの線速を第一線速から第二線速まで加速する。このように、線引きしたガラス光ファイバの総体積を、直接的に線速の制御に用いることによって、実際に線引きされてガラス光ファイバになったガラスの量にもとづいた線速の制御が実現され、その結果適切に線速の制御を行なうことができる。
以下、図3を用いて、本実施の形態における線引きの制御についてより具体的に説明する。図3は、本実施の形態におけるガラス光ファイバの線引速度(線速)、ガラス光ファイバの外径、光ファイバ母材の送り長(母材送り長)の制御の一例のタイミングチャートを示した図である。図3のタイミングチャートは一例であり、これに限定されるものではない。
なお、上記各制御は制御器Cにより行われる。具体的には、線速は、制御器Cがキャプスタンローラ18の回転速度を制御することにより制御され、母材送り長は、制御器Cが昇降機構11の昇降量を制御することにより制御され、ガラス光ファイバ3の外径は、制御器Cが、外径測定器13からのデータに基づいて、昇降機構11とキャプスタンローラ18とを制御することにより制御される。また、母材送り長とは、所定の高さ位置を基準として、そこから下方への光ファイバ母材の送り長を意味する。
はじめに、第一線引き工程として、線速を時刻0における線掛速度から加速し、時刻t2において第二線速V2よりも遅い第一線速V1とする。なお、線速はガラス光ファイバ3の外径がD2に増加するまでは線掛速度で一定としている。一方、母材送り長を時刻0においてゼロから増加させる。他方、ガラス光ファイバ3の外径を初期の外径D1から時刻t1において外径D2に増加させる。このようにガラス光ファイバ3の外径を増加させるのは、不良部1aを早く消費するためである。なお、本実施の形態では、外径を外径D1から外径D2に増加させているが、増加させずに、外径D1と外径D2とを等しくしてもよい。この場合は、線速は時刻0から加速させ、線速V1に達したら線速V1を維持するようにする。また、好ましい値としては、たとえば線速V1は300〜1000m/分、外径D2は100〜500μmである。また、外径D1は、外径D2と等しいかそれ以下の値である。
つぎに、ガラス光ファイバ3の外径が外径D2に到達後、ガラス光ファイバ3の外径を外径D2に維持するとともに、線速を線速V1に維持する。また、母材送り長は、ガラス光ファイバ3の外径が外径D2に維持されるように制御するが、本実施の形態では送り長L1を150mmまで増加させた後に送り長L2を35mmまで減少させ、その後送り長L2から徐々に増加させている。このように、ガラス光ファイバ3の外径を増加させ、その後一定に維持する際に、送り長を一旦増大させて光ファイバ母材1の不良部1aの溶融する量を多くし、その後適正な送り長に減少させるようにすると、不良部1aを短時間で迅速に線引きして消費でき、かつ光ファイバ母材1の線引加熱炉12への供給量が適正化されるので好ましい。
ここで、本実施の形態においては、制御器Cにおいて、線引きしたガラス光ファイバ3の線速と外径とをもとに、線引きしたガラス光ファイバ3の総体積を測定する。具体的には、ある時刻におけるガラス光ファイバ3の線速をV[m/分]、外径をD[μm]とし、その時刻における1秒当たりの線引きしたガラス光ファイバ3の体積をδWとすると、δWは下記の式(1)により求められる。
δW=πD/4×V/60×10[μm/s] ・・・ (1)
したがって、式(1)におけるδWを線引き開始時から積算することによって、線引きしたガラス光ファイバ3の総体積を測定することができる。
つぎに、時刻t3において、線引きしたガラス光ファイバ3の総体積が所定の体積W1に達したら、第二線引き工程として、制御器Cは線速を線速V1から線速V2に加速するとともに、母材送り長を送り長L3に増加させる。一方、ガラス光ファイバ3の外径を外径D2から外径D3に減少させる。なお、外径D2と外径D3とが等しい場合は外径を減少させないようにする。
その後、時刻t4において、線速が線速V2に到達したら、第三線引き工程として、制御器Cは線速を線速V2に維持し、母材送り長を送り長L3から徐々に増加させ、ガラス光ファイバ3の外径を外径D3に維持して、ガラス光ファイバ3を線引きし、製品となる光ファイバ4を製造する。なお、線速V2はたとえば1000〜2000m/分であり、外径D3はたとえば80〜130μm(ただし、外径D2と等しいかそれ以下の値)であり、送り長L3はたとえば200mmである。
ここで、図4は、光ファイバ母材1の先端部の状態の変化を示した図である。図4に示すように、時刻t3における光ファイバ母材1の先端部は、不良部1aのうち、体積W1の部分1adが線引きされてガラス光ファイバ3となり、部分1aeが残存している状態となっている。この状態から、第二線引き工程において、線速を加速しながら線引きを行う間に、残存する部分1aeが線引きされる。その結果、線速が線速V2に到達した時刻t4においては、不良部1aがすべて消費されるので、良品部1bから所望の線速V2において、ガラス材料が浪費されること無く所望の規格を満たすガラス光ファイバ3が線引きされ、製品となる光ファイバ4が製造される。
なお、線速の加速を開始する際の、線引きしたガラス光ファイバ3の総体積W1は、たとえば光ファイバ母材1の不良部1aの体積W0と、第二線引き工程において線引きできるガラス光ファイバ3の総体積W2とをもとに、W1=W0−W2として設定することができる。この第二線引き工程において線引きできるガラス光ファイバ3の総体積W2[μm]は、線速V1、V2[m/分]、線速を加速させる時間(t4−t3)[s]、ガラス光ファイバ3の外径D2、D3[μm]を用いて、下記式(2)により求めることができる。なお、線速の加速は等加速度で行い、D2=D3とする。
W2=π×(D2)/4×(V2+V1)/2×106×(t4−t3)[μm3] ・・・ (2)
たとえば、V1=70m/分、V2=1200m/分、D2=125μm、(t4−t3)=60分とすると、W2は467.6×1012μm3である。
以上説明したように、本実施の形態によれば、ガラス光ファイバ3の線引きにおいて、ガラス材料の浪費等が防止されるように、適切に線速の制御を行なうことができる。
なお、上記実施の形態では、ガラス光ファイバの線速と外径とをもとに、線引きしたガラス光ファイバの総体積を測定しているが、本発明の他の実施の形態として、光ファイバ母材の質量の減少量をもとに線引きしたガラス光ファイバの総体積を測定してもよい。すなわち、光ファイバ母材の質量の減少量が線引きしたガラス光ファイバの質量に相当するとして、これをもとにガラス光ファイバの総体積を測定してもよい。かかる他の実施の形態を実施するには、たとえば光ファイバ母材の昇降機構に光ファイバ母材の質量を測定するためのロードセルを設ければよい。
また、上記実施の形態において、光ファイバ母材の不良部から線引きしたガラス光ファイバに対して被覆を形成しない場合には、ガラス光ファイバは非常に折れやすく、特に外径が太くなる程、少し曲げただけで折れてしまうようになる。そのため、ガラス光ファイバの外径を300μm以下とすることが好ましい。また、ガラス光ファイバは太くなる程その有する熱量が大きくなる。したがって、ガラス光ファイバが直接、キャプスタンローラやガイドロール等のゴム製の部材に接触する場合には、ガラス光ファイバの温度が100℃以下、好ましくは50℃以下になるように冷却し、ガラス光ファイバの熱によるゴム製部材の破損を防止するようにすることが好ましい。
また、上記実施の形態では、第一線速が一定値であるが、一定でなくてもよい。たとえば、ガラス光ファイバの外径D2を外径D3に減少させる工程を、第一線引き工程において行なう場合、この外径の変化に応じて線速を変更してもよい。なお、この際の線速の変更の制御も、線引きしたガラス光ファイバの総体積をもとに行なうことが好ましい。
また、上記実施の形態では、光ファイバ母材の先端部に不良部がある場合を示したが、先端部以外の位置に不良部などの処理すべき部分がある場合に、その一端からガラス光ファイバを線引きする際にも、本発明を適用できる。
また、上記実施の形態では、線引きしたガラス光ファイバの総体積が所定値に達したときに線速を加速するようにしているが、本発明はこれに限られない。すなわち、線引きしたガラス光ファイバの総体積をもとに線速を変更する制御を行なうものであれば、従来よりも適切に線速の制御を行なうことができる。
1 光ファイバ母材
1a 不良部
1b 良品部
1aa、1ba コア部
1ab、1bb クラッド部
1ac ダミー棒
1ad、1ae 部分
2 支持棒
3 ガラス光ファイバ
4 光ファイバ
11 昇降機構
12 線引加熱炉
12a ヒータ
13 外径測定器
14 冷却塔
15a プライマリダイス
15b セカンダリダイス
16a、16b 樹脂
17a、17b UVランプ照射室
18 キャプスタンローラ
19 ガイドロール
100 製造装置
C 制御器

Claims (7)

  1. ガラスからなる光ファイバ母材の一端を加熱溶融し、該一端からガラス光ファイバを線引きする方法であって、
    線引きしたガラス光ファイバの総体積を測定し、該測定した総体積をもとに、ガラス光ファイバの線速を変更する制御を行なうことを特徴とする光ファイバの線引き方法。
  2. 前記ガラス光ファイバを第一線速にて線引きする第一線引き工程と、
    前記測定した総体積が所定値に達したときに、前記ガラス光ファイバの線速を、前記第一線速から第二線速まで加速する第二線引き工程と、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の光ファイバの線引き方法。
  3. 前記所定値を、前記光ファイバ母材の一端における廃棄すべき不良部の体積と、前記第二線引き工程において線引きできるガラス光ファイバの総体積とをもとに設定することを特徴とする請求項2に記載の光ファイバの線引き方法。
  4. 前記ガラス光ファイバの線速と外径とをもとに前記総体積を測定することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の光ファイバの線引き方法。
  5. 前記光ファイバ母材の質量の減少量をもとに前記総体積を測定することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の光ファイバの線引き方法。
  6. 前記第二線引き工程後に、前記第二線速にて製品となるガラス光ファイバを線引きする第三線引き工程をさらに含むことを特徴とする請求項2〜5のいずれか一つに記載の光ファイバの線引き方法。
  7. 前記第一線引き工程において、前記光ファイバ母材の送り長を一旦増加させた後に、前記送り長を減少させることを特徴とする請求項2〜6のいずれか一つに記載の光ファイバの線引き方法。
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