JP2011138959A

JP2011138959A - 電子機器

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Publication number: JP2011138959A
Application number: JP2009298501A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Hongo; 武司本郷
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2009-12-28
Filing date: 2009-12-28
Publication date: 2011-07-14

Abstract

【課題】電子部品との当接を避けるとともに、押圧による回路基板の撓みを抑制することのできる電子機器を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子機器は、メイン処理装置１５０に熱的に接続された受熱ブロック１６０とメイン処理装置１５０をメイン基板１２０の方向に押圧した押圧部材１７０とを備える。そして本発明に係る電子機器は、電子部品１３４と当該電子部品１３４の周囲に位置したボールグリッドアレイ１５３とが設けられたメイン処理装置１５０を、開口１２１ｃが設けられた第１基板層１２１層と開口１２１ｃの少なくとも一部を面１２１ｂ側から覆った第２基板層に対して、開口１２１ｃの周囲にあるパッド１４０とボールグリッドアレイ１５３とが電気的に接続したように実装することにより、電子部品１３４等とメイン基板１２０との当接を避けるとともに、押圧によるメイン基板１２０の撓みを抑制することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は電子機器に関する。

ソケットやハンダボール等の接続端子を介して回路基板に実装される半導体パッケージにおいて、半導体パッケージの接続端子側の面に凸部となるようなメモリやコンデンサ等の電子部品が存在する場合がある。ここで、この凸部が、半導体パッケージを回路基板に接続するための接続端子よりも高いと、凸部と回路基板とが当接して回路基板等が破損する恐れがあるため、凸部と回路基板との当接を避ける必要がある。

これに対し、ＢＧＡ型電子部品を搭載した回路基板を、凹部が形成されている金属芯入り回路基板に接続する技術がある（例えば、特許文献１）。特許文献１には、ＢＧＡ型電子部品を搭載した第１の回路基板と、金属板の上に回路層を有する金属芯回路基板からなり、回路基板のＢＧＡ型電子部品を搭載した面と対向して配置され、ＢＧＡ型電子部品と対応する部分の回路層及び金属芯の一部が除去された第２の回路基板とを備える電子回路装置が開示されている。

特開２００５−２５９８６０

ところで、半導体パッケージの接続端子側の面の反対側の面に発熱量の大きな電子部品が設けられている場合、当該半導体パッケージの電子部品に受熱部材を押圧／当接して、該受熱部材を介して当該電子部品の冷却を行う。しかし、この押圧による圧力は回路基板にも同様に加わることとなるため、回路基板が撓む恐れがある。しかしながら特許文献１記載の技術は、回路基板に押圧が加わる場合について考慮していないため、押圧による回路基板の撓みを抑制することができない恐れがある。

そこで本発明では、電子部品との当接を避けるとともに、押圧による回路基板の撓みを抑制することのできる電子機器の提供を目的とする。

上記の課題を解決するために、請求項１に記載の電子機器は、
第１の電子部品と当該第１の電子部品の周囲に位置した複数の接続端子とが設けられた発熱体と、第１の開口部が設けられた第１の層と、前記第１の開口部の少なくとも一部を前記発熱体の反対側から覆った第２の層と、前記第１の層の前記第１の開口部の周囲に位置した、前記複数の接続端子と夫々電気的に接続した複数のパッドとを有した回路基板と、前記発熱体と対向した受熱部を有し、前記発熱体と熱的に接続された受熱部材と、前記受熱部材を前記回路基板の方向に押圧した押圧部材とを備えることを特徴とする。

また、請求項６に記載の電子機器は、
第１の電子部品と当該第１の電子部品の周囲に位置した複数の接続端子とが設けられた発熱体と、凹部と、当該凹部の周囲に位置し、前記複数の接続端子と夫々電気的に接続した複数のパッドとが設けられた回路基板と、前記発熱体と対向した受熱部を有し、前記発熱体と熱的に接続された受熱部材と、前記受熱部材を前記回路基板の方向に押圧した押圧部材とを備えることを特徴とする。

本発明に拠れば、電子部品との当接を避けるとともに、押圧による回路基板の撓みを抑制することができる。

本発明の第１実施形態に係る電子機器の斜視図。本発明の第１実施形態に係る電子機器の内部構造を示す図。本発明の第１実施形態に係るメイン基板及びメイン基板に取り付けられる構成を示す図。本発明の第１実施形態に係る実装構造の縦断面を示す図。本発明の第１実施形態に係る実装構造の縦断面の詳細を示す図。本発明の第１実施形態に係る実装構造の平面断面を示す図。本発明の第２実施形態に係る実装構造の縦断面を示す図。本発明の第２実施形態に係る実装構造の縦断面の詳細を示す図。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る電子機器の斜視図である。この電子機器は、例えばテレビ放送を受信する受信装置１０として実現されている。そして受信装置１０は、筐体２０と、筐体２０を覆う化粧カバー３０、筐体内の空気を排気又は筐体外の空気を吸気するための通気孔４０、化粧カバー３０の前面を覆うフロント扉５０等を備えている。ここで受信装置１０は、例えば各種のテレビ番組を受信する機能、複数のテレビ番組を同時に録画する機能及び長時間番組を録画する機能等を有しており、また、これら機能を実現するための半導体パッケージを備えている。そして本発明は半導体パッケージと半導体パッケージを実装する回路基板との当接を避けるとともに、回路基板の撓みを抑制することができるものであるが、その詳細については図４乃至図８を参照して説明する。

次に図２を参照して受信装置１０の構造を説明する。図２は図１のＦ１―Ｆ１線に沿う断面から見た受信装置１０の構造を示す図である。
受信装置１０は、筐体２０、底板６０及び天板６１等を備えている。また受信装置１０は筐体２０の内部に、画像処理基板７０、画像処理チップ８０、ヒートシンク９０、チューナ基板１００、チューナモジュール１１０、分配器１１１、メイン基板１２０、接続部材１３０、メイン処理装置１５０、受熱ブロック１６０、押圧部材１７０、Ｉ／Ｏコントローラ１８０、受熱ブロック１９０、押圧部材２００、ヒートパイプ２１０、ヒートパイプ２２０、放熱部材２３０等を備えている。

画像処理基板７０は、画像処理に係る電子部品を実装するための基板であり、底板６０の上方に水平に配置されている。画像処理基板７０には例えば画像を処理するための画像処理チップ８０等が実装されており、当該画像処理チップ８０には、当該画像処理チップを冷却するためのヒートシンク９０が取り付けられている。

チューナ基板１００は、テレビ放送受信に係る電子部品を実装するための基板であり、画像処理基板７０の上方に水平に配置されている。そしてチューナ基板１００には、テレビ放送信号を受信する複数のチューナモジュール１１０及びチューナモジュール１１０に接続された分配器１１１等が実装されている。

メイン基板１２０は、メイン処理装置１５０等を実装するための基板である。メイン基板１２０は、チューナ基板１００の上方に位置しており、接続部材１３０により筐体に水平に取り付けられている。そしてメイン基板１２０は、第１基板層１２１、第２基板層１２２を含む多層基板であり、第１基板層１２１及び第２基板層１２２には夫々回路等が設けられている。なお、メイン基板１２０には、ガラスエポキシ基板等の回路基板を用いることができる。

ここで第１基板層１２１は、チューナ基板１００に対向する層であり、チューナ基板１００と対向する面１２１ａを有している。また第２基板層１２２は、第１基板層１２１に隣接する層であり、天板６１と対向する面１２２ｂを有している。また第１基板層１２１の面１２１ａには、メイン処理装置１５０のボールグリッドアレイ１５３を接続するためのパッド１４０（図２では非図示）が設けられている。

ここで第１基板層１２１の面１２１ａには、メイン処理装置１５０、押圧部材１７０、Ｉ／Ｏコントローラ１８０、押圧部材２００、図示しないコンデンサやメモリ等の複数の電子部品等が実装されている。

メイン処理装置１５０は、例えば画像処理を行う半導体パッケージ等であり、ＢＧＡ等により面１２１ａに実装される。そしてメイン処理装置１５０は、メイン処理装置１５０の動作時に熱を発生する発熱体であり、動作時に発生する熱を第１の受熱ブロック１４０やヒートパイプ２１０等を介して放熱する。

受熱ブロック１６０は、メイン処理装置１５０に当接し、メイン処理装置１５０から発生する熱を受熱する。受熱ブロック１６０を構成する材料の例としては、銅やアルミ等の熱伝導率の高い材料が挙げられる。また受熱ブロック１６０は、ヒートパイプ２１０を熱的に接続するための穴（非図示）を有しており、メイン処理装置１５０から受熱した熱を、当該穴に接続されたヒートパイプ２１０を介して放熱することができる。

なお、ここではメイン処理装置１５０に対して受熱ブロック１６０が熱的に接続され、さらに受熱ブロック１６０に対してヒートパイプ２１０が熱的に接続されるとして説明したが、受信装置１０は、受熱ブロック１６０を備えていなくても良い。例えば扁平形状を有するヒートパイプをメイン処理装置１５０に熱的に接続し、当該ヒートパイプを押圧部材１７０が押圧するものであっても良い。このように受熱ブロック１６０を用いずにヒートパイプをメイン処理装置１５０に熱的に接続することで、筐体２０内の空きスペースを広くすることが可能である。

押圧部材１７０は、メイン基板１２０に取り付けられた押さえバネであり、受熱ブロック１６０をメイン処理装置１５０に対して押圧する。
Ｉ／Ｏコントローラ１８０は、例えばＢＧＡ等によりメイン基板１２０に実装される。
受熱ブロック１９０は、例えば銅やアルミ等の熱伝導率の高い材料からなる部材であり、Ｉ／Ｏコントローラ１８０に当接し、Ｉ／Ｏコントローラ１８０から発生する熱を受熱する。また受熱ブロック１９０は、ヒートパイプ２２０を熱的に接続するための穴を有しており、Ｉ／Ｏコントローラ１８０から受熱した熱を、当該穴に接続されたヒートパイプ２２０を介して放熱することができる。

押圧部材２００は、メイン基板１２０に取り付けられた押さえバネであり、受熱ブロック１９０を、Ｉ／Ｏコントローラ１８０に対して押圧する。
ヒートパイプ２１０は、受熱ブロック１６０に対して熱的に接続された熱輸送パイプであり、受熱ブロック１６０の熱を受熱し、受熱した熱をヒートシンク２３０に輸送する機能を有する。またヒートパイプ２２０は、受熱ブロック１９０に対して熱的に接続された熱輸送パイプであり、受熱ブロック１９０の熱を受熱し、受熱した熱をヒートシンク２３０に輸送する機能を有する。

ヒートシンク２３０は、ヒートパイプ２１０及びヒートパイプ２２０から輸送された熱を受熱／放熱する。ここでヒートシンク２３０は、互いに間隔をもって平行に配置された放熱フィン２３１を備えている。そしてヒートシンク２３０は、ヒートパイプ２１０及びヒートパイプ２２０と熱的に接続され、当該ヒートパイプ２１０及びヒートパイプ２２０から受熱した熱を放熱フィン２３１から放熱する。

次に図３を参照して、メイン基板１２０及びメイン基板１２０に実装される構成部品等について説明する。図３は、メイン基板１２０等を第１基板層１２１の面１２１ａ側から見た図である。

メイン基板１２０は、接続部材１３０（図３では非図示）を取り付ける為の穴３０１を備えている。またメイン基板１２０において、第１基板層１２１の面１２１ａには、図２にて前述した通り、メイン処理装置１５０、押圧部材１７０、Ｉ／Ｏプロセッサ１８０、押圧部材２００等が実装されている。

ここで、押圧部材１７０は十字形の形状を有し、押圧部材１７０をメイン基板１２０に対してハトメ等により接続するための穴３０１と、押圧部材１７０を受熱ブロック１６０に対してハトメ等により接続するための穴３０２とを備えている。

また押圧部材２００はＮ字形の形状を有し、押圧部材２００をメイン基板１２０に取り付ける為の穴３０３、受熱ブロック１９０に接続するための穴３０４等を備えている。

次に図４を参照して、本実施例に係る実装構造を説明する。図４は、図３のＦ３−Ｆ３線に沿った縦断面図である。
メイン基板１２０は、第１基板層１２１、第２基板層１２２等を含んでいる。そして第１基板層は、面１２１ａ、面１２１ａの反対側の面１２１ｂ、開口１２１ｃ、面１２１ａにおいて開口１２１ｃの周囲にある開口周囲１２１ｄ、開口１２１ｃの内周面である開口内周面１２１ｅ等を有している。ここで開口周囲１２１ｄには、メイン処理装置１５０のボールグリッドアレイ１５３とメイン基板１２０とを電気的に接続するためのパッド１４０が設けられている。

また第２基板層１２２は、面１２２ａ、面１２２ａの反対側の面１２２ｂ、開口１２１ｃに対して露出し電子部品１５４及び１５５と対向する面１２２ｃを有しており、第１基板層１２１の開口１２１ｃの全体を、メイン処理装置１５０が実装される面と反対の面１２１ｂ側から覆っている。

ここで第１基板層１２１の面１２１ａには、メイン処理装置１５０等が実装されている。ここでメイン処理装置１５０は、半導体素子１５１、処理装置基板１５２、ボールグリッドアレイ１５３、電子部品１５４、電子部品１５５等を備えている。

半導体素子１５１は、例えば画像処理等を行う半導体素子であり、処理装置基板１５２の面１５２ａに実装されている。また電子部品１５４及び電子部品１５５は、例えばコンデンサやメモリ等の電子部品であり、処理装置基板１５２の面１５２ａの反対の面である面１５２ｂに実装されている。

そしてボールグリッドアレイ１５３は、処理装置基板１５２の面１５２ｂにおいて電子部品１５４及び１５５の周囲に設けられた、複数のハンダボール等の接続部材である。そしてボールグリッドアレイ１５４は、処理装置基板１５２の面１５２ｂとメイン基板の第１基板層の面１２１ａにあるパッド１４０とを接続することにより、メイン処理装置１５０とメイン基板１２０とを電気的に接続する。

ここで、電子部品１５４及び１５５の高さがボールグリッドアレイ１５３よりも高い場合、電子部品１５４及び１５５とメイン基板１２０とが当接することとなる。また、電子部品１５４及び１５５がボールグリッドアレイ１５３より低い場合であっても、押圧部材１７０からの押圧により処理装置基板１５２がメイン基板１２０に向かって歪む場合には、やはり電子部品１５４及び１５５とメイン基板１２０とが当接する恐れがある。そこで本実施例に係る電子機器は、メイン基板１２０の第１基板層１２１に開口１２１ｃを設ける、即ちメイン基板１２０に凹部を設けることにより、電子部品１５４及び１５５とメイン基板１２０との当接を避けている。そして、メイン基板１２０を複数の層の基板から構成することにより、押圧部材１７０からの押圧に対するメイン基板１２０の強度を向上させ、押圧によるメイン基板１２０の歪みを防いでいる。

受熱ブロック１６０は、半導体素子１５１と押圧部材１７０の間に位置しており、面１６０ａと、面１６０ａの反対側の面１６０ｂとを有している。そして面１６０ｂは、押圧部材１７０からの押圧によって半導体素子１５１の面１５１ａに押し当てられている。また受熱ブロック１６０の内部には、ヒートパイプ２１０が通っている。

なお受熱ブロック１６０は、半導体素子１５１に対して熱的に接続されていればよく、例えば受熱ブロック１６０の自重等により半導体素子１５１に押圧されていても良い。

押圧部材１７０は、メイン基板１２０に取り付けられた押さえバネであり、押圧部材１７０の面１７０ａと受熱ブロック１６０の面１６０ａとが接するよう設けられている。そして押圧部材１７０は、受熱ブロック１６０を半導体素子１５１の方向、即ちメイン基板１２０の方向へ押圧する。これにより、受熱ブロック１６０の面１６０ｂは、半導体素子１５１の面１５１ａに対して押し当てられ、半導体素子１５１と受熱ブロック１６０とが熱的に接続されることとなる。

次に図５及び図６を参照して、メイン基板１２０及びメイン処理装置１５０等の各構成における位置関係を説明する。図５は、図３のＦ３−Ｆ３線に沿った縦断面における、メイン基板１２０、メイン処理装置１５０等を示す図である。また図６は、図５におけるＦ５−Ｆ５線に沿った平面断面図である。

ここでＡ１〜Ａ３、Ｂ１、Ｂ２は、メイン基板１２０、メイン処理装置１５０等の各構成／各構成間の幅や高さ、距離等を示している。
具体的には、Ａ１は第１基板層１２１の開口内周面１２１ｅと電子部品１５４の側面１５４ａとの隙間の幅を、Ａ２は処理装置基板１５２の面１５２と第２基板層１２２の面１２２ａとの間の高さを、Ａ３は第１基板層１２１の開口内周面１２１ｅと電子部品１５５の側面１５５ｃとの隙間の幅を示している。

また、Ｂ１は電子部品１５４の高さを、Ｂ２は電子部品１５５の高さを示している。
ここで、電子部品１５４とメイン基板１２０とは、接しないこと、即ちＡ１が０より大きく、またＡ２がＢ１より大きいことが好ましい。これは、電子部品１５４とメイン基板１２０とが当接することによる電子部品１５４やメイン基板１２０の破損等を防ぐためである。

また、電子部品１５５とメイン基板１２０とについても、接しないこと、即ちＡ３が０より大きく、またＡ２がＢ２より大きいことが好ましい。これは、電子部品１５５とメイン基板１２０とが当接することによる電子部品１５５やメイン基板１２０の破損等を防ぐためである。

本実施形態によれば、受信装置１０は、第１基板層１２１に開口１２１ｃを設けることにより、メイン処理装置１５０に設けられた電子部品１５４及び電子部品１５５とメイン基板１２０とが当接することを避けることができるとともに、第１基板層１２１と第２基板層１２２とが２枚重なることにより、押圧部材１７０からの押圧に対するメイン基板１２０の強度が向上し、押圧によるメイン基板１２０の撓みを抑制することができる。

なお本実施例におけるメイン基板１２０は、多層基板でなく、電子部品１５４及び１５５との当接を避けるための凹部を有する１層の回路基板であっても良いが、多層基板を用いれば、多層基板を構成する夫々の層に回路等を設けることができ、多くの回路等を実装することが可能である。

また、本実施形態において、メイン基板１２０の第２基板層１２２は開口部を有していないものとして説明したが、例えば電子部品１５４と第２基板層とが当接する可能性のある場合、即ち図５におけるＢ１がＡ２より大きな場合等には、第２基板層１２２に、電子部品１５４を避けるための開口部又は凹部を設けてもよい。このように第２基板層１２２にも開口部又は凹部を設けることで、電子部品と回路基板との当接を確実に避けることができる。

また、本実施形態において、メイン基板１２０は３層以上の複数の基板の層を含んでいても良い。このように３以上の複数の基板を重ねることにより、押圧に対するメイン基板１２０の強度を更に向上させることができる。また、メイン基板１２０の複数の層の夫々に回路等を実装することができるため、メイン基板１２０により多くの回路等を実装することが可能となる。

（第２実施形態）
次に図７及び図８を参照して、第２実施形態に係る発明を説明する。なお、本実施形態に係る構成のうち第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。
図７は、第２実施形態に係る実装構造の縦断面を示す図である。
ここで、メイン処理装置１５０は、夫々高さの異なる電子部品１５４及び電子部品１５５等を備えている。
また、メイン基板１２０は、第１の基板層１２１、第２の基板層１２２、第３の基板層１２３等を有している。
ここで第１基板層は、面１２１ａ、面１２１ａの反対側の面１２１ｂ、開口１２１ｃ、開口周囲１２１ｄ、開口内周面１２１ｅ等を有している。そして開口周囲１２１ｄには、メイン処理装置１５０のボールグリッドアレイ１５３とメイン基板１２０とを電気的に接続するためのパッド１４０が設けられている。

また第２基板層１２２は、面１２２ａ、面１２２ａの反対側の面１２２ｂ、開口１２１ｃに対して露出し電子部品１５４と対向する面１２２ｃ、開口１２２ｄ、開口１２２ｄの内周にある開口内周面１２２ｅを有しており、第１基板層１２１の開口１２１ｃの一部を、メイン処理装置１５０が実装される面と反対の面１２１ｂ側から覆っている。

第３基板層１２３は、面１２３ａ、面１２３と反対側の面１２３ｂ、開口１２２ｄに対して露出し電子部品１５５と対向する面１２３ｃを有しており、開口１２２ｄの全体を、面１２２ｂ側から覆っている。

続いて図８を参照して、メイン基板１２０とメイン処理装置１５０との各構成の位置関係等を説明する。
ここでＣ１〜Ｃ８、Ｄ１、Ｄ２は、メイン基板１２０、メイン処理装置１５０等の各構成／各構成間の幅や高さ、距離等を示している。
具体的には、Ｃ１は第１基板層１２１の開口内周面１２１ｅと電子部品１５４の側面１５４ａとの隙間の幅を、Ｃ２は処理装置基板１５２の面１５２ｂと第２基板層１２２の面１２２ａとの間の高さを、Ｃ３は処理装置基板１５２の面１５２ｂと第３基板層１２３の面１２３ａとの間の高さを、Ｃ４は第１基板層１２１の開口内周面１２１ｅと電子部品１５５の側面１５５ｃとの隙間の幅を、Ｃ５は第２基板層１２２の開口内周面１２２ｅと電子部品１５５の側面１５５ａとの隙間の幅を、Ｃ６は第２基板層１２２の開口内周面１２２ｅと電子部品１５５の側面１５５ｃとの隙間の幅を、Ｃ７は第１基板層１２１の開口内周面１２１ｅと電子部品１５４の側面１５４ｃとの間の幅を、Ｃ２は第２基板層１２２の面１２２ｃの幅を示している。

また、Ｄ１は電子部品１５４の高さを、Ｄ２は電子部品１５５の高さを示している。
ここで、メイン基板１２０と電子部品１５４及び電子部品１５５とが当接しないこと、即ち、Ｃ１、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６が０よりも大きく、また、Ｃ２がＤ１より大きく、Ｃ３がＤ２より大きいことが好ましい。

なお、図８においては、第２基板層１２２の面１２２ｃが電子部品１５４全体と対向するように示されているが、面１２２ｃが電子部品１５４の一部と対向する、即ち、Ｃ８がＣ７より小さくとも構わない。しかし、Ｃ８がＣ７よりも大きいほうが、第２基板層１２２を広くすることができ、第２基板層により多くの回路等を設けることが可能である。

本実施形態に拠れば、受信装置１０は、基板層を複数重ねることにより、押圧部材１７０からの押圧に対するメイン基板１２０の強度が向上し、押圧によるメイン基板１２０の撓みを抑制することができる。更に、夫々の電子部品の高さに応じた開口部をメイン基板１２０の層毎に設けることにより、電子部品との当接を避けつつ、基板の面積を広くとることができ、基板により多くの回路等を実装することが可能となる。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよく、また、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１０…受信装置、２０…筐体、３０…化粧カバー、４０…通気孔、５０…フロント扉、６０…底板、６１…天板、７０…画像処理基板、８０…画像処理チップ、９０…ヒートシンク、１００…チューナ基板、１１０…チューナモジュール、１１１…分配器、１２０…メイン基板、１２１…第１基板層、１２２…第２基板層、１２３…第３基板層、１３０…接続部材、１４０…パッド、１５０…メイン処理装置、１５１…半導体素子、１５２…処理基板、１５３…ボールグリッドアレイ、１５４…電子部品、１５５…電子部品、１６０…受熱ブロック、１７０…押圧部材、１８０…Ｉ／Ｏコントローラ、１９０…受熱ブロック、２００…押圧部材、２１０…ヒートパイプ、２２０…ヒートパイプ、２３０…ヒートシンク、２３１…放熱フィン

Claims

第１の電子部品と当該第１の電子部品の周囲に位置した複数の接続端子とが設けられた発熱体と、
第１の開口部が設けられた第１の層と、前記第１の開口部の少なくとも一部を前記発熱体の反対側から覆った第２の層と、前記第１の層の前記第１の開口部の周囲に位置した、前記複数の接続端子と夫々電気的に接続した複数のパッドとを有した回路基板と、
前記発熱体と対向した受熱部を有し、前記発熱体と熱的に接続された受熱部材と、
前記受熱部材を前記回路基板の方向に押圧した押圧部材と
を備えることを特徴とする電子機器。
前記第２の層は、前記第１の開口部全体を前記発熱体の反対側から覆った
ことを特徴とする請求項１記載の電子機器。
前記第２の層は、前記第１の開口部に対向した第２の開口部が設けられ、前記第１の開口部の一部を前記発熱体の反対側から覆った
ことを特徴とする請求項１記載の電子機器。
前記発熱体は、前記第１の電子部品と、前記第１の電子部品より高い第２の電子部品が設けられ、
前記複数の接続端子は前記第１の電子部品及び前記第２の電子部品の周囲に位置し、
前記第２の層は、前記第１の層側で露出し、該露出部分で前記第１の電子部品の少なくとも一部と対向した
ことを特徴とする請求項３記載の電子機器。
前記回路基板は、前記第２の開口部側で露出し、該露出部分で前記第２の電子部品の少なくとも一部と対向した第３の層を有した
ことを特徴とする請求項３記載の電子機器。
第１の電子部品と当該第１の電子部品の周囲に位置した複数の接続端子とが設けられた発熱体と、
凹部と、当該凹部の周囲に位置し、前記複数の接続端子と夫々電気的に接続した複数のパッドとが設けられた回路基板と、
前記発熱体と対向した受熱部を有し、前記発熱体と熱的に接続された受熱部材と、
前記受熱部材を前記回路基板の方向に押圧した押圧部材と
を備えることを特徴とする電子機器。