JP2011119885A - 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のターンオフ時において、オフ信号によりゲート電荷を放電させる時にはオフ信号印加の初めに第1の抵抗体とコンデンサにより早く放電させることにより、スイッチング動作時間遅れの増加を防止し、その後第2の抵抗体に切換ることによりゲート電流を減少させることによって、素子間のサージ電圧を低減する。また、電圧駆動型半導体素子のターンオン時には、ダイオードが導通状態となることにより、該第1の抵抗体と該第2の抵抗体が並列構成となるので、前記第1の抵抗体の抵抗値により、早くゲート電荷を充電することができる。
【選択図】図1
Description
IGBTのターンオフ時のサージ抑制の為IGBTのゲート駆動装置のゲート抵抗を大きくした場合の波形例を図3に示す。VGEはIGBT1のゲート・エミッタ間電圧、VCEはIGBT1のコレクタ・エミッタ間電圧を示す。ゲート抵抗を大きくした場合図3の中のVGE・VCEとも実線から破線のように変化する。VGEに注目すると改良前ではオフ信号が入力されると、素早くゲート電圧が低下しIGBTがターンオフ動作を始めていることがわかるが、破線のVGEに注目すると改良前の実線より緩やかに降下していることがわかる。ゲート電圧が緩やかに変化するので、IGBT1の遮断動作も緩やかに行われるため、結果としてゲート抵抗値を増加させることでターンオフのサージ電圧を下げることが出来る。
また、一般にオン動作はスイッチング波形に過大なサージ電圧等の問題が発生しにくいため、オン側のゲート抵抗はサージ電圧抑制のため、あまり大きく設定する必要はない。しかも、オン側ゲート抵抗の増加に伴う損失の増加は、オフ側のゲート抵抗を増加したときの損失増加より非常に顕著に現れる。ここで、従来例のように単一のゲート抵抗ではオン動作とオフ動作を個別に調整することはできない。
本発明は、以上のような課題を解決するためのゲート駆動装置を提供するものである。
電圧駆動型半導体素子と、オン用電源とオン用トランジスタとの直列回路からなるオン用の第1のスイッチング回路と、オフ用電源とオフ用トランジスタとの直列回路からなるオフ用の第2のスイッチング回路とを有するゲート駆動装置において、
該第1のスイッチング回路と該第2のスイッチング回路を直列接続し、オン・オフ指令信号源と、該オン・オフ指令信号源より与えられるオン・オフ信号が前記第1及び前記第2のトランジスタに与えられ、前記第1及び前記第2のスイッチング回路出力と電圧駆動型半導体素子のゲート端子との間に、ダイオードとコンデンサの並列体、該並列体に直列につながれた第1の抵抗体、 該直列体と並列につながれた第2の抵抗体を備えたことを特徴とする電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置。
請求項1に記載のゲート駆動装置において、第2の抵抗体の抵抗値は、第1の抵抗体の抵抗値の8ないし15倍の値となることを特徴とするゲート駆動装置。
該直列体と並列につながれた第2の抵抗体より構成する。
電圧駆動型半導体素子のターンオフ時において、オフ信号によりゲート電荷を放電させる時にはオフ信号印加の初めに第1の抵抗体とコンデンサにより早く放電させることにより、スイッチング動作時間遅れの増加を防止し、その後第2の抵抗体に切換ることによりゲート電流を減少させることによって、素子間のサージ電圧を低減する。また、電圧駆動型半導体素子のターンオン時には、ダイオードが導通状態となることにより、該第1の抵抗体と該第2の抵抗体が並列構成となるので、前記第1の抵抗体の抵抗値により、早くゲート電荷を充電することができる。
本発明によれば、特にIGBTオフ時の遅れ時間を拡大することなくゲート抵抗を大きく設定しスイッチングのサージ電圧を抑制することができ、オンとオフのゲート抵抗を個別に調整することが可能となる。
ターンオン時には、ダイオード3に順方向にバイアスが掛かり導通状態になる為、電流は抵抗体4を通り、ターンオンに適切なゲート抵抗にてオン動作が行われる。このように抵抗体4は、ターンオン時のゲート抵抗として機能する上に、ターンオフ時当初の急速なゲート電荷放電動作を提供しかつこの際にコンデンサによる引抜電流を制限する機能も兼ねている。
2 コンデンサ
3 ダイオード
4、5 抵抗体
6 オン用電源
7 オフ用電源
8 オン用トランジスタ
9 オフ用トランジスタ
10 オン・オフ信号源
Claims (2)
- 電圧駆動型半導体素子と、オン用電源とオン用トランジスタとの直列回路からなるオン用の第1のスイッチング回路と、オフ用電源とオフ用トランジスタとの直列回路からなるオフ用の第2のスイッチング回路とを有するゲート駆動装置において、
該第1のスイッチング回路と該第2のスイッチング回路を直列接続し、オン・オフ指令信号源と、該オン・オフ指令信号源より与えられるオン・オフ信号が前記第1及び前記第2のトランジスタに与えられ、前記第1及び前記第2のスイッチング回路出力と電圧駆動型半導体素子のゲート端子との間に、ダイオードとコンデンサの並列体、該並列体に直列につながれた第1の抵抗体、 該直列体と並列につながれた第2の抵抗体を備えたことを特徴とする電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置。 - 請求項1に記載のゲート駆動装置において、第2の抵抗体の抵抗値は、第1の抵抗体の抵抗値の8ないし15倍の値となることを特徴とするゲート駆動装置。
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