JP2011119534A - Heat treatment apparatus and heat treatment method - Google Patents

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史昭 林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a solidified product of vaporized components from falling onto a substrate while suppressing blockage of an exhaust passage owing to solidification of components vaporized from a coating. <P>SOLUTION: In a treatment vessel 100, a first rectifying plate 140 with multiple first through holes 142 is disposed over a stage 130, and a second rectifying plate 150 with multiple second through holes 152 is disposed over the first rectifying plate 140 within the treatment vessel 100. A cooling portion 160 is provided to cool the second rectifying plate 150. An exhaust port 120, which is provided to the treatment vessel 100, is disposed opposite the stage 130 across the second rectifying plate 150. In a planar view, the second through holes 152 do not overlap the first through holes 142. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板を熱処理する熱処理装置及び熱処理方法に関する。   The present invention relates to a heat treatment apparatus and a heat treatment method for heat treating a substrate.

半導体装置やLCD(Liquid Crystal Display)の製造工程には、基板上の塗布膜を熱処理してベークする熱処理工程が含まれている。この熱処理工程では、塗布膜に含まれる溶剤とともに、低分子成分が揮発する。この揮発した成分は、熱処理装置の処理容器の天板で冷却されるとそこで固化して付着する。この付着物が天板から剥がれて基板上に落下すると、次工程以降におけるパターン不良の原因となる。また塗布膜から揮発した成分は、処理容器内のみではなく排気管の中でも固化することがある。揮発した成分が排気管の中で固化した場合、排気管が閉塞する可能性がある。   A manufacturing process of a semiconductor device or an LCD (Liquid Crystal Display) includes a heat treatment process in which a coating film on a substrate is heat-treated and baked. In this heat treatment step, the low molecular components are volatilized together with the solvent contained in the coating film. This volatilized component solidifies and adheres when cooled by the top plate of the processing container of the heat treatment apparatus. If the adhered material is peeled off from the top plate and dropped on the substrate, it causes a pattern defect in the subsequent process. Further, the component volatilized from the coating film may be solidified not only in the processing container but also in the exhaust pipe. When the volatilized component is solidified in the exhaust pipe, the exhaust pipe may be blocked.

特許文献1には、基板の上方に多孔質の整流板を設けることにより、処理容器の天井から基板に付着物が落下することを抑制することが開示されている。また特許文献2には、基板の上方に下段プレートとトラップ機構をこの順に設け、トラップ機構を冷却することが開示されている。特許文献2において、処理容器内は下段プレート及びトラップ機構を介して排気される。なお下段プレートには貫通孔が複数設けられているが、これらの貫通孔を通った気体は、最終的には下段プレートの中央に設けられた一本の通路を介してトラップ機構に案内される。   Patent Document 1 discloses that a porous rectifying plate is provided above a substrate, thereby suppressing deposits from dropping from the ceiling of the processing container onto the substrate. Patent Document 2 discloses that a lower plate and a trap mechanism are provided in this order above a substrate to cool the trap mechanism. In Patent Document 2, the inside of the processing container is exhausted via a lower plate and a trap mechanism. The lower plate is provided with a plurality of through holes. The gas passing through these through holes is finally guided to the trap mechanism through a single passage provided in the center of the lower plate. .

特開2004−193349号公報JP 2004-193349 A 特開2003−68725号公報JP 2003-68725 A

特許文献1に記載の技術では、処理容器内の天板からの付着物が基板上に落下することは抑制できるが、塗布膜から揮発した成分が排気管の中で固化することは抑制できなかった。一方、特許文献2に記載の技術では、上記したように、貫通孔を通った気体は下段プレートの中央に設けられた一本の排気路を介してトラップ機構に案内される。このような構成の場合、排気路において、塗布膜から揮発した成分が固化し、排気路が閉塞する可能性がある。   In the technique described in Patent Document 1, it is possible to suppress the deposits from the top plate in the processing container from falling on the substrate, but it is not possible to suppress the components volatilized from the coating film from solidifying in the exhaust pipe. It was. On the other hand, in the technique described in Patent Document 2, as described above, the gas that has passed through the through hole is guided to the trap mechanism via a single exhaust path provided in the center of the lower plate. In such a configuration, in the exhaust path, there is a possibility that the component volatilized from the coating film is solidified and the exhaust path is blocked.

このように、塗布膜から揮発した成分が固化することによって排気路が閉塞することを抑制しつつ、揮発した成分の固化物が基板上に落下することを抑制することは難しかった。   As described above, it is difficult to suppress the solidified product of the volatilized component from falling on the substrate while suppressing the exhaust passage from being blocked by the solidified component volatilized from the coating film.

本発明によれば、処理容器と、
前記処理容器内に配置され、基板が載置されるステージと、
前記ステージ上の基板を加熱する加熱部と、
前記処理容器内において前記ステージの上方に配置され、複数の第1貫通孔を有する第1整流板と、
前記処理容器内において前記第1整流板の上方に配置され、複数の第2貫通孔を有する第2整流板と、
前記第2整流板を冷却する冷却部と、
前記処理容器に設けられ、前記第2整流板を介して前記ステージとは逆側に位置する排気口と、
を備え、
平面視において前記第2貫通孔は前記第1貫通孔と重なっていない熱処理装置が提供される。
According to the present invention, a processing vessel;
A stage disposed in the processing vessel and on which a substrate is placed;
A heating unit for heating the substrate on the stage;
A first current plate disposed above the stage in the processing vessel and having a plurality of first through holes;
A second rectifying plate disposed above the first rectifying plate in the processing vessel and having a plurality of second through holes;
A cooling unit for cooling the second current plate;
An exhaust port provided in the processing container and positioned on the opposite side of the stage via the second rectifying plate;
With
A heat treatment apparatus is provided in which the second through hole does not overlap the first through hole in plan view.

本発明によれば、基板の周囲の雰囲気は、第1整流板の第1貫通孔及び第2整流板の第2貫通孔をこの順に取った後、排気口から排気される。この際、第2整流板が冷却されているため、基板上の塗布膜から揮発した成分は第2整流板で固化して付着する。このため、塗布膜から揮発した成分が排気管の中で固化して排気管が閉塞することを抑制できる。   According to the present invention, the atmosphere around the substrate is exhausted from the exhaust port after taking the first through hole of the first rectifying plate and the second through hole of the second rectifying plate in this order. At this time, since the second rectifying plate is cooled, the component volatilized from the coating film on the substrate is solidified and attached by the second rectifying plate. For this reason, it can suppress that the component volatilized from the coating film is solidified in the exhaust pipe and the exhaust pipe is blocked.

また、平面視において第2貫通孔は第1貫通孔と重なっていないため、排気される気体は第1整流板と第2整流板の間の空間を流れる。この場合、基板上の塗布膜から揮発した成分は、第2整流板の下面全体に付着するようになるため、第2整流板のうち第1貫通孔の上方に位置する領域において固化物が成長しにくくなる。従って、第2整流板の付着物が第1貫通孔を通って基板上に落下することを抑制できる。   In addition, since the second through hole does not overlap the first through hole in plan view, the exhausted gas flows through the space between the first rectifying plate and the second rectifying plate. In this case, since the component volatilized from the coating film on the substrate comes to adhere to the entire lower surface of the second rectifying plate, the solidified material grows in the region of the second rectifying plate located above the first through hole. It becomes difficult to do. Therefore, it can suppress that the deposit | attachment of a 2nd baffle plate falls on a board | substrate through a 1st through-hole.

本発明によれば、処理容器内に、塗布膜を有する基板を配置し、
前記処理容器内において、複数の第1貫通孔を有する第1整流板を前記基板の上方に配置し、
前記処理容器内において、平面視において前記第1貫通孔と重なっていない複数の第2貫通孔を有する第2整流板を前記第1整流板の上方に配置し、
前記第2整流板の上方から前記処理容器内を排気しつつ、前記第2整流板を冷却しながら前記基板の前記塗布膜を加熱する熱処理方法が提供される。
According to the present invention, a substrate having a coating film is disposed in a processing container,
In the processing container, a first current plate having a plurality of first through holes is disposed above the substrate,
In the processing container, a second rectifying plate having a plurality of second through holes that do not overlap the first through hole in a plan view is disposed above the first rectifying plate,
There is provided a heat treatment method for heating the coating film of the substrate while evacuating the processing vessel from above the second rectifying plate and cooling the second rectifying plate.

本発明によれば、塗布膜から揮発した成分が固化することによって排気管が閉塞することを抑制しつつ、揮発した成分の固化物が基板上に落下することを抑制できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can suppress that the solidified material of the volatilized component falls on a board | substrate, suppressing that an exhaust pipe obstruct | occludes when the component volatilized from the coating film solidifies.

実施形態に係る熱処理装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the heat processing apparatus which concerns on embodiment. 第1整流板の平面図である。It is a top view of the 1st current plate. 第2整流板の平面図である。It is a top view of the 2nd baffle plate.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, similar constituent elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図1は、実施形態に係る熱処理装置の構成を示す断面図である。図2は、図1に示した熱処理装置が有する第1整流板140の平面図である。図3は、図1に示した熱処理装置が有する第2整流板150の平面図である。この熱処理装置は、基板10を熱処理する装置であり、処理容器100、ステージ130、加熱部132、第1整流板140、第2整流板150、冷却部160、及び排気口120を備えている。ステージ130は処理容器100内に配置され、基板10が載置される。加熱部132はステージ130上の基板10を加熱する。本実施形態において加熱部132は、ステージ130に内蔵されたヒーターである。第1整流板140は処理容器100内においてステージ130の上方に配置されており、複数の第1貫通孔142を有している。第2整流板150は処理容器100内において第1整流板140の上方に配置されており、複数の第2貫通孔152を有している。冷却部160は第2整流板150を冷却する。排気口120は処理容器100に設けられ、第2整流板150を介してステージ130とは逆側に位置している。本図に示す例では、排気口120は処理容器100の天板に設けられているが、処理容器100の側面のうち第2整流板150より上に位置する部分に設けられていても良い。そして平面視において、第2貫通孔152は第1貫通孔142と重なっていない。   FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a heat treatment apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a plan view of the first rectifying plate 140 included in the heat treatment apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a plan view of the second rectifying plate 150 included in the heat treatment apparatus shown in FIG. This heat treatment apparatus is an apparatus for heat treating the substrate 10, and includes a processing vessel 100, a stage 130, a heating unit 132, a first rectifying plate 140, a second rectifying plate 150, a cooling unit 160, and an exhaust port 120. The stage 130 is disposed in the processing container 100 and the substrate 10 is placed thereon. The heating unit 132 heats the substrate 10 on the stage 130. In the present embodiment, the heating unit 132 is a heater built in the stage 130. The first rectifying plate 140 is arranged above the stage 130 in the processing container 100 and has a plurality of first through holes 142. The second rectifying plate 150 is disposed above the first rectifying plate 140 in the processing vessel 100 and has a plurality of second through holes 152. The cooling unit 160 cools the second rectifying plate 150. The exhaust port 120 is provided in the processing container 100 and is located on the opposite side of the stage 130 via the second rectifying plate 150. In the example shown in the figure, the exhaust port 120 is provided in the top plate of the processing container 100, but may be provided in a portion of the side surface of the processing container 100 that is located above the second rectifying plate 150. In plan view, the second through hole 152 does not overlap the first through hole 142.

基板10は、例えば半導体チップとなるウェハや、LCDとなる基板である。そして基板10には、フォトレジスト膜(底部に形成される反射防止膜を含む)、低誘電率絶縁膜、または埋込材などの塗布膜が形成されている。図1に示す熱処理装置は、塗布膜を熱処理してベークするための装置である。そして処理容器100の内部を排気口120から排気しつつ第2整流板150を冷却しながら、基板10の塗布膜を、加熱部132を用いて加熱する。   The substrate 10 is, for example, a wafer that becomes a semiconductor chip or a substrate that becomes an LCD. The substrate 10 is formed with a coating film such as a photoresist film (including an antireflection film formed on the bottom), a low dielectric constant insulating film, or an embedding material. The heat treatment apparatus shown in FIG. 1 is an apparatus for heat-treating and baking a coating film. Then, the coating film on the substrate 10 is heated using the heating unit 132 while cooling the second rectifying plate 150 while exhausting the inside of the processing container 100 from the exhaust port 120.

本実施形態において冷却部160は、第2整流板150に取り付けられた冷却管を有しており、冷却管の内部に冷却水などの冷却媒体を流すことにより第2整流板150を冷却する。図3に示すように、冷却部160を構成する冷却管は、複数の第2貫通孔152の相互間を通るように放射状かつ環状に張り巡らされている。そして最外周に位置する冷却管に冷却媒体が供給され、第2整流板150の中心近傍に位置する冷却管から冷却媒体が排出される。本図に示す例では、冷却管は、第2整流板150のうち処理容器100の天板と対向する面に取り付けられているが、第2整流板150に埋め込まれていても良い。   In the present embodiment, the cooling unit 160 includes a cooling pipe attached to the second rectifying plate 150, and cools the second rectifying plate 150 by flowing a cooling medium such as cooling water through the cooling pipe. As shown in FIG. 3, the cooling pipes constituting the cooling unit 160 are stretched radially and annularly so as to pass between the plurality of second through holes 152. Then, the cooling medium is supplied to the cooling pipe located at the outermost periphery, and the cooling medium is discharged from the cooling pipe located near the center of the second rectifying plate 150. In the example shown in the figure, the cooling pipe is attached to the surface of the second rectifying plate 150 facing the top plate of the processing container 100, but may be embedded in the second rectifying plate 150.

また図2に示すように第1貫通孔142は第1整流板140の全面にほぼ等間隔で設けられており、図3に示すように第2貫通孔152は第2整流板150の全面にほぼ等間隔で設けられている。例えば第1貫通孔142の配置間隔は第2貫通孔152の配置間隔と同じである。そして第1貫通孔と第2貫通孔152は平面視で互い違いとなるように配置されている。   Further, as shown in FIG. 2, the first through holes 142 are provided at almost equal intervals on the entire surface of the first rectifying plate 140, and the second through holes 152 are formed on the entire surface of the second rectifying plate 150 as shown in FIG. They are provided at approximately equal intervals. For example, the arrangement interval of the first through holes 142 is the same as the arrangement interval of the second through holes 152. And the 1st through-hole and the 2nd through-hole 152 are arrange | positioned so that it may become alternate by planar view.

第1整流板140及び第2整流板150は、処理容器100の側面に取り付けられている。このため、第1整流板140と処理容器100の側面の間には隙間がなく、第2整流板150と処理容器100の側面の間には隙間がない。また第2整流板150は処理容器100から取り外し可能に設けられている。   The first rectifying plate 140 and the second rectifying plate 150 are attached to the side surface of the processing container 100. For this reason, there is no gap between the first rectifying plate 140 and the side surface of the processing container 100, and there is no gap between the second rectifying plate 150 and the side surface of the processing container 100. Moreover, the 2nd baffle plate 150 is provided so that removal from the processing container 100 is possible.

なお、処理容器100の側面には吸気口110が設けられている。高さ方向で見た場合、吸気口110は第1整流板140の下面とステージ130の上面の間に位置している。   An intake port 110 is provided on the side surface of the processing container 100. When viewed in the height direction, the air inlet 110 is located between the lower surface of the first rectifying plate 140 and the upper surface of the stage 130.

次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態によれば、基板10の周囲の雰囲気は、第1整流板140の第1貫通孔142及び第2整流板150の第2貫通孔152を介して排気口120から排気される。第2整流板150が冷却されているため、基板10上の塗布膜から揮発した成分は第2整流板150で固化して付着する。このため、塗布膜から揮発した成分が排気管の中で固化することを抑制できる。   Next, the operation and effect of this embodiment will be described. According to the present embodiment, the atmosphere around the substrate 10 is exhausted from the exhaust port 120 through the first through hole 142 of the first rectifying plate 140 and the second through hole 152 of the second rectifying plate 150. Since the second rectifying plate 150 is cooled, the components volatilized from the coating film on the substrate 10 are solidified and attached by the second rectifying plate 150. For this reason, it can suppress that the component volatilized from the coating film solidifies in an exhaust pipe.

また、平面視において第2貫通孔152は第1貫通孔142と重なっていないため、第1貫通孔142を通った気体は、第2貫通孔152を通る前に、第1整流板140と第2整流板150の間の空間を水平に流れる。このため、基板10上の塗布膜から揮発した成分は、第2整流板150の下面全体に付着するようになり、第2整流板150のうち第1貫通孔142の上方に位置する領域において固化物が成長しにくくなる。従って、第2整流板150の付着物が第1貫通孔142を通って基板上に落下することを抑制できる。   In addition, since the second through hole 152 does not overlap the first through hole 142 in plan view, the gas that has passed through the first through hole 142 and the first current plate 140 and the first It flows horizontally through the space between the two rectifying plates 150. For this reason, the component volatilized from the coating film on the substrate 10 comes to adhere to the entire lower surface of the second rectifying plate 150 and solidifies in the region of the second rectifying plate 150 located above the first through hole 142. Things are difficult to grow. Therefore, it is possible to suppress the deposits on the second rectifying plate 150 from falling on the substrate through the first through hole 142.

また上記したように、第1貫通孔142を通った気体は、第1整流板140と第2整流板150の間の空間を水平に流れるため、長い時間第2整流板150に接する。従って、基板10上の塗布膜から揮発した成分は効率よく第2整流板150にトラップされる。   Further, as described above, the gas that has passed through the first through-hole 142 flows horizontally in the space between the first rectifying plate 140 and the second rectifying plate 150, and therefore contacts the second rectifying plate 150 for a long time. Therefore, the component volatilized from the coating film on the substrate 10 is efficiently trapped on the second rectifying plate 150.

また、第2整流板150と処理容器100の側面の間には隙間がない。このため、基板10の周囲の雰囲気は、排気される際に確実に第1整流板140と第2整流板150の間の空間を流れる。従って、塗布膜から揮発した成分が排気管の中で固化することをさらに抑制できる。   In addition, there is no gap between the second current plate 150 and the side surface of the processing container 100. For this reason, the atmosphere around the substrate 10 surely flows through the space between the first rectifying plate 140 and the second rectifying plate 150 when exhausted. Therefore, it can further suppress that the component volatilized from the coating film solidifies in the exhaust pipe.

また、第2整流板150は処理容器100から取り外し可能に設けられている。このため、第2整流板150のメンテナンスを容易に行えるようになり、熱処理装置の稼働率を上げることができる。   Moreover, the 2nd baffle plate 150 is provided so that removal from the processing container 100 is possible. Therefore, maintenance of the second rectifying plate 150 can be easily performed, and the operating rate of the heat treatment apparatus can be increased.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

10 基板
100 処理容器
110 吸気口
120 排気口
130 ステージ
132 加熱部
140 第1整流板
142 第1貫通孔
150 第2整流板
152 第2貫通孔
160 冷却部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 100 Processing container 110 Intake port 120 Exhaust port 130 Stage 132 Heating unit 140 First rectifying plate 142 First through hole 150 Second rectifying plate 152 Second through hole 160 Cooling unit

Claims (4)

処理容器と、
前記処理容器内に配置され、基板が載置されるステージと、
前記ステージ上の基板を加熱する加熱部と、
前記処理容器内において前記ステージの上方に配置され、複数の第1貫通孔を有する第1整流板と、
前記処理容器内において前記第1整流板の上方に配置され、複数の第2貫通孔を有する第2整流板と、
前記第2整流板を冷却する冷却部と、
前記処理容器に設けられ、前記第2整流板を介して前記ステージとは逆側に位置する排気口と、
を備え、
平面視において前記第2貫通孔は前記第1貫通孔と重なっていない熱処理装置。
A processing vessel;
A stage disposed in the processing vessel and on which a substrate is placed;
A heating unit for heating the substrate on the stage;
A first current plate disposed above the stage in the processing vessel and having a plurality of first through holes;
A second rectifying plate disposed above the first rectifying plate in the processing vessel and having a plurality of second through holes;
A cooling unit for cooling the second current plate;
An exhaust port provided in the processing container and positioned on the opposite side of the stage via the second rectifying plate;
With
A heat treatment apparatus in which the second through hole does not overlap the first through hole in plan view.
請求項1に記載の熱処理装置において、
前記第2整流板と前記処理容器の側面の間には隙間がない熱処理装置。
The heat treatment apparatus according to claim 1,
A heat treatment apparatus having no gap between the second current plate and the side surface of the processing container.
請求項1又は2に記載の熱処理装置において、
前記第2整流板は前記処理容器から取り外し可能に設けられている熱処理装置。
In the heat treatment apparatus according to claim 1 or 2,
The heat treatment apparatus, wherein the second rectifying plate is detachable from the processing container.
処理容器内に、塗布膜を有する基板を配置し、
前記処理容器内において、複数の第1貫通孔を有する第1整流板を前記基板の上方に配置し、
前記処理容器内において、平面視において前記第1貫通孔と重なっていない複数の第2貫通孔を有する第2整流板を前記第1整流板の上方に配置し、
前記第2整流板の上方から前記処理容器内を排気しつつ、前記第2整流板を冷却しながら前記基板の前記塗布膜を加熱する熱処理方法。
A substrate having a coating film is disposed in the processing container,
In the processing container, a first current plate having a plurality of first through holes is disposed above the substrate,
In the processing container, a second rectifying plate having a plurality of second through holes that do not overlap the first through hole in a plan view is disposed above the first rectifying plate,
A heat treatment method of heating the coating film of the substrate while evacuating the processing vessel from above the second rectifying plate and cooling the second rectifying plate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013254196A (en) * 2012-05-11 2013-12-19 Ricoh Co Ltd Electrochromic display device
KR20190136957A (en) * 2018-05-31 2019-12-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Reduced pressure drying apparatus and reduced pressure drying method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013254196A (en) * 2012-05-11 2013-12-19 Ricoh Co Ltd Electrochromic display device
KR20190136957A (en) * 2018-05-31 2019-12-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Reduced pressure drying apparatus and reduced pressure drying method
CN110548658A (en) * 2018-05-31 2019-12-10 株式会社斯库林集团 Reduced pressure drying device and reduced pressure drying method
JP2019211109A (en) * 2018-05-31 2019-12-12 株式会社Screenホールディングス Vacuum dryer, and vacuum drying method
TWI742374B (en) * 2018-05-31 2021-10-11 日商斯庫林集團股份有限公司 Reduced pressure drying apparatus and reduced pressure drying method
KR102396229B1 (en) 2018-05-31 2022-05-09 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Reduced pressure drying apparatus and reduced pressure drying method

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