JP3555734B2 - Substrate heat treatment equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用の基板などの各種の基板にポリイミド樹脂液やフォトレジスト液などを塗布した後に、その基板を加熱して溶剤成分を蒸発させるための基板加熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の基板加熱処理装置を図5を参照して説明する。
この基板加熱処理装置は、半導体基板などの基板Wを載置する加熱プレート1と、加熱プレート1上の基板Wを覆う昇降可能なカバー2とを備えている。カバー2を開放した状態で、ポリイミド樹脂などが塗布された基板Wが加熱プレート1上に配置され、続いて、カバー2が下降してカバー2内に処理空間Sが形成される。加熱プレート1で基板Wが加熱されると、基板Wから溶剤成分が蒸発する。具体的には基板Wにポリイミド樹脂液が塗布されている場合、ポリイミド樹脂の溶剤であるNMP(Nメチル2ピロリドン)が蒸発する。この溶剤成分はカバー2の上部に連通接続された排気管4を介して強制排気される。カバー2の下端にはフッ素樹脂などで形成されたリング状の部材5が嵌め付けられており、金属製のカバー2が加熱プレート1に直接に接触することによるパーティルの発生を防止している。
【0003】
しかし、この基板加熱処理装置によると、カバー2が樹脂製の部材5によって加熱プレート1から熱的に分離されているので、カバー2が比較的に低温であり、基板Wから蒸発した溶剤成分がカバー2の内壁に接触して冷却される。その結果、カバー2の内壁に溶剤成分が結露し、この結露した溶剤成分が基板W上に落下して基板Wを汚染することがある。
【0004】
そこで、本出願人は、溶剤成分が結露してカバー2の内壁に付着するのを防止するようにした基板加熱処理装置を先に提案している(実開平6−45335号公報参照)。以下、図6を参照して説明する。この基板加熱処理装置は、短筒状の第1のカバー部材6と、この第1のカバー部材6にネジ部材7を介して取付けられた第2のカバー部材8とからなるカバー9を備えている。第1のカバー部材6と第2のカバー部材8との間には環状流路10が形成されている。基板Wの熱処理時に環状流路10から外気をカバー9内に取り込み、この外気をカバー9の内壁に沿って強制排気している。このような排気構造によれば、基板Wから蒸発した溶剤成分はカバー9の内壁に接触することなく、カバー9内に取り込んだ外気とともに排気されるので、溶剤成分が結露してカバー9の内壁に付着するのを防止することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように実開平6−45335号公報に開示された基板加熱処理装置は、蒸発した溶剤成分がカバー9の内壁に結露するのを有効に防止することができるが、排気管9に連通接続される図示しない排気手段の排気能力が充分であることが必要とされる。しかし、排気手段の排気能力を確保することが困難な場合もある。以下に具体的に説明する。
【0006】
最近の半導体デバイスの微細化に伴い、保護膜として用いられるポリイミド樹脂膜は厚くなる傾向にある。基板上にポリイミド樹脂を厚く塗布すると、基板加熱処理装置のカバー内での溶剤成分の蒸発量が増えるので、この溶剤成分の結露を防止するためにカバー内の排気量を増やす必要がある。しかし、この種の基板加熱処理装置が設置される半導体製造工場に備えられている排気ラインは、有機溶剤を使用する他の装置にも共通使用されている関係で、排気能力を高くすることができない場合もある。このような場合、実開平6−45335号公報に開示された基板加熱処理装置によっても、溶剤成分の結露を有効に防止することができなくなる。
【0007】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、カバー内の排気量を強めなくても、カバー内壁への溶剤成分の結露を有効に防止することができる基板加熱処理装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、加熱処理される基板を載置する加熱プレートと、下端が開口し、上方が閉塞した形状を呈し、前記加熱プレートに載置された基板を覆って、その内部に処理空間を形成するとともに、前記処理空間に連通する排気孔を備えたカバーと、基板の加熱処理時に前記カバーの下端の金属露出面と接触してカバーを支持するとともに、前記加熱プレートに熱的に結合しているカバー受け部と、前記加熱プレートの基板載置面と前記カバー受け部とを隔てる隔壁部とを備えたことを特徴とする。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板加熱処理装置において、前記隔壁部が、加熱プレートの基板載置面を囲うように加熱プレートに取付けられた金属製の筒状体であり、前記カバー受け部が、前記筒状体の外周面に取付けられた金属製の鍔部である。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の基板加熱処理装置において、前記隔壁部は、加熱プレートの基板載置面を囲うように加熱プレートに取付けられた筒状体であり、前記カバー受け部は、前記筒状体の外側に位置する、前記加熱プレートの上面部位である。
【0011】
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の基板加熱処理装置において、前記加熱プレートは、基板載置面を囲うように形成された、基板載置面よりも低くなっている段差部を備え、前記カバー受け部は、前記段差部の平坦面であり、前記隔壁部は、前記段差部の立ち上がり壁面である。
【0012】
請求項5に記載の発明は、請求項2に記載の基板加熱処理装置において、前記筒状体には、前記鍔部が取付けられた位置よりも低い位置に、前記処理空間に外気を取り入れるための孔が形成されている。
【0013】
請求項6に記載の発明は、請求項3または4に記載の基板加熱処理装置において、前記カバーには、前記処理空間内に外気を取り入れるための孔が形成されている。
【0014】
【作用】
請求項1に記載の発明の作用は次のとおりである。
基板の加熱処理時に、加熱プレートに熱的に結合しているカバー受け部にカバーの下端の金属露出面が接触する。その結果、加熱プレートからカバーへ熱が伝導してカバーの温度が上昇する。したがって、加熱プレートに載置された基板から溶剤成分が蒸発しても、この溶剤成分はカバーの内壁で冷却されないので、カバーに結露することがなく、カバーの排気孔を介して排出される。また、カバー受け部にカバーの下端の金属露出面が接触することにより、仮にパーティクルが発生しても、加熱プレートの基板載置面とカバー受け部とは隔壁部によって隔てられているので、パーティクルが加熱プレートの基板載置面側に侵入して基板を汚染することもない。
【0015】
請求項2に記載の発明によれば、加熱プレートの熱が筒状体および鍔部を介してカバーに伝達されて、カバーの温度が上昇するので、基板から蒸発した溶剤成分がカバーの内壁に結露することがない。また、カバーの下端の金属露出面と鍔部とが接触して、仮にパーティクルが発生しても、加熱プレートの基板載置面が筒状体で囲われているので、パーティクルが加熱プレートの基板載置面側に侵入して基板を汚染することもない。
【0016】
請求項3に記載の発明によれば、加熱プレートの熱がカバーに直接に伝達されて、カバーの温度が上昇するので、基板から蒸発した溶剤成分がカバーの内壁に結露することがない。また、カバーの下端の金属露出面と加熱プレートの上面部位とが接触して、仮にパーティクルが発生しても、加熱プレートの基板載置面が筒状体で囲われているので、パーティクルが加熱プレートの基板載置面側に侵入して基板を汚染することもない。
【0017】
請求項4に記載の発明によれば、カバーの下端が加熱プレートの段差部の平坦面と接触することにより、カバーの温度が上昇するので、基板から蒸発した溶剤成分がカバーの内壁に結露することがない。また、カバーの下端の金属露出面と加熱プレートの段差部の平面面とが接触して、仮にパーティクルが発生しても、加熱プレートの基板載置面と加熱プレートの段差部の平坦面とは、その段差部の立ち上がり壁面で隔たっているので、パーティクルが加熱プレートの基板載置面側に侵入して基板を汚染することもない。
【0018】
請求項5に記載の発明によれば、基板から蒸発した溶剤成分は、筒状体に形成された孔から処理空間内に取り入れられた外気の気流に乗ってカバーの排気孔から排出される。
【0019】
請求項6に記載の発明によれば、基板から蒸発した溶剤成分は、カバーに形成された孔から処理空間内に取り入れられた外気の気流に乗ってカバーの排気孔から排出される。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
<第1実施例>
図1は、本発明に係る基板加熱処理装置の第1実施例の概略構成を示した断面図である。
【0021】
この基板加熱処理装置は、加熱処理される基板Wを載置する加熱プレート10を備えている。加熱処理される基板Wは、例えばポリイミド樹脂液が塗布された半導体ウエハである。この加熱プレート10の上面の中央領域が基板載置面10aになっている。加熱プレート10の上面には基板載置面10aを囲うように短い筒状体20がネジ止め固定されて、加熱プレート10と熱的に結合している。筒状体20はステンレス鋼などの金属で形成されている。なお、筒状体20を加熱プレート10に熱的に結合するための取付け手法は、ネジ止め固定に限らず、加熱プレート10に環状の溝を形成し、この溝に筒状体20を圧入してもよいし、あるいは筒状体20を加熱プレート10に溶接接続してよい。
【0022】
筒状体20の外周面の略中程の高さのところに鍔部21が取付けられている。この鍔部21も筒状体20と同様に、ステンレス鋼などの金属で形成されている。また筒状体20には、鍔部21が取付けられた位置よりも低い位置に外気を取り入れための孔22が形成されている。なお、後述する説明から明らかになるように、上記の筒状体20は本発明における隔壁部に、鍔部21はカバー受け部に相当する。
【0023】
さらに、基板加熱処理装置は、下端が開口し、上方が閉塞した釣鐘形状のカバー30を備えている。カバー30はステンレス鋼などの金属で形成されている。基板Wの加熱処理時には、カバー30の下端の金属露出面30aが鍔部21に接触し、カバー30の内部に処理空間Sが形成される。カバー30の上端部に排気孔31が形成され、この排気孔31に排気管32が連通接続されている。排気管32は図示しない排気手段に接続されている。
【0024】
加熱プレート10には基板載置面10aから出没する昇降自在の複数本の基板支持ピン40が設けられている。この基板支持ピン40は、取付けアーム41を介してエアーシリンダ42のロッドに連結されている。また、カバー30も支持アーム43を介してエアーシリンダ42のロッドに連結されている。エアーシリンダ42のロッドが伸縮すると、これに同期して基板支持ピン40およびカバー30が昇降するようになっている。
【0025】
次に、上述した構成を備えた第1実施例装置の動作を説明する。
基板Wの搬入のために、エアーシリンダ42のロッドが伸びると、図2に示すように、カバー30が上昇するとともに、基板支持ピン40が基板載置面10aから突出する。図示しない基板搬送ロボットが基板Wを搬送してきて、基板支持ピン40の上に基板Wを受け渡す。続いて、エアーシリンダ42のロッドが収縮して、基板支持ピン40が下降することにより、基板Wが基板載置面10aの上に載置される。基板支持ピン40の下降と同時に、カバー30が下降し、カバー30の下端の金属露出面30aが筒状体20の鍔部21に接触することにより、カバー30が支持される(図1の状態)。
【0026】
基板載置10aに載置された基板Wは、加熱プレート10で加熱処理される。基板Wに例えばポリイミンド樹脂が塗布されている場合、その溶剤成分(Nメチル2ピロリドン)が蒸発する。処理空間Sに放出された溶剤成分は、筒状体20の孔22から処理空間S内に取り込まれた外気とともに、排気孔31を介して排出される。このとき、筒状体20は加熱プレート10に熱的に結合しているので、筒状体20の鍔部21は加熱プレート10とほぼ同じ温度になっている。この鍔部21がカバー30の下端の金属露出面30aと接触しているので、カバー30の温度も高くなっている。したがって、基板Wから蒸発した溶剤成分がカバー30の内壁に接触しても冷却されないので、溶剤成分がカバー30の内壁に結露することがなく、円滑に排気される。ちなみに、カバー30の温度が60〜70°C以上であれば、溶剤成分がカバー30の内壁に結露することがない。また、カバー30の下端の金属露出面30aが鍔部21に直接に接触することにより、仮にパーティクルが発生しても、基板載置面10aと鍔部21との間に筒状体20が介在して両者が隔たっているので、パーティクルが基板載置面10a側に侵入して基板Wを汚染することもない。
【0027】
基板Wの加熱処理が終わると、エアーシリンダ42のロッドが伸びて、基板支持ピン40が上昇して基板Wが持ち上げられるとともに、カバー30が上昇する。続いて、図示しない基板搬送ロボットが処理済みの基板Wを搬出した後、新たな基板Wを搬入する。以後、同様の加熱処理が繰り返し行われる。
【0028】
<第2実施例>
図3は、本発明に係る基板加熱処理装置の第2実施例の概略構成を示した断面図である。図3において、図1中の各符号と同一の符号で示した構成部分は、第1実施例と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【0029】
第2実施例に係る基板加熱処理装置の特徴は次のとおりである。
加熱プレート10の基板載置面10aを囲うように、隔壁部としての筒状体23が加熱プレート10上に設けられている。そして、この筒状体23の外側に位置する、加熱プレート10の上面部位10bが、カバー33の下端の金属露出面30aと接触してカバー33を支持するカバー受け部として用いられている。また、カバー33には、外気を処理空間S内に取り込むための孔34が設けられている。
【0030】
本実施例によれば、カバー33の下端の金属露出面30aが加熱プレート10の上面部位10bに直接に接触しているので、カバー33の温度が一層効果的に上昇する。したがって、加熱処理によって基板Wから溶剤成分が蒸発しても、カバー33の内壁に結露することがない。蒸発した溶剤成分は、カバー33の孔34から取り込まれた外気とともに、排気孔31から排出される。基板載置面10aは筒状体23で囲われているので、カバー33の下端の金属露出面30aが加熱プレート10の上面部位10bに接触して仮にパーティクルが発生しても、基板載置面10a側に侵入して基板Wを汚染することもない。
【0031】
<第3実施例>
図4は、本発明に係る基板加熱処理装置の第3実施例の概略構成を示した断面図である。図4において、図1中の各符号と同一の符号で示した構成部分は、第1実施例と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【0032】
第3実施例に係る基板加熱処理装置の特徴は次のとおりである。
加熱プレート10に、基板載置面10aを囲うように、基板載置面10aよりも低くなっている段差部11がリング状に形成されている。この段差部11の平坦面11aが、カバー35の下端の金属露出面30aと接触してカバー35を支持するカバー受け部を構成している。また、段差部11の立ち上がり壁面11bが、基板載置面10aとカバー受け部とを隔てる隔壁部としての機能をもっている。また、カバー35には、外気を処理空間S内に取り込むための孔36が設けられている。
【0033】
本実施例によれば、カバー35の下端の金属露出面30aが加熱プレート10の段差部11の平坦面11aに接触しているので、カバー35の温度が上昇する。したがって、加熱処理によって基板Wから溶剤成分が蒸発しても、カバー35の内壁に結露することがない。蒸発した溶剤成分は、カバー35の孔36から取り込まれた外気とともに、排気孔31から排出される。基板載置面10aは段差部11の立ち上がり壁面11bで囲われているので、カバー35の下端の金属露出面30aが加熱プレート10の段差部11の平坦面11aに接触して仮にパーティクルが発生しても、基板載置面10a側に侵入して基板Wを汚染することもない。
【0034】
なお、上述した各実施例において、カバー30,33,35や排気管32の外周面に面状ヒータなどを取り付けて、カバー30,33,35や排気管32を加熱するようにすれば、基板Wから蒸発した溶剤成分の結露防止の効果を一層高めることができる。
【0035】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば次の効果を奏する。
請求項1に記載の発明によれば、基板の加熱処理時にカバーの温度が上昇するので、基板から蒸発した溶剤成分がカバー内壁で結露することがない。したがって、カバー内での溶剤成分の結露防止のために、カバー内の排気量を強める必要がない。また、加熱プレートの基板載置面とカバー受け部とは隔壁部で隔たっているので、カバーの下端とカバー受け部とが接触して仮にパーティクルが発生しても、このパーティクルが加熱プレート上の基板を汚染することもない。
【0036】
同様に請求項2〜請求項4の各発明によれば、基板の加熱処理時にカバーが昇温するので、カバー内壁に溶剤成分が結露することがない。また、請求項2および請求項3に記載の発明によれば、加熱プレートの基板載置面が筒状体で囲われており、また、請求項4に記載の発明によれば、加熱プレートの基板載置面が段差部の立ち上がり壁面で囲われているので、加熱プレートの基板載置面側へ外部からパーティクルが侵入して基板を汚染するということもない。
【0037】
さらに、請求項5に記載の発明によれば、筒状体に形成された孔を介して、また、請求項6に記載の発明によれば、カバーに形成された孔を介して、それぞれ処理空間に外気が取り入れられるので、基板から蒸発した溶剤成分を外気の気流に乗せてカバーの排気孔から円滑に排出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板加熱処理装置の第1実施例の概略構成を示した断面図である。
【図2】第1実施例装置の基板搬入・搬出時の状態を示す断面図である。
【図3】第2実施例の概略構成を示した断面図である。
【図4】第3実施例の概略構成を示した断面図である。
【図5】従来装置の概略構成を示した断面図である。
【図6】従来装置の概略構成を示した断面図である。
【符号の説明】
10…加熱プレート
10a…基板載置面
10b…上面部位(カバー受け部)
11…段差部
11a…段差部の平坦面(カバー受け部)
11b…段差部の立ち上がり壁面(隔壁部)
20,23…筒状態(隔壁部)
21…鍔部(カバー受け部)
22…外気取り入れ用の孔
30,33,35…カバー
30a…金属露出面
31…排気孔
34,36…外気取り入れ用の孔
W…基板
S…処理空間[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention applies a polyimide resin solution or a photoresist solution to various substrates such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk, and then heats the substrate to form a solvent. The present invention relates to a substrate heating apparatus for evaporating components.
[0002]
[Prior art]
A conventional substrate heating apparatus of this type will be described with reference to FIG.
The substrate heating apparatus includes a
[0003]
However, according to this substrate heating apparatus, since the
[0004]
In view of this, the present applicant has previously proposed a substrate heating apparatus that prevents the solvent component from condensing and adhering to the inner wall of the cover 2 (see Japanese Utility Model Laid-Open No. 6-45335). Hereinafter, description will be made with reference to FIG. The substrate heating apparatus includes a cover 9 including a short cylindrical
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the substrate heating apparatus disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 6-45335 can effectively prevent the evaporated solvent component from condensing on the inner wall of the cover 9. It is required that the exhaust means (not shown) has sufficient exhaust capacity. However, in some cases, it is difficult to secure the exhaust capability of the exhaust unit. This will be specifically described below.
[0006]
With recent miniaturization of semiconductor devices, a polyimide resin film used as a protective film tends to be thick. When the polyimide resin is applied thickly on the substrate, the amount of evaporation of the solvent component in the cover of the substrate heat treatment apparatus increases. Therefore, it is necessary to increase the exhaust amount in the cover in order to prevent dew condensation of the solvent component. However, the exhaust line provided in a semiconductor manufacturing plant in which this type of substrate heating apparatus is installed is commonly used in other apparatuses using an organic solvent, and therefore, it is necessary to increase the exhaust capacity. There are times when you can't. In such a case, even with the substrate heating apparatus disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 6-45335, the dew condensation of the solvent component cannot be effectively prevented.
[0007]
The present invention has been made in view of such circumstances, and a substrate heat treatment apparatus capable of effectively preventing dew condensation of a solvent component on an inner wall of a cover without increasing the exhaust amount in the cover. It is intended to provide.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration to achieve such an object.
That is, the invention according to
[0009]
According to a second aspect of the present invention, in the substrate heating apparatus according to the first aspect, the partition wall is a metal tubular body attached to the heating plate so as to surround the substrate mounting surface of the heating plate. The cover receiving portion is a metal flange attached to the outer peripheral surface of the tubular body.
[0010]
According to a third aspect of the present invention, in the substrate heating apparatus according to the first aspect, the partition is a tubular body attached to the heating plate so as to surround a substrate mounting surface of the heating plate, The cover receiving portion is an upper surface portion of the heating plate located outside the tubular body.
[0011]
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate heating apparatus according to the first aspect, the heating plate is formed so as to surround the substrate mounting surface, and the step portion is lower than the substrate mounting surface. And the cover receiving portion is a flat surface of the step portion, and the partition portion is a rising wall surface of the step portion.
[0012]
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate heating apparatus of the second aspect, the outside air is introduced into the processing space at a position lower than a position where the flange is attached to the cylindrical body. Holes are formed.
[0013]
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate heating apparatus according to the third or fourth aspect, the cover is provided with a hole for introducing outside air into the processing space.
[0014]
[Action]
The operation of the invention described in
During the heat treatment of the substrate, the exposed metal surface at the lower end of the cover comes into contact with the cover receiving portion thermally coupled to the heating plate. As a result, heat is conducted from the heating plate to the cover, and the temperature of the cover increases. Therefore, even if the solvent component evaporates from the substrate placed on the heating plate, the solvent component is not cooled by the inner wall of the cover, so that the solvent component does not condense on the cover and is discharged through the exhaust hole of the cover. Also, even if particles are generated due to contact of the metal exposed surface at the lower end of the cover with the cover receiving portion, since the substrate mounting surface of the heating plate and the cover receiving portion are separated by the partition, the particles Does not enter the substrate mounting surface of the heating plate and contaminate the substrate.
[0015]
According to the invention described in
[0016]
According to the third aspect of the invention, since the heat of the heating plate is directly transmitted to the cover and the temperature of the cover rises, the solvent component evaporated from the substrate does not condense on the inner wall of the cover. Also, even if the exposed metal surface at the lower end of the cover comes into contact with the upper surface of the heating plate and particles are generated, the particles are heated because the substrate mounting surface of the heating plate is surrounded by a cylindrical body. There is no contamination of the substrate by invading the substrate mounting surface side of the plate.
[0017]
According to the fourth aspect of the present invention, the temperature of the cover rises when the lower end of the cover comes into contact with the flat surface of the step portion of the heating plate, so that the solvent component evaporated from the substrate condenses on the inner wall of the cover. Nothing. Also, even if the exposed metal surface at the lower end of the cover and the flat surface of the step portion of the heating plate come into contact with each other and particles are generated, if the substrate mounting surface of the heating plate and the flat surface of the step portion of the heating plate are Also, since the particles are separated by the rising wall surface of the step, the particles do not enter the substrate mounting surface side of the heating plate and contaminate the substrate.
[0018]
According to the fifth aspect of the invention, the solvent component evaporated from the substrate is discharged from the exhaust hole of the cover on the airflow of the outside air taken into the processing space from the hole formed in the cylindrical body.
[0019]
According to the sixth aspect of the present invention, the solvent component evaporated from the substrate is exhausted from the exhaust hole of the cover on the airflow of the outside air introduced into the processing space from the hole formed in the cover.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<First embodiment>
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a first embodiment of a substrate heating apparatus according to the present invention.
[0021]
The substrate heating apparatus includes a
[0022]
A
[0023]
Further, the substrate heating apparatus includes a bell-shaped
[0024]
The
[0025]
Next, the operation of the first embodiment having the above-described configuration will be described.
When the rod of the
[0026]
The substrate W placed on the
[0027]
When the heat treatment of the substrate W is completed, the rod of the
[0028]
<Second embodiment>
FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a second embodiment of the substrate heating apparatus according to the present invention. In FIG. 3, the components indicated by the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same as those in the first embodiment, and thus description thereof will be omitted.
[0029]
The features of the substrate heating apparatus according to the second embodiment are as follows.
A
[0030]
According to the present embodiment, the metal exposed
[0031]
<Third embodiment>
FIG. 4 is a sectional view showing a schematic configuration of a third embodiment of the substrate heating apparatus according to the present invention. In FIG. 4, the components indicated by the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
[0032]
The features of the substrate heating apparatus according to the third embodiment are as follows.
The
[0033]
According to the present embodiment, since the metal exposed
[0034]
In each of the above-described embodiments, if the
[0035]
【The invention's effect】
As apparent from the above description, the present invention has the following effects.
According to the first aspect of the present invention, the temperature of the cover increases during the heat treatment of the substrate, so that the solvent component evaporated from the substrate does not condense on the inner wall of the cover. Therefore, it is not necessary to increase the exhaust volume in the cover in order to prevent the dew condensation of the solvent component in the cover. Further, since the substrate mounting surface of the heating plate and the cover receiving portion are separated by the partition wall portion, even if the lower end of the cover and the cover receiving portion come into contact with each other and generate particles, the particles may be placed on the heating plate. There is no contamination of the substrate.
[0036]
Similarly, according to the second to fourth aspects of the present invention, the temperature of the cover rises during the heat treatment of the substrate, so that the solvent component does not condense on the inner wall of the cover. Further, according to the second and third aspects of the present invention, the substrate mounting surface of the heating plate is surrounded by a cylindrical body. Since the substrate mounting surface is surrounded by the rising wall surface of the step, there is no possibility that particles enter the substrate mounting surface of the heating plate from the outside and contaminate the substrate.
[0037]
Furthermore, according to the fifth aspect of the present invention, the treatment is performed via a hole formed in the cylindrical body, and according to the sixth aspect of the invention, the treatment is performed via the hole formed in the cover. Since the outside air is taken into the space, the solvent component evaporated from the substrate can be put on the airflow of the outside air and smoothly discharged from the exhaust hole of the cover.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a first embodiment of a substrate heating apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state when the substrate is carried in and out of the apparatus of the first embodiment.
FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a second embodiment.
FIG. 4 is a sectional view showing a schematic configuration of a third embodiment.
FIG. 5 is a sectional view showing a schematic configuration of a conventional device.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional device.
[Explanation of symbols]
10:
11: step portion 11a: flat surface of the step portion (cover receiving portion)
11b: The rising wall surface of the step (partition)
20, 23 ... cylindrical state (partition wall)
21: Flange (cover receiving part)
22 ... holes for taking in outside
Claims (6)
下端が開口し、上方が閉塞した形状を呈し、前記加熱プレートに載置された基板を覆って、その内部に処理空間を形成するとともに、前記処理空間に連通する排気孔を備えたカバーと、
基板の加熱処理時に前記カバーの下端の金属露出面と接触してカバーを支持するとともに、前記加熱プレートに熱的に結合しているカバー受け部と、
前記加熱プレートの基板載置面と前記カバー受け部とを隔てる隔壁部と
を備えたことを特徴とする基板加熱処理装置。A heating plate on which a substrate to be heated is placed;
A lower end is open, has a closed upper shape, covers a substrate placed on the heating plate, forms a processing space therein, and has a cover provided with an exhaust hole communicating with the processing space,
A cover receiving portion that is in contact with the metal exposed surface at the lower end of the cover during the heat treatment of the substrate to support the cover, and that is thermally coupled to the heating plate;
A substrate heat treatment apparatus, comprising: a partition portion that separates a substrate mounting surface of the heating plate from the cover receiving portion.
前記隔壁部は、加熱プレートの基板載置面を囲うように加熱プレートに取付けられた金属製の筒状体であり、
前記カバー受け部は、前記筒状体の外周面に取付けられた金属製の鍔部である基板加熱処理装置。The substrate heating apparatus according to claim 1,
The partition portion is a metal tubular body attached to the heating plate so as to surround the substrate mounting surface of the heating plate,
The substrate heating apparatus, wherein the cover receiving portion is a metal flange attached to an outer peripheral surface of the tubular body.
前記隔壁部は、加熱プレートの基板載置面を囲うように加熱プレートに取付けられた筒状体であり、
前記カバー受け部は、前記筒状体の外側に位置する、前記加熱プレートの上面部位である基板加熱処理装置。The substrate heating apparatus according to claim 1,
The partition is a tubular body attached to the heating plate so as to surround the substrate mounting surface of the heating plate,
The substrate heating apparatus, wherein the cover receiving portion is an upper surface portion of the heating plate located outside the tubular body.
前記加熱プレートは、基板載置面を囲うように形成された、基板載置面よりも低くなっている段差部を備え、
前記カバー受け部は、前記段差部の平坦面であり、
前記隔壁部は、前記段差部の立ち上がり壁面である基板加熱処理装置。The substrate heating apparatus according to claim 1,
The heating plate is formed to surround the substrate mounting surface, and includes a step portion that is lower than the substrate mounting surface,
The cover receiving portion is a flat surface of the step portion,
The substrate heating apparatus, wherein the partition wall portion is a rising wall surface of the step portion.
前記筒状体には、前記鍔部が取付けられた位置よりも低い位置に、前記処理空間に外気を取り入れるための孔が形成されている基板加熱処理装置。The substrate heating apparatus according to claim 2,
A substrate heating processing apparatus, wherein a hole for taking in outside air into the processing space is formed in the cylindrical body at a position lower than a position where the flange is attached.
前記カバーには、前記処理空間内に外気を取り入れるための孔が形成されている基板加熱処理装置。The substrate heating apparatus according to claim 3 or 4,
A substrate heating apparatus, wherein the cover has a hole for introducing outside air into the processing space.
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