JP3782314B2 - Application processing equipment - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体ウエハ等の基板に、レジスト液を塗布し、熱処理する塗布処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスのフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、形成されたレジスト膜に所定の回路パターンを露光し、この露光パターンを現像処理することにより、レジスト膜に回路パターンが形成される。
【0003】
一般的に、このようなフォトリソグラフィー工程においては、レジスト塗布後の加熱処理(プリベーク)、露光後の加熱処理(ポストエクスポージャーベーク)、現像後の加熱処理(ポストベーク)等の種々の加熱処理が行われている。このようなレジストの加熱処理は、通常、筐体内にヒータによって加熱される加熱プレート(ホットプレート)を配置してなるホットプレートユニットを用いて行われている。
【0004】
ここで、プリベーク処理においては、レジスト液に含まれている各種の溶剤が蒸発し、これによってレジスト膜が形成される。この溶剤の種類はレジストによって異なり、沸点が低く蒸気圧が高いものや、沸点が高く蒸気圧の低いもの等、その種類は多い。従来は、これらの溶剤成分は、ホットプレートユニットからの熱排気に蒸気として含まれた形で外部へ排出されていた。例えば、このような溶剤の蒸気を含んだ熱排気は、ホットプレートユニットを備えた塗布処理装置が設置されている工場内の工場配管等を通じて、スクラバー等を備えた処理装置に送られ、この処理装置において溶剤成分が除去されていた。
【0005】
このような方法を用いることができた1つの理由としては、従来のレジストに含まれていた溶剤成分には低沸点・高蒸気圧のものが多く、工場配管内を熱排気が通過しても、溶剤蒸気が冷却凝縮されて液化することはほとんどないために、配管内が汚染されることが少なかったことが挙げられる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、半導体製品の集積化や高性能化が急速に進む中、その回路パターンを形成するために用いられるレジストについても、使用目的に適合させた種々の成分と、その成分を溶解するための種々の溶剤が使われるようになってきている。
【0007】
例えば、ポリイミド系レジストには、沸点が高く、蒸気圧の低いNMP(ノルマルメチルピロリドン)等が用いられており、このような高沸点の成分は、ホットプレートユニットから排出される熱排気の温度が高い間は結露することはないが、配管を流れる間に自然冷却されて、常温付近まで低下すると、配管内部で結露して、配管を詰まらせ、排気機能を低下させる問題を生じることがあった。この場合には、工場配管のメンテナンス費用が嵩むという問題をも併発する。
【0008】
本発明はこのような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、加熱装置から排出される熱排気中の溶剤成分の配管内での凝縮、結露を防止した塗布処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明によれば、基板に所定の処理液を塗布し、その後に熱処理を行う塗布処理装置であって、
基板に処理液を塗布する塗布処理部と、前記処理液が塗布された基板を加熱する加熱処理部と、前記加熱処理部から排出される熱排気中に含まれる少なくとも一部の溶剤蒸気を回収する回収処理部と、を具備し、
前記回収処理部は、前記溶剤蒸気を冷却液化させて回収する冷却装置を有し、
前記冷却装置は、前記加熱処理部から排出される熱排気からミストおよび蒸気を冷却凝縮して液体として分離する処理室と、前記処理室へ熱排気を導入する導入管と、前記処理室においてミストおよび蒸気が分離された後の排気ガスが流れるガス通路と、外部へ排気ガスを排出するために前記ガス通路と連通して設けられた排気管と、前記処理室において凝縮された液体を回収する液体回収室と、を有し、
前記排気管は前記液体回収室を通っており、前記液体回収室内において排気管の一部には液体回収室内の雰囲気ガスを吸気するための吸気口が形成されている塗布処理装置、が提供される。
【0011】
このような本発明の塗布処理装置によれば、加熱処理部(加熱装置)から排出される熱排気は、所定の温度に冷却されて、熱排気に含まれる溶剤蒸気が液化されて除去された後に工場配管等へ送られることから、工場配管等内での結露が抑制される。これにより排気機能が低下することなく加熱処理を行うことが可能となる。また、工場配管等のメンテナンスに掛かる負荷が低減され、溶剤蒸気等による工場配管等の腐食も抑制されて工場配管等の使用寿命が長くなる。
【0012】
溶剤蒸気の除去率は、配設される冷却装置の構造、規模、冷却温度、熱排気流速等により、制御することが可能であり、こうして回収された溶剤は、再利用の原料として用いることが可能となる。冷却装置として、安価な市水等をチラー等を用いずに常温で循環させるものを用いれば、装置コストとランニングコストの両面で処理コストが低減される。また、熱排気を先ずデミスターに通して熱排気中に含まれるミストおよび蒸気成分の一部を液化させ、その後に熱排気を冷却コイルに通して、残りの溶剤蒸気およびミストを液化させる装置および方法を用いと、冷却コイルにおける溶剤蒸気の冷却負荷が低減され、冷却コイルの使用寿命を延ばすことが可能となる。一方、デミスターは網状物であるので交換は容易である。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、半導体ウエハ(ウエハ)にレジストを塗布し、その後にプリベークを行う場合の塗布処理装置を例として、図面を参照しながら詳細に説明する。そこで先ず、本発明の塗布処理装置を備えたレジスト塗布・現像処理システムについて概説することとする。
【0014】
図1は、レジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図2はその正面図、図3はその背面図である。このレジスト塗布・現像処理システム1は、搬送ステーションであるカセットステーション10と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション11と、処理ステーション11に隣接して設けられる図示しない露光装置との間でウエハWを受け渡すためのインターフェイス部12と、を具備している。
【0015】
カセットステーション10は、被処理体としてのウエハWを複数枚、例えば25枚単位でウエハカセットCRに搭載された状態で、他のシステムから本レジスト塗布・現像処理システム1へ搬入し、または本レジスト塗布・現像処理システム1から他のシステムへ搬出する等、ウエハカセットCRと処理ステーション11との間でウエハWの搬送を行うためのものである。
【0016】
カセットステーション10においては、図1に示すように、カセット載置台20上に図中X方向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20aが形成されており、この突起20aの位置にウエハカセットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション11側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に配列されている。また、カセットステーション10は、カセット載置台20と処理ステーション11との間に位置するウエハ搬送機構21を有している。
【0017】
ウエハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)およびその中のウエハWの配列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、このウエハ搬送用アーム21aにより、いずれかのウエハカセットCRに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム21aは、図1中に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション11側の第3の処理部Gに属するアライメントユニット(ALIM)およびエクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0018】
一方、処理ステーション11は、ウエハWへ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウエハWが1枚ずつ処理される。この処理ステーション11は、図1に示すように、中心部にウエハ搬送路22aを有しており、この中に主ウエハ搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路22aの周りに全ての処理ユニットが配置された構成となっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが垂直方向(Z方向)に沿って多段に配置されている。
【0019】
主ウエハ搬送機構22は、図3に示すように、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持体49は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送装置46も一体的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これらの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハWの受け渡しを実現している。
【0020】
また、図1に示すように、この実施の形態においては、4個の処理部G・G・G・Gがウエハ搬送路22aの周囲に実際に配置されており、第5の処理部Gは必要に応じて配置可能となっている。これらのうち、第1および第2の処理部G・Gはレジスト塗布・現像処理システム1の正面側(図1における手前側)に並列に配置され、第3の処理部Gはカセットステーション10に隣接して配置され、第4の処理部Gはインターフェイス部12に隣接して配置されている。また、第5の処理部Gは背面部に配置可能となっている。
【0021】
第1の処理部Gでは、コータカップ(CP)内でウエハWを図示しないスピンチャックに乗せて所定の処理を行う2台のスピナ型処理ユニットであるレジスト塗布ユニット(COT)およびレジストのパターンを現像する現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第2の処理部Gも同様に、2台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。
【0022】
第3の処理部Gにおいては、図3に示すように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、冷却処理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハWの搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハWに対して加熱処理を行う4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。なお、アライメントユニット(ALIM)の代わりにクーリングユニット(COL)を設け、クーリングユニット(COL)にアライメント機能を持たせてもよい。
【0023】
第4の処理部Gにおいても、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)、エクステンションユニット(EXT)、クーリングユニット(COL)、および4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。
【0024】
主ウエハ搬送機構22の背部側に第5の処理部Gを設ける場合には、第5の処理部Gは、案内レール25に沿って主ウエハ搬送機構22から見て側方へ移動できるようになっている。従って、第5の処理部Gを設けた場合でも、これを案内レール25に沿ってスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【0025】
インターフェイス部12は、奥行方向(X方向)については、処理ステーション11と同じ長さを有している。図1、図2に示すように、このインターフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップカセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中央部にはウエハ搬送機構24が配設されている。このウエハ搬送機構24はウエハ搬送用アーム24aを有しており、このウエハ搬送用アーム24aは、X方向、Z方向に移動して両カセットCR・BRおよび周辺露光装置23にアクセス可能となっている。
【0026】
なお、ウエハ搬送用アーム24aはθ方向に回転可能であり、処理ステーション11の第4の処理部Gに属するエクステンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装置側の図示しないウエハ受け渡し台にもアクセス可能となっている。
【0027】
上述したレジスト塗布・現像処理システム1においては、先ず、カセットステーション10において、ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アーム21aがカセット載置台20上の未処理のウエハWを収容しているウエハカセットCRにアクセスして1枚のウエハWを取り出し、第3の処理部Gのエクステンションユニット(EXT)に搬送する。
【0028】
ウエハWは、エクステンションユニット(EXT)から、主ウエハ搬送機構22のウエハ搬送装置46により、第3の処理部Gのアライメントユニット(ALIM)に搬送されてアライメントされた後、アドヒージョン処理ユニット(AD)に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理(HMDS処理)が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハWはウエハ搬送装置46によりクーリングユニット(COL)に搬送されて冷却される。
【0029】
なお、使用されるレジストの種類によっては、このHMDS処理を行わずに、直接にウエハWをレジスト塗布ユニット(COT)に搬送する場合があり、例えば、ポリイミド系レジストを用いる場合を挙げることができる。
【0030】
アドヒージョン処理ユニット(AD)での処理が終了してクーリングユニット(COL)で冷却されたウエハW、またはアドヒージョン処理ユニット(AD)での処理を行わないウエハWは、引き続き、ウエハ搬送装置46によりレジスト塗布ユニット(COT)に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が形成される。塗布処理終了後、ウエハWは、第3または第4の処理部G・Gのいずれかのホットプレートユニット(HP)内でプリベーク処理され、その後いずれかのクーリングユニット(COL)にて冷却される。
【0031】
冷却されたウエハWは、第3の処理部Gのアライメントユニット(ALIM)に搬送され、そこでアライメントされた後、第4の処理部Gのエクステンションユニット(EXT)を介してインターフェイス部12に搬送される。
【0032】
ウエハWは、インターフェイス部12において周辺露光装置23により周辺露光されて余分なレジストが除去された後、インターフェイス部12に隣接して設けられた図示しない露光装置に搬送され、そこで所定のパターンに従ってウエハWのレジスト膜に露光処理が施される。
【0033】
露光後のウエハWは、再びインターフェイス部12に戻され、ウエハ搬送機構24により、第4の処理部Gに属するエクステンションユニット(EXT)に搬送される。そして、ウエハWは、ウエハ搬送装置46により、いずれかのホットプレートユニット(HP)に搬送されて、ポストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット(COL)により冷却される。
【0034】
その後、ウエハWは現像ユニット(DEV)に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われる。現像終了後、ウエハWはいずれかのホットプレートユニット(HP)に搬送されてポストベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット(COL)により冷却される。このような一連の処理が終了した後、第3の処理部Gのエクステンションユニット(EXT)を介してカセットステーション10に戻され、いずれかのウエハカセットCRに収容される。
【0035】
次に、上述したホットプレートユニット(HP)について、図4の断面図を参照しながらさらに詳細に説明する。
【0036】
ホットプレートユニット(HP)は、ケーシング50を有し、その内部の下側には円盤状をなす加熱プレート51が配置されている。加熱プレート51は例えばアルミニウムで構成されており、その表面にはプロキシミティピン52が設けられている。そして、ウエハWはこのプロキシミティピン52上に加熱プレート51に近接した状態で載置されるようになっている。加熱プレート51の裏面には所定パターンを有する電気ヒータ53が配設されている。
【0037】
加熱プレート51は支持部材54に支持されており、支持部材54内は空洞となっている。加熱プレート51には、その中央部に3つの貫通孔55(2つのみ図示)が形成されており、これら貫通孔55にはウエハWを昇降させるための3本の昇降ピン56が昇降自在に設けられている。そして、加熱プレート51と支持部材54の底板との間に貫通孔55に連続する筒状のガイド部材57が設けられている。これらガイド部材57によって加熱プレート51の下のヒータ配線等に妨げられることなく昇降ピン56を昇降させることが可能となる。これら昇降ピン56は支持板58に支持されており、この支持板58を介して支持部材54の側方に設けられたシリンダー59により昇降されるようになっている。
【0038】
加熱プレート51および支持部材54の周囲にはそれらを包囲支持するサポートリング61が設けられており、このサポートリング61の上には上下動自在の蓋体62が設けられている。そして、この蓋体62がサポートリング61の上面まで降下した状態でウエハWの加熱処理空間Sが形成される。
【0039】
蓋体62は、外側から中心部に向かって次第に高くなるような円錐状をなし、中央の頂上部には排気管64が接続された排気口63を有しており、これら排気口63および排気管64を介して、加熱処理空間Sの排気が行われる。
【0040】
このように構成されるホットプレートユニット(HP)においては、先ず、蓋体62が上昇している状態においてケーシング50内にウエハWを搬入し、突出させた状態で待機している昇降ピン56上にウエハWを載置し、昇降ピン56を降下させてプロキシミティピン52上にウエハを載置する。次いで、蓋体62を降下させて、排気口63および排気管64を介してウエハWから蒸発する溶剤蒸気を排気しながら、加熱処理空間Sにおいて所定温度でウエハWに加熱処理を施す。
【0041】
ホットプレートユニット(HP)から排気管64を通して排出される熱排気中に含まれる溶剤蒸気は、従来は、工場配管等を通してスクラバー等を備えた浄化装置へ送られて除去されていた。しかし、ウエハWの液処理に用いられるレジスト液等の処理液の種類が広範化しており、これらの処理液には工場配管等を通過中に液化(結露)して工場配管等内に滞留する物質も用いられるようになってきている。そこで、本発明においては、排気管64と工場配管等との間に冷却装置を配設し、ホットプレートユニット(HP)から排気管64を通して排出される熱排気を冷却して、熱排気中に含まれる溶剤蒸気を所定量ほど液体として除去、回収する。
【0042】
図5は、この冷却装置の一実施形態を示す説明図である。 冷却装置70は、熱排気中に含まれるミスト等を除去するデミスター72と、熱排気を冷却して熱排気中の溶剤を液化させる冷却コイル73と、液化された溶剤等を回収する回収タンク77とを有する。
【0043】
ホットプレートユニット(HP)の排気管64は、冷却装置70の側壁に設けられた孔部71aに接続されており、冷却装置70内においては、排気管64内を流れてきた熱排気を処理室81へ導くことができるように、孔部71aから処理室81に向けて処理室81の底壁を貫通するように排気管71が配設されている。この排気管71は処理室81の底壁から上方へ突出した後に下方に屈曲した形状となっており、デミスター72や冷却コイル73から処理室81の底壁へ落下してくる液体等が、排気管71へ流れ込まないようになっている。
【0044】
排気管71から処理室81へ排出された熱排気は、先ず、デミスター72を通過する。ここで、熱排気中に含まれるミストの多くがデミスター72に付着し、また一部の溶剤蒸気がデミスター72に付着して液化する。デミスター72に付着したミストや液化した溶剤は、自重により処理室81の底壁へ落下する。
【0045】
このようにして、デミスター72により捕捉されるミストや溶剤蒸気は、熱排気に含まれるミストや溶剤蒸気の一部であるが、これにより、冷却コイル73において熱排気に含まれる全てのミストや溶剤蒸気を液化させる必要がなくなり、冷却コイル73における冷却負荷が低減されて、冷却効率を高めることが可能となる。なお、デミスター72としては、例えば、所定の開口径を有する金属メッシュ等を用いることができる。
【0046】
デミスター72を通過した熱排気は冷却コイル73を通過する。冷却コイル73としては、管内を冷媒が流れる構造を有し、管の表面積が大きくなるように多数のフィンが表面に形成されたものや、管が複雑に屈曲したもの、複数の直管が並列に並べられたもの等が好適に用いられる。熱排気がこのようなフィンや管の表面に接触することによって熱排気中の溶剤蒸気が液化し、自重により自然落下して、デミスター72において液化した分とともに処理室81の底部へ落下する。
【0047】
冷却コイル73に用いられる冷媒としては、管の表面が冷却されるものであれば、冷媒は液体(水、オイル等)であっても気体(代替フロンガス等)であっても構わない。冷却コイル73に流す冷媒の温度が低温であるほど溶剤蒸気の回収効率の向上が図られ、沸点が低い溶剤種をも回収することが可能となることから、冷媒の温度を下げるために、別途、チラー等の熱交換装置を設けてもよい。一方、チラー等を用いることなく、工業用水や市水等を直接に冷却コイル73に送液することも可能である。
【0048】
冷却コイル73に送液する冷媒の温度や流量は、回収すべき熱排気に含まれる溶剤の種類とその沸点、熱排気の温度と流量等を考慮して定めることが好ましい。また、冷却コイル73へ送液する冷媒の温度が高い場合には流量を多くし、一方、冷媒の温度が低い場合には流量を少なくすることで、冷却コイル73における必要な冷却能力を維持することができる。
【0049】
本発明においては、冷媒として工業用水または市水を用い、このような冷却水をポンプ等の循環装置を用いて送液することにより、管の表面を冷却する構造を有するものが好適に用いられる。冷却装置70を稼働させない状態においても、冷却水を最低流量ほど連続的に送液し、循環させた状態とすると、バクテリアの発生が防止され、好ましい。図5に示した冷却装置70においては、冷却コイル73に冷却水を送液循環させるためのインポート78とアウトポート79が設けられている。
【0050】
冷却コイル73を通過した排気は、冷却装置70内の通路82と排気管83を経て、排気管83に接続された工場配管91へ流される。なお、工場配管91は一例であり、その他の廃棄処理設備に接続しても構わない。冷却コイル73を通過した排気は冷却コイル73によって冷却されているので、その後にさらに温度が低下する場合はほとんどない。また、工場配管91が配設されている環境温度や外気温を考慮して冷却コイル73に流す冷媒温度を下げることにより、工場配管91の温度が冷却コイル73を通過したときの排気の温度よりも低い温度となる状況を回避することができる。
【0051】
こうして、冷却装置70において回収されなかった排気中の溶剤蒸気は工場配管91内で液化することなく、従来と同様に、工場配管91に設けられた図示しないスクラバー等を用いて除去されるため、クリーンな排気を行うことが可能となる。
【0052】
例えば、ポリイミド系レジストを用いたレジスト塗布後のプリベークにおいては、レジスト液中に溶剤として含まれているNMP(ノルマルメチルピロリドン)が蒸発するが、NMPは室温で液体であることから、市水や工業用水を、特にチラー等の冷却装置を用いてその温度を低下させる必要なく、冷却コイル73に送液して、熱排気を常温付近まで冷却させることで、十分に液体として回収が可能となる。こうして工場配管91等内での液化滞留が防止され、工場配管91等のメンテナンスに掛かる負荷が低減され、配管部材の腐食等の発生も抑制される。市水等を用いる場合には、ランニングコストも低く抑えられるという利点もある。
【0053】
上述したように熱排気からNMP等の溶剤を回収する場合において、冷却コイル73に送液する冷却水をチラー等によって強制的に冷却せずに循環して用いるときには、冷却水の温度が熱排気から与えられる熱等によって一定温度よりも高くならないように、冷却水の流量や温度を監視することが好ましい。
【0054】
さて、デミスター72に付着したミストや冷却コイル73において液化した溶剤は、自重で処理室81の底部に落下して溝部74へ流れ込み、ドレイン75を経て回収タンク77に貯留され、回収される。回収タンク77に回収された溶剤は、処理して再利用することも可能である。バルブ76は、通常は開いた状態としておいて、回収タンク77を交換する際に閉じるようにして用いてもよく、一方、通常はバルブ76を閉じた状態としておいて、溝部74および処理室81の底部に一定量の溶剤が貯留された状態となったときにバルブ76を開いて、回収タンク77に溶剤を回収してもよい。
【0055】
なお、回収タンク77から漏れる溶剤の蒸気は、排気管83に設けられた吸気口83aから吸気されて工場配管91へ導かれるようになっている。こうして、回収タンク77が配置される空間の雰囲気を清浄に保持して、この空間に配設された各種の部品の腐食等を防止し、また、回収タンク77の交換時の作業安全性が向上する。
【0056】
このような回収タンク77を用いる方法は、回収タンク77の交換という手動操作を前提とした場合であるが、デミスター72と冷却コイル73によって液化等された溶剤の回収方法は、回収タンク77を用いる方法に限定されない。例えば、図6に示した冷却装置70aは、処理室81の側壁に水位センサ93を設け、また、回収タンク77に代えて排液管92を設けたものであり、それ以外の部分については、冷却装置70と同等構造を有する。
【0057】
冷却装置70aでは、例えば、バルブ76を常に開口した状態として、デミスター72や冷却コイル73から処理室81の底部に落下する溶剤等を、常時、排液管92を通して、外部に設けられた図示しない回収装置や廃棄装置等へ送液し、処分することが可能である。この場合において、排液管92に詰まりが生ずる等して処理室81内に溶剤が滞留した場合には、水位センサ93がこの溶剤の滞留を検知して警報を発し、必要に応じて装置を停止等するように構成することができる。
【0058】
また、バルブ76は通常は閉じた状態として、処理室81の底部に落下してくる溶剤を処理室81内に貯留し、この溶剤が所定水位に達した状態を水位センサ93が検知したときにバルブ76を開く構造とすることも可能である。この場合においても、処理室81の底部に貯留されていた溶剤を排液管92を通して外部に設けられた図示しない回収装置や廃棄装置等へ送液し、処分することが可能である。
【0059】
このように排液管92を設けた場合において、排液管92から、例えば、大型タンクへ液体を回収するならば、その大型タンクにも水位センサを取り付けて、溶剤の回収が可能かどうかの情報を冷却装置70aに取り付けた水位センサに93の制御装置にフィードバックし、処理室81と大型タンクの双方がオーバーフローしないように警報を発する等の手段を設けることもできる。このように、排液管92を設けた場合には、自動運転が可能となる。
【0060】
上述した冷却装置70・70aは、小型のものをホットプレートユニット(HP)のそれぞれに設けることもできれば、幾つかのホットプレートユニット(HP)を1つの処理、例えば、レジスト膜のプリベークにのみ用いるというように処理用途を定めて、この定められた処理用途ごとに1つの冷却装置70・70aを配設することもできる。さらに、全てのホットプレートユニット(HP)からの熱排気を1つの冷却装置70・70aで処理することも可能である。
【0061】
前2者の場合には、ホットプレートユニット(HP)から排出される熱排気中の溶剤蒸気の種類は、使用するレジスト液等の処理液を変えない限りは一定であるので、純度の高い溶剤の回収が可能となる。一方、後者の場合には、レジスト液、現像液等の種々の処理液に用いられている溶剤の蒸気が一緒に冷却凝縮されることから、回収される溶剤は混合溶液となり、純度は低いが装置構造が簡単となり、メンテナンスも容易であるという利点がある。
【0062】
図7は、冷却装置70を例として、その配置の一形態を示した説明図であり、第3の処理部Gと第4の処理部Gに配設された全てのホットプレートユニット(HP)から排出される熱排気を1台の冷却装置70を通して工場配管91へ排気する構成を示している。なお、図7においては、冷却装置70の細部の構造については図示を省略している。
【0063】
冷却装置70は、レジスト塗布・現像処理システムの配設位置に対応して、適宜、好適な位置に配設することができる。例えば、冷却装置70は、図7に示す設置場所Aのように、レジスト塗布・現像処理システムが配設されているフロアーと同じフロアーに設置することができ、また、設置場所Bのようにレジスト塗布・現像処理システムが配設されているフロアーの階下に設置することも可能である。これらの設置場所A・Bは、冷却装置70における熱排気の冷却性能やNMPの回収効率に差異を生じさせるものではない。
【0064】
第3の処理部Gに配設されている4台のホットプレートユニット(HP)のそれぞれの排気管64は1本の排気管65に連結され、同様に、第4の処理部Gに配設されている4台のホットプレートユニット(HP)のそれぞれの排気管64は1本の排気管66に連結されている。排気管65・66はジョイントボックス67に接続され、排気管65・66からの熱排気がジョイントボックス67において合流する。ジョイントボックス67と冷却装置70との間には排気管68が設けられており、この排気管68を通ってホットプレートユニット(HP)から排出された熱排気が冷却装置70に送られる。
【0065】
排気管65・66としては、例えば、内径75mmφのものが用いられ、排気管68としては、例えば、内径100mmφのものが用いられる。また、排気管65・66・68の長さは、圧損が大きくならないように、排気管65・66については3m以下とし、排気管68については10m以下とすることが好ましい。
【0066】
冷却装置70については、冷却コイル73に送液される冷却水の温度を15度(℃)〜23℃の範囲とし、冷却装置70内に送風される熱排気流量を3m/分以下とすることが好ましい。また、このとき、冷却装置70に流入する熱排気の温度が40℃の場合に、冷却装置70から排出される排気の温度が25℃以下となるように、冷却装置70の冷却能力を調節することが好ましい。このような条件とすることで、NMPを十分に熱排気から除去することが可能である。
【0067】
図8は、冷却装置70の冷却性能の一例を示した説明図であり、冷却装置70に流入する熱排気の温度が40℃であって、冷却コイル73に送液される冷却水の温度を21℃とし、その流量を3リットル/分とした場合に、冷却装置70に流入する熱排気流量と冷却装置70から排出される排気の温度との関係および冷却装置70に流入する熱排気流量と冷却コイル73から排出される冷却水の温度との関係を示している。なお、冷却装置70が配設されている場所における環境温度は23℃であった。
【0068】
図8に示すように、冷却装置70から排出される排気の温度変化に対して冷却コイル73から排出される冷却水の温度変化が大きく、また、冷却装置70に流入する熱排気流量が変化しても、冷却装置70から排出される排気の温度変化は小さい。つまり、冷却装置70おいては冷却装置70に流入する熱排気に対して十分な熱交換が行われている。このような冷却性能を有する冷却装置70を用いることによって、熱排気中に含まれるNMP等の溶剤の蒸気の殆どを冷却装置70において分離除去することができる。
【0069】
上記説明では、溶剤としてNMPを例示したが、溶剤はIPAや純水等であってもよい。すなわち、ウエハWにレジスト液を塗布する前にウエハWに塗布されるシンナー等の溶剤、露光処理後の現像処理に使用される現像液を洗い流すために用いられる純水やIPA等の洗浄液といった各種の溶剤の蒸気を含む熱排気に対しても、冷却装置70・70aを設けて熱排気を冷却し、溶剤の蒸気を液化させて分離し、溶剤の蒸気量が低減された排気を工場配管91に流すことにより、工場配管91の腐食等を抑制して長期維持を図ることもできる。また、ホットプレートユニット(HP)から排出される熱排気に、工場配管91内では液化し難い成分が含まれている場合であっても、上述した冷却装置70・70aを配設することができる。こうして、従来は廃棄されていた溶剤を資源として回収することが可能となる。
【0070】
冷却装置70・70aの配設位置は、図7に示した位置に限定されるものではない。例えば、図9は上述したレジスト塗布・現像処理システム1の平面図であって、図1の一部を簡略化して示したものであるが、冷却装置70・70aを、例えば、第5の処理部G(図1参照)を設けない場合には、第5の処理部Gの位置に設けることができる。また、図10の平面図に示すように、レジスト塗布・現像処理システム1内において、ホットプレートユニット(HP)が配設されている第3および第4の処理部G・Gのそれぞれの背後に密接して設けることも可能である。
【0071】
さらに、先に示した図7においては、冷却装置70をレジスト塗布・現像処理システム1の背面外側等に別体として配設したが、冷却装置70・70aの配置スペースの制約等がある場合には、図11に示す冷却装置70bのように、排気管64と連通する排気管71´と工場配管91と連通する排気管83´とが、冷却装置70bの底壁に取り付けられた構造を有するものを用いて、この冷却装置70bをレジスト塗布・現像処理システム1の側壁に密接して設けることもできる。
【0072】
冷却装置70bを用いる場合には、レジスト塗布・現像処理システム1の底壁から床面94に向けて排気管64を取り出して冷却装置70bの底壁に取り付け、排気管64と排気管71´とを連通させて熱排気を処理室81へ送る。また、冷却装置70bの底壁に工場配管91を取り付けて排気管83´と連通させ、冷却コイル73を通過した排気を排気管83´を通じて工場配管91へ導く。
【0073】
冷却装置70bを用いた場合には、レジスト塗布・現像処理システム1と冷却装置70bとを密接して配置することが可能であり、装置の配置スペースを有効に利用することが可能である。ただし、冷却装置70bを用いた場合には、排気管64を折り返す必要が生ずるために、冷却装置70・70aの場合と比較すると圧損が大きくなり、また、排気管64の折り返し部分に熱排気に含まれる溶剤の蒸気が液化したものが滞留する可能性もある。このため、圧損を低減し、かつ、排気管64における溶剤の滞留防止が必要不可欠な場合には、冷却装置70・70aのように、排気管64を装置側壁に接続する構造のものを用いることが好ましい。
【0074】
以上、本発明の塗布処理装置について、半導体ウエハへのレジスト塗布処理と乾燥処理を行う装置を例に説明してきたが、本発明は、処理液とその乾燥によって処理液に含まれる溶剤が蒸発する装置に広く適用することが可能であり、例えば、LCD基板へのレジスト塗布およびプリベーク処理を行う装置や、各種基板の洗浄とIPA等の有機溶剤による乾燥を行う装置、各種基板の現像処理と現像処理後の洗浄および乾燥を行う装置にも用いることができる。
【0075】
【発明の効果】
本発明の塗布処理装置によれば、加熱処理部(加熱装置)から排出される熱排気は、所定の温度に冷却されて、熱排気に含まれる溶剤蒸気が液化されて除去された後に工場配管等へ送られることから、工場配管等内での結露が抑制される。これにより排気機能が低下することなく加熱処理を行うことが可能となり、また、工場配管等のメンテナンスに掛かる負荷が低減され、溶剤蒸気等による工場配管等の腐食も抑制されて工場配管等の使用寿命が長くなるという優れた効果が得られる。溶剤蒸気の除去率は、配設される冷却装置の構造、規模、冷却温度、熱排気流速等により、制御することが可能であり、こうして回収された溶剤は、再利用の原料として用いることが可能となるという効果も得られる。また、冷却装置として、安価な市水等をチラー等を用いずに常温で循環させるものを用いれば、装置コストとランニングコストの両面で処理コストが低減されるという効果も得られる。さらに、熱排気を先ずデミスターに通して熱排気中に含まれるミストおよび蒸気成分の一部を液化させ、その後に熱排気を冷却コイルに通して、残りの溶剤蒸気およびミストを液化させる装置および方法を用いると、冷却コイルにおける溶剤蒸気の冷却負荷が低減され、冷却コイルの使用寿命を延ばすことが可能となるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の塗布処理装置に係るレジスト塗布・現像処理システムの一実施形態の概略構成を示す平面図。
【図2】本発明の塗布処理装置に係るレジスト塗布・現像処理システムの一実施形態の概略構成を示す正面図。
【図3】本発明の塗布処理装置に係るレジスト塗布・現像処理システムの一実施形態の概略構成を示す背面図。
【図4】本発明の塗布処理装置に係るレジスト塗布・現像処理システムに用いられるホットプレートユニットの一実施形態を示す断面図。
【図5】本発明の塗布処理装置に係るレジスト塗布・現像処理システムに用いられる冷却装置の一実施形態を示す断面図。
【図6】本発明の塗布処理装置に係るレジスト塗布・現像処理システムに用いられる冷却装置の別の実施形態を示す断面図。
【図7】冷却装置の配置位置の一形態を示す平面図
【図8】図7に示す位置に配置した冷却装置の冷却性能の一例を示す説明図。
【図9】冷却装置の配置位置の別の実施形態を示す平面図。
【図10】冷却装置の配置位置のさらに別の実施形態を示す平面図。
【図11】冷却装置のさらに別の実施形態を示す断面図。
【符号の説明】
50;ケーシング
51;加熱プレート
52;プロキシミティピン
53;電気ヒータ
54;支持部材
62;蓋体
64;排気管
70・70a・70b;冷却装置
71・71´;排気管
72;デミスター
73;冷却コイル
74;溝部
77;回収タンク
78;インポート
79;アウトポート
81;処理室
82;通路
83・83´;排気管
83a;吸気口
91;工場配管
92;排液管
93;水位センサ
HP;ホットプレートユニット
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a coating processing apparatus that applies a resist solution to a substrate such as a semiconductor wafer and performs heat treatment.
[0002]
[Prior art]
For example, in a photolithography process for semiconductor devices, a resist is applied to a semiconductor wafer, a predetermined circuit pattern is exposed to the formed resist film, and this exposure pattern is developed to form a circuit pattern on the resist film. Is done.
[0003]
In general, in such a photolithography process, various heat treatments such as heat treatment after resist application (pre-baking), heat treatment after exposure (post-exposure baking), heat treatment after development (post-baking) and the like are performed. Has been done. Such a resist heat treatment is usually performed by using a hot plate unit in which a heating plate (hot plate) heated by a heater is disposed in a casing.
[0004]
Here, in the pre-bake treatment, various solvents contained in the resist solution are evaporated, thereby forming a resist film. The type of the solvent varies depending on the resist, and there are many types such as those having a low boiling point and a high vapor pressure and those having a high boiling point and a low vapor pressure. Conventionally, these solvent components have been discharged to the outside in the form of being included as steam in the hot exhaust from the hot plate unit. For example, the heat exhaust containing the solvent vapor is sent to a processing apparatus equipped with a scrubber or the like through factory piping in a factory where a coating processing apparatus equipped with a hot plate unit is installed. The solvent component was removed in the apparatus.
[0005]
One reason that such a method could be used is that many solvent components contained in conventional resists have a low boiling point and a high vapor pressure, and even if hot exhaust passes through factory piping. Since the solvent vapor is rarely liquefied by cooling and condensing, the inside of the piping is rarely contaminated.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in recent years, as the integration and performance of semiconductor products are rapidly progressing, the resist used for forming the circuit pattern also dissolves various components adapted to the purpose of use and the components. A variety of solvents are now being used.
[0007]
For example, NMP (normal methyl pyrrolidone) having a high boiling point and a low vapor pressure is used for a polyimide resist, and such a high boiling point component has a temperature of heat exhaust exhausted from a hot plate unit. Condensation does not occur when it is high, but when it is naturally cooled while flowing through the pipe and drops to near normal temperature, condensation may occur inside the pipe, causing the pipe to become clogged, resulting in a problem of reducing the exhaust function. . In this case, there is a problem that the maintenance cost of the factory piping is increased.
[0008]
  The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and provides a coating processing apparatus that prevents condensation and condensation in the piping of solvent components in the heat exhaust discharged from the heating apparatus. With the goal.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
  That is, according to the present invention, there is provided a coating processing apparatus that applies a predetermined processing liquid to a substrate and then performs a heat treatment,
  A coating processing unit that applies a processing liquid to the substrate, a heating processing unit that heats the substrate coated with the processing liquid, and recovers at least a part of the solvent vapor contained in the heat exhaust discharged from the heating processing unit. A recovery processing unit,
  The recovery processing unit has a cooling device for recovering the solvent vapor by cooling it into a liquid.And
  The cooling device includes a processing chamber that cools and condenses mist and steam from the heat exhaust discharged from the heat treatment unit and separates them as a liquid, an introduction pipe that introduces the heat exhaust into the processing chamber, and a mist in the processing chamber. And a gas passage through which the exhaust gas after the vapor is separated, an exhaust pipe provided in communication with the gas passage for discharging the exhaust gas to the outside, and a liquid condensed in the processing chamber A liquid recovery chamber,
  The exhaust pipe passes through the liquid recovery chamber, and an air inlet for sucking atmospheric gas in the liquid recovery chamber is formed in a part of the exhaust pipe in the liquid recovery chamber.An application processing apparatus is provided.
[0011]
  According to such a coating treatment apparatus of the present invention, the thermal exhaust discharged from the heat treatment unit (heating apparatus) is cooled to a predetermined temperature, and the solvent vapor contained in the thermal exhaust is liquefied and removed. Since it is sent to the factory piping later, dew condensation in the factory piping is suppressed. As a result, the heat treatment can be performed without lowering the exhaust function. In addition, the load required for maintenance of factory piping, etc. is reduced, and corrosion of the factory piping due to solvent vapor or the like is suppressed, and the service life of the factory piping is extended.
[0012]
The removal rate of the solvent vapor can be controlled by the structure, scale, cooling temperature, heat exhaust flow rate, etc. of the installed cooling device, and the recovered solvent can be used as a raw material for reuse. It becomes possible. If a cooling device that circulates inexpensive city water or the like at normal temperature without using a chiller or the like is used, the processing cost can be reduced in terms of both the device cost and the running cost. Further, an apparatus and a method for passing hot exhaust through a demister to liquefy a part of the mist and vapor components contained in the hot exhaust and then passing the hot exhaust through a cooling coil to liquefy the remaining solvent vapor and mist. When is used, the cooling load of the solvent vapor in the cooling coil is reduced, and the service life of the cooling coil can be extended. On the other hand, since the demister is a net-like material, the exchange is easy.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings, taking as an example a coating processing apparatus when a resist is applied to a semiconductor wafer (wafer) and then pre-baked. First, an outline of a resist coating / development processing system provided with the coating processing apparatus of the present invention will be given.
[0014]
FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating / developing system, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof. This resist coating / development processing system 1 transfers a wafer W between a cassette station 10 which is a transfer station, a processing station 11 having a plurality of processing units, and an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11. And an interface unit 12 for delivery.
[0015]
The cassette station 10 carries a plurality of wafers W as processing objects, for example, in units of 25, into the wafer cassette CR, and carries them into the resist coating / development processing system 1 from the other systems, or This is for carrying the wafer W between the wafer cassette CR and the processing station 11 such as unloading from the coating / development processing system 1 to another system.
[0016]
In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality (four in the figure) of positioning protrusions 20a are formed on the cassette mounting table 20 along the X direction in the figure, and the wafer is positioned at the position of the protrusions 20a. The cassette CR can be placed in a row with the respective wafer entrances facing the processing station 11 side. In the wafer cassette CR, the wafers W are arranged in the vertical direction (Z direction). Further, the cassette station 10 has a wafer transfer mechanism 21 located between the cassette mounting table 20 and the processing station 11.
[0017]
The wafer transfer mechanism 21 has a wafer transfer arm 21a that can move in the cassette arrangement direction (X direction) and the arrangement direction (Z direction) of the wafers W in the cassette arrangement direction. The wafer cassette CR can be selectively accessed. Further, the wafer transfer arm 21a is configured to be rotatable in the θ direction shown in FIG. 1, and a third processing unit G on the processing station 11 side to be described later.3An alignment unit (ALIM) and an extension unit (EXT) belonging to can be accessed.
[0018]
On the other hand, the processing station 11 includes a plurality of processing units for performing a series of steps when coating / developing is performed on the wafer W, and these are arranged in multiple stages at predetermined positions. Are processed one by one. As shown in FIG. 1, the processing station 11 has a wafer transfer path 22a at the center thereof, in which a main wafer transfer mechanism 22 is provided, and all the processing units are arranged around the wafer transfer path 22a. It is an arranged configuration. The plurality of processing units are divided into a plurality of processing units, and each processing unit has a plurality of processing units arranged in multiple stages along the vertical direction (Z direction).
[0019]
As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is equipped with a wafer transfer device 46 that can move up and down in the vertical direction (Z direction) inside a cylindrical support 49. The cylindrical support 49 can be rotated by a rotational driving force of a motor (not shown), and accordingly, the wafer transfer device 46 can also be rotated integrally. The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 that are movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafers W between the processing units is realized by these holding members 48.
[0020]
Further, as shown in FIG. 1, in this embodiment, four processing units G1・ G2・ G3・ G4Are actually arranged around the wafer transfer path 22a, and the fifth processing unit G5Can be arranged as needed. Of these, the first and second processing units G1・ G2Are arranged in parallel on the front side (front side in FIG. 1) of the resist coating / development processing system 1, and the third processing unit G3Is arranged adjacent to the cassette station 10 and the fourth processing section G4Is disposed adjacent to the interface unit 12. The fifth processing unit G5Can be placed on the back.
[0021]
First processing unit G1In the coater cup (CP), a resist coating unit (COT), which is two spinner type processing units for performing a predetermined process by placing the wafer W on a spin chuck (not shown), and a developing unit (DEV) for developing a resist pattern. ) Are stacked in two steps from the bottom. Second processing unit G2Similarly, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom as two spinner type processing units.
[0022]
Third processing unit G3In FIG. 3, oven-type processing units that perform predetermined processing by placing the wafer W on the mounting table SP are stacked in multiple stages. That is, a cooling unit (COL) for performing a cooling process, an adhesion unit (AD) for performing a so-called hydrophobic process for improving the fixability of the resist, an alignment unit (ALIM) for performing alignment, and loading / unloading of the wafer W An extension unit (EXT) to be performed, and four hot plate units (HP) for performing a heat treatment on the wafer W before and after the exposure process and after the development process are stacked in eight stages in order from the bottom. A cooling unit (COL) may be provided instead of the alignment unit (ALIM), and the cooling unit (COL) may have an alignment function.
[0023]
Fourth processing unit G4The oven-type processing units are stacked in multiple stages. That is, there are a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), and four hot plate units (HP), which are wafer loading / unloading units equipped with cooling plates. Are stacked in 8 steps in order.
[0024]
On the back side of the main wafer transfer mechanism 22 is a fifth processing unit G.5Is provided, the fifth processing unit G5Can move sideways along the guide rail 25 as viewed from the main wafer transfer mechanism 22. Therefore, the fifth processing unit G5Even in the case where the space is provided, the space is secured by sliding the guide rail 25 along the guide rail 25, so that the maintenance work can be easily performed from the back with respect to the main wafer transfer mechanism 22.
[0025]
The interface unit 12 has the same length as the processing station 11 in the depth direction (X direction). As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages on the front part of the interface part 12, and a peripheral exposure device 23 is arranged on the rear part. A wafer transfer mechanism 24 is disposed at the center. The wafer transfer mechanism 24 has a wafer transfer arm 24a. The wafer transfer arm 24a moves in the X direction and the Z direction, and can access both cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23. Yes.
[0026]
The wafer transfer arm 24 a is rotatable in the θ direction, and the fourth processing unit G of the processing station 11 is used.4It is also possible to access an extension unit (EXT) belonging to No. 1 and a wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side.
[0027]
In the above-described resist coating / development processing system 1, first, in the cassette station 10, the wafer transfer arm 21 a of the wafer transfer mechanism 21 is placed on the wafer cassette CR containing the unprocessed wafers W on the cassette mounting table 20. Access to take out one wafer W, and the third processing unit G3To the extension unit (EXT).
[0028]
The wafer W is transferred from the extension unit (EXT) to the third processing unit G by the wafer transfer device 46 of the main wafer transfer mechanism 22.3After being transferred to the alignment unit (ALIM) and aligned, the wafer is transferred to the adhesion processing unit (AD), where a hydrophobic treatment (HMDS treatment) is performed to improve the fixability of the resist. Since this process involves heating, the wafer W is then transferred to the cooling unit (COL) by the wafer transfer device 46 and cooled.
[0029]
Depending on the type of resist used, the wafer W may be directly transferred to the resist coating unit (COT) without performing the HMDS process. For example, a polyimide resist may be used. .
[0030]
The wafer W that has been processed by the adhesion processing unit (AD) and has been cooled by the cooling unit (COL) or the wafer W that has not been processed by the adhesion processing unit (AD) is continuously resisted by the wafer transfer device 46. It is conveyed to a coating unit (COT), where a resist is applied and a coating film is formed. After the coating process, the wafer W is transferred to the third or fourth processing unit G.3・ G4Is pre-baked in one of the hot plate units (HP), and then cooled in one of the cooling units (COL).
[0031]
The cooled wafer W is transferred to the third processing unit G.3After being transferred to the alignment unit (ALIM) and aligned there, the fourth processing unit G4Are transferred to the interface unit 12 via the extension unit (EXT).
[0032]
The wafer W is subjected to peripheral exposure by the peripheral exposure device 23 in the interface unit 12 to remove excess resist, and then transferred to an exposure device (not shown) provided adjacent to the interface unit 12, where the wafer W is transferred according to a predetermined pattern. An exposure process is performed on the W resist film.
[0033]
The exposed wafer W is returned to the interface unit 12 again, and the fourth processing unit G is processed by the wafer transfer mechanism 24.4To the extension unit (EXT) belonging to Then, the wafer W is transferred to one of the hot plate units (HP) by the wafer transfer device 46, subjected to post-exposure baking, and then cooled by the cooling unit (COL).
[0034]
Thereafter, the wafer W is transferred to a developing unit (DEV) where the exposure pattern is developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to one of the hot plate units (HP), subjected to a post-baking process, and then cooled by a cooling unit (COL). After such a series of processing ends, the third processing unit G3Is returned to the cassette station 10 via the extension unit (EXT) and accommodated in one of the wafer cassettes CR.
[0035]
Next, the hot plate unit (HP) described above will be described in more detail with reference to the cross-sectional view of FIG.
[0036]
The hot plate unit (HP) has a casing 50, and a heating plate 51 having a disk shape is disposed on the lower side inside the casing 50. The heating plate 51 is made of, for example, aluminum, and a proximity pin 52 is provided on the surface thereof. The wafer W is placed on the proximity pin 52 in a state of being close to the heating plate 51. An electric heater 53 having a predetermined pattern is disposed on the back surface of the heating plate 51.
[0037]
The heating plate 51 is supported by a support member 54, and the support member 54 is hollow. The heating plate 51 is formed with three through holes 55 (only two are shown) at the center thereof, and three elevating pins 56 for raising and lowering the wafer W can be raised and lowered in these through holes 55. Is provided. A cylindrical guide member 57 that is continuous with the through hole 55 is provided between the heating plate 51 and the bottom plate of the support member 54. These guide members 57 can raise and lower the elevating pins 56 without being obstructed by heater wiring or the like under the heating plate 51. These elevating pins 56 are supported by a support plate 58, and are moved up and down by a cylinder 59 provided on the side of the support member 54 via the support plate 58.
[0038]
A support ring 61 that surrounds and supports the heating plate 51 and the support member 54 is provided, and a cover body 62 that is movable up and down is provided on the support ring 61. Then, the heat treatment space S of the wafer W is formed in a state where the lid 62 is lowered to the upper surface of the support ring 61.
[0039]
The lid 62 has a conical shape that gradually increases from the outside toward the center, and has an exhaust port 63 to which an exhaust pipe 64 is connected at the top of the center. The heat treatment space S is exhausted through the pipe 64.
[0040]
In the hot plate unit (HP) configured as described above, first, the wafer W is loaded into the casing 50 in a state where the lid 62 is raised, and the lift pins 56 are on standby in a state where the wafer W is projected. Then, the wafer W is placed, and the lift pins 56 are lowered to place the wafer on the proximity pins 52. Next, the lid body 62 is lowered to heat the wafer W at a predetermined temperature in the heat treatment space S while exhausting the solvent vapor evaporating from the wafer W through the exhaust port 63 and the exhaust pipe 64.
[0041]
Conventionally, the solvent vapor contained in the hot exhaust discharged from the hot plate unit (HP) through the exhaust pipe 64 has been sent to a purification apparatus equipped with a scrubber through a factory pipe or the like and removed. However, the types of processing liquids such as resist liquids used for liquid processing of the wafer W are widespread, and these processing liquids are liquefied (condensed) while passing through the factory pipes and stay in the factory pipes. Substances are also being used. Therefore, in the present invention, a cooling device is disposed between the exhaust pipe 64 and the factory piping, etc., and the hot exhaust discharged from the hot plate unit (HP) through the exhaust pipe 64 is cooled, and the A predetermined amount of the solvent vapor contained is removed and recovered as a liquid.
[0042]
FIG. 5 is an explanatory view showing an embodiment of the cooling device. The cooling device 70 includes a demister 72 that removes mist and the like contained in the heat exhaust, a cooling coil 73 that cools the heat exhaust and liquefies the solvent in the heat exhaust, and a recovery tank 77 that recovers the liquefied solvent and the like. And have.
[0043]
The exhaust pipe 64 of the hot plate unit (HP) is connected to a hole 71a provided on the side wall of the cooling device 70, and in the cooling device 70, the heat exhaust flowing through the exhaust pipe 64 is removed from the processing chamber. The exhaust pipe 71 is disposed so as to pass through the bottom wall of the processing chamber 81 from the hole 71 a toward the processing chamber 81 so that it can be led to the processing chamber 81. The exhaust pipe 71 has a shape that protrudes upward from the bottom wall of the processing chamber 81 and then bends downward, so that liquid falling from the demister 72 or the cooling coil 73 to the bottom wall of the processing chamber 81 is exhausted. It does not flow into the pipe 71.
[0044]
The thermal exhaust discharged from the exhaust pipe 71 to the processing chamber 81 first passes through the demister 72. Here, most of the mist contained in the heat exhaust adheres to the demister 72, and a part of the solvent vapor adheres to the demister 72 and liquefies. Mist or liquefied solvent adhering to the demister 72 falls to the bottom wall of the processing chamber 81 due to its own weight.
[0045]
In this way, the mist and solvent vapor captured by the demister 72 are a part of the mist and solvent vapor contained in the heat exhaust, and thus all the mist and solvent contained in the heat exhaust in the cooling coil 73. There is no need to liquefy the steam, the cooling load on the cooling coil 73 is reduced, and the cooling efficiency can be increased. As the demister 72, for example, a metal mesh having a predetermined opening diameter can be used.
[0046]
The hot exhaust gas that has passed through the demister 72 passes through the cooling coil 73. The cooling coil 73 has a structure in which a refrigerant flows through the pipe, and has a large number of fins formed on the surface so that the surface area of the pipe is increased, a pipe bent in a complicated manner, and a plurality of straight pipes arranged in parallel. Those arranged in the above are preferably used. When the hot exhaust comes into contact with the surfaces of such fins and tubes, the solvent vapor in the hot exhaust is liquefied, and naturally falls by its own weight, and falls to the bottom of the processing chamber 81 together with the amount liquefied in the demister 72.
[0047]
As the refrigerant used for the cooling coil 73, the refrigerant may be liquid (water, oil, etc.) or gas (substitute chlorofluorocarbon etc.) as long as the surface of the tube is cooled. As the temperature of the refrigerant flowing through the cooling coil 73 is lower, the recovery efficiency of the solvent vapor is improved, and it is possible to recover the solvent species having a low boiling point. A heat exchanger such as a chiller may be provided. On the other hand, it is also possible to send industrial water, city water or the like directly to the cooling coil 73 without using a chiller or the like.
[0048]
The temperature and flow rate of the refrigerant sent to the cooling coil 73 are preferably determined in consideration of the type and boiling point of the solvent contained in the heat exhaust to be recovered, the temperature and flow rate of the heat exhaust, and the like. Further, when the temperature of the refrigerant sent to the cooling coil 73 is high, the flow rate is increased. On the other hand, when the temperature of the refrigerant is low, the flow rate is decreased to maintain the necessary cooling capacity in the cooling coil 73. be able to.
[0049]
In the present invention, industrial water or city water is used as the refrigerant, and a coolant having a structure for cooling the surface of the pipe by sending such cooling water using a circulation device such as a pump is preferably used. . Even in a state where the cooling device 70 is not operated, it is preferable that the cooling water is continuously fed at a minimum flow rate and circulated to prevent the generation of bacteria. In the cooling device 70 shown in FIG. 5, an import 78 and an outport 79 for circulating the cooling water through the cooling coil 73 are provided.
[0050]
Exhaust gas that has passed through the cooling coil 73 flows through a passage 82 and an exhaust pipe 83 in the cooling device 70 to a factory pipe 91 connected to the exhaust pipe 83. The factory piping 91 is an example, and may be connected to other disposal processing facilities. Since the exhaust gas that has passed through the cooling coil 73 is cooled by the cooling coil 73, there is almost no case where the temperature further decreases thereafter. Further, by reducing the temperature of the refrigerant flowing through the cooling coil 73 in consideration of the environmental temperature and the outside air temperature at which the factory pipe 91 is disposed, the temperature of the exhaust pipe when the temperature of the factory pipe 91 passes through the cooling coil 73. It is possible to avoid the situation where the temperature is too low.
[0051]
Thus, since the solvent vapor in the exhaust gas not recovered in the cooling device 70 is removed using a scrubber (not shown) provided in the factory pipe 91 as in the prior art, without being liquefied in the factory pipe 91, Clean exhaust can be performed.
[0052]
For example, in pre-baking after resist application using a polyimide resist, NMP (normal methyl pyrrolidone) contained as a solvent in the resist solution evaporates, but since NMP is a liquid at room temperature, The industrial water can be sufficiently recovered as a liquid by sending it to the cooling coil 73 and cooling the heat exhaust to near room temperature without the need to lower the temperature using a cooling device such as a chiller. . In this way, liquefaction stagnation in the factory piping 91 and the like is prevented, the load on maintenance of the factory piping 91 and the like is reduced, and the occurrence of corrosion and the like of the piping members is also suppressed. When using city water or the like, there is an advantage that the running cost can be kept low.
[0053]
As described above, when recovering the solvent such as NMP from the heat exhaust, when the coolant supplied to the cooling coil 73 is circulated without being forcibly cooled by a chiller or the like, the temperature of the coolant is the heat exhaust. It is preferable to monitor the flow rate and temperature of the cooling water so that the temperature does not become higher than a certain temperature due to heat applied from the heat.
[0054]
The mist adhering to the demister 72 or the solvent liquefied in the cooling coil 73 falls to the bottom of the processing chamber 81 due to its own weight, flows into the groove 74, and is stored and collected in the collection tank 77 via the drain 75. The solvent recovered in the recovery tank 77 can be processed and reused. The valve 76 may be normally opened and closed when the recovery tank 77 is replaced, while the groove 76 and the processing chamber 81 are normally closed with the valve 76 closed. When a certain amount of solvent is stored in the bottom of the tank, the valve 76 may be opened to recover the solvent in the recovery tank 77.
[0055]
The solvent vapor leaking from the recovery tank 77 is sucked from an intake port 83 a provided in the exhaust pipe 83 and guided to the factory piping 91. In this way, the atmosphere of the space in which the recovery tank 77 is arranged is kept clean to prevent corrosion and the like of various parts arranged in this space, and the work safety when the recovery tank 77 is replaced is improved. To do.
[0056]
Such a method using the recovery tank 77 is based on the premise that a manual operation of exchanging the recovery tank 77 is performed. However, the recovery tank 77 is used as a method of recovering the solvent liquefied by the demister 72 and the cooling coil 73. The method is not limited. For example, the cooling device 70a shown in FIG. 6 is provided with a water level sensor 93 on the side wall of the processing chamber 81, and with a drain pipe 92 in place of the recovery tank 77. It has the same structure as the cooling device 70.
[0057]
In the cooling device 70a, for example, the valve 76 is always opened, and the solvent or the like that falls from the demister 72 or the cooling coil 73 to the bottom of the processing chamber 81 is always provided outside through the drainage pipe 92 (not shown). It is possible to send the solution to a recovery device, a disposal device or the like and dispose of it. In this case, when the drainage pipe 92 is clogged or the like and the solvent stays in the processing chamber 81, the water level sensor 93 detects the staying of the solvent and issues an alarm. It can be configured to stop or the like.
[0058]
When the valve 76 is normally closed, the solvent falling in the bottom of the processing chamber 81 is stored in the processing chamber 81, and when the water level sensor 93 detects that the solvent has reached a predetermined water level. A structure in which the valve 76 is opened is also possible. Even in this case, the solvent stored in the bottom of the processing chamber 81 can be sent to a collecting device (not shown) or a discarding device provided outside through the drainage pipe 92 and disposed.
[0059]
In the case where the drainage pipe 92 is provided in this way, if liquid is recovered from the drainage pipe 92 to, for example, a large tank, a water level sensor is attached to the large tank to determine whether the solvent can be recovered. Information can be fed back to the control device 93 to a water level sensor attached to the cooling device 70a, and an alarm can be provided so that both the processing chamber 81 and the large tank do not overflow. Thus, when the drainage pipe 92 is provided, automatic operation becomes possible.
[0060]
The above-described cooling devices 70 and 70a can be provided in each of the hot plate units (HP), or several hot plate units (HP) are used only for one process, for example, pre-baking of a resist film. Thus, it is also possible to determine a processing application and arrange one cooling device 70 / 70a for each predetermined processing application. Furthermore, it is also possible to process the heat exhaust from all the hot plate units (HP) with one cooling device 70 / 70a.
[0061]
In the former two cases, the type of solvent vapor in the hot exhaust discharged from the hot plate unit (HP) is constant unless the processing solution such as the resist solution to be used is changed. Can be recovered. On the other hand, in the latter case, the solvent vapor used in various processing solutions such as a resist solution and a developing solution is cooled and condensed together, so that the recovered solvent becomes a mixed solution and the purity is low. There is an advantage that the device structure is simplified and maintenance is easy.
[0062]
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an example of the arrangement of the cooling device 70 as an example. The third processing unit G3And the fourth processing unit G4The structure which exhausts the heat exhaust_gas | exhaustion discharged | emitted from all the hotplate units (HP) arrange | positioned in (1) to the factory piping 91 through the one cooling device 70 is shown. In FIG. 7, the detailed structure of the cooling device 70 is not shown.
[0063]
The cooling device 70 can be appropriately disposed at a suitable position corresponding to the position where the resist coating / development processing system is disposed. For example, the cooling device 70 can be installed on the same floor where the resist coating / development processing system is installed, as in the installation location A shown in FIG. It is also possible to install it below the floor where the coating / developing system is provided. These installation locations A and B do not cause a difference in the cooling performance of the heat exhaust in the cooling device 70 and the NMP recovery efficiency.
[0064]
Third processing unit G3The exhaust pipes 64 of the four hot plate units (HP) arranged in one are connected to one exhaust pipe 65, and similarly, the fourth processing section G4Each of the exhaust pipes 64 of the four hot plate units (HPs) disposed in is connected to one exhaust pipe 66. The exhaust pipes 65 and 66 are connected to the joint box 67, and the heat exhaust from the exhaust pipes 65 and 66 merges in the joint box 67. An exhaust pipe 68 is provided between the joint box 67 and the cooling device 70, and the thermal exhaust discharged from the hot plate unit (HP) through the exhaust pipe 68 is sent to the cooling device 70.
[0065]
As the exhaust pipes 65 and 66, for example, those having an inner diameter of 75 mmφ are used, and as the exhaust pipe 68, for example, those having an inner diameter of 100 mmφ are used. The lengths of the exhaust pipes 65, 66 and 68 are preferably 3 m or less for the exhaust pipes 65 and 66 and 10 m or less for the exhaust pipe 68 so that the pressure loss does not increase.
[0066]
For the cooling device 70, the temperature of the cooling water sent to the cooling coil 73 is in the range of 15 degrees (° C.) to 23 ° C., and the heat exhaust flow rate blown into the cooling device 70 is 3 m.3/ Min or less. At this time, when the temperature of the heat exhaust flowing into the cooling device 70 is 40 ° C., the cooling capacity of the cooling device 70 is adjusted so that the temperature of the exhaust discharged from the cooling device 70 is 25 ° C. or less. It is preferable. By setting such conditions, it is possible to sufficiently remove NMP from the hot exhaust.
[0067]
FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of the cooling performance of the cooling device 70, where the temperature of the hot exhaust gas flowing into the cooling device 70 is 40 ° C., and the temperature of the cooling water sent to the cooling coil 73 is shown. When the flow rate is 21 liters and the flow rate is 3 liters / minute, the relationship between the heat exhaust flow rate flowing into the cooling device 70 and the temperature of the exhaust discharged from the cooling device 70 and the heat exhaust flow rate flowing into the cooling device 70 The relationship with the temperature of the cooling water discharged | emitted from the cooling coil 73 is shown. In addition, the environmental temperature in the place where the cooling device 70 is disposed was 23 ° C.
[0068]
As shown in FIG. 8, the temperature change of the cooling water discharged from the cooling coil 73 is larger than the temperature change of the exhaust discharged from the cooling device 70, and the flow rate of the heat exhaust gas flowing into the cooling device 70 changes. However, the temperature change of the exhaust discharged from the cooling device 70 is small. That is, in the cooling device 70, sufficient heat exchange is performed for the heat exhaust flowing into the cooling device 70. By using the cooling device 70 having such a cooling performance, most of the vapor of the solvent such as NMP contained in the hot exhaust can be separated and removed by the cooling device 70.
[0069]
In the above description, NMP is exemplified as the solvent, but the solvent may be IPA, pure water, or the like. That is, various solvents such as a solvent such as thinner applied to the wafer W before the resist solution is applied to the wafer W, and a cleaning solution such as pure water and IPA used for washing away the developer used for the development processing after the exposure processing. Also for the heat exhaust containing the solvent vapor, the cooling devices 70 and 70a are provided to cool the heat exhaust, liquefy and separate the solvent vapor, and the exhaust with reduced solvent vapor amount is supplied to the factory piping 91. It is possible to prevent long-term maintenance by suppressing corrosion of the factory piping 91 and the like. Further, even when the heat exhaust discharged from the hot plate unit (HP) contains a component that is difficult to be liquefied in the factory piping 91, the above-described cooling devices 70 and 70a can be disposed. . In this way, it becomes possible to recover the solvent that has been discarded in the past as a resource.
[0070]
The arrangement positions of the cooling devices 70 and 70a are not limited to the positions shown in FIG. For example, FIG. 9 is a plan view of the resist coating / development processing system 1 described above, and a part of FIG. 1 is simplified, but the cooling devices 70 and 70a are replaced with, for example, a fifth process. Part G5When not provided (see FIG. 1), the fifth processing unit G5It can be provided in the position. Further, as shown in the plan view of FIG. 10, in the resist coating / development processing system 1, third and fourth processing units G in which hot plate units (HP) are disposed are provided.3・ G4It is also possible to provide it closely behind each of the.
[0071]
Further, in FIG. 7 described above, the cooling device 70 is separately provided on the outside of the back surface of the resist coating / development processing system 1 or the like. However, there is a restriction on the arrangement space of the cooling devices 70 and 70a. 11 has a structure in which an exhaust pipe 71 ′ communicating with the exhaust pipe 64 and an exhaust pipe 83 ′ communicating with the factory pipe 91 are attached to the bottom wall of the cooling apparatus 70 b as in the cooling apparatus 70 b shown in FIG. 11. The cooling device 70b can be provided in close contact with the side wall of the resist coating / developing system 1 by using a device.
[0072]
When the cooling device 70b is used, the exhaust pipe 64 is taken out from the bottom wall of the resist coating / development processing system 1 toward the floor surface 94 and attached to the bottom wall of the cooling device 70b, and the exhaust pipe 64, the exhaust pipe 71 ', , And the hot exhaust is sent to the processing chamber 81. Further, a factory pipe 91 is attached to the bottom wall of the cooling device 70b to communicate with the exhaust pipe 83 ′, and the exhaust gas that has passed through the cooling coil 73 is guided to the factory pipe 91 through the exhaust pipe 83 ′.
[0073]
When the cooling device 70b is used, the resist coating / development processing system 1 and the cooling device 70b can be arranged in close contact with each other, and the arrangement space of the device can be used effectively. However, when the cooling device 70b is used, the exhaust pipe 64 needs to be folded back, so that the pressure loss is larger than in the case of the cooling devices 70 and 70a. There is a possibility that the liquefied solvent vapor contained therein will remain. For this reason, when it is indispensable to reduce the pressure loss and prevent the solvent from staying in the exhaust pipe 64, use a structure that connects the exhaust pipe 64 to the side wall of the apparatus, such as the cooling devices 70 and 70a. Is preferred.
[0074]
  As described above, the coating processing apparatus of the present invention has been described by taking an example of an apparatus for performing resist coating processing and drying processing on a semiconductor wafer. However, in the present invention, the processing liquid and the solvent contained in the processing liquid are evaporated by the drying. It can be widely applied to apparatuses, for example, an apparatus that performs resist coating and pre-bake processing on an LCD substrate, an apparatus that cleans various substrates and performs drying with an organic solvent such as IPA, and develops and develops various substrates. It can also be used for an apparatus for performing washing and drying after treatment.
[0075]
【The invention's effect】
  According to the coating treatment apparatus of the present invention, the heat exhaust discharged from the heat treatment unit (heating device) is cooled to a predetermined temperature, and the solvent vapor contained in the heat exhaust is liquefied and removed before the factory piping. Therefore, dew condensation in the factory piping is suppressed. This makes it possible to carry out heat treatment without deteriorating the exhaust function, reduce the load on maintenance of factory piping, etc., and suppress the corrosion of factory piping due to solvent vapor etc. An excellent effect of extending the life is obtained. The removal rate of the solvent vapor can be controlled by the structure, scale, cooling temperature, heat exhaust flow rate, etc. of the installed cooling device, and the recovered solvent can be used as a raw material for reuse. The effect that it becomes possible is also acquired. In addition, if a cooling device that circulates inexpensive city water or the like at normal temperature without using a chiller or the like is used, an effect of reducing the processing cost in terms of both the device cost and the running cost can be obtained. Further, the apparatus and method for first passing the heat exhaust through the demister to liquefy part of the mist and vapor components contained in the heat exhaust, and then passing the heat exhaust through the cooling coil to liquefy the remaining solvent vapor and mist. When is used, the cooling load of the solvent vapor in the cooling coil is reduced, and it is possible to extend the service life of the cooling coil.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an embodiment of a resist coating / developing system according to a coating processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a front view showing a schematic configuration of an embodiment of a resist coating / developing system according to the coating processing apparatus of the present invention.
FIG. 3 is a rear view showing a schematic configuration of an embodiment of a resist coating / developing system according to the coating processing apparatus of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an embodiment of a hot plate unit used in the resist coating / developing system according to the coating processing apparatus of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an embodiment of a cooling device used in the resist coating / developing system according to the coating processing apparatus of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of a cooling device used in the resist coating / developing system according to the coating processing apparatus of the present invention.
FIG. 7 is a plan view showing one form of the arrangement position of the cooling device.
FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of the cooling performance of the cooling device arranged at the position shown in FIG.
FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the arrangement position of the cooling device.
FIG. 10 is a plan view showing still another embodiment of the arrangement position of the cooling device.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing still another embodiment of the cooling device.
[Explanation of symbols]
50; casing
51; heating plate
52; Proximity pins
53; Electric heater
54; Support member
62; lid
64; exhaust pipe
70, 70a, 70b; cooling device
71, 71 '; exhaust pipe
72; Demister
73; Cooling coil
74; groove
77; Collection tank
78; Import
79; Outport
81; processing chamber
82; passage
83, 83 '; exhaust pipe
83a; inlet
91; Factory piping
92; drainage pipe
93; Water level sensor
HP: Hot plate unit

Claims (12)

基板に所定の処理液を塗布し、その後に熱処理を行う塗布処理装置であって、
基板に処理液を塗布する塗布処理部と、
前記処理液が塗布された基板を加熱する加熱処理部と、
前記加熱処理部から排出される熱排気中に含まれる少なくとも一部の溶剤蒸気を回収する回収処理部と、
を具備し、
前記回収処理部は、前記溶剤蒸気を冷却液化させて回収する冷却装置を有し、
前記冷却装置は、
前記加熱処理部から排出される熱排気からミストおよび蒸気を冷却凝縮して液体として分離する処理室と、
前記処理室へ熱排気を導入する導入管と、
前記処理室においてミストおよび蒸気が分離された後の排気ガスが流れるガス通路と、
外部へ排気ガスを排出するために前記ガス通路と連通して設けられた排気管と、
前記処理室において凝縮された液体を回収する液体回収室と、
を有し、
前記排気管は前記液体回収室を通っており、前記液体回収室内において排気管の一部には液体回収室内の雰囲気ガスを吸気するための吸気口が形成されていることを特徴とする塗布処理装置。
A coating processing apparatus that applies a predetermined processing liquid to a substrate and then performs a heat treatment,
A coating processing unit for applying a processing liquid to a substrate;
A heat treatment unit for heating the substrate coated with the treatment liquid;
A recovery processing unit for recovering at least a part of the solvent vapor contained in the thermal exhaust discharged from the heat processing unit;
Comprising
The recovery processing unit, have a cooling device for recovering the solvent vapor allowed to cool liquefied,
The cooling device is
A processing chamber for cooling and condensing mist and steam from the heat exhaust discharged from the heat treatment unit and separating them as a liquid;
An introduction pipe for introducing heat exhaust into the processing chamber;
A gas passage through which exhaust gas after mist and vapor are separated in the processing chamber flows;
An exhaust pipe provided in communication with the gas passage for discharging exhaust gas to the outside;
A liquid recovery chamber for recovering the liquid condensed in the processing chamber;
Have
The exhaust pipe passes through the liquid recovery chamber, and an air inlet for sucking atmospheric gas in the liquid recovery chamber is formed in a part of the exhaust pipe in the liquid recovery chamber. apparatus.
前記導入管は、前記処理室の底部から上方へ向けて突出した後に下方へ屈曲し、熱排気が略下向きに排出される形状を有することを特徴とする請求項に記載の塗布処理装置。The coating apparatus according to claim 1 , wherein the introduction pipe has a shape that protrudes upward from the bottom of the processing chamber and then bends downward so that hot exhaust is discharged substantially downward. 前記加熱処理部からの熱排気は、前記冷却装置の側壁から冷却装置内部へ導入されることを特徴とする請求項1または請求項に記載の塗布処理装置。The hot exhaust from the heating part, the coating apparatus according to claim 1 or claim 2, characterized in that it is introduced from a side wall of the cooling device to the cooling device inside. 前記加熱処理部からの熱排気は、前記冷却装置の底壁から冷却装置内部へ導入されることを特徴とする請求項から請求項のいずれか1項に記載の塗布処理装置。The hot exhaust from the heating part, the coating apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it is introduced from the bottom wall of the cooling device to the cooling device inside. 前記処理室に前記処理室内の液体量を検出する水位センサが配設されていることを特徴とする請求項から請求項のいずれか1項に記載の塗布処理装置。Coating treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein a water level sensor for detecting the liquid amount of the processing chamber to the processing chamber is disposed. 前記液体回収室は、前記処理室の底壁を貫通して設けられたドレインと、前記ドレインの中間に設けられたドレイン開閉バルブと、前記ドレインに取り付けられた脱着可能な液体回収タンクと、を有することを特徴とする請求項から請求項のいずれか1項に記載の塗布処理装置。The liquid recovery chamber includes a drain provided through the bottom wall of the processing chamber, a drain opening / closing valve provided in the middle of the drain, and a detachable liquid recovery tank attached to the drain. coating treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it has. 前記回収処理部は、前記冷却装置の外部に設けられた廃液を処理または回収する装置を具備し、また、前記液体回収室は前記処理室の底壁を貫通して設けられたドレインを有し、前記処理室において回収された液体は前記ドレインを通って前記廃液を処理または回収する装置へ送られることを特徴とする請求項から請求項のいずれか1項に記載の塗布処理装置。The recovery processing unit includes a device for processing or recovering waste liquid provided outside the cooling device , and the liquid recovery chamber has a drain provided through the bottom wall of the processing chamber. , coating treatment apparatus according to the recovered liquid any one of claims 1 to 5, characterized in that it is sent to a device for processing or recovering the waste liquid through the drain in the processing chamber. 前記冷却装置は、主に熱排気中に含まれるミストを除去するデミスターと、熱排気中に含まれる蒸気を冷却凝縮して液化させる冷却コイルと、を有することを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の塗布処理装置。The cooling device includes a demister that mainly removes mist contained in the hot exhaust and a cooling coil that cools, condenses, and liquefies the steam contained in the hot exhaust. Item 8. The coating treatment apparatus according to any one of Item 7 . 前記デミスターと前記冷却コイルは、前記冷却装置に導入される熱排気がデミスターを通過した後に冷却コイルを通過するように配設されていることを特徴とする請求項に記載の塗布処理装置。The coating treatment apparatus according to claim 8 , wherein the demister and the cooling coil are arranged so that hot exhaust gas introduced into the cooling device passes through the cooling coil after passing through the demister. 前記冷却コイルは水を冷媒として用いることを特徴とする請求項または請求項に記載の塗布処理装置。The cooling coil coating apparatus according to claim 8 or claim 9, characterized in that water is used as coolant. 前記冷却コイルはチラーにより冷却された冷媒を用いることを特徴とする請求項から請求項10のいずれか1項に記載の塗布処理装置。The coating processing apparatus according to any one of claims 8 to 10 , wherein the cooling coil uses a refrigerant cooled by a chiller. 前記冷却コイルはチラーにより冷却された水を循環して用いることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の塗布処理装置。The cooling coil coating processing apparatus according to claim 10 or claim 11, characterized by using circulating water that is cooled by the chiller.
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