JP2011108849A - 電子部品および表示モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】外部出力端子と他装置の接続端子との接合時に発生する、外部出力端子の接続端子に対する位置ズレを抑制することができる、電子部品等を提供する。
【解決手段】出力側のアウターリード４ａが設けられているポリイミドフィルム３を備えたＣＯＦ１は、ポリイミドフィルム３が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数ＣＴＥ（ＴＤ）、および、ポリイミドフィルム３が機械搬送方向ＭＤに膨張する度合を示す熱膨張係数ＣＴＥ（ＭＤ）のうち、少なくとも一方のＣＴＥが、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満となっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品および表示モジュールに関する発明である。特に、本発明は、ポリイミドを含む素材からなるフィルム基材（以下、「ポリイミドフィルム」と称する）に半導体チップが実装された半導体装置、いわゆるＣＯＦ（Chip On Film）に関する発明である。

従来、表示モジュールの駆動装置等に使用されているＣＯＦは、半導体チップが実装されるフィルム基材として、ポリイミドフィルムが好適に使用されている。この理由は、以下のとおりである。

すなわち、半導体チップは、例えば４００〜４４０℃にまで加熱されて、フィルム基材に、０．３〜１．０ｓの時間をかけてボンディングされる。また、ＣＯＦの外部出力端子として設けられるアウターリードのボンディング時には、例えばボンディングツールを約４００℃にまで加熱する。一方、緩衝材としてボンディングツールとＣＯＦとの間に挿入するために、また、ＣＯＦを熱容量の大きなガラスパネル（液晶表示パネル、ガラス基板）に実装するために、ＣＯＦのフィルム部（アウターリードの実装部）は、１６０〜２００℃にまで加熱されて、フィルム基材にボンディングされる。緩衝材としては、厚さ３５０μｍのシリコーンゴムと、厚さ４５〜７５μｍのテフロン（登録商標）と、によりコーティングされたガラスクロスシート等の、比較的熱膨張係数の大きな材料を用いる。シリコーンゴムシートの熱膨張係数は、２００〜５００ｐｐｍ／℃、テフロンガラスシートの熱膨張係数は、１５〜４０ｐｐｍ／℃であり、ＣＯＦフィルムより大きい。ここで、ポリイミドフィルムは、非常に優れた耐熱性を有している。このため、ポリイミドフィルムで構成されたフィルム基材は、ボンディング時に発生する熱に起因して、変形したり溶融したりする虞が低い。

以上の背景より、ポリイミドフィルムは、ＣＯＦのフィルム基材として好適に使用されている。さらに、ポリイミドフィルムは、ＣＯＦのみならず、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のフィルム基材としても好適に使用されている。

代表的なポリイミドフィルム製品としては、東レ・デュポン株式会社製のカプトン（登録商標）、および、宇部興産株式会社製のユーピレックス（登録商標）が挙げられる。

カプトンは、弾性率が約６〜８Ｇｐａと低いのが特徴的である。ＣＯＦのフィルム基材としての、カプトンの厚みは、３８μｍである。

一方、ユーピレックスは、以下の物性を有している。

ユーピレックスは、幅方向の弾性率が約９〜１０Ｇｐａであり、機械搬送方向の弾性率が約９〜１０Ｇｐａである。本明細書において、「機械搬送方向」とは、ポリイミドフィルム（フィルム基材）のテープが巻き取られたり、該ポリイミドフィルム（フィルム基材）または電子部品（ＣＯＦ）の搬送が行われたりする方向を意味しており、該テープの長手方向であるのが一般的である。また、本明細書において、「幅方向」とは、上記「機械搬送方向」と直交する方向を意味しており、該テープの短手方向であるのが一般的である。以下では、幅方向を「ＴＤ」と称し、機械搬送方向を「ＭＤ」と称する。

ユーピレックスは、ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数が約１４〜１６ｐｐｍ／℃であり、ＭＤに膨張する度合を示す熱膨張係数が約１４〜１６ｐｐｍ／℃である。以下では、熱膨張係数を「ＣＴＥ（Coefficient of Thermal Expansion）」と称する。また、以下では、ＴＤに膨張する度合を示すＣＴＥを「ＣＴＥ（ＴＤ）」と称し、ＭＤに膨張する度合を示すＣＴＥを「ＣＴＥ（ＭＤ）」と称する。

ユーピレックスは、ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数が約９〜１１ｐｐｍ／％ＲＨであり、ＭＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数が約９〜１１ｐｐｍ／％ＲＨである。以下では、湿度膨張係数を「ＣＨＥ（Coefficient of Humidity Expansion）」と称する。また、以下では、ＴＤに膨張する度合を示すＣＨＥを「ＣＨＥ（ＴＤ）」と称し、ＭＤに膨張する度合を示すＣＨＥを「ＣＨＥ（ＭＤ）」と称する。

ユーピレックスは、吸水率が１．４％である。

ユーピレックスは、水蒸気透過率が０．０７ｇ・ｍｍ／ｍ^２・ｄａｙである。

以下では、ＣＯＦの一般的な製造工程について簡単に説明する（非特許文献１参照）。

ポリイミドフィルムのテープには、概ねクロムおよびニッケルからなり、かつ、クロムを５〜７％もしくは２０％程度含有するシード層を、スパッタリング法により形成する。

シード層を形成したテープの上面には、必要に応じて銅をスパッタリング法により形成し、さらに、厚さ約８．５μｍの銅をメッキ法により形成することで、ＣＣＬを作製する。

ＣＣＬは、フォトリソグラフィ工程にて、メッキ法により形成された銅部分がウェットエッチングされることにより、インナーリードが形成される。

インナーリードには、半導体チップの金バンプが、インナーリードボンダーを用いたボンディングにより接合される。具体的に、該金バンプは、予めインナーリードに施した錫メッキに接合されるが、金と錫とは金属接合により接合される。これにより、半導体チップはＣＯＦにおいて実装される。

半導体チップの実装後には、アンダーフィル樹脂を注入して、キュア工程を行って、樹脂封止を行う。

インナーリードは、インナーリードボンダーの加熱ステージにより、ポリイミドフィルムの温度を、１２０±α℃の範囲内で適宜調整しつつ、金バンプの中央にボンディングされる。

ポリイミドフィルムの温度を、１２０℃を中心として調整する理由は、１００℃を中心として調整した場合、ポリイミドフィルムに含まれている水分が蒸発することで、該ポリイミドフィルムの寸法が変動するためである。すなわち、ポリイミドフィルムの温度を、１００℃を中心として調整した場合、該ポリイミドフィルムの寸法は、湿度膨張係数を厳密に考慮して、調整する必要がある。

一方、ポリイミドフィルムの温度を、１２０℃を中心として調整することにより、ポリイミドフィルムの寸法が変動する虞は、低減することができる。具体的には、予めポリイミドフィルムを乾燥させてから、該ポリイミドフィルムの温度を１２０℃付近で適宜調整することにより、湿度膨張係数にあまり影響されることなく、主に熱膨張係数のみに応じて、該ポリイミドフィルムの寸法を調整することができる。この場合、ポリイミドフィルムの寸法は、主に該ポリイミドフィルムを加熱するための加熱ステージの温度に応じて、適宜調整することができる。

加熱ステージの温度は、１００〜１６０℃の間で適宜変化させて、ポリイミドフィルムを加熱し、該ポリイミドフィルムの寸法を変化させる。

特許文献１には、ＣＴＥ（ＭＤ）が１０〜２０ｐｐｍ／℃、ＣＴＥ（ＴＤ）が３〜１０ｐｐｍ／℃の範囲にあるポリイミドフィルムが開示されている。

特許文献１に開示されているポリイミドフィルムは、ＣＴＥ（ＴＤ）が低く抑えられると共に、ＣＴＥ（ＭＤ）が金属に近似した値を持つので、フィルムのＴＤへの寸法変化のみを低減させることができる。従って、このポリイミドフィルムは、フィルムのＴＤへの寸法変化、およびそれに伴うフィルム基材の寸法のバラつきを低減することができるため、寸法安定性に優れ、かつ、ファインピッチ用のＣＯＦ等に好適であると言える。

特開２００５−３１４６６９号公報（２００５年１１月１０日公開） 特開昭６１−２６４０２８号公報（１９８６年１１月２１日公開）

豊沢健司、千川保憲 著「液晶ドライバ対応３５μｍファインピッチＳＯＦ（System on Film）技術の開発」 シャープ技報第８５号 ３８頁〜４１頁 ２００３年４月 ＭＡＴＥＲＩＡＬＳＴＡＧＥＶｏｌ２， Ｎｏ８， ２７〜３１頁 ２００２年 エレクトロ実装技術Ｖｏｌ９， Ｎｏ２， ５８〜６１頁 ２００３年 豊沢健司、中村仲栄、福田和彦、千川保憲 著「リールtoリール方式による液晶ドライバのＣＯＦ（Chip On Film）技術」 シャープ技報第８０号 ５６〜５９頁 ２００１年８月

近年、表示モジュールの分野では、主にガラス基板により構成される表示パネルに搭載される駆動装置の数を減少させる一方、個々の駆動装置の多出力化を行う技術の開発が進められている。

そして、駆動装置の多出力化に伴い、ＣＯＦは近年、ＴＤに４８ｍｍ程度の寸法を有している装置に、７２０個の外部出力端子が設けられているものが、広く使用されるようになってきた。この外部出力端子としてのアウターリードは、各々がＴＤに沿って配置されており、４９〜５４μｍ程度のピッチを有している。但し、ＣＯＦではさらに、外部出力端子としてのアウターリードに加え、入力端子から出力端子に配線されたスルー配線が、１０〜８０本程、ＴＤに沿って配置されているため、装置に応じてアウターリードのピッチは多様である。

さらに、ＣＯＦは近年、ＴＤに４８ｍｍ程度の寸法を有している装置に、９６０個の外部出力端子が設けられているものが存在する。該ＣＯＦは、ＴＤに並んだアウターリードが、３７〜４１μｍ程度のピッチを有しており、非常にファインピッチとなっている。

このため、ＡＣＦ（Anisotoropic Conductive Film：異方性導電フィルム）に、アウターリードを実装する場合、該アウターリードは、ＡＣＦにより構成された端子に対する位置ズレが発生しやすく、これに伴い、歩留まりが悪化するという問題が発生する。

具体的に、アウターリードのボンディングは、表示パネルのＡＣＦ部分に形成されたアラインメントマークと、ＣＯＦに形成されたアラインメントマークと、を対向させて行われる。これにより、アウターリードと表示パネルの接続端子とは、位置合わせされる。また、ボンディングは、ＡＣＦ部分の温度が１８０〜２００℃、ボンディング時間が１３秒、ボンディング時の圧力が３〜３．５ＭＰａ、という条件で実施される。なお、ＣＯＦのアウターリードの長さは、端子から端子までで約３９ｍｍとなっている。

ここで、ポリイミドフィルムは、ボンディングに伴う加熱に起因して熱膨張する。このため、ＣＯＦに対しては、アウターリードの、表示パネルのＡＣＦ部分へのボンディングを実施する前に、９９．８８〜９９．９０％程度の大きさにまで縮小する（いわゆる、縮小補正を行う）必要がある。以上の条件により、ＣＯＦのアウターリードを、表示パネルのＡＣＦ部分にボンディングして接合すると、ポリイミドフィルムは、ＴＤに４０〜５０μｍ程度膨張し、かつ、１つのフィルム内で膨張の度合にバラつきが発生する。従って、アウターリードがファインピッチになればなる程に、高精度のボンディングが要求され、高精度のボンディングが実施されなかった場合には、ＣＯＦを表示パネルに実装したときに、該ＣＯＦのアウターリードが該表示パネルのＡＣＦ部分に対して位置ズレを起こしてしまう。

以上のとおり、特に、９６０個以上の外部出力端子が設けられているＣＯＦを用いて、表示モジュールのコストの低減を図るためには、該ＣＯＦのアウターリードを非常にファインピッチとする必要がある。

しかしながら、特許文献１に開示されているポリイミドフィルムを、フィルム基材として使用したＣＯＦに、９６０個以上の外部出力端子を設けた場合には、アウターリードのボンディング時において、該アウターリードのピッチに対する該ポリイミドフィルムの膨張度合（膨張する寸法）が大きくなってしまう。

このため、特許文献１に開示されているポリイミドフィルムを、フィルム基材として使用したＣＯＦでは、フィルム基材に設けられた外部出力端子が増加したときに、外部出力端子幅が端子数に反比例して細くなるため（ガラスパネルの接続端子の幅も細くなり）該外部出力端子が、ガラスパネルの接続端子に対して位置ズレしてしまうことが避けられず、これに伴い、上述した、歩留まりの悪化を解消するまでには至っていない。

本発明は、上記の問題に鑑みて為されたものであり、その目的は、外部出力端子と他装置の接続端子との接合時に発生する、外部出力端子の接続端子に対する位置ズレを抑制することができる、電子部品および表示モジュールを提供することにある。

本発明の電子部品は、上記の問題を解決するために、外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、上記フィルム基材が幅方向ＴＤに膨張する度合を示すＴＤ熱膨張係数、および、上記フィルム基材が機械搬送方向ＭＤに膨張する度合を示すＭＤ熱膨張係数のうち、少なくとも一方の熱膨張係数は、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満となっていることを特徴としている。

上記の構成によれば、フィルム基材は、ＴＤ熱膨張係数およびＭＤ熱膨張係数のうち、少なくとも一方の熱膨張係数が、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満という非常に小さな値となっている。このため、該フィルム基材を備えた本電子部品は、外部出力端子の加熱を伴うボンディング時における、複数個の該外部出力端子のピッチに対する該フィルム基材の熱膨張の度合（熱膨張する寸法）を、十分に小さくすることができる。

従って、本電子部品では、外部出力端子と他装置の接続端子との接合時に発生する、該外部出力端子の該接続端子に対する位置ズレを抑制することができるという効果を奏する。またこれにより、本電子部品では、上述した、歩留まりの悪化を解消することが可能となるという効果を奏する。これらの効果は、特にフィルム基材に設けられた外部出力端子が増加したときに、有利である。

ここで、本電子部品は、主にＣＯＦ用途であり、実際の該ＣＯＦは、フィルム基材および外部出力端子の他にも、半導体チップ等の部材を有するのが一般的である。そして、本電子部品は、これらの部材の熱膨張係数に応じて膨張する。このため、単純に、フィルム基材が膨張する度合を示す、ＴＤ熱膨張係数および／またはＭＤ熱膨張係数が、０ｐｐｍ／℃となっているだけでは、熱膨張の度合が非常に小さな電子部品の実現が難しい。

そこで、本願発明者は、フィルム基材が膨張する度合を示す、ＴＤ熱膨張係数および／またはＭＤ熱膨張係数の下限を、−１０ｐｐｍ／℃にまで低減することを見出し、本発明を案出した。なお、ある対象物が膨張する度合を示す熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃未満である場合、該対象物は、温度が上昇する（熱量が増加する）と収縮する物性を有することとなる。つまり、フィルム基材が膨張する度合を示す、ＴＤ熱膨張係数および／またはＭＤ熱膨張係数が、０ｐｐｍ／℃未満となっている場合、フィルム基材単体としては、温度が上昇すると、対応する方向へと収縮することとなる。このフィルム基材の収縮により、フィルム基材以外の部材の熱膨張係数に起因した、電子部品の膨張を相殺することにより、熱膨張の度合が非常に小さな電子部品の実現が可能となる。

なお、本電子部品は、たとえ、外部出力端子がフィルム基材に１個だけ設けられている場合であっても、上記の熱膨張の度合を十分に小さくできることにより、該外部出力端子の位置ズレを抑制することができるため、効果を奏する。

また、本電子部品は、上記の熱膨張の度合を十分に小さくできることにより、外部出力端子の配置関係に関わらず、該外部出力端子の位置ズレを抑制することができる。但し、複数個の外部出力端子は、熱膨張係数が小さくされた方向に沿って配置されている構成とすることで、より大きな位置ズレ抑制の効果を得ることができる。

また、本発明の電子部品は、上記ＴＤ熱膨張係数は、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満となっており、上記ＭＤ熱膨張係数は、１２ｐｐｍ／℃以上、かつ、１８ｐｐｍ／℃以下となっていることを特徴としている。

上記の構成によれば、フィルム基材は、ＴＤ熱膨張係数が、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満という非常に小さな値となっている。従って、本電子部品では、幅方向ＴＤに関して、大きな位置ズレ抑制の効果を得ることができる。なお、フィルム基材の幅方向ＴＤとは、ポリイミドフィルムにおける幅方向ＴＤとすればよい。

さらに、本発明の電子部品は、上記ＴＤ熱膨張係数は、−２ｐｐｍ／℃以上、かつ、１ｐｐｍ／℃以下となっていることを特徴とするのが好ましい。

また、本発明の電子部品は、上記フィルム基材には、上記外部出力端子が複数個設けられており、各上記外部出力端子は、互いに異なる銅配線からなり、各上記外部出力端子には、互いに異なる銅配線が接続されており、複数本の上記銅配線は、いずれも上記フィルム基材に配置されており、複数本の上記銅配線は、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下のピッチを有しており、上記フィルム基材と複数本の上記銅配線とからなるフィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数は、上記ＴＤ熱膨張係数よりも大きくなっており、上記フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数は、−２ｐｐｍ／℃を超え、かつ、４ｐｐｍ／℃以下となっていることを特徴としている。

フィルム基材に銅配線が形成されているフィルム配線基板が、幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数は、上記ＴＤ熱膨張係数と異なる値となる。具体的に、銅配線が膨張する度合を示す熱膨張係数が上記ＴＤ熱膨張係数よりも大きいため、フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数は、該ＴＤ熱膨張係数よりも大きな値となる。さらに、フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数は、複数本の銅配線のピッチに依存して異なる。複数本の銅配線が、１０〜５０μｍのピッチを有している場合には、フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数は、−２ｐｐｍ／℃を超え、かつ、４ｐｐｍ／℃以下となっているのが好ましい。

本発明の電子部品は、上記の問題を解決するために、外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、上記フィルム基材が幅方向ＴＤに膨張する度合を示すＴＤ湿度膨張係数は、１ｐｐｍ／％ＲＨ以上、かつ、５ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっており、上記フィルム基材が機械搬送方向ＭＤに膨張する度合を示すＭＤ湿度膨張係数は、６ｐｐｍ／％ＲＨ以上、かつ、１１ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっていることを特徴としている。

上記の構成によれば、フィルム基材は、ＴＤ湿度膨張係数が、１〜５ｐｐｍ／％ＲＨという非常に小さな値となっている。このため、該フィルム基材を備えた本電子部品は、多湿な環境下での実装時、さらには同環境下での保管時における、複数個の外部出力端子のピッチに対する該フィルム基材の湿度膨張の度合（湿度膨張する寸法）を、幅方向ＴＤに関して、十分に小さくすることができる。

従って、本電子部品では、外部出力端子と他装置の接続端子との接合時に発生する、該外部出力端子の該接続端子に対する位置ズレを抑制することができるという効果を奏する。またこれにより、本電子部品では、上述した、歩留まりの悪化を解消することが可能となるという効果を奏する。これらの効果は、特にフィルム基材に設けられた外部出力端子が増加したときに、有利である。

なお、本電子部品は、たとえ、外部出力端子がフィルム基材に１個だけ設けられている場合であっても、上記の湿度膨張の度合を十分に小さくできることにより、該外部出力端子の位置ズレを抑制することができるため、効果を奏する。また、本電子部品は、上記の湿度膨張の度合を十分に小さくできることにより、外部出力端子の配置関係に関わらず、該外部出力端子の位置ズレを抑制することができるが、複数個の外部出力端子は、幅方向ＴＤに沿って配置されている構成とすることで、より大きな位置ズレ抑制の効果を得ることができる。

また、本発明の電子部品は、上記ＴＤ湿度膨張係数は、３．２ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっていることを特徴とするのが好ましい。

また、本発明の電子部品は、上記フィルム基材には、上記外部出力端子が複数個設けられており、各上記外部出力端子は、互いに異なる銅配線からなり、各上記外部出力端子には、互いに異なる銅配線が接続されており、複数本の上記銅配線は、いずれも上記フィルム基材に配置されており、複数本の上記銅配線は、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下のピッチを有しており、上記フィルム基材と複数本の上記銅配線とからなるフィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数は、上記ＴＤ湿度膨張係数よりも小さくなっており、上記フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数は、０．４ｐｐｍ／％ＲＨ以上、かつ、４．４ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっていることを特徴としている。

銅配線が膨張する度合を示す湿度膨張係数が上記ＴＤ湿度膨張係数よりも小さいため、フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数は、該ＴＤ湿度膨張係数よりも小さな値となる。さらに、フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数は、複数本の銅配線のピッチに依存して異なる。複数本の銅配線が、１０〜５０μｍのピッチを有している場合には、フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数は、０．４〜４．４ｐｐｍ／％ＲＨとなっているのが好ましい。

本発明の電子部品は、上記の問題を解決するために、外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、上記フィルム基材が幅方向ＴＤに伸びる度合を示すＴＤ引っ張り伸び率は、１５％以上、かつ、２５％以下となっていることを特徴としている。

上記の構成によれば、フィルム基材は、ＴＤ引っ張り伸び率が、１５〜２５％という非常に小さな値となっている。このため、該フィルム基材を備えた本電子部品は、複数個の外部出力端子のピッチに対する該フィルム基材の伸びを、幅方向ＴＤに関して、十分に小さくすることができる。

従って、本電子部品では、外部出力端子と他装置の接続端子との接合時に発生する、該外部出力端子の該接続端子に対する位置ズレを抑制することができるという効果を奏する。またこれにより、本電子部品では、上述した、歩留まりの悪化を解消することが可能となるという効果を奏する。これらの効果は、特にフィルム基材に設けられた外部出力端子が増加したときに、有利である。

なお、本電子部品は、たとえ、外部出力端子がフィルム基材に１個だけ設けられている場合であっても、上記のフィルム基材の伸びを十分に小さくできることにより、該外部出力端子の位置ズレを抑制することができるため、効果を奏する。また、本電子部品は、上記のフィルム基材の伸びを十分に小さくできることにより、外部出力端子の配置関係に関わらず、該外部出力端子の位置ズレを抑制することができる。

また、本発明の電子部品は、上記フィルム基材の吸水率は、１．７％未満となっていることを特徴としている。また、本発明の電子部品は、上記フィルム基材の吸水率は、０．８％以上、かつ、１．４％以下となっていることを特徴としているのがより好ましい。

上記の構成によれば、フィルム基材は、吸水率が、１．７％未満、好ましくは０．８〜１．４％と低いので、該フィルム基材を備えた本電子部品は、多湿な環境下での実装時、さらには同環境下での保管時における、複数個の外部出力端子のピッチに対する該フィルム基材の湿度膨張の度合（湿度膨張する寸法）を、さらに小さくすることができる。

また、本発明の電子部品は、上記フィルム基材には、上記外部出力端子が、７２０個以上、かつ、２０００個以下設けられており、各上記外部出力端子は、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下のピッチを有していることを特徴としている。

上記の構成によれば、例えば９６０個以上という、多数の外部出力端子が設けられており、かつ、各外部出力端子のピッチが１９〜５０μｍにまでファインピッチ化された、電子部品の実現が可能である。そして、この本電子部品においては、上記のいずれかの特徴点をさらに有していることにより、従来技術に係るＣＯＦとの比較上より大きな、位置ズレ抑制に関する効果、および、歩留まりの悪化の解消に関する効果を奏する。

本発明の電子部品は、複数個の外部出力端子が、フィルム基材の幅方向ＴＤに沿って配置されていなくても、特に問題ない。但し、本発明の電子部品は、複数個の上記外部出力端子は、上記フィルム基材の幅方向ＴＤに沿って配置されていることを特徴としているのが、より好ましい。

また、本発明の電子部品は、半導体チップが実装されており、上記半導体チップは、電子部品内部で、上記フィルム基材の外部出力端子と接続している内部出力端子を備えることを特徴としているもの、すなわち、ＣＯＦであるのが好ましい。

また、本発明の表示モジュールは、上記のいずれかの本電子部品にガラス基板が実装されており、該ガラス基板に設けられた接続端子と、該電子部品のフィルム基材に設けられた外部出力端子と、が接合されていることを特徴としている。本表示モジュールは、本電子部品と同様の効果を奏するものである。

以上のとおり、本発明の電子部品は、外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、上記フィルム基材が幅方向ＴＤに膨張する度合を示すＴＤ熱膨張係数、および、上記フィルム基材が機械搬送方向ＭＤに膨張する度合を示すＭＤ熱膨張係数のうち、少なくとも一方の熱膨張係数は、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満となっている。

また、本発明の電子部品は、外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、上記フィルム基材が幅方向ＴＤに膨張する度合を示すＴＤ湿度膨張係数は、１ｐｐｍ／％ＲＨ以上、かつ、５ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっており、上記フィルム基材が機械搬送方向ＭＤに膨張する度合を示すＭＤ湿度膨張係数は、６ｐｐｍ／％ＲＨ以上、かつ、１１ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっている。

また、本発明の電子部品は、外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、上記フィルム基材が幅方向ＴＤに伸びる度合を示すＴＤ引っ張り伸び率は、１５％以上、かつ、２５％以下となっている。

従って、本電子部品では、外部出力端子と他装置の接続端子との接合時に発生する、該外部出力端子の該接続端子に対する位置ズレを抑制することができるという効果を奏する。この効果は、特にフィルム基材に設けられた外部出力端子が増加したときに、有利である。

図１（ａ）は、本発明に係るＣＯＦの構造を示す上面図であり、図１（ｂ）は、同図（ａ）に示すＣＯＦを、同図（ａ）の１Ａ−１Ａ線にて切断した断面を示す矢視断面図である。 図１（ａ）に示す上面図に対して、半導体チップを取り除いた様子を示す上面図である。 ３５ｍｍＣＯＦおよび４８ｍｍＣＯＦのそれぞれに関する、外部出力端子の個数と、外部出力端子のピッチと、の関係を示すグラフである。 表示パネルの解像度がＷＸＧＡ（１２８０×７６８ドット）であるときの、ＣＯＦの外部出力端子の個数と、ＣＯＦを搭載すべき個数と、の対応関係を示す表である。 図５（ａ）は、図１（ａ）および（ｂ）に示すＣＯＦの半導体チップが実装されたときに、出力側のインナーリードが金バンプに対して位置ズレしている様子を示す上面図であり、図５（ｂ）は、同図（ａ）と同じときに、出力側のインナーリードが金バンプに対して位置ズレしていない様子を示す上面図である。 フリップチップボンディング用の装置を用いた、インナーリードボンディングの概略を示す断面図である。 １６ｐｐｍＣＴＥ品、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品のそれぞれに関する、出力側のインナーリードの金バンプに対する位置ズレと、ステージの温度と、の関係を示すグラフである。 アウターリードボンディング装置の概略を示す断面図である。 図８に示すアウターリードボンディングにより、ＣＯＦに設けられた出力側のアウターリードが、液晶表示パネルに設けられたＡＣＦに接合された様子を示す上面図である。 図９に示す上面図における、出力側のアウターリードとＡＣＦとの接合部分を、拡大して部分的に示した図である。 １６ｐｐｍＣＴＥ品、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品のそれぞれに関する、ＴＤにおける出力側の各アウターリードの累積寸法の伸び率と、アウターリードボンディング実施時の出力側のアウターリードの温度と、の関係を示すグラフである。 １６ｐｐｍＣＴＥ品、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品のそれぞれに関する、ＴＤにおける出力側の各アウターリードの累積寸法の伸び率の経時変化を示すグラフである。 ＴＤにおける出力側の各アウターリードの累積寸法の伸び率と、ポリイミドフィルムのＣＴＥと、の関係を示すグラフである。 図１４（ａ）〜（ｄ）は、図１に示すＣＯＦの製造方法の概略を示す断面図である。

〔実施の形態１〕
図１（ａ）は、本発明に係るＣＯＦの構造を示す上面図であり、図１（ｂ）は、同図（ａ）に示すＣＯＦを、同図（ａ）の１Ａ−１Ａ線にて切断した断面を示す矢視断面図である。

具体的に、図１（ａ）に示す上面図は、半導体チップ２が実装されたＣＯＦ（電子部品）１の面を示している。

また、図１（ａ）において、紙面左右方向は、ポリイミドフィルム（フィルム基材）３の機械搬送方向であるＭＤ方向（図１（ａ）の矢印ＭＤ参照）を示しており、紙面上下方向は、ポリイミドフィルム３の幅方向であるＴＤ方向（図１（ａ）の矢印ＴＤ参照）を示している。

図１（ａ）および（ｂ）に示すＣＯＦ１は、半導体チップ２、ポリイミドフィルム３、出力側のアウターリード（外部出力端子）４ａ、入力側のアウターリード４ｂ、出力側のインナーリード５ａ、入力側のインナーリード５ｂ、金バンプ（内部出力端子）６、ソルダーレジスト７、および、アンダーフィル樹脂８を備えている。さらに、ポリイミドフィルム３の四隅近傍には、ボンディング時における位置合わせのための、アラインメントマーク９が形成されている。

なお、半導体チップ２は、本発明の目的を達成するために必須の部材でなく、この観点から述べれば、半導体チップ２は、半導体を含まない素子（電子素子）に置換されても、さらには省かれても、本発明を実施するにあたっては問題ない。半導体チップ２のかわりに半導体を含まない電子素子を使用したり、半導体チップ２等の半導体素子を使用しない場合、図１（ａ）および（ｂ）に示す構造は、「半導体装置」としてのＣＯＦ１でなく、単なる「電子部品」として解釈されるべきである。また、金バンプ６は、その名のとおり、金からなるバンプ電極であるが、例えば銅からなるバンプ電極（銅バンプ）に置換されても構わない。

ＣＯＦ１は、以下の構造を有している。

半導体チップ２には、半導体チップ２と他の装置との間で、接合および電気的接続を構築するための、金バンプ６が設けられている。この金バンプ６は、１個の半導体チップ２に複数個設けられており、そのそれぞれが、ポリイミドフィルム３上に配置された、異なるインナーリード５ａまたは５ｂに接合されている。

具体的に、インナーリード５ａおよび５ｂには、錫メッキ（図示しない）が予め施されており、これらの各インナーリード５ａおよび５ｂの錫メッキ部分には、それぞれ異なる金バンプ６が接合されている。さらに、これらの、該錫メッキ部分と金バンプ６との接合は、金属接合により行われている。これを以って、半導体チップ２はＣＯＦ１に実装されている。つまり、半導体チップ２は、ＣＯＦ１内部で、複数個の金バンプ６により、インナーリード５ａおよび５ｂの両方に接続されている。

インナーリード５ａは、配線を介して、アウターリード４ａに繋がっている。同様に、インナーリード５ｂは、別の配線を介して、アウターリード４ｂに繋がっている。

インナーリード５ａとアウターリード４ａとの間の配線（上記配線）、および、インナーリード５ｂとアウターリード４ｂとの間の配線（上記別の配線）には、絶縁性材料からなるソルダーレジスト７が塗布されている。ソルダーレジスト７は、塗布された各配線に、導電性異物が付着することに伴うショート、または腐食が発生することを防止することを目的に設けられている。

一方、インナーリード５ａおよび５ｂ、および、アウターリード４ａおよび４ｂは、ソルダーレジスト７が塗布されておらず、露出されている。

なお、図示していないが、アウターリード４ａとアウターリード４ｂとを結び、かつ、インナーリードをもたない配線は、スルー配線と呼ばれ、ポリイミドフィルム３上に設けられている。

アウターリード４ａは、ポリイミドフィルム３上に、例えば７２０〜２０００本設けられている。また、各アウターリード４ａは、例えば１０〜５０μｍのピッチを有しており、かつ、各アウターリード４ａは、ポリイミドフィルム３上に、ＴＤに沿って配置されている。

半導体チップ２と、インナーリード５ａおよび５ｂと、の間隙には、アンダーフィル樹脂８が充填されている。また、このアンダーフィル樹脂８はさらに、半導体チップ２の側面およびその周辺にも存在する。アンダーフィル樹脂８は、汚れおよび異物の進入を防ぎ、ＣＯＦ１の耐湿性、および、ＣＯＦ１の機械的強度を向上させている。

本発明の電子部品では、上記ポリイミドフィルム３に、新規のフィルム基材を使用している発明であると解釈することができる。

具体的に、新規のフィルム基材である上記ポリイミドフィルム３は、以下の物性を有している。

ポリイミドフィルム３は、ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数ＣＴＥ（ＴＤ）、および、ＭＤに膨張する度合を示す熱膨張係数ＣＴＥ（ＭＤ）のうち、少なくとも一方のＣＴＥが、−１０〜５ｐｐｍ／℃、より好ましくは、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満という非常に小さな値となっている。なお、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＴＤ）は、本発明に係るＴＤ熱膨張係数であり、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＭＤ）は、本発明に係るＭＤ熱膨張係数である。このポリイミドフィルム３を備えたＣＯＦ１は、アウターリード４ａの加熱を伴うボンディング（詳細は後述する）時における、各アウターリード４ａのピッチに対するポリイミドフィルム３の熱膨張の度合（熱膨張する寸法）を、十分に小さくすることができる。

ここで、ＣＯＦ１は、ポリイミドフィルム３以外の部材の熱膨張係数、すなわち、アウターリード４ａおよび半導体チップ２等の熱膨張係数に応じて膨張する。このため、単純に、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＴＤ）および／またはＣＴＥ（ＭＤ）が、０ｐｐｍ／℃となっているだけでは、熱膨張の度合が非常に小さなＣＯＦ１が実現できるとは限らない。

すなわち、ポリイミドフィルム３の熱膨張係数を０ｐｐｍ／℃未満にする理由は、以下のとおりである。ポリイミドフィルム３とボンディングツールとの間には、緩衝材８４のシートを挿入しなければならない。緩衝材８４のシートの役目は、ボンディングツールの傾きおよび反り、ポリイミドフィルム３の厚さのばらつきに、適切に対応するためである。この緩衝材８４のシートは、ボンディングツール側から挿入される、シリコーンゴムシートと、テフロンと、によりコーティングされたガラスクロスシート等である。シリコーンゴムシートと、テフロンと、の２枚の緩衝材８４は、ボンディングツールとＣＯＦ１とにより挟み込まれる。この緩衝材８４のシートの熱膨張係数が大きいため、ボンディングツールの温度で伸びて、ポリイミドフィルム３を熱膨張以外に膨張させる。このため、ポリイミドフィルム３の熱膨張係数は、０ｐｐｍ／℃未満にする（以上、図８参照）。

そこで、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＴＤ）および／またはＣＴＥ（ＭＤ）は、最低で−１０ｐｐｍ／℃にまで低減すればよい。ＣＴＥ（ＴＤ）および／またはＣＴＥ（ＭＤ）が、０ｐｐｍ／℃未満となっている場合、ポリイミドフィルム３は、温度が上昇すると、対応する方向へと収縮することとなる。そして、該収縮により、ポリイミドフィルム３以外の部材の熱膨張係数に起因した、ＣＯＦ１の膨張を相殺することにより、熱膨張の度合が非常に小さなＣＯＦ１の実現が可能となる。

特に、図１（ａ）に示すとおり、各アウターリード４ａがポリイミドフィルム３のＴＤに沿って配置されている場合には、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＴＤ）を−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満という非常に小さな値とすることで、ＣＯＦ１では、ＴＤに関して、大きな位置ズレ抑制の効果を得ることができる。一方、図１（ａ）および（ｂ）に示すとおり、各アウターリード４ａがポリイミドフィルム３のＴＤに沿って配置されているに過ぎない場合、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＭＤ）は、ＭＤに膨張する度合を小さくするために、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満としても当然よいが、特に値を変更させる必要ない。値を変更させない場合、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＭＤ）は通常、１２〜１８ｐｐｍ／℃程度である。

また、ＣＴＥ（ＴＤ）および／またはＣＴＥ（ＭＤ）が上記の値を満足するポリイミドフィルム３は、例えば、既存のポリイミドフィルム製品（例えば、ユーピレックス）を、ＣＴＥを小さくすべき方向へと機械的に引き伸ばすことにより作製されるが、ＣＴＥ（ＴＤ）および／またはＣＴＥ（ＭＤ）が−２〜１ｐｐｍ／℃程度のポリイミドフィルム３であれば、周知の技術を用いて、比較的簡単に作成することができる。

なお、本発明で規定しているＣＴＥ（熱膨張係数）は、温度の上昇によって物体の長さが元の長さから膨張した割合を、摂氏１℃（華氏１Ｋでもよい）当たりで示した物性値である。

例えば、ＣＴＥは、一般的な熱機械分析装置（Thermal Mechanical Analysis：ＴＭＡ）を用いた熱膨張測定により、容易に測定することができる。

また、ポリイミドフィルム３のＣＴＥは、図示しないヒートプレートの上にポリイミドフィルム３を置いて、ポリイミドフィルム３の上に図示しないガラス板を置いて、ヒートプレートによりポリイミドフィルム３を加熱することにより、測定することもできる。この測定手法の場合、ポリイミドフィルム３は、ヒートプレートにより、２５、８０、１００、１２０、２００℃の各温度に順次加熱され、該加熱された各状態で３０分放置されたときの膨張の割合が、各温度に対するＣＴＥとされる。但し、実際のＣＴＥは、ポリイミドフィルム３を十分に除湿して測定されなければならないので、１２０℃から２００℃の間で測定を行った。測定前のポリイミドフィルム３には、温度２５℃、湿度６０％の環境下に、２４時間放置したものを採用した。なお、本実施の形態では、このヒートプレートを用いた手法で、ポリイミドフィルム３の熱膨張係数を測定した。

また、ポリイミドフィルム３は、ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数ＣＨＥ（ＴＤ）が、１〜５ｐｐｍ／％ＲＨという非常に小さな値となっている。なお、ポリイミドフィルム３は、ＣＨＥ（ＴＤ）が、１〜３．２ｐｐｍ／％ＲＨであるのがより好ましい。一方、図１（ａ）および（ｂ）に示すとおり、各アウターリード４ａがポリイミドフィルム３のＴＤに沿って配置されているに過ぎない場合、ポリイミドフィルム３がＭＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数ＣＨＥ（ＭＤ）は、ＭＤに膨張する度合を小さくするために１〜５ｐｐｍ／％ＲＨとしても当然よいが、特に値を変更させる必要ない。値を変更させない場合、ポリイミドフィルム３のＣＨＥ（ＭＤ）は通常、６〜１１ｐｐｍ／％ＲＨ程度である。なお、ポリイミドフィルム３のＣＨＥ（ＴＤ）は、本発明に係るＴＤ湿度膨張係数であり、ポリイミドフィルム３のＣＨＥ（ＭＤ）は、本発明に係るＭＤ湿度膨張係数である。このポリイミドフィルム３を備えたＣＯＦ１は、多湿な環境下での実装時、さらには同環境下での保管時における、各アウターリード４ａのピッチに対するポリイミドフィルム３の湿度膨張の度合（湿度膨張する寸法）を、ＴＤに関して、十分に小さくすることができる。

なお、本発明で規定しているＣＨＥ（湿度膨張係数）は、材料（特に有機物）の湿度上昇によって該材料が吸湿することで、元の長さから膨張する割合を、湿度１％（１％ＲＨ）当たりで示した物性値である。

例えば、ポリイミドフィルム３のＣＨＥは、湿度を吸っていないポリイミドフィルム３として、ポリイミドフィルム３を温度１０３℃、湿度０％の環境下に２４時間放置したものを用意し、これを、温度２５℃において、湿度４０％、湿度６０％、湿度８０％の各環境下にそれぞれ２４時間放置し、各環境下への放置後のもの毎に、膨張後におけるポリイミドフィルム３の寸法が安定してから、膨張後の長さを顕微鏡で測定することで、測定することができる。測定時の目安として、ポリイミドフィルム３には、その表面に金型で約４０ｍｍの穴を開けておき、ポリイミドフィルム３のＣＨＥは、膨張後の穴の長さを測定して計算した。測定は０％と８５％の寸法測定で計算した。

また、ポリイミドフィルム３は、ＴＤに引っ張られたときに伸びる度合を示す、ＴＤ引っ張り伸び率が、１５〜２５％という非常に小さな値となっている。このポリイミドフィルム３を備えたＣＯＦ１は、各アウターリード４ａのピッチに対するポリイミドフィルム３の伸びを、ＴＤに関して、十分に小さくすることができる。なお、ポリイミドフィルム３は、ＭＤに引っ張られたときに伸びる度合を示す、ＭＤ引っ張り伸び率について、特に値を変更させる必要ないが、該ＭＤ引っ張り伸び率は７２〜８０％程度、もしくは、６０％程度となっているのが好ましい。さらに、ＭＤ引っ張り伸び率は、１５〜２５％であっても、フィルムキャリアが搬送のために使用するパーフォレーションの穴が搬送で破れたり、裂けたりしないことが確認されている。

なお、本発明で規定している引っ張り伸び率は、ポリイミドフィルム３を引き伸ばしたときの長さと、元のポリイミドフィルム３の長さとの差を、元のポリイミドフィルム３の長さに対する百分率で示した物性値である。

例えば、引っ張り伸び率は、ポリイミドフィルム３に一定速度で変形（ひずみ）を加えながら、荷重計に加わる荷重をリアルタイムに計測することで求められ、Ｓ−Ｓ曲線（Stress-Strain Diagram）と呼ばれる「応力−ひずみ線図」から読み取ることが可能である。弾性領域内で、元のポリイミドフィルム３の長さに対する、ポリイミドフィルム３が伸びた長さの比率となる。なお、この測定手法は、ASTM D882規格に準拠した一般的な測定手法である。

以上の、ポリイミドフィルム３の各物性値を、任意に組み合わせて適用することにより、ＣＯＦ１では、特にアウターリード４ａの本数が多いときに、アウターリード４ａと他装置の接続端子との接合時に発生する、アウターリード４ａの該接続端子に対する位置ズレを抑制することができるという効果を奏する。またこれにより、ＣＯＦ１では、実装時における歩留まりの良化が期待できるという効果を奏する。これらの効果を奏するＣＯＦ１は、特に、アウターリード４ａの本数が多く、各アウターリード４ａのピッチが非常に狭くなる場合（例えば、１０〜５０μｍ程度の場合）において、有利である。

さらに、ＣＯＦ１は、ポリイミドフィルム３の吸水率を、１．７％未満、より好ましくは、０．８〜１．４％と低くすることで、多湿な環境下での実装時、さらには同環境下での保管時における、各アウターリード４ａのピッチに対するポリイミドフィルム３の湿度膨張の度合（湿度膨張する寸法）を、さらに小さくすることができる。

なお、本発明で規定している吸水率は、一定時間後における試料の単位重量あたり、もしくは単位表面積あたりに増加した重量比である。

例えば、吸水率は、JIS C2318規格に準拠した一般的な測定手法により測定することができる。

さらに、ＣＯＦ１は、ポリイミドフィルム３のＴＤの弾性率を、１５〜１７Ｇｐａと高くすることで、ポリイミドフィルム３がＴＤに膨張した場合に、弾性変形により、膨張したポリイミドフィルム３が再びＴＤに収縮することとなるため、各アウターリード４ａのピッチに対するポリイミドフィルム３の伸びを、ＴＤに関して、さらに小さくすることができる。なお、ポリイミドフィルム３のＭＤの弾性率については、特に値を変更させる必要ない。値を変更させない場合、ポリイミドフィルム３のＭＤの弾性率は、７．０〜９．１Ｇｐａとなり、より好ましくは、７．５〜８．５Ｇｐａとなる。

なお、本発明で規定している弾性率は、ある一方向の引っ張りまたは圧縮応力の方向に対する、ひずみ量の関係から求めることができ、中でも、ヤング率は、縦軸に応力、横軸にひずみをとった応力ひずみ曲線の直線部の傾きに相当する。

例えば、弾性率は、ASTM D882規格に準拠した一般的な測定手法により測定することができる。

ところで、ポリイミドフィルム３および銅配線を１つの部材（フィルム配線基板）として見た場合の、該部材がある方向に膨張する度合を示すＣＴＥは、ポリイミドフィルム３単体のＣＴＥ（ＴＤ）よりも大きな値となる。これは、銅配線のＣＴＥが、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＴＤ）よりも大きいことによる。なおここで、ＣＯＦ１における「銅配線」とは、アウターリード４ａおよび４ｂ、および、インナーリード５ａおよび５ｂとそれに繋がる配線とを意味している。さらに、上記フィルム配線基板のＣＴＥ（ＴＤ）は、アウターリード４ａおよび４ｂのピッチ、さらには、インナーリード５ａおよび５ｂのピッチに依存して異なる。ここでは、アウターリード４ａのピッチに注目し、各アウターリード４ａのピッチが、上述したとおり、１０〜５０μｍである場合、該フィルム配線基板のＣＴＥ（ＴＤ）は、−２〜４ｐｐｍ／℃となっているのが好ましい。もちろん、アウターリード４ａ以外の上記銅配線のピッチが、１０〜５０μｍである場合も、該フィルム配線基板のＣＴＥ（ＴＤ）は、−２〜４ｐｐｍ／℃となっているのが好ましい。

同様に、銅配線のＣＨＥが、ポリイミドフィルム３のＣＨＥ（ＴＤ）よりも小さいため、上記フィルム配線基板のＣＨＥ（ＴＤ）は、ポリイミドフィルム３単体のＣＨＥ（ＴＤ）よりも小さな値となる。さらに、上記フィルム配線基板のＣＨＥ（ＴＤ）は、アウターリード４ａおよび４ｂのピッチ、さらには、インナーリード５ａおよび５ｂのピッチに依存して異なる。ここでは、アウターリード４ａのピッチに注目し、各アウターリード４ａのピッチが、上述したとおり、１０〜５０μｍである場合、該フィルム配線基板のＣＨＥ（ＴＤ）は、０．４〜４．４ｐｐｍ／％ＲＨとなっているのが好ましい。もちろん、アウターリード４ａ以外の上記銅配線のピッチが、１０〜５０μｍである場合も、該フィルム配線基板のＣＨＥ（ＴＤ）は、０．４〜４．４ｐｐｍ／％ＲＨとなっているのが好ましい。

なお、ＣＯＦ１では、たとえ、アウターリード４ａがポリイミドフィルム３に１本だけしか存在しない場合、すなわち、外部出力端子が１個だけ設けられている場合であっても、ＣＯＦ１の膨張の度合が十分に小さくなっていることから、該外部出力端子の位置ズレが抑制されているため、効果を奏する。

また、ＣＯＦ１は、膨張の度合が十分に小さくなっていることから、アウターリード４ａの配置関係に関わらず、アウターリード４ａの位置ズレを抑制することができる。但し、複数本のアウターリード４ａは、ポリイミドフィルム３上において、膨張の度合がより小さくされた方向に沿って配置されている構成とすることで、より大きな位置ズレ抑制の効果を得ることができる。

図２は、図１（ａ）に示す上面図に対して、半導体チップ２を取り除いた様子を示す上面図である。

寸法を正確に設定する必要があるのは、ＴＤにおける各アウターリード４ａの累積寸法ＯＸ（ＴＤ）、および、ＴＤにおける各インナーリード５ａの累積寸法ＩＸ（ＴＤ）である。なお、具体的に、累積寸法ＩＸ（ＴＤ）とは、半導体チップ２に設けられた金バンプ６（図１参照）に接合される、インナーリード５ａ部分の累積寸法を意味している。

各インナーリード５ａおよび５ｂはいずれも、金バンプ６に接合されるときに、寸法が正確に設定されている必要がある。

一方、表示モジュール用途のＣＯＦ１（図１参照）において、アウターリード４ａは、表示パネルのガラス基板に設けられた接続端子（図示しない）に接合され、アウターリード４ｂは、ガラスエポキシ基板に設けられた接続端子（図示しない）に接合される。これらの接続端子はいずれも、ＡＣＦにより構成されているため、アウターリード４ａおよび４ｂはいずれも、ＡＣＦにより構成された端子に接合されることとなる。

各アウターリード４ａは、現在、５０〜６０μｍのピッチを有する構成が主流となっている。各アウターリード４ｂは、現在、３００〜５００μｍのピッチを有する構成が主流となっている。ここで、アウターリード４ａの本数を増加させることで、ＣＯＦ１（図１参照）の多出力化を実現するためには、各アウターリード４ａのピッチを５０μｍ以下とする必要がある。これにより、各アウターリード４ａのピッチは、ファインピッチとなるため、アウターリード４ａの累積寸法ＯＸ（ＴＤ）は、非常に正確に決定される必要がある。

各インナーリード５ｂはファインピッチとならないので、累積寸法がそれほど正確に設定される必要ないが、各インナーリード５ａはファインピッチ化が進められており、これに伴い、累積寸法ＩＸ（ＴＤ）が非常に正確に設定される必要がある。

図３は、３５ｍｍＣＯＦおよび４８ｍｍＣＯＦのそれぞれに関する、外部出力端子の個数（すなわち、出力側のアウターリードの本数：グラフ縦軸）と、外部出力端子のピッチ（すなわち、出力側のアウターリードのピッチ：グラフ横軸）と、の関係を示すグラフである。

なおここで、「３５ｍｍＣＯＦ」とは、ＴＤに約３５ｍｍの寸法を有しているＣＯＦであり、「４８ｍｍＣＯＦ」とは、ＴＤに約４８ｍｍの寸法を有しているＣＯＦである。

また、図３に示すグラフでは、便宜上、外部出力端子の個数に関し、単純な端子の個数を示す「個」でなく、該外部出力端子に各々対応する通信路の数を示す「ｃｈ（チャネル）」を単位として、表現している。

また、上記の外部出力端子の個数に加えて、図示しないスルー端子と言う入力端子と出力端子とを繋ぐ端子が１０本〜８０本存在する。外部出力端子数が９６０個でスルー端子が８０個である場合、全部で１０４０本のアウターリード端子が存在することになる。

外部出力端子のピッチが４５μｍ以下になると、該外部出力端子をＡＣＦに実装する場合における、各外部出力端子の配線幅および配線間隔は、非常に狭くなる。各外部出力端子の配線幅および配線間隔が狭くなると、外部出力端子とＡＣＦとの接合時に発生する接合精度のバラつきに起因して、ショートまたはオープン不良が発生する虞がある。ファインピッチ実装は、各外部出力端子に対応する各アウターリード４ａの、ＴＤにおける累積寸法ＯＸ（ＴＤ）（図２参照）と、ＡＣＦ実装の接合精度と、を向上させることが必要である。

図４は、表示パネルの解像度がＷＸＧＡ（１２８０×７６８ドット）であるときの、ＣＯＦの外部出力端子の個数と、ＣＯＦを搭載すべき個数と、の対応関係を示す表である。図４に示す表には、さらに、ＣＯＦの外部出力端子の個数およびＣＯＦを搭載すべき個数に対応した、表示モジュールの外観図を示している。

外部出力端子の個数が増加することにより、ＣＯＦを搭載すべき個数は減少させることができる。また、ＣＯＦを搭載する個数を減少させた場合には、実装時間の短縮が可能になり、これに伴い、表示モジュール製造時におけるコストの低減が期待できる。

図５（ａ）は、図１（ａ）および（ｂ）に示すＣＯＦ１に半導体チップ２が実装されたときに、インナーリード５ａが金バンプ６に対して位置ズレしている様子を示す上面図である。図５（ｂ）は、同図（ａ）と同じときに、インナーリード５ａが金バンプ６に対して位置ズレしていない様子を示す上面図である。

なお、図５（ａ）および（ｂ）では、便宜上、ＣＯＦ１（図１参照）を構成する部材であって、半導体チップ２、インナーリード５ａおよび５ｂ、および、金バンプ６を除く部材の図示を省略している。また、便宜上、以下では、インナーリード５ａの金バンプ６に対する位置ズレについてのみ説明を行うが、インナーリード５ｂの金バンプ６に対する位置ズレについても、同様のことが言える。

図５（ｂ）では、インナーリード５ａが、金バンプ６の概ね真中に接合されている。この場合、ＣＯＦ１（図１参照）への半導体チップ２の実装は、正常に実施されていると解釈することができる。また、この場合、一端のインナーリード５ａと、他端のインナーリード５ａと、の間隔は、ＴＤにおける各インナーリード５ａの累積寸法ＩＸ（ＴＤ）（図２をさらに参照）に等しい。

一方、図５（ａ）では、半導体チップ２が、直接４００〜４６０℃にまで加熱されるので、半導体チップ２がＴＤに膨張し、ＣＯＦテープ内の水分が、水蒸気に変わって蒸発することで急激に失われる。このため、ＣＯＦテープは、膨張以上に収縮してしまうので、ＴＤにおいて各インナーリード５ａの累積寸法が短くなってボンディングされる。従って、あらかじめインナーリードはインナーリードの累積寸法は、１２ｍｍインナーリード累積寸法時において、２〜５μｍ程度大きく寸法補正をしておく必要がある。これにより、インナーリード５ａの接合位置は、金バンプ６の真中に対して若干位置ズレしている接合部分が存在している。この場合、一端のインナーリード５ａと、他端のインナーリード５ａと、の間隔は、上記累積寸法ＩＸ（ＴＤ）よりも小さい、ＩＸ（ＴＤ）´となっている。アウターリードのボンディングは、ボンディング時間が長く、ボンディング時の温度も低いので、逆にＣＯＦのアウターリードボンディング部は膨張する。その為に、アウターリードの累積寸法は短縮補正をかけておく必要がある。

なお、図５（ａ）に示すインナーリード５ａと金バンプ６との接合では、上記の位置ズレに起因して、オープン不良またはショートが発生するまでには至っていない。但し、上記の位置ズレがさらに大きくなると、各々対応するインナーリード５ａと金バンプ６との間では、オープン不良またはショートが発生する虞がある。

図６は、フリップチップボンディング用の装置を用いた、インナーリードボンディング（Inner Lead Bonding：ＩＬＢ）の概略を示す断面図である。

上記インナーリードボンディングではまず、インナーリード５ａおよび５ｂとソルダーレジスト７とが予め形成されたポリイミドフィルム３を、ステージ６０上に載せる。このとき、該ポリイミドフィルム３の端部は、クランパ６２によってステージ６０上に固定される。

上記ポリイミドフィルム３は、ステージ６０により加熱され、この加熱に応じて寸法が調整される。ステージ６０の温度は通常、１００〜１４０℃（１２０±２０℃）の間で変化される。また、インナーリード５ａおよび５ｂは、該ポリイミドフィルム３の寸法に基づいて、該加熱に応じて伸縮される。

そして、半導体チップ２の実装時には、半導体チップ２に設けられた金バンプ６に対して、各々対応するインナーリード５ａまたは５ｂが位置ズレしないように、各インナーリード５ａおよび５ｂの累積寸法（図２参照）を調整しつつ、各インナーリード５ａおよび５ｂに各々対応する金バンプ６を接合する。

半導体チップ２は、加熱ツール６１により、４１０℃くらいにまで加熱される。このとき、半導体チップ２は、真空吸着部６３にて吸着されることにより、加熱ツール６１に接触するように保持されている。

ここで、半導体チップ２のＣＴＥは、約２．４ｐｐｍ／℃であり、例えば該半導体チップ２のＴＤの寸法が１５ｍｍである場合、該半導体チップ２は、４１０℃くらいにまで加熱されることにより、ＴＤに１４．８μｍ程度膨張する。

ポリイミドフィルム３は、ステージ６０の温度が１２０℃であるときに、金バンプ６に対して、各々対応するインナーリード５ａまたは５ｂが位置ズレしないように、設計されている。

ステージ６０の温度が、１２０℃を中心として調整されるのは、ポリイミドフィルム３の温度を、１２０℃を中心として調整するためである。ポリイミドフィルム３の温度を、１２０℃を中心として調整することにより、ポリイミドフィルム３の寸法が不慮に変動する虞は、低減することができる。具体的には、予めポリイミドフィルム３を乾燥させてから、ポリイミドフィルム３の温度を１２０℃付近で適宜調整することにより、ＣＨＥにあまり影響されることなく、主にＣＴＥのみに応じて、該ポリイミドフィルム３の寸法を調整することができる。この場合、ポリイミドフィルム３の寸法は、主にステージ６０の温度に応じて、適宜調整することができる。

図７は、１６ｐｐｍＣＴＥ品、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品のそれぞれに関する、インナーリード５ａの金バンプ６に対する位置ズレ（グラフ縦軸）と、ステージ６０（図６参照）の温度（グラフ横軸）と、の関係を示すグラフである。

なお、「１６ｐｐｍＣＴＥ品」とは、ＣＴＥ（ＴＤ）が１６ｐｐｍ／℃となっているポリイミドフィルム３を意味している。また、「５ｐｐｍＣＴＥ品」とは、ＣＴＥ（ＴＤ）が５ｐｐｍ／℃となっているポリイミドフィルム３を意味している。さらに、「１ｐｐｍＣＴＥ品」とは、ＣＴＥ（ＴＤ）が１ｐｐｍ／℃となっているポリイミドフィルム３を意味している。

また、図７に示すステージ６０の温度は具体的に、インナーリードボンディング（図６参照）により、半導体チップ２を実装している最中の、ステージ６０の温度である。また、図７に示す位置ズレは具体的に、インナーリードボンディング（図６参照）による、半導体チップ２の実装後の、インナーリード５ａの金バンプ６に対する位置ズレである。

さらに、各インナーリード５ａと、対応する各金バンプ６と、の位置関係は、ステージ６０の温度が１２０℃であるときに、全てのインナーリード５ａが各々対応する金バンプ６の概ね真中に接合されるような位置関係とされている（図７のグラフ横軸の、ステージ６０の温度が１２０℃である部分参照）。

以上の条件において、１６ｐｐｍＣＴＥ品、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品のそれぞれを用いて、ステージ６０の温度を変化させ、インナーリード５ａの金バンプ６に対する位置ズレを測定したグラフが、図７である。

上記の測定の結果として、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品では、ステージ６０の温度の変化に応じた、インナーリード５ａの金バンプ６に対する位置ズレが、非常に小さくなった。これは、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品では、ステージ６０の温度に応じたポリイミドフィルム３の伸縮度合が非常に小さくなっていることを意味する。

図８は、アウターリードボンディング（Outer Lead Bonding：ＯＬＢ）装置の概略を示す断面図である。

ＣＯＦ１に設けられたアウターリード４ａは、液晶表示パネル（ガラス基板）８１に設けられたＡＣＦ（接続端子）８２に接合される。

具体的に、まず、液晶表示パネル８１は、ＡＣＦ８２が上となるように、ステージ８３の上に載せられる。アウターリード４ａは、ＡＣＦ８２の上に配置される。さらに、アウターリード４ａの上には、緩衝材８４が載せられる。そして、アウターリード４ａとＡＣＦ８２とは、緩衝材８４の上から、圧着ツール８５により加圧されることにより、圧着される。

ここで、ステージ８３は４０℃程度にまで、圧着ツール８５は４００℃程度にまで、それぞれ加熱されており、アウターリード４ａとＡＣＦ８２とは、ステージ８３および圧着ツール８５を用いた熱圧着により、接合される。

上記熱圧着時における、ＡＣＦ８２の温度は、１９０〜２００℃とする。ボンディングツール温度は４００℃である。なお、ＡＣＦ８２の温度は、ＡＣＦ８２に熱電対（図示しない）を挟み込んで測定するのが好ましい。また、上記熱圧着時において、圧着ツール８５が加圧する圧力は、３Ｍｐａとする。さらに、圧着ツール８５を用いた加圧時間（圧着時間）は１２秒とする。緩衝材８４としては、例えば、厚さ３５０μｍのシリコーンゴムと、厚さ４５〜７５μｍのテフロンと、によりコーティングされたガラスクロスシート等の、比較的熱膨張係数の大きな材料を用いる。シリコーンゴムシートの熱膨張係数は、２００〜５００ｐｐｍ／℃、テフロンガラスシートの熱膨張係数は、１５〜４０ｐｐｍ／℃であり、ＣＯＦフィルムより大きい。

圧着ツール８５を用いた１２秒の加圧後、ポリイミドフィルム３の圧着ツール８５側の温度は、３２０℃に近い温度となった。ポリイミドフィルム３のＡＣＦ８２側の温度は、２４０℃に近い温度となった。ＡＣＦ８２内部の温度は、１９５℃に近い温度となった。液晶表示パネル８１のＡＣＦ８２側の温度は、１４０℃に近い温度となった。

図９は、図８に示すアウターリードボンディングにより、ＣＯＦ１に設けられたアウターリード４ａが、液晶表示パネル８１に設けられたＡＣＦ８２に接合された様子を示す上面図である。換言すれば、図９には、本発明の表示モジュールが図示されていると解釈することができる。

図９に示すとおり、アウターリードボンディングによる、アウターリード４ａとＡＣＦ８２との接合は、ポリイミドフィルム３に形成されたアラインメントマーク９と、ＡＣＦ８２に形成されたアラインメントマーク９１と、の位置を一致させることにより、位置合わせが行われる。

図１０は、図９に示す上面図に対して、アウターリード４ａとＡＣＦ８２との接合部分を、拡大して部分的に示した図である。

図１０に示すとおり、アウターリード４ａは、ＡＣＦ８２よりも線幅が太くなっている。

アウターリード４ａとＡＣＦ８２との接合時にはまず、アラインメントマーク９とアラインメントマーク９１とを突き合わせて、アウターリード４ａのＡＣＦ８２への仮圧着を行う。後の、アウターリード４ａのＡＣＦ８２への本圧着において、ＣＯＦ１（図１参照）を加熱すると、ＣＯＦ１は膨張する。そして、ＡＣＦ８２は、アウターリード４ａの略中央に接合される。

上述したとおり、アラインメントマーク９および９１は、上記仮圧着時において、位置合わせされている。このため、例えば加熱されることにより、ポリイミドフィルム３が大きく膨張すると、アラインメントマーク９に対してアラインメントマーク９１が大きく位置ズレしてしまい、これらが適切に突き合わせているか否かが判断できなくなってしまう虞がある。

本発明に係るポリイミドフィルム３は、ＣＴＥが非常に小さくなっているため、上記仮圧着時の加熱に起因した膨張の度合が低減され、これにより、アラインメントマーク９に対するアラインメントマーク９１の位置ズレが軽微となり、これらが適切に突き合わせているか否かを簡単に判断することができる。なお、ＡＣＦ８２が、接合先のアウターリード４ａから１／３以上はみだした場合、該接合はＮＧであるとみなされる。

図１１は、１６ｐｐｍＣＴＥ品、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品のそれぞれに関する、ＴＤにおける各アウターリード４ａの累積寸法ＯＸ（ＴＤ）の伸び率（グラフ縦軸）と、アウターリードボンディング実施時のアウターリード４ａの温度（グラフ横軸）と、の関係を示すグラフである。なお、累積寸法ＯＸ（ＴＤ）については、図２およびその説明を参照されたい。

図１１に示す、１６ｐｐｍＣＴＥ品、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品の上記関係によれば、ＣＴＥが小さくなればなる程、累積寸法ＯＸ（ＴＤ）の伸び率は、小さくなる傾向にある。

ここで、１ｐｐｍＣＴＥ品は、１６ｐｐｍＣＴＥ品および５ｐｐｍＣＴＥ品と比較して、累積寸法ＯＸ（ＴＤ）の伸び率が小さくなっているものの、アウターリードボンディング時において、アウターリード４ａの温度は１９０〜２００℃とされるため、累積寸法ＯＸ（ＴＤ）が約０．０４％伸びることとなる。これは、たとえ１ｐｐｍＣＴＥ品であっても、アウターリードボンディングにより、累積寸法ＯＸ（ＴＤ）が僅かとはいえ大きくなってしまうことを意味している。このことから、ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＴＤ）は、１ｐｐｍ／℃よりもさらに小さくするのが好ましいと考えられる。

図１２は、１６ｐｐｍＣＴＥ品、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品のそれぞれに関する、ＴＤにおける各アウターリード４ａの累積寸法ＯＸ（ＴＤ）の伸び率（グラフ縦軸）の経時変化（グラフ横軸）を示すグラフである。

なお、図１２に示すグラフでは、アウターリードボンディング時におけるアウターリード４ａの温度が２００℃であるものとしている。

１６ｐｐｍＣＴＥ品は約０．２４０％で、５ｐｐｍＣＴＥ品は約０．１１１％で、１ｐｐｍＣＴＥ品は約０．０６２％で、累積寸法ＯＸ（ＴＤ）の値がそれぞれ収束している。

上述したとおり、アウターリード４ａは銅配線により形成されており、加熱に伴うＣＯＦ１の膨張の度合については、該銅配線のＣＴＥをさらに考慮する必要がある。ポリイミドフィルム３および該銅配線を１つのフィルム配線基板として見た場合、５ｐｐｍＣＴＥ品、および、１ｐｐｍＣＴＥ品に関しては、ポリイミドフィルム３のみのＣＴＥ（ＴＤ）より該フィルム配線基板のＣＴＥのほうが大きくなる。

また、ＡＣＦ実装では、ＡＣＦ８２を硬化させるため、ポリイミドフィルム３は、温度上昇する間に熱膨張が止まってしまう。この図１２は、熱膨張が止まったときの寸法変化である。アウターリード４ａのボンディングでは、熱の伝導が悪く、緩衝材８４が存在し、液晶表示パネル８１が大きく熱容量が大きいので、熱が急激に上昇しない。従って、アウターリード４ａのボンディングでは、１３ｓの時間をかけてボンディングを実施する。ポリイミドフィルム３は、該ボンディングの間膨張していくが、このとき、ＡＣＦ８２の硬化も進むため、温度上昇してもポリイミドフィルム３が膨張することができなくなってしまう。ＡＣＦ８２が硬化してしまうためである。

具体的に、図１３には、ソルダーレジスト７（図１参照）が、乗上実装である場合と乗上実装でない場合とを示している。ソルダーレジスト７が乗上実装である場合については、実装時のアウターリード４ａの温度を、１７１℃、１９５℃、および２１０℃の３点で変化させて、それぞれに関する、累積寸法ＯＸ（ＴＤ）の伸び率とポリイミドフィルム３のＣＴＥとの関係を示している。また、ソルダーレジスト７が乗上実装でない場合については、実装時のアウターリード４ａの温度を１９５℃として、累積寸法ＯＸ（ＴＤ）の伸び率とポリイミドフィルム３のＣＴＥとの関係を示している。

ここで、「乗上実装」とは、ソルダーレジスト７が、液晶表示パネル８１の上に乗り上げて（接触させて）実装することを意味する。逆に、「乗上無実装」とは、液晶表示パネル８１とソルダーレジスト７とを接触させずに実装することを意味する。

累積寸法ＯＸ（ＴＤ）の伸び率が概ね０％となる、ポリイミドフィルム３のＣＴＥは、多少の誤差はあるものの、およそ−３〜−１０ｐｐｍ／℃となっている。

−１ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有するポリイミドフィルム３については、周知の技術により比較的簡単に作成することが可能である。

ここからは、図１に示すＣＯＦ１の製造方法の概略について、図１４（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。

ポリイミドフィルム３は予め、円盤カールＤＣが、−９〜−１５ｍｍ程度となるように湾曲させておく。つまり、円盤カールＤＣが負の値であるため、ポリイミドフィルム３の端部は、同ポリイミドフィルム３の中央近傍に対して、最大９〜１５ｍｍ程度、下方（すなわち、ポリイミドフィルム３のａ面側）に湾曲させておく（図１４（ａ）参照）。

ポリイミドフィルム３のテープの上面には、概ねクロムおよびニッケルからなり、かつ、クロムを５〜７％もしくは２０％程度含有するシード層（金属層）１４１を、スパッタリング法により形成する。さらに、シード層１４１を形成した該テープの上面には、必要に応じて銅（図示しない）をスパッタリング法により形成し、さらに、厚さ約７．５〜８．５μｍ程度の銅１４２をメッキ法により形成することで、ＣＣＬ１４３を作製する（図１４（ｂ）参照）。

ここで、図１４（ｂ）に示すＣＣＬ１４３を構成するポリイミドフィルム３は、円盤カールＤＣ（図１４（ａ）参照）が０ｍｍである、すなわち、ポリイミドフィルム３は扁平であるのが好ましい。

インナーリード５ａまたは５ｂには、対応する半導体チップ２の金バンプ６が、インナーリードボンディング（図６参照）により接合される。半導体チップ２の実装後には、アンダーフィル樹脂８を注入して、キュア工程を行って、樹脂封止を行い、図１に示すＣＯＦ１とする（図１４（ｄ）参照）。

以下〔表１〕には、本発明に係るポリイミドフィルム３（１ｐｐｍＣＴＥ品）、低ＣＴＥ化されたユーピレックス（５ｐｐｍＣＴＥ品）、現行品のユーピレックス（１６ｐｐｍＣＴＥ品）、低ＣＴＥ化されたカプトン、および、現行品のカプトンにおける、各種物性値の一例を示した。もちろん、〔表１〕に示す各物性値は、これらの値に限定されるものではない。

なお、「ＴＭＡ」は、一般的な熱機械分析（熱機械分析装置）を用いて測定を行った結果を示している。低ＣＴＥ化されたカプトン、および、現行品のカプトンの、各ＣＴＥ（ＭＤ）およびＣＴＥ（ＴＤ）は、このＴＭＡにより測定されている（表１の１）参照）。

ここで、厳密に言えば、ポリイミドフィルム３は、幅方向と機械搬送方向との両方に垂直な方向（図１（ａ）における紙面表裏方向）にも３４μｍ程度の寸法（すなわち、ポリイミドフィルム３の厚み）を有している。但し、該寸法は、ポリイミドフィルム３のＴＤおよびＭＤの各寸法に対して非常に小さく、ポリイミドフィルム３の膨張に伴う端子の位置ズレに殆ど影響を及ぼさない。従って、本実施の形態では、便宜上、ポリイミドフィルム３の、幅方向と機械搬送方向との両方に垂直な方向に関する物性の説明を省略した。

〔実施の形態２〕
本実施の形態では、ＴＤに４８ｍｍ程度の寸法を有している装置に、７２０個の外部出力端子が設けられたＣＯＦを使用して、評価を実施した。なお、該ＣＯＦは、ＭＤに２１ｍｍ程度の寸法を有しているものとする。

出力側のアウターリードの累積寸法は、３９８４１μｍであり、出力側の各アウターリードのピッチは、４９μｍである。

スルー配線を構成する端子等を含めた、全ての出力端子数は、８１４個である。

表示パネルは４２インチであるものを使用し、該表示パネルのＡＣＦは、７２００番系（日立化成工業製）を使用し、仮圧着後の本圧着の、圧着ツールの荷重は、３Ｍｐａとする。該圧着ツールを用いた加圧時間は１２秒とする。本圧着時のＡＣＦの温度は、１９５℃とする。本圧着時の該圧着ツールの温度は４００〜４５０℃の間で変化させ、表示パネルは４０〜８０℃で加熱した。

ＣＯＦのＣＴＥ（ＴＤ）は、１ｐｐｍ／℃とする。インナーリードのピッチは２５μｍとし、半導体チップのＴＤの寸法は、１２ｍｍとする。

まず、ＣＯＦテープは、２４℃、５５％ＲＨの状況下で、２４時間放置（調湿）して、その後、インナリードボンディングを行った。なお、インナーリードボンディングは、フリップチップボンディング用の装置（図６参照）を用いた。

上記装置では、加熱ツールの温度を４１０℃とし、ステージでＣＯＦを１２０℃に加熱した。

半導体チップのＣＴＥ（ＴＤ）は２．４ｐｐｍ／℃となり、４１０℃にまで加熱されると、１１．０９μｍ膨張する。

インナーリードは２５μｍであり、銅パターンはＴＤ１０μｍであり、スペースは１５μｍである。この時、該インナーリードのＴＤの伸びは、ポリイミドフィルムのＣＴＥ（ＴＤ）が１．０ｐｐｍ／℃の時に１．１２ｐｐｍ／℃である。銅配線のＣＴＥが１５〜１６ｐｐｍ／℃あり、銅配線のところは湿度の影響を受けないので、配線のあるテープはポリイミドフィルムよりＣＴＥが高い。

また、銅配線の部分のＣＨＥ（ＴＤ）は、２．２５ｐｐｍ／％ＲＨであった。ポリイミドフィルム単体でのＣＨＥ（ＴＤ）は、２．５８ｐｐｍ／％ＲＨであった。ＣＯＦテープは、１．１４μｍ伸び、該ＣＯＦテープ内の水分が全部抜けるので１．４９μｍ収縮する。従って、テープは０．３５μｍ収縮するので、半導体チップの膨張を考慮して、ＣＯＦテープのインナーリードの累積寸法は、１２μｍ大きくして作成した。

従来の１６ｐｐｍＣＴＥ品では、インナーリードの累積寸法は、ＣＴＥ（ＴＤ）（１８ｐｐｍ／℃）とＣＨＥ（ＴＤ）（８．８ｐｐｍ／％ＲＨ）を考慮して、４μｍ大きくして作成できる。

この時、加熱ツールの温度に起因して、ＣＯＦは膨張しないので、ＣＯＦのインナーリードの累積寸法は、寸法精度を向上させておく必要がある。

今回使用したテープ（１ｐｐｍＣＴＥ品）では、±１．２μｍのものを使用できた。インナーリード累積寸法公差からすると、±０．０１％である。

１６ｐｐｍＣＴＥ品では、±３．６μｍである。インナーリード累積寸法公差からすると、±０．０３％である。

これは、ポリイミドフィルムのＣＴＥ（ＴＤ）のばらつきを３σで０．６ｐｐｍ／℃に抑えることができたこと、ＣＴＥ（ＴＤ）を１６ｐｐｍ／℃から１ｐｐｍ／℃にまで小さくしたこと、および、ＣＨＥ（ＴＤ）を１０ｐｐｍ／％ＲＨから２．６ｐｐｍ／％ＲＨにまで小さくしたことにより、ポリイミドフィルムのテープの製造段階で、環境の影響を受けることなく、寸法安定性が図られたことにより、寸法精度が向上した。

また、逆にインナーリードボンディング装置のステージの温度ばらつきの影響、または湿度変化の影響を受けない事から、かえって、インナーリードボンディングの精度も向上した。該ステージでは、インナーリードの累積寸法を調整する必要がなくなり、実装時間のロスの低減と更なるファインピッチとの両方が実現可能となった。

ＡＣＦ実装では、実装後の伸びが１６ｐｐｍＣＴＥ品で０．１１％であったものが、１ｐｐｍＣＴＥ品ででは０．０４５ｐｐｍ／℃となった。この伸びが低いと、それだけ、寸法のばらつきを防ぐことができる。

ＣＯＦは、ＡＣＦ実装後に伸びるので、９９．９５５％の縮小補正を行っている。なお、この縮小補正は、１６ｐｐｍＣＴＥ品では９９．８９％行っている。

また、アラインメントマークは、実装後において、伸びないため見やすくなり、これにより、接合ズレの有無の判断が、より簡単に行えるようになった。

本発明により、インナーリードとアウターリードとの精度向上が可能になった。また、インナーリードの精度向上に伴い、インナーリードのファインピッチ化（例えば、２５μｍ以下のピッチ）が可能となり、さらにＣＯＦを搭載したチップサイズの縮小化が可能となり、製造コストの低減が可能となった。またアウターリードの接合精度が向上したことにより、ＴＤに４８ｍｍ程度の寸法を有している装置に、９６０個の外部出力端子が設けられたＣＯＦを実現が簡単になった。さらには、ＴＤに４８ｍｍ程度の寸法を有している装置に、９６０個以上の外部出力端子を設けることも可能となり、表示モジュールのコストの低減が可能になった。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明は、外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品および表示モジュールに関して、好適な発明である。特に、本発明は、ポリイミドフィルムに半導体チップが実装されたＣＯＦに関して、好適な発明である。

１ ＣＯＦ（電子部品）
２ 半導体チップ
３ ポリイミドフィルム（フィルム基材）
４ａ 出力側のアウターリード（外部出力端子）
４ａおよび４ｂ アウターリード（銅配線）
５ａおよび５ｂ インナーリード（銅配線）
６ 金バンプ（内部出力端子）
７ ソルダーレジスト
８ アンダーフィル樹脂
９ アラインメントマーク
８１ 液晶表示パネル（ガラス基板）
８２ ＡＣＦ（ガラス基板に設けられた接続端子）
１４１ シード層（金属層）
１４２ 銅
ＣＨＥ 湿度膨張係数
ＣＴＥ 熱膨張係数
ＤＣ 円盤カール
ＩＸ 累積寸法
ＯＸ 累積寸法
ＴＤ ポリイミドフィルム３の幅方向
ＭＤ ポリイミドフィルム３の機械搬送方向
ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＴＤ） ＴＤ熱膨張係数
ポリイミドフィルム３のＣＴＥ（ＭＤ） ＭＤ熱膨張係数
ポリイミドフィルム３のＣＨＥ（ＴＤ） ＴＤ湿度膨張係数
ポリイミドフィルム３のＣＨＥ（ＭＤ） ＭＤ湿度膨張係数
ポリイミドフィルム３および銅配線 フィルム配線基板

Claims (14)

1. 外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、
   上記フィルム基材が幅方向ＴＤに膨張する度合を示すＴＤ熱膨張係数、および、上記フィルム基材が機械搬送方向ＭＤに膨張する度合を示すＭＤ熱膨張係数のうち、少なくとも一方の熱膨張係数は、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満となっていることを特徴とする電子部品。
2. 上記ＴＤ熱膨張係数は、−１０ｐｐｍ／℃以上、かつ、３ｐｐｍ／℃未満となっており、
   上記ＭＤ熱膨張係数は、１２ｐｐｍ／℃以上、かつ、１８ｐｐｍ／℃以下となっていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 上記ＴＤ熱膨張係数は、−２ｐｐｍ／℃以上、かつ、１ｐｐｍ／℃以下となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
4. 上記フィルム基材には、上記外部出力端子が複数個設けられており、
   各上記外部出力端子は、互いに異なる銅配線からなり、
   各上記外部出力端子には、互いに異なる銅配線が接続されており、
   複数本の上記銅配線は、いずれも上記フィルム基材に配置されており、
   複数本の上記銅配線は、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下のピッチを有しており、
   上記フィルム基材と複数本の上記銅配線とからなるフィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数は、上記ＴＤ熱膨張係数よりも大きくなっており、
   上記フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す熱膨張係数は、−２ｐｐｍ／℃を超え、かつ、４ｐｐｍ／℃以下となっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
5. 外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、
   上記フィルム基材が幅方向ＴＤに膨張する度合を示すＴＤ湿度膨張係数は、１ｐｐｍ／％ＲＨ以上、かつ、５ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっており、
   上記フィルム基材が機械搬送方向ＭＤに膨張する度合を示すＭＤ湿度膨張係数は、６ｐｐｍ／％ＲＨ以上、かつ、１１ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっていることを特徴とする電子部品。
6. 上記ＴＤ湿度膨張係数は、３．２ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
7. 上記フィルム基材には、上記外部出力端子が複数個設けられており、
   各上記外部出力端子は、互いに異なる銅配線からなり、
   各上記外部出力端子には、互いに異なる銅配線が接続されており、
   複数本の上記銅配線は、いずれも上記フィルム基材に配置されており、
   複数本の上記銅配線は、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下のピッチを有しており、
   上記フィルム基材と複数本の上記銅配線とからなるフィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数は、上記ＴＤ湿度膨張係数よりも小さくなっており、
   上記フィルム配線基板が幅方向ＴＤに膨張する度合を示す湿度膨張係数は、０．４ｐｐｍ／％ＲＨ以上、かつ、４．４ｐｐｍ／％ＲＨ以下となっていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
8. 外部出力端子が設けられているフィルム基材を備えた電子部品であって、
   上記フィルム基材が幅方向ＴＤに伸びる度合を示すＴＤ引っ張り伸び率は、１５％以上、かつ、２５％以下となっていることを特徴とする電子部品。
9. 上記フィルム基材の吸水率は、１．７％未満となっていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品。
10. 上記フィルム基材の吸水率は、０．８％以上、かつ、１．４％以下となっていることを特徴とする請求項９に記載の電子部品。
11. 上記フィルム基材には、上記外部出力端子が、７２０個以上、かつ、２０００個以下設けられており、
    各上記外部出力端子は、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下のピッチを有していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子部品。
12. 複数個の上記外部出力端子は、上記フィルム基材の幅方向ＴＤに沿って配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の電子部品。
13. 半導体チップが実装されており、
    上記半導体チップは、電子部品内部で、上記フィルム基材の外部出力端子と接続している内部出力端子を備えることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子部品。
14. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の電子部品にガラス基板が実装されており、該ガラス基板に設けられた接続端子と、該電子部品のフィルム基材に設けられた外部出力端子と、が接合されていることを特徴とする表示モジュール。

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