JP2011108307A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】メモリセルトランジスタに印加するレギュレート電圧を最適値に設定することができる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係るフラッシュメモリ1は、電気的に消去/書込みが可能な不揮発性のメモリセルトランジスタアレイ2、メモリセルトランジスタアレイ2から出力されるメモリセル電流とセンスアンプ基準電流とを比較することにより、メモリセルに保持される信号を読み出すセンスアンプ回路7、メモリセル電流とセンスアンプ基準電流との差分を比較して、判定結果信号を出力する電流差分比較回路9、判定結果信号に応じて、メモリセルトランジスタアレイに供給するレギュレート電圧を制御するレギュレータ回路5を備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の一態様に係るフラッシュメモリ1は、電気的に消去/書込みが可能な不揮発性のメモリセルトランジスタアレイ2、メモリセルトランジスタアレイ2から出力されるメモリセル電流とセンスアンプ基準電流とを比較することにより、メモリセルに保持される信号を読み出すセンスアンプ回路7、メモリセル電流とセンスアンプ基準電流との差分を比較して、判定結果信号を出力する電流差分比較回路9、判定結果信号に応じて、メモリセルトランジスタアレイに供給するレギュレート電圧を制御するレギュレータ回路5を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、不揮発性半導体記憶装置に関し、特に不揮発性半導体記憶装置に搭載されているレギュレータ回路の電圧制御技術に関する。
電気的に消去/書込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、書換え回数を増加させる必要性が高まっており、書換え時に生じるメモリセルトランジスタへの電気的ストレスを軽減することで、書換え回数を増加させる技術が必要とされている。
特許文献1には、レギュレート回路設定値記憶用メモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置が記載されている。特許文献1に記載の不揮発性半導体記憶装置では、消去/書込み動作の後に消去/書込み深さを検証している。この消去/書込み深さが判定レベルを満たさない場合には、レギュレート回路のレギュレート電圧(書換え電圧)の制御値を記憶するメモリセルトランジスタのデータを書き換えて、以降の消去/書込み時に使用する書換え電圧を既存の値よりも高く設定する。これにより、EEPROMの書換え寿命を向上している。
図5は、特許文献1に記載の不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。図5に示すように、特許文献1に記載の不揮発性半導体装置は、EEPROM101、メモリセルトランジスタアレイ102、コントロールロジック回路103、昇圧回路104、レギュレート回路105、デコーダ回路106、センスアンプ回路107、レギュレート回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ108を備えている。センスアンプ回路107の出力信は、レギュレート回路105に入力されている。
特許文献1に記載の不揮発性半導体記憶装置における消去/書込み動作について説明する。消去/書込み動作時には、コントロールロジック回路103が昇圧回路104を動作させることにより、消去/書き込みに必要な高電圧を発生する。このとき、コントロールロジック回路103は、レギュレート回路105に対して、消去動作又は書込み動作のいずれの動作状態であるかを出力する。
この高電圧はレギュレート回路105に印加されて、レギュレート回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ108のデータをセンスアンプ回路107で読み出した結果と消去動作または書込みの動作モードに応じた値によって制御して出力される。
この制御によってレギュレート回路105から出力された書換え電圧はデコーダ回路106に入力され、消去動作または書き込み動作に合わせて一定時間だけデコーダ回路106が選択するメモリセルトランジスタアレイ102内の任意のメモリセルトランジスタに印加される。メモリセルトランジスタに書換え電圧を印加することにより、メモリセルトランジスタのしきい値電圧が制御される。
レギュレート回路105の書換え電圧の設定値はあらかじめ低く設定される。この低い書換え電圧に設定されている間においては、図6に示すようにEEPROMの消去/書込みによる劣化に伴い、メモリセルトランジスタのVtの深さが浅くなり、書換え保証回数内に読み出し検知レベルよりも厳しいベリファイ検知レベルを満たさなくても良い。
EEPROMの消去/書込みを行った後に、毎回、センスアンプ回路107により、メモリセルトランジスタのVtが読み出し検知レベルよりも厳しいベリファイ検知レベルを満たしているかを判定するベリファイ判定が行われる。このベリファイ判定をパスした場合には、以降の消去/書込みも既存のレギュレート回路105の設定(低い書換え電圧)で実施される。
しかし、ベリファイ判定がフェイルした場合には、センスアンプ回路107の出力信号がレギュレート回路105に入力され、レギュレート回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ108に記憶される書換え電圧の設定値が、あらかじめ設定された低い書換え電圧よりも高い書換え電圧となるように変更される。次回以降の消去/書込み時には、レギュレート回路105が制御して出力する書換え電圧の値は、既存の書換え電圧よりも高くなる。
このレギュレート回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ108の書換え電圧の設定値の変更を行うことにより、図6の書換え電圧の切り替えに見られるように、次回以降の書込み後のメモリセルトランジスタのVtの深さが確保できるようになる。
しかしながら、特許文献1では、電源電圧や周囲温度の一時的な悪化に伴い書換え電圧の設定値を上げた場合、その後電源電圧や周囲温度が変化しても書換え電圧を下げることができない。書換え電圧がメモリセルトランジスタに対して過度な電圧となりメモリセルトランジスタのストレスとなる場合であっても、メモリセルトランジスタの閾値はベリファイ検知レベルを満たすためベリファイ判定はパス判定となる。
従って、以降の消去/書込みは、メモリセルトランジスタに対して過度な書換え電圧で行われる。このため、特許文献1に記載の不揮発性半導体記憶装置では、メモリセルトランジスタに過度なストレスを与え続けてしまい、書換え回数を増加することができないという問題がある。
このように、特許文献1に記載の不揮発性半導体記憶装置では、電源電圧や周囲温度の変化に応じて、メモリセルトランジスタに印加するレギュレート電圧を最適値に設定することはできず、メモリセルトランジスタに過度なストレスを与え続けてしまい、書換え回数を増加することができないという問題がある。
本発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶装置は、電気的に消去/書込みが可能な不揮発性メモリセルと、前記メモリセルから出力されるメモリセル電流とセンスアンプ基準電流とを比較することにより、メモリセルに保持される信号を読み出すセンスアンプ回路と、前記メモリセル電流と前記センスアンプ基準電流との差分を比較して、判定結果信号を出力する電流差分比較回路と、前記電流差分比較回路からの判定結果信号に応じて、前記メモリセルに供給するレギュレート電圧を制御するレギュレータ回路とを備えるものである。
このような構成により、電流差分比較回路で検出されたメモリセル電流とセンスアンプ基準電流との差分量に応じて、メモリセルトランジスタに印加するレギュレート電圧値を最適値に設定することはでき、メモリセルトランジスタに与えるストレスを軽減して、書換え回数を増加することができる。
本発明によれば、メモリセルトランジスタに印加するレギュレート電圧を最適値に設定することができる不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
実施の形態1.
本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置について、図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示す図である。ここでは、不揮発性半導体記憶装置の一例としてフラッシュメモリ1について説明する。
本発明の実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置について、図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示す図である。ここでは、不揮発性半導体記憶装置の一例としてフラッシュメモリ1について説明する。
図1に示すように、フラッシュメモリ1は、メモリセルトランジスタアレイ2、コントロールロジック回路3、昇圧回路4、レギュレータ回路5、デコーダ回路6、センスアンプ回路7、レギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ8、電流差分比較回路9を備えている。メモリセルトランジスタアレイ2には、レギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ8が設けられている。
メモリセルトランジスタアレイ2は、ワード線及びビット線に接続された複数のメモリセルトランジスタを有している。メモリセルトランジスタアレイ2には、デコーダ回路6の出力が入力されている。デコーダ回路6は、メモリセルトランジスタアレイ2のワード線、ビット線を選択する。
デコーダ回路6には、レギュレータ回路5の出力が入力される。レギュレータ回路5は、メモリセルトランジスタの消去/書込みに必要なレギュレート電圧(書換え電圧)をデコーダ回路6に出力する。昇圧回路4は、消去/書込みに必要なレギュレート電圧を生成するための高電圧を生成する。昇圧回路4からの出力電圧は、レギュレータ回路5に入力される。
センスアンプ回路7は、メモリセルトランジスタに記憶されるデータを読み出す。センスアンプ回路7には、メモリセルトランジスタアレイ2のメモリセル電流12が入力される。昇圧回路4、レギュレータ回路5、デコーダ回路6、センスアンプ回路7には、コントロールロジック回路3からの制御信号が入力される。コントロールロジック回路3は、外部から入力された信号に基づいて、各回路動作の制御を行う。
電流差分比較回路9には、メモリセルトランジスタアレイ2のメモリセル電流12と、センスアンプ回路7のセンスアンプ基準電流11が入力されている。センスアンプ基準電流11は、メモリセルから読み出したメモリセル電流12が「0」であるか、「1」であるかを判断する基準となる電流である。
電流差分比較回路9は、メモリセル電流12とセンスアンプ基準電流11の差分を比較し、電流差分判定結果信号10をレギュレータ回路5に出力する。すなわち、電流差分比較回路9は、センスアンプ基準電流11からのメモリセル電流12の差分の大きさを検出する。
ここで、レギュレータ回路5の構成について詳しく説明する。レギュレータ回路5は、レギュレータ回路設定値保持回路13、加算回路14、加算数選択回路15、レギュレータ印加電圧選択回路16を有している。
加算数選択回路15には、電流差分判定結果信号10が入力される。加算数選択回路15は、電流差分判定結果信号10に応じて加算数を選択する。加算数は、センスアンプ基準電流11とメモリセル電流12の差分の大きさに応じて、レギュレータ印加電圧を何段階加算するか設定する値である。加算回路14には、加算数選択回路15で選択された加算数と、レギュレータ回路設定値保持回路13の出力が入力されている。
加算回路14は、レギュレータ回路設定値保持回路13の出力に加算数選択回路15で選択された加算数を加算する。レギュレータ回路設定値保持回路13には、加算回路14の出力が入力される。加算回路14の出力は、レギュレータ回路設定値保持回路13の更新前の値と加算数選択回路で選択された加算数を加算した値である。これにより、レギュレータ回路設定値保持回路13の設定値が更新される。レギュレータ回路設定値保持回路13としては、フリップフロップ等を用いることができる。
レギュレータ印加電圧選択回路16には、レギュレータ回路設定値保持回路13の出力が入力されている。図1に示す例では、レギュレータ印加電圧選択回路16は、5つの電圧VPP1〜VPPP6を生成している。レギュレータ印加電圧選択回路16は、レギュレータ回路設定値保持回路13からの入力に応じて、VPP1〜VPPP6のうちの一つを選択しデコーダ回路6に出力する。
ここで、図2を参照して、電流差分比較回路9の構成の一例について説明する。図2は、フラッシュメモリ1に用いられる電流差分比較回路9の構成の一例を示す図である。図2に示すように、電流差分比較回路9は、センスアンプ回路7のトランジスタTr1とカレントミラーをそれぞれ構成する5つのトランジスタTr11〜Tr15を有している。
このうち、トランジスタTr11を含む第1のカレントミラー回路について説明する。第1のカレントミラー回路は、センスアンプ基準電流11から参照電流IREF1を生成する。第1のカレントミラー回路は、トランジスタTr11、TR16、Tr17、Tr17、Tr18、Tr19を含む。
トランジスタTr11のコレクタには、トランジスタTr17とカレントミラーを構成するトランジスタTr16のエミッタが接続されている。また、トランジスタTr17のエミッタには、トランジスタTr19とカレントミラーを構成するトランジスタTr18のコレクタが接続されている。
電流差分比較回路9は、上述の第1カレントミラー回路のほか、これと同様な構成を有する4つのカレントミラー回路を有している。すなわち、電流差分比較回路9は、5つのカレントミラー回路を有している。トランジスタTr12を含む第2のカレントミラー回路は、参照電圧IREF2を生成する。
トランジスタTr13を含む第3のカレントミラー回路は、参照電圧IREF3を生成する。トランジスタTr14を含む第4のカレントミラー回路は、参照電圧IREF4を生成する。トランジスタTr15を含む第5のカレントミラー回路は、参照電圧IREF5を生成する。これらのカレントミラー回路にて生成される参照電流IREF1〜IREF5は、IREF1>IREF2>IREF3>IREF4>IREF5の関係を満たすものとする。
また、電流差分比較回路9は、メモリセルトランジスタアレイ2のトランジスタTr2とカレントミラーをそれぞれ構成する5つのトランジスタTr21〜Tr25を有している。第1のカレントミラー回路においては、トランジスタTr19のコレクタは、トランジスタTr21のエミッタと接続されている。
トランジスタTr21〜Tr25のエミッタ電流がメモリセル電流12と等しくなるように、それぞれのトランジスタの閾値が調整されている。メモリセル電流12は、メモリセルトランジスタアレイ2のメモリセルに流れる電流である。なお、図2においては、メモリセルの一部が示されている。
電流差分比較回路9は、参照電流IREF1〜IREF5とメモリセル電流12とを比較した結果(出力A[0]、A[1]、A[2]、A[3]、A[4]のいずれか)を出力する。出力A[0]〜A[4]が電流差分判定結果信号10である。
図1に示すフラッシュメモリ1の動作について説明する。まず、レギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ8に記憶されている設定値が読み出され、レギュレータ回路設定値保持回路13に設定される。消去/書込み動作時には、コントロールロジック回路3が昇圧回路4を動作させ、消去/書込みに必要なレギュレート電圧を生成するための高電圧を発生する。
昇圧回路4で発生した高電圧は、レギュレータ回路5に入力される。レギュレータ回路5は、レギュレータ回路設定値保持回路13に保持された設定値に応じて、入力される高電圧からレギュレート電圧を生成する。
本発明に係るフラッシュメモリ1においては、センスアンプ基準電流11とメモリセル電流12との差分を比較することによって得られる電流差分判定結果信号10に応じて、レギュレート電圧の設定値が制御される。以下、レギュレート電圧の設定値の制御について説明する。
レギュレータ回路5のレギュレート電圧の設定値は、電流差分比較回路9からの電流差分判定結果信号10に応じて変更される。具体的には、まず、電流差分比較回路9で、メモリセルトランジスタアレイ2のメモリセルに流れるメモリセル電流12と、参照電圧IREF1〜IREFとを比較し、レギュレート電圧の設定値がどのくらい過剰であるか又は不足しているかを判定する。この判定結果に応じて、レギュレート電圧の設定値を増加又は減少させる。
そして、加算数選択回路15で電流差分判定結果信号10に応じて加算数が選択される。選択された加算数は加算回路14に入力され、レギュレータ回路設定値保持回路13の出力に加算される。加算回路14からの出力により、レギュレータ回路設定値保持回路13の設定値が更新される。以降、更新されたレギュレータ回路設定値保持回路13の設定値により、レギュレータ印加電圧選択回路16にて選択制御された電圧がレギュレート電圧としてデコーダ回路6に出力される。
このようにしてレギュレータ回路5から出力されたレギュレート電圧がデコーダ回路6に入力される。レギュレート電圧は、デコーダ回路6が選択するメモリセル・トランジスタレイ内の任意のメモリセルトランジスタに印加される。メモリセルトランジスタにレギュレート電圧を印加することにより消去/書き込みが実施される。
レギュレータ回路設定値保持回路13のレギュレート電圧の設定値は、電源を落とした際には0になる。次回電源を投入するときには、まずレギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ8に記憶されているレギュレート電圧の設定値が用いられる。
そこで、消去/書き込みを実施した後、ベリファイ判定を行う。ベリファイ判定とは、メモリセルトランジスタアレイ2のメモリセルの閾値電圧Vtが読み出し検知レベルよりも厳しいベリファイ検知レベルを満たすか否かを判定するものである。
ベリファイ判定をパスした場合、電流差分比較回路9でメモリセル電流12とセンスアンプ基準電流11の差分比較を行う。例えば、レギュレート電圧を下げても書換え可能な差分結果であった場合、レギュレータ回路設定値記憶用トランジスタ8のデータ設定値を差分結果に応じた値に下げて更新する。これにより、電源を投入した時の最初のレギュレート電圧も最適値にすることができ、メモリセルに対するストレスを軽減することが可能となる。
図3は、メモリセル電流12とセンスアンプ基準電流11の関係による電流差分判定結果信号10及びレギュレート電圧の設定値の変化を示した図である。図3に示すように、電源投入直後、システム初期化されているため、レギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ8の設定値が用いられる。
レギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ8に記憶されているレギュレート電圧の設定値をVPP3、すなわち、A[2]のみが1の状態(A[4:0]=00100)のときに、ベリファイ判定をパスした例について説明する。
この状態から、電流差分比較回路9によりメモリセル電流12とセンスアンプ基準電流11とを比較した結果、IREF1≧メモリセル電流>IREF2であり、電流差分判定結果信号10がA[0]のみが1の状態(A[4:0]=00001)に変化したものとする。
この場合、レギュレート電圧を下げてもメモリセルへの消去/書込みの書換えは問題なく行われる。従って、レギュレータ回路設定値保持回路13でのレギュレート電圧設定値を2段階下げたVPP5とすることができる。すなわち、加算数選択回路15における加算値を−2とする。これにより、レギュレート電圧をより最適値に近づけることができるため、メモリセルへのストレスを軽減することができる。
レギュレータ回路設定値保持回路13に保持されていた値(VPP3が選択される値)と電流差分判定結果信号10により選択された加算値(−2)が加算回路14に入力される。そして、レギュレータ回路設定値保持回路13のレギュレート電圧設定値が、VPP5が選択される値に更新される。
なお、ベリファイ判定がフェイルした場合、電流差分判定結果信号10が、レギュレータ回路5に入力されて、レギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ8のレギュレート電圧の設定値を変更する。次回以降の消去/書込み時には、レギュレータ回路5のレギュレータ回路設定値保持回路13が制御してデコーダ回路6に出力するレギュレート電圧の値を、既存の電圧よりも高くすることができる。
図4は本発明と特許文献1のメモリセルに印加される印加電圧とメモリセル書換え回数を示した図である。図4において、縦軸はメモリセル印加電圧を現しており、横軸は書き換え回数を表している。
図4に示すように、特許文献1に記載の不揮発性半導体記憶装置においては、レギュレート電圧がメモリセルトランジスタに対して過度な電圧となり、メモリセルトランジスタのストレスとなる場合でも、書き換え電圧のマージンに関係なく、メモリセルトランジスタに印加するレギュレート電圧値の変更は行なわれなかった。
しかしながら、本発明によれば、書換え電圧に十分にマージンがある場合には、1回目の書換え完了時点Aにおいてレギュレート電圧を下げることで、次回の書換え時にはメモリセルへの印加電圧を抑制することが可能となる。また、n+1回目の書換え処理において、メモリセル印加電圧が不足した場合には、レギュレート電圧を既存のレギュレート電圧よりも高いレギュレート電圧に変更して再書換え処理が行われる。
このように、メモリセルトランジスタセルへ過剰な印加電圧を与えることなく、最適な印加電圧を印加することができるため、メモリセルの書換え時の電圧ストレスを軽減することができるので、書換え回数を増やす効果がある。
以上説明したように、本発明によれば、電源電圧や周囲温度の変化およびメモリセルの劣化によって生じるメモリセル電流12とセンスアンプ基準電流11との差分量に応じて、使用条件に追従して、レギュレータ印加電圧選択回路16のレギュレート電圧を選択することができる。
これにより、メモリセルトランジスタに印加されるレギュレート電圧の値を最適値に設定することができ、メモリセルの書換え時の電圧ストレスを軽減することが可能となる。このため、メモリセルの寿命を長くすることができ、書換え回数を増やすことができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
1 フラッシュメモリ
2 メモリセルトランジスタアレイ
3 コントロールロジック回路
4 昇圧回路
5 レギュレータ回路
6 デコーダ回路
7 センスアンプ回路
8 レギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ
9 電流差分比較回路
10 電流差分判定結果信号
11 センスアンプ基準電流
12 メモリセル電流
13 レギュレータ回路設定値保持回路
14 加算回路
15 加算数選択回路
16 レギュレータ印加電圧選択回路
17 アドレス信号線
2 メモリセルトランジスタアレイ
3 コントロールロジック回路
4 昇圧回路
5 レギュレータ回路
6 デコーダ回路
7 センスアンプ回路
8 レギュレータ回路設定値記憶用メモリセルトランジスタ
9 電流差分比較回路
10 電流差分判定結果信号
11 センスアンプ基準電流
12 メモリセル電流
13 レギュレータ回路設定値保持回路
14 加算回路
15 加算数選択回路
16 レギュレータ印加電圧選択回路
17 アドレス信号線
Claims (4)
- 電気的に消去/書込みが可能な不揮発性メモリセルと、
前記メモリセルから出力されるメモリセル電流とセンスアンプ基準電流とを比較することにより、メモリセルに保持される信号を読み出すセンスアンプ回路と、
前記メモリセル電流と前記センスアンプ基準電流との差分を比較して、判定結果信号を出力する電流差分比較回路と、
前記電流差分比較回路からの判定結果信号に応じて、前記メモリセルに供給するレギュレート電圧を制御するレギュレータ回路と、
を備える不揮発性半導体記憶装置。 - 前記レギュレータ回路は、
前記レギュレート電圧の設定値を保持するレギュレータ回路設定値保持回路と、
前記電流差分比較回路の判定結果信号に応じて、レギュレータ回路設定値保持回路のレギュレート電圧の設定値を更新する演算回路と、
を有する請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記レギュレータ回路は、複数のレギュレータ電圧を生成するレギュレータ印加電圧選択回路をさらに有し、
前記レギュレータ印加電圧選択回路は、前記演算回路により更新されたレギュレート電圧の設定値に基づいて、前記複数のレギュレータ電圧の一を選択することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体装置。 - 電源投入時に、前記レギュレータ回路設定値保持回路のレギュレータ電圧の初期設定値を与えるレギュレータ回路設定値記憶部を備え、
前記レギュレータ回路設定値記憶部は、前記電流差分比較回路からの判定結果信号に応じて、前記レギュレータ電圧の初期設定値を変更することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01140499A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nec Corp | 半導体メモリのセンス増幅回路 |
JP2002015590A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-01-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 不揮発性メモリアナログ電圧書き込み回路 |
JP2003217287A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2006025083A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Spansion Llc | 半導体装置、半導体装置の試験方法およびデータ書き込み方法 |
JP2008262615A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リファレンスセルのプログラム方法及びこれを用いた不揮発性メモリ装置 |
-
2009
- 2009-11-16 JP JP2009261010A patent/JP2011108307A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01140499A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nec Corp | 半導体メモリのセンス増幅回路 |
JP2002015590A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-01-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 不揮発性メモリアナログ電圧書き込み回路 |
JP2003217287A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2006025083A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Spansion Llc | 半導体装置、半導体装置の試験方法およびデータ書き込み方法 |
JP2008262615A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リファレンスセルのプログラム方法及びこれを用いた不揮発性メモリ装置 |
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