JP2011108306A - 不揮発性メモリおよびメモリシステム - Google Patents
不揮発性メモリおよびメモリシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011108306A JP2011108306A JP2009260705A JP2009260705A JP2011108306A JP 2011108306 A JP2011108306 A JP 2011108306A JP 2009260705 A JP2009260705 A JP 2009260705A JP 2009260705 A JP2009260705 A JP 2009260705A JP 2011108306 A JP2011108306 A JP 2011108306A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- area
- address
- save
- valid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0411—Online error correction
Abstract
【解決手段】メモリ領域210へのアクセスを制御する制御部220を有し、制御部220は、データ領域から読み出したデータの誤りを検出して訂正機能を有する誤り検出訂正機能と、指定されたアドレスのデータおよびECCをメモリ領域から読み出し、誤りを検出した場合には、そのアドレスと訂正済みデータを保持する退避領域227と、退避領域に保持しているアドレスと訂正済みデータが有効であるか無効であるかを示す有効無効提示部と、を含み、新たなアドレスと訂正済みデータが退避領域に登録された場合には、有効無効提示部を有効に設定し、退避領域に保持されているデータが不要になった場合には、有効無効提示部を無効に設定する。
【選択図】図1
Description
多くの不揮発性メモリではデータの書き込み後、繰り返しのデータ読み出しや、保持期間が長くなるほど、保持しているデータが劣化し、ビット化けによって、正しいデータが読み出せなくなってしまう場合がある。
そのためにエラー訂正符号を付加してデータを書き込み、読み出し時にエラー検出と訂正を行うことによって、データの信頼性を改善している。
また、データ保持期間に対するビットエラーレートと、読み出し回数に対するビットエラーレートが示されている。
二つ目は同じく繰り返し回数の上限まで書換えを行ったメモリセルについて、10000回の繰り返しの読み出し後に発生するビットエラーレートで、その値も1.0E-7程度であることが示されている。
訂正済みデータを書き戻す処理は、データの保持期間を延ばすために有効な手段である。
特に一定のデータレートでメモリからデータの読み出しを要求するようなアプリケーションでは、このデータの書き戻し処理に対応することは難しい。
そのまま誤ったデータを保持するメモリセルの読み出しが繰り返されれば、データの劣化を更に進め、訂正不可能によるエラーが発生する確率を高めることになる。
この技術では、訂正可能な誤りが発生した場合にはそのアドレスと、訂正済みデータをバッファに保持し、同じアドレスの読み出しデータに誤り訂正不可能のエラーが発生した時に初めて、バッファに保持した訂正済みデータを読み出す。
しかし、特許文献1に記載された技術では、データ誤りが発生しているメモリセルに訂正済みデータを書き戻すことができない。
この技術では、主記憶からキャッシュメモリにデータを読み出したときに、ECCで訂正が発生した場合には、訂正が発生したことを示す訂正ビットをセットしておく。そしてキャッシュからデータを追い出す際に、訂正ビットがセットされている場合には、主記憶のデータを訂正する。
しかし、特許文献2に記載された技術では、CPUのキャッシュメモリ上に読み出される主記憶のデータだけが訂正処理の対象であり、それ以外の主記憶上のデータを訂正することができない。
しかし、特許文献3に記載された技術では、データの読み出し時には、保持した訂正済みデータのアドレスにアクセスする場合でも、バッファ中の訂正済みデータではなく、必ずメモリセルからデータを読み出す。
したがって、メモリセルへのアクセスが繰り返され、データの劣化が進んだ場合、訂正不可能によるエラーが発生してしまう。この場合、システムは訂正不可能エラーによって、動作を継続できず一時停止し、書き戻し処理を行う必要がある。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.メモリシステムの全体構成
2.リードコマンド受信時の動作
3.ライトコマンド受信時の動作
4.退避処理対象アドレス設定コマンド受信時の動作
5.訂正済みデータ書き戻しコマンド受信時の動作
図1は、本発明の実施形態に係る不揮発性メモリを採用したメモリシステムの構成を示す図である。
メモリ領域210は、制御部220の制御の下、データ、ECC、退避フラグSVFLGを記録する。
制御部220は、ホスト装置100からのコマンドCMDを受信し、コマンドCMDに応じて、メモリ領域210に対する書き込み、読み出しを実行する。
コマンドCMDには、退避処理対象アドレス設定(コレクトアドレスセット(Correct address set))コマンドCAS、および退避処理対象アドレス設定解除(コレクトアドレスリセット(Correct address reset))コマンドCARを含む。
コマンドCMDには、訂正済みデータ書き戻し(コレクトデータ(Correct data))コマンドCD、および書き戻し中断(ストップコレクトデータ(Stop correct data))コマンドSCDを含む。
制御部220は、書き込みコマンドWRTを受けると、メモリ領域210に対する書込みを行う。
制御部220は、退避処理対象アドレス設定コマンドCASを受けると、退避処理対象アドレスの設定を行う。
制御部220は、退避処理対象アドレス設定解除コマンドCARを受けると、退避処理対象アドレスの設置を解除する。
制御部220は、訂正済みデータ書き戻しコマンドCDを受けると、メモリ領域210に訂正済みデータの書き戻しを行う。
制御部220は、書き戻し中断コマンドSCDを受けると、書き戻しコマンドの中断を行う。
メモリ領域210は、書き込みデータはデータ領域211に書き込まれ、読み出し時には、データ領域211からデータが読み出される。
ECC領域212には、データに対するECCと、退避フラグSVFLGが記録される。
ECC領域212は、図3に示すように、退避フラグSVFLGが記録される退避フラグフィールド2121、およびECCが記録されるECCフィールド2122により形成される。
制御部220は、誤り検出・訂正部229、読み出しデータバッファ230、書き込みデータバッファ231、ECC生成部232、およびデータセレクタ233を有する。
退避領域227は、訂正済みデータとそのアドレスを記録するエラーアドレスバッファ2271と訂正済みデータ格納バッファ2272、それらのデータが有効であるかを示す有効フラグ部2273により構成され、少なくとも一組以上のデータが記録される。
また、退避領域227に同時に記録するアドレス・訂正済みデータの数は、ホスト装置100が書き戻し処理を開始するまでにアクセスするデータのサイズと、訂正可能エラーの発生率から決まる。
訂正可能エラーの確率は、ビットエラーレート(Bit Error Rate:BER)から訂正不可能エラーの確率を引いたものであり、訂正可能エラーに比べ、訂正不可能エラーが発生する確率は極わずかと考えると、訂正可能エラー=BERと見なすことができる。
先の引用文献の書き換え回数の上限まで書換えを行ったNANDフラッシュメモリを例に考える。2000時間経過後に発生するBER(Bit Error Rate)は1.0E-7で、書き戻し処理を開始するまでにアクセスするデータのサイズをXMBとすると、同時に記録する退避アドレス・訂正データの個数は(0.8*X)個となる。
たとえば、デジタルスチールカメラで撮影した1枚の写真のデータは数MBであり、一枚のデータの読み出し毎にデータの書き戻しを行えば、書換え寿命にまで使った場合を想定しても退避領域227に記録するアドレスと訂正済みデータの数は10個程度で済む。
読み出しデータバッファ230は、退避領域227とデータセレクタ233にデータを出力する。
図4は、本実施形態に係る不揮発性メモリにおけるリードコマンド受信時の退避データを上書きしない場合の動作を説明するためのフローチャートである。
不揮発性メモリ200において、ホスト装置100により発行された読み出しコマンドRDが制御部220にて受信される(ST1)。
受信した読み出しコマンドRDは、コマンドデコーダ221においてデコードされ、制御信号CLTとしてメモリ領域制御部228と退避領域制御部226に送信される。
また、アドレスラッチ222に読み出しアドレスが保持され、その読み出しアドレスはアドレスデコーダ223およびアドレス比較器224に供給される。
アドレスデコーダ223では、アドレスラッチ222によるアドレスがデコードされ、アクセスするメモリ領域210の場所がメモリ領域制御部228に指示される。
そして、ステップST2において、読み出しアドレスが退避処理対象アドレス領域であるか否かが判断される。
読み出されたデータは、誤り検出・訂正部229で訂正された後に(ST4)、読み出しデータバッファ230に入力され、読み出しデータバッファ230からデータセレクタ233を通して外部I/Oに出力される(ST5)。
ステップST6において、一致するアドレスが存在すると判断された場合には、退避領域制御部226では一致したアドレスの訂正済みデータが退避領域227からデータセレクタ233に出力される。そして、データセレクタ233により退避領域227の訂正済みデータが外部I/Oに出力される(ST7)。
読み出されたデータは、誤り検出・訂正部229を通して、読み出しデータバッファ230に入力される(ST9)。ここで、誤り検出・訂正部229において、誤りがないと処理されると、データセレクタ233を通して読み出しデータバッファ230のデータが外部I/Oに出力される(ST5)。
退避領域制御部226において、有効フラグVLFLGが無効に設定されている退避領域227が存在するか否かが判断される(ST10)。
ステップST10において、有効フラグVLFLGが無効に設定されている退避領域227が存在すると判断された場合、有効フラグVLFLGが無効に設定されている退避領域227に訂正済みデータとそのアドレスが格納される。そして、その有効フラグVLFLGが有効に設定され(ST11)、退避領域227に新たな退避データが登録されたことと、退避フラグSVFLGの状態がホスト装置100に通知される(ST12)。
ホスト装置100は、状況によって、このようなアドレスのメモリセルを不良セルと判断し、使わないようにすることができる。
図5は、本実施形態に係る不揮発性メモリにおけるリードコマンド受信時の退避データを上書きする場合の動作を説明するためのフローチャートである。
ステップST15においては、有効フラグVLFLGが有効に設定されているいずれかの退避領域227に、訂正済みデータとそのアドレスが上書きされ、有効フラグVLFLGが有効に設定される。その後、上記したステップST12に処理に移行する。
図6は、本実施形態に係る不揮発性メモリにおけるライトコマンド受信時の動作を説明するためのフローチャートである。
受信した書き込みコマンドWRTは、コマンドデコーダ221においてデコードされ、制御信号CLTとしてメモリ領域制御部228と退避領域制御部226に送信される。
また、アドレスラッチ222に書き込みアドレスが保持され、その書き込みアドレスはアドレスデコーダ223およびアドレス比較器224に供給される。
アドレスデコーダ223では、アドレスラッチ222によるアドレスがデコードされ、アクセスするメモリ領域210の場所がメモリ領域制御部228に指示される。
また、書き込みデータは外部I/Oから書き込みデータバッファ231に入力され、ECC生成部232でECCが生成される。
コマンドデコーダ221により書き込み指示を受けたメモリ領域制御部228の制御の下、アドレスデコーダ223で示されたアドレスにデータの書き込みが行われる(ST22)。
アドレス比較器224においては、書き込みアドレスが退避領域227に保持されている有効フラグVLFLGが有効に設定されているすべてのアドレスと一致するかが調べられる(ST23)。
ステップST23において、一致すると判断された場合に、退避領域制御部226によりそのアドレスの退避領域の有効フラグVLFLGが無効に設定される(ST24)。
図7は、本実施形態に係る不揮発性メモリにおいて退避処理対象アドレス設定(“Correct_address_set”)コマンドを受信したときの動作を示すフローチャートである。
このコマンドCASと共に送られてくるデータは退避処理対象アドレスである。退避処理対象アドレスはアドレスラッチ222に保持され、退避処理対象アドレス領域記憶部225に設定される(ST32)。
図8は、本実施形態に係る不揮発性メモリにおいて退訂正済みデータ書き戻し(“Correct_data”)コマンドを受信したときの動作を示すフローチャートである。
このコマンドを受信するとコマンドデコーダ221においてデコードされ、制御信号CLTとしてメモリ領域制御部228と退避領域制御部226に送信される。
退避領域制御部226では、有効フラグVLFLGがセットされているかがチェックされ、有効な書き戻しデータが存在するか否かが判断される(ST42)。
ステップST42において、有効フラグVLFLGがセットされていないと判断された場合には、処理を終了する。
有効フラグVLFLGがセットされていると判断された場合には、コマンドで指定された個数の有効フラグVLFLが有効に設定されている訂正済みデータの書き戻しが実行されたかを判断する(ST43)。
指定された個数が0の場合には、前記処理を有効フラグVLFLGが有効に設定されているすべての訂正済みデータに対して書き戻しが行われる。
指定された個数のデータの書き戻しを実行した場合には、処理を終了する。
ステップST44において、書き戻し中断コマンドSCDを受信していないと判断された場合には、次の処理が行われる。
すなわち、ECC領域212の退避フラグSVFLGが設定され、訂正済みデータがデータ領域211に書き戻される(ST45)、書き戻し終了後、有効フラグVLFLGが無効に設定され(ST46)。再度有効フラグVLFLGが有効に設定されている退避領域227が存在する場合には、上記処理が繰り返される。
ホスト装置100からの読み出し要求によって訂正が発生したメモリセルのアドレスやデータを退避領域に保存し、メモリ内で管理することで、ホスト装置100は訂正が発生したメモリセルの情報を管理する機能を持つ必要がない。
ホスト装置100からの読み出し要求のアドレスと、退避領域227に保存されたアドレスが一致した場合、退避領域からデータを読み出し、メモリセルへアクセスを行わないようにすることが可能である。
これにより、書き戻しよりを行う前に訂正不可能なエラーが発生する可能性を低くし、保持データの信頼性を高めることが可能となる。
書き戻し処理を行うことで、再び正しいデータの保持と読み出しが可能になると同時に、メモリセルの保持期間をリセットすることで、データの信頼性を高めることが可能となる。
図9(A)は、通常システムの場合であって、訂正データの書き戻し処理によりメモリコントローラから読み出しが待たされることを示している。
これに対して、図9(B)は、本実施形態に係るシステムにおいて、メモリコントローラからの読み出しが待たされるのではなく、一定のレートでデータが出力可能であることを示している。
本実施形態によれば、ホスト装置100が書き戻し処理を開始するタイミングを決定することができる。
たとえば、ホスト装置100がメモリへアクセスしないときに、データの書き戻しを実行する。
本実施形態によれば、図10(B)に示すように、書き戻し処理をしている最中でも、急にメモリへのアクセスが必要になった場合には、書き戻しを中断でき、アクセス終了後、再度再開することができる。
訂正が発生したメモリセルのアドレスやデータはメモリ内の退避領域で管理されるため、ホストはそれらの情報を管理する機能を持つ必要がない。
書き戻し処理をするアドレス範囲を選択できるようにすることで、ホストが必要としない書き戻し処理の発生を防ぐことができる。
書き戻し処理を実行しても再び訂正可能エラーが発生するメモリセルはデータの保持特性が悪いメモリセルである可能性がある。
そこで、そのようなメモリセルを検出し、ホストに通知することで、ホストはそのメモリセルの使用を継続するか否かを判断する情報として利用することができ、データの信頼性を高めることにつながる。
Claims (20)
- データを保存するデータ領域と、エラー訂正コード(ECC)を保存するためのECC領域とを含むメモリ領域と、
上記メモリ領域へのアクセスを制御する制御部と、を有し、
上記制御部は、
上記データ領域から読み出したデータの誤りを検出して訂正機能を有する誤り検出訂正機能と、
指定されたアドレスのデータおよびECCを上記メモリ領域から読み出し、誤りを検出した場合には、当該アドレスと訂正済みデータを保持する少なくとも一つの退避領域と、
上記退避領域に保持しているアドレスと訂正済みデータが有効であるか無効であるかを示す有効無効提示部と、を含み、
新たなアドレスと訂正済みデータが上記退避領域に登録された場合には、上記有効無効提示部を有効に設定し、上記退避領域に保持されているデータが不要になった場合には、上記有効無効提示部を無効に設定する
不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
上記メモリ領域にアクセスするように指定されたアドレスと上記退避領域に保持されている上記有効無効提示部が有効に設定されているすべてのアドレスを比較する比較機能を含み、
データ読み出し時に、上記比較機能がアドレスの一致を示した場合には、上記退避領域に保持する訂正済みデータを出力する
請求項1記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
上記比較機能がアドレスの不一致を示した場合には、上記データ領域からデータ、上記ECC領域からECCを読み出し、上記誤り検出訂正機能でデータの誤りを確認し、訂正不要なデータはそのまま出力し、
誤りを検出した場合には、上記退避領域にアドレスと訂正済みデータを書き込み、上記有効無効提示部を有効に設定し、訂正済みデータを出力する
請求項2記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
上記退避領域にアドレスと訂正済みデータが新たに追加されたことを通知する機能を有する
請求項3記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
上記退避領域に空きがないことを通知する機能を有する
請求項4記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
データ書き込み時に、上記比較機能がアドレスの一致を示した場合には、当該アドレスを保持する上記退避領域の有効無効提示部を無効に設定する
請求項2から5のいずれか一に記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
上記退避領域において上記有効無効提示部が有効の設定であるデータを上記メモリ領域に書き戻す機能を有する
請求項6記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
書き戻す退避領域の最大個数を指定する機能を有し、
書き戻し処理にかかる時間を制限するために、前記最大個数を指定されることが可能である
請求項7記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
書き戻しコマンドにより書き戻し処理を開始し、処理を完了するときに上記有効無効提示部を無効に設定し、処理の完了を通知する機能を有する
請求項7または8記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
書き戻し中断コマンドを受けて書き戻し処理を中断する機能を有し、
中断された書き戻し処理を、再度上記書き戻しコマンドを受けて再開する
請求項9記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
退避処理の対象とするアドレス領域を設定する機能を有し、
退避処理対象アドレス領域設定コマンドにより、退避処理の対象とするアドレス領域が指示される。
請求項10記載の不揮発性メモリ。 - 上記データ領域のECC領域内に、以前に退避処理をしたアドレスであることを示す退避フラグを格納する領域を有し、
上記制御部は、
上記データ領域に退避領域の訂正済みデータを書き戻すときに、上記退避フラグをセットする
請求項10または11記載の不揮発性メモリ。 - 上記制御部は、
データ読み出し時に、上記データ領域のデータ、上記ECC領域のECCと退避フラグを読み出し、読み出したデータに誤りが検出された場合、上記退避領域にアドレスと訂正済みデータが新たに追加されたことに加えて、退避フラグの状態を通知する機能を有する
請求項12記載の不揮発性メモリ。 - データを保存するデータ領域と、エラー訂正コード(ECC)を保存するためのECC領域とを含むメモリ領域と、
上記メモリ領域へのアクセスを制御する制御部と、
上記制御部に対して、少なくとも読み出しを指示する機能および書き込みを指示する機能を含むホスト装置と、を有し、
上記制御部は、
上記データ領域から読み出したデータの誤りを検出して訂正機能を有する誤り検出訂正機能と、
上記ホスト装置から指定されたアドレスのデータおよびECCを上記メモリ領域から読み出し、誤りを検出した場合には、当該アドレスと訂正済みデータを保持する少なくとも一つの退避領域と、
上記退避領域に保持しているアドレスと訂正済みデータが有効であるか無効であるかを示す有効無効提示部と、を含み、
新たなアドレスと訂正済みデータが上記退避領域に登録された場合には、上記有効無効提示部を有効に設定し、上記退避領域に保持されているデータが不要になった場合には、上記有効無効提示部を無効に設定する
メモリシステム。 - 上記制御部は、
上記メモリ領域にアクセスするように指定されたアドレスと上記退避領域に保持されている上記有効無効提示部が有効に設定されているすべてのアドレスを比較する比較機能を含み、
データ読み出し時に、上記比較機能がアドレスの一致を示した場合には、上記退避領域に保持する訂正済みデータを出力する
請求項14記載のメモリシステム。 - 上記制御部は、
上記比較機能がアドレスの不一致を示した場合には、上記データ領域からデータ、上記ECC領域からECCを読み出し、上記誤り検出訂正機能でデータの誤りを確認し、訂正不要なデータはそのまま出力し、
誤りを検出した場合には、上記退避領域にアドレスと訂正済みデータを書き込み、上記有効無効提示部を有効に設定し、訂正済みデータを出力する
請求項15記載のメモリシステム。 - 上記制御部は、
上記退避領域にアドレスと訂正済みデータが新たに追加されたことを上記ホスト装置に通知する機能と、
上記退避領域に空きが無いことを上記ホスト装置に通知する機能と、を有する
請求項16記載のメモリシステム。 - 上記制御部は、
データ書き込み時に、上記比較機能がアドレスの一致を示した場合には、当該アドレスを保持する上記退避領域の有効無効提示部を無効に設定する機能と、
上記退避領域において上記有効無効提示部が有効の設定であるデータを上記メモリ領域に書き戻す機能と、
書き戻す退避領域の最大個数を指定する機能と、を有し、
上記ホスト装置は、
書き戻し処理にかかる時間を制限するために、前記最大個数を指定することが可能である
請求項17記載のメモリシステム。 - 上記制御部は、
上記ホスト装置による書き戻しコマンドを受けて書き戻し処理を開始し、処理を完了するときに上記有効無効提示部を無効に設定し、処理の完了を通知する機能と、
上記ホスト装置から書き戻し中断コマンドを受けて書き戻し処理を中断する機能と、を有し、
中断された書き戻し処理を、再度上記ホスト装置からの上記書き戻しコマンドを受けて再開する
請求項18記載のメモリ装置。 - 上記データ領域のECC領域内に、以前に退避処理をしたアドレスであることを示す退避フラグを格納する領域を有し、
上記制御部は、
上記ホスト装置からの退避処理対象アドレス領域設定コマンドにより、退避処理の対象とするアドレス領域が指示され、当該退避処理の対象とするアドレス領域を設定する機能を有し、
上記データ領域に退避領域の訂正済みデータを書き戻すときに、上記退避フラグをセットし、
データ読み出し時に、上記データ領域のデータ、上記ECC領域のECCと退避フラグを読み出し、読み出したデータに誤りが検出された場合、上記退避領域にアドレスと訂正済みデータが新たに追加されたことに加えて、退避フラグの状態を上記ホスト装置に通知し、退避領域に空きが無い場合には、退避領域に空きが無いことを通知する機能を有する
請求項19記載のメモリシステム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009260705A JP2011108306A (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 不揮発性メモリおよびメモリシステム |
TW099132876A TWI414941B (zh) | 2009-11-16 | 2010-09-28 | 非揮發性記憶體及記憶體系統 |
US12/938,768 US8683290B2 (en) | 2009-11-16 | 2010-11-03 | Save area for retaining corrected data |
CN201010538227.3A CN102063940B (zh) | 2009-11-16 | 2010-11-09 | 非易失存储器和存储系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009260705A JP2011108306A (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 不揮発性メモリおよびメモリシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011108306A true JP2011108306A (ja) | 2011-06-02 |
Family
ID=43999175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009260705A Pending JP2011108306A (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 不揮発性メモリおよびメモリシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8683290B2 (ja) |
JP (1) | JP2011108306A (ja) |
CN (1) | CN102063940B (ja) |
TW (1) | TWI414941B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014044791A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Freescale Semiconductor Inc | 不揮発性メモリのための適応的エラー訂正 |
JP2014186664A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 演算装置およびエラー処理方法 |
JP2021033725A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 三菱電機株式会社 | Dram診断方法 |
JP2021144606A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | Necプラットフォームズ株式会社 | キャッシュ制御装置、キャッシュシステムおよびキャッシュ制御方法 |
WO2021261157A1 (ja) * | 2020-06-25 | 2021-12-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶装置 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012252558A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Sony Corp | 不揮発性メモリ、メモリコントローラ、不揮発性メモリのアクセス方法、およびプログラム |
EP3712774B1 (en) | 2011-09-30 | 2023-02-15 | Tahoe Research, Ltd. | Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy |
CN103946826B (zh) | 2011-09-30 | 2019-05-31 | 英特尔公司 | 用于在公共存储器通道上实现多级存储器层级的设备和方法 |
EP3382556A1 (en) | 2011-09-30 | 2018-10-03 | INTEL Corporation | Memory channel that supports near memory and far memory access |
CN103946811B (zh) | 2011-09-30 | 2017-08-11 | 英特尔公司 | 用于实现具有不同操作模式的多级存储器分级结构的设备和方法 |
KR20130049332A (ko) * | 2011-11-04 | 2013-05-14 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
CN103578566B (zh) * | 2012-07-23 | 2016-08-24 | 群联电子股份有限公司 | 存储器存储装置及其修复方法 |
CN103593252B (zh) * | 2012-08-14 | 2017-06-13 | 旺宏电子股份有限公司 | 具有动态错误侦测及更正的存储器 |
CN102981976B (zh) * | 2012-12-05 | 2016-05-25 | 清华大学 | 用于数据存储的访问控制方法 |
JP2014157391A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Sony Corp | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システムおよび記憶制御方法 |
JP2015225603A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 富士通株式会社 | ストレージ制御装置、ストレージ制御方法およびストレージ制御プログラム |
CN105469822B (zh) * | 2014-09-12 | 2019-10-18 | 华邦电子股份有限公司 | 半导体存储器装置、半导体系统以及读取方法 |
US9852811B2 (en) * | 2014-11-13 | 2017-12-26 | Macronix International Co., Ltd. | Device and method for detecting controller signal errors in flash memory |
KR102395158B1 (ko) * | 2015-05-08 | 2022-05-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
KR20170098538A (ko) * | 2016-02-22 | 2017-08-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
JP6799262B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2020-12-16 | 富士通株式会社 | 演算処理装置及び演算処理装置の制御方法 |
JP2018152146A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置及びデータ読み出し方法 |
US10146615B2 (en) * | 2017-04-24 | 2018-12-04 | Arteris, Inc. | Recovery of a system directory after detection of uncorrectable error |
JP2020144554A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | キオクシア株式会社 | 記憶装置およびデータ読出方法 |
EP3985494B1 (en) | 2020-04-01 | 2024-01-17 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Read-write method and memory device |
CN113495675B (zh) * | 2020-04-01 | 2023-08-11 | 长鑫存储技术有限公司 | 读写方法及存储器装置 |
EP3964940A4 (en) | 2020-04-01 | 2022-08-17 | Changxin Memory Technologies, Inc. | READ/WRITE METHOD AND STORAGE DEVICE |
CN113495671B (zh) | 2020-04-01 | 2023-10-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 读写方法及存储器装置 |
CN113495674B (zh) * | 2020-04-01 | 2023-10-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 读写方法及存储器装置 |
EP3936996A4 (en) | 2020-04-01 | 2022-07-06 | Changxin Memory Technologies, Inc. | READ-WRITE METHOD AND STORAGE DEVICE |
CN113495672B (zh) | 2020-04-01 | 2023-08-11 | 长鑫存储技术有限公司 | 读写方法及存储器装置 |
CN113496745B (zh) * | 2020-04-03 | 2024-03-08 | 澜起科技股份有限公司 | 用于修复存储模块缺陷的装置和方法以及存储器系统 |
CN112133356B (zh) * | 2020-09-11 | 2023-05-16 | 深圳市宏旺微电子有限公司 | eMMC中RPMB的功能测试方法、装置和计算机设备 |
US11740973B2 (en) | 2020-11-23 | 2023-08-29 | Cadence Design Systems, Inc. | Instruction error handling |
KR20230012274A (ko) | 2021-07-15 | 2023-01-26 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 동작 방법, 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 시스템 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63271555A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Nec Corp | 記憶制御方式 |
JPH056313A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | メモリアクセス制御装置 |
JPH06110793A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3068009B2 (ja) * | 1996-08-06 | 2000-07-24 | 日本電気株式会社 | 冗長化メモリのエラー訂正機構 |
JP2003248631A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Nec Microsystems Ltd | メモリ制御回路及びメモリ制御方法 |
JP3937214B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2007-06-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | エラー訂正回数を記録する記憶装置 |
JP2008504637A (ja) * | 2004-06-23 | 2008-02-14 | アトメル・コーポレイション | フラッシュメモリ装置における内部プログラミング中の同時の外部読出動作 |
JP2008225835A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Fujitsu Ltd | メモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置 |
JP2009512119A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | サンディスク コーポレイション | 訂正済みデータの格納および処理方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4084236A (en) * | 1977-02-18 | 1978-04-11 | Honeywell Information Systems Inc. | Error detection and correction capability for a memory system |
US4920539A (en) * | 1988-06-20 | 1990-04-24 | Prime Computer, Inc. | Memory error correction system |
US4995041A (en) * | 1989-02-03 | 1991-02-19 | Digital Equipment Corporation | Write back buffer with error correcting capabilities |
JPH0368009A (ja) | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 計算機内の信号転送装置 |
US5233616A (en) * | 1990-10-01 | 1993-08-03 | Digital Equipment Corporation | Write-back cache with ECC protection |
GB2289779B (en) * | 1994-05-24 | 1999-04-28 | Intel Corp | Method and apparatus for automatically scrubbing ECC errors in memory via hardware |
US6076183A (en) * | 1997-12-18 | 2000-06-13 | Bull, S.A. | Method of memory error correction by scrubbing |
US7051264B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-23 | Monolithic System Technology, Inc. | Error correcting memory and method of operating same |
US7437597B1 (en) * | 2005-05-18 | 2008-10-14 | Azul Systems, Inc. | Write-back cache with different ECC codings for clean and dirty lines with refetching of uncorrectable clean lines |
JP2008310896A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Spansion Llc | 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システムおよび不揮発性記憶装置の制御方法 |
US8316277B2 (en) * | 2007-12-06 | 2012-11-20 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for ensuring data validity in a data storage process |
JP5202130B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-06-05 | 株式会社東芝 | キャッシュメモリ、コンピュータシステム、及びメモリアクセス方法 |
TW200926192A (en) * | 2009-02-10 | 2009-06-16 | Abounion Tech | Method for checking and correcting errors of data |
-
2009
- 2009-11-16 JP JP2009260705A patent/JP2011108306A/ja active Pending
-
2010
- 2010-09-28 TW TW099132876A patent/TWI414941B/zh active
- 2010-11-03 US US12/938,768 patent/US8683290B2/en active Active
- 2010-11-09 CN CN201010538227.3A patent/CN102063940B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63271555A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Nec Corp | 記憶制御方式 |
JPH056313A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | メモリアクセス制御装置 |
JPH06110793A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3068009B2 (ja) * | 1996-08-06 | 2000-07-24 | 日本電気株式会社 | 冗長化メモリのエラー訂正機構 |
JP3937214B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2007-06-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | エラー訂正回数を記録する記憶装置 |
JP2003248631A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Nec Microsystems Ltd | メモリ制御回路及びメモリ制御方法 |
JP2008504637A (ja) * | 2004-06-23 | 2008-02-14 | アトメル・コーポレイション | フラッシュメモリ装置における内部プログラミング中の同時の外部読出動作 |
JP2009512119A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | サンディスク コーポレイション | 訂正済みデータの格納および処理方法 |
JP2008225835A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Fujitsu Ltd | メモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014044791A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Freescale Semiconductor Inc | 不揮発性メモリのための適応的エラー訂正 |
JP2014186664A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 演算装置およびエラー処理方法 |
US9256495B2 (en) | 2013-03-25 | 2016-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing unit and error processing method |
JP2021033725A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 三菱電機株式会社 | Dram診断方法 |
JP7202990B2 (ja) | 2019-08-27 | 2023-01-12 | 三菱電機株式会社 | Dram診断方法 |
JP2021144606A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | Necプラットフォームズ株式会社 | キャッシュ制御装置、キャッシュシステムおよびキャッシュ制御方法 |
WO2021261157A1 (ja) * | 2020-06-25 | 2021-12-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110119558A1 (en) | 2011-05-19 |
CN102063940A (zh) | 2011-05-18 |
CN102063940B (zh) | 2014-08-06 |
TWI414941B (zh) | 2013-11-11 |
TW201120636A (en) | 2011-06-16 |
US8683290B2 (en) | 2014-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011108306A (ja) | 不揮発性メモリおよびメモリシステム | |
US8271515B2 (en) | System and method for providing copyback data integrity in a non-volatile memory system | |
US8495481B2 (en) | Non-volatile memory with extended error correction protection | |
KR100802059B1 (ko) | 읽기 디스터브로 인한 배드 블록의 생성을 억제할 수 있는메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 | |
JP5540969B2 (ja) | 不揮発性メモリ装置、メモリコントローラ、およびメモリシステム | |
US8479062B2 (en) | Program disturb error logging and correction for flash memory | |
US7613982B2 (en) | Data processing apparatus and method for flash memory | |
JP5202130B2 (ja) | キャッシュメモリ、コンピュータシステム、及びメモリアクセス方法 | |
US8321757B2 (en) | Method and apparatus for error correction | |
JP2009129070A (ja) | フラッシュメモリ記憶装置の制御方法、その方法を用いたフラッシュメモリ記憶装置及びストレージシステム | |
JP2008287404A (ja) | 読み出しによる非アクセスメモリセルのデータ破壊を検出及び回復する装置、及びその方法 | |
JP2010198219A (ja) | メモリコントローラおよび半導体記憶装置 | |
JP2003058432A (ja) | メモリカード及びメモリコントローラ | |
US20130227199A1 (en) | Flash memory storage system and access method | |
TWI768764B (zh) | 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元 | |
JP2012063884A (ja) | 記憶装置、電子機器、および記憶装置の制御方法 | |
US20200293228A1 (en) | Memory system and non-volatile memory control method | |
JP4866107B2 (ja) | 不揮発性記憶装置及びその書き込み判定方法 | |
JP2009301194A (ja) | 半導体記憶装置の制御システム | |
TWI473103B (zh) | 快閃記憶體儲存裝置及其不良儲存區域的判定方法 | |
JP4775969B2 (ja) | 不揮発性記憶装置 | |
JP2010079856A (ja) | 記憶装置およびメモリ制御方法 | |
JP5883284B2 (ja) | 半導体メモリ制御装置及び制御方法 | |
JP5306745B2 (ja) | フラッシュメモリの管理方法及びフラッシュメモリデバイス | |
US10922025B2 (en) | Nonvolatile memory bad row management |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130812 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131105 |