JP2008225835A - メモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置 - Google Patents

メモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、メモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置に関し、メモリの寿命が近い状態を事前に検知可能とすることを目的とする。
【解決手段】メモリ内のデータのエラーを訂正して得られた訂正データとそのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出し、この情報に基づいて警告を出力する出力ように構成する。
【選択図】図1

Description

本発明は、メモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置に関し、特にメモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置に関する。
フラッシュメモリにはNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリがある。NAND型フラッシュメモリにはエラー訂正機能が備えられており、データの書き込みを高速に行うことができるが、1バイト単位のアクセスはできない。これに対し、NOR型フラッシュメモリは1バイト単位のアクセスを行うことができるが、データの書き込みはNAND型フラッシュメモリ程高速ではない。
NOR型フラッシュメモリには、一般的にはエラー訂正機能が備えられていない。しかし、例えばワンチップフラッシュ内蔵マイクロコンピュータ内に設けられたNOR型フラッシュメモリの後発エラーをゼロにすることは非常に難しいため、NOR型フラッシュメモリにもエラー訂正機能を設けることが考えられる。このようなエラー訂正機能をNOR型フラッシュメモリに設けた場合、エラー訂正自体はマイクロコンピュータ内のハードウェアで自動的に行われるため、マイクロコンピュータのファームウエアではエラー訂正が行われているか否かを検知することはできない。
データ領域に対する書き換え回数とエラー検査情報を保持するメモリシステムは、例えば特許文献1にて提案されている。又、エラー訂正回数を記憶する記憶装置は、例えば特許文献2にて提案されている。
特開2004−240793号公報 国際公開WO01/22232号公報
しかし、NOR型フラッシュメモリ等にエラー訂正機能を設けた場合、エラーが発生したアドレス及び訂正済みのデータを保持するためのメモリやレジスタの記憶容量は有限であるため、多数のエラーが発生して、エラーが発生したアドレス及び訂正済みのデータを保持するのに必要な容量が上記記憶容量を超えてしまうと、エラーを訂正することができなくなってしまう。エラーを訂正することができなくなってしまうと、データを正しく書き込み正しく読み出すというメモリとしての本来の機能を失ってしまうので、本明細書ではエラーの訂正を行えないメモリの状態を「メモリの寿命」と言うものとする。
又、特にメモリがワンチップマイクロコンピュータ等の組み込み機器に内蔵されている場合、メモリのエラーを訂正することができなくなると、組み込み機器自体も動作できなくなってしまう。つまり、メモリの寿命が来ると、組み込み機器内のメモリ以外の回路等は正常に動作可能であっても組み込み機器の寿命が来てしまう。
このように、従来のNOR型メモリ等に単にエラー訂正機能を設けても、既に多数のエラーが発生しておりメモリの寿命が近い状態にあっても、この状態を事前に検知することはできないという問題があった。
そこで、本発明は、メモリの寿命が近い状態を事前に検知可能なメモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置を提供することを目的とする。
上記の課題は、メモリ内のデータのエラーを訂正して得られた訂正データ及びそのエラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出する検出工程と、該情報に基づいて警告を出力する警告出力工程とを含むことを特徴とするメモリアクセス制御方法により達成できる。
上記の課題は、メモリ内のデータのエラーを訂正して得られた訂正データ及びそのエラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群と、該メモリ及び該エラー訂正レジスタ群へのアクセスを制御すると共に、該エラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出するアクセス制御回路と、該情報に基づいて警告を出力する警告出力回路とを備えたことを特徴とするメモリアクセス制御回路により達成できる。
上記の課題は、メモリと、該メモリ内のデータのエラーを訂正して訂正データを生成するエラー訂正回路と、該訂正データ及び該エラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群と、該エラー訂正回路による該エラーの訂正と該訂正データ及び該アドレスの該エラー訂正レジスタ群への設定を制御するCPUと、該メモリ及び該エラー訂正レジスタ群へのアクセスを制御すると共に、該エラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出するアクセス制御回路と、該情報に基づいて警告を出力する警告出力回路とを備えたことを特徴とする情報処理装置により達成できる。
本発明によれば、メモリの寿命が近い状態を事前に検知可能なメモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置を実現することができる。
本発明では、メモリ内のデータのエラーを訂正して得られた訂正データ及びそのエラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出する。又、検出された情報に基づいて、警告を出力する。従って、メモリの寿命が近い状態を事前に検知して警告を出力することができる。
以下に、本発明のメモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置の各実施例を図面と共に説明する。
図1は、本発明の一実施例の構成を示すブロック図である。本実施例では、本発明がNOR型フラッシュメモリに適用されており、情報処理装置はワンチップフラッシュ内蔵マイクロコンピュータであるが、本発明は各種組み込み機器へも適用可能である。
ワンチップフラッシュ内蔵マイクロコンピュータ1は、図1に示す如く接続されたCPU11、エラー訂正回路12、警告出力回路13、RAM14、アクセス制御回路15、NOR型フラッシュメモリ16、アドレス比較回路17、エラー訂正レジスタ群18及びバス19を有する。エラー訂正レジスタ群18は、有効レジスタ21、アドレス設定レジスタ22−1〜22−n及びデータ設定レジスタ23−1〜23−n(nは2以上の整数)を有する。メモリアクセス制御回路は、少なくともアクセス制御回路15、アドレス比較回路17及びエラー訂正レジスタ群18を有する。つまり、フラッシュメモリ16は、メモリアクセス制御回路に対して外付けされる構成であっても良い。尚、図1では、アドレスデコーダ等の図示は省略する。
CPU11は、マイクロコンピュータ1の全体の動作を制御する。エラー訂正回路12は、任意のエラー訂正アルゴリズムに従ってフラッシュメモリ16内で発生したデータのエラーを訂正する演算を行う周知の構成を有し、エラーを訂正するとその旨をCPU11へ通知する。本実施例では、エラー訂正回路12によるエラー訂正は、2ビットのエラーが同時に発生しないことを前提としている。警告出力回路13は、後述するアクセス制御回路15から警告の出力要求、或いは、警告出力信号が供給されると警告信号を出力する。警告出力回路13は、マイクロコンピュータ1外部のLED等の点灯、マイクロコンピュータ1外部のディスプレイ上の警告メッセージの表示、マイクロコンピュータ1外部のスピーカからの警告音又は音声警告メッセージの出力、上位装置への通知等に適した警告信号を出力する。RAM14は、CPU11が実行する演算の中間結果等の各種データを格納するために設けられている。
アクセス制御回路15は、フラッシュメモリ16及びエラー訂正レジスタ群18へのアクセスを制御すると共に、エラー訂正レジスタ群18の空き容量を示す情報を検出する。ここで、エラー訂正レジスタ群18の空き容量を示す情報とは、未使用領域の容量を示して空き容量を直接示す情報であっても、使用済み領域の容量を示して空き容量を間接的に示す情報であっても良い。
エラー訂正レジスタ群18内の各アドレス設定レジスタは、フラッシュメモリ16内でデータのエラーが発生したアドレスを保持する。又、エラー訂正レジスタ群18内の各データ設定レジスタは、フラッシュメモリ16内で発生したデータのエラーを訂正回路12により訂正して得られた訂正データを保持する。エラー訂正レジスタ群18内の有効レジスタ21は、保持内容が有効であるアドレス設定レジスタ及びデータ設定レジスタを示す。例えば、有効レジスタ21は2nビットからなり、各ビットで対応するアドレス設定レジスタ又はデータ設定レジスタの保持内容が有効であるか否かを示す。
フラッシュメモリ16内で発生したデータのエラーは、周知のエラー検出アルゴリズムで検出されてCPU11へ通知される。データのエラーは、例えばエラー訂正回路12内で検出しても良い。CPU11は、エラー訂正回路12によりデータのエラーが訂正されると、エラー訂正レジスタ群18内のデータ設定レジスタに訂正データを設定すると共にフラッシュメモリ16内の後述する訂正データ退避領域に退避し、エラー訂正レジスタ群18内のアドレス設定レジスタにデータのエラーが発生した(即ち、データのエラーが検出された)アドレスを設定し、有効レジスタ21の対応するビットを有効に設定する。
アドレス比較回路17は、アクセスアドレスとエラー訂正レジスタ群18内のアドレス設定レジスタ22−1〜22−nに保持されたアドレスとを比較し、一致するアドレスがあるか否かを示す検出信号をアクセス制御回路15に供給する。アクセス制御回路15は、検出信号が一致するアドレスがないことを示す場合には、フラッシュメモリ16のアクセスアドレスアクセスする。
他方、検出信号が一致するアドレスがあることを示すと、アクセス制御回路15はエラー訂正レジスタ群18内の有効レジスタ21を参照し、対応するアドレス設定レジスタ又は対応するアドレス設定レジスタ及びデータ設定レジスタの保持内容が有効であるか否かを判定する。書き込みアクセスの場合、アクセス制御回路15は、有効レジスタ21が対応するアドレス設定レジスタの保持内容が有効であることを示していれば、バス19を介して入力されたデータをフラッシュメモリ16ではなくエラー訂正レジスタ群18内の対応するデータ設定レジスタに書き込む。読み出しアクセスの場合、アクセス制御回路15は、有効レジスタ21が対応するアドレス設定レジスタ及びデータ設定レジスタの保持内容が有効であることを示していれば、フラッシュメモリ16からではなくエラー訂正レジスタ群18内の対応するデータ設定レジスタからデータを読み出してバス19へ出力する。
アクセス制御回路15は、エラー訂正レジスタ群18の空き容量を示す情報を、有効レジスタ21の有効ビット数、アドレスが設定されているアドレス設定レジスタの数、有効レジスタ21の有効ビット数及びアドレスが設定されているアドレス設定レジスタの数、有効レジスタの無効ビット数、アドレスが設定されていないアドレス設定レジスタの数、有効レジスタの無効ビット数及びアドレスが設定されていないアドレス設定レジスタの数等に基づいて検出する。本実施例では、説明の便宜上、アクセス制御回路15は、エラー訂正レジスタ群18の空き容量を示す情報に基づいて、エラー訂正レジスタ群18内の使用済み領域の容量又は使用率を算出し、この使用率を示す警告の出力要求、或いは、警告出力信号を警告出力回路13に対して出力するものとする。警告出力回路13は、アクセス制御回路15からの警告の出力要求又は警告出力信号が示す使用率に応じたレベルの警告を出力する。つまり、警告出力回路13は、一又は複数のレベルの警告を出力する。
図2は、フラッシュメモリ16のメモリマップを示す図である。フラッシュメモリ16は、保護領域161、初期行パリティ領域162、初期列パリティ領域163及び訂正データ退避領域164を有する。保護領域161は、保護するプログラムコード等が格納される領域である。初期行パリティ領域162は、チェックサムを付加して初期行パリティにエラーがないことをチェックするための領域である。初期列パリティ領域163は、チェックサムを付加して初期列パリティにエラーがないことをチェックするための領域である。保護領域161、初期行パリティ領域162及び初期列パリティ領域163の各サイズは、プログラムコードサイズに応じて設定可能である。訂正データ退避領域164は、訂正データと対応するアドレスを退避するための領域である。訂正データ退避領域164は、マイクロコンピュータ1が次回起動された時に訂正データを読み出してチェックサムによりエラー検出を行うことができるように設けられている。
図3及び図4は、実施例の動作を説明するフローチャートである。図3及び図4に示す処理は、アクセス制御方法に相当し、例えばマイクロコンピュータ1の起動時に開始される。勿論、図3及び図4に示す処理を、マイクロコンピュータ1の保守時等の任意の時点で行うようにしても良い。
図3において、ステップS1は、CPU11の制御下で、フラッシュメモリ16内の訂正データ退避領域164に退避されている訂正データを読み込んでチェックサムにより例えばエラー訂正回路12でエラー検出を行い、エラーが検出されないと、訂正データと対応するアドレスをエラー訂正レジスタ群18内のデータ設定レジスタ及びアドレス設定レジスタに設定する。ステップS2は、CPU11の制御下で、フラッシュメモリ16内の保護領域161に格納されたデータを読み出してエラー訂正回路12に供給し、エラー訂正回路12が行う演算によりによりパリティデータを生成する。ステップS3は、CPU11により、エラー訂正回路12において生成されたパリティデータと、フラッシュメモリ16内のパリティ領域162,163から読み出したパリティデータを比較する。ステップS4は、CPU11により、パリティデータの比較の結果エラーが検出されたか否かを判定し、判定結果がNOであると処理は終了する。他方、ステップS4の判定結果がYESであると、処理は図4に示すステップS5へ進む。
図4において、ステップS5は、CPU11の制御下で、エラー訂正回路12によりデータのエラーを訂正して訂正データを生成する。ステップS6は、CPU11の制御下で、ステップS5で生成された訂正データと対応するアドレスをエラー訂正レジスタ群18内の未使用のデータ設定レジスタ及び未使用のアドレス設定レジスタに設定する。ステップS7は、CPU11の制御下で、ステップS5で生成された訂正データと対応するアドレスを、フラッシュメモリ16内の訂正データ退避領域164へ格納することで退避内容を更新する。
ステップS8は、CPU11の制御下で、エラー訂正レジスタ群18の空き容量を示す情報に基づいて、アクセス制御回路15によりエラー訂正レジスタ群18の使用率を算出し、この使用率を示す警告の出力要求、或いは、警告出力信号を警告出力回路13に対して出力する。ステップS9は、CPU11の制御下で、警告出力回路13により、アクセス制御回路15からの警告の出力要求又は警告出力信号が示す使用率が65%より大きいか否かを判定し、判定結果がNOであると、警告出力回路13は警告を出力することなく、処理は終了する。ステップS9の判定結果がYESであると、ステップS10は、CPU11の制御下で、警告出力回路13により、アクセス制御回路15からの警告の出力要求又は警告出力信号が示す使用率が90%より大きいか否かを判定する。ステップS10の判定結果がNOであると、ステップS11は、CPU11の制御下で、警告出力回路13によりフラッシュメモリ16の寿命が比較的近いことを示す「注意」レベルの警告を出力し、処理は終了する。他方、ステップS10の判定結果がYESであると、ステップS12は、CPU11の制御下で、警告出力回路13によりフラッシュメモリ16の寿命が非常に近いことを示す「危険」レベルの警告を出力し、処理は終了する。
このように、本実施例では、アクセス制御回路15からエラー訂正レジスタ群18を参照することで、エラー訂正レジスタ群の使用率が把握できるため、間接的にフラッシュメモリ16の寿命が近い状態を事前に検知することができる。このため、例えば組み込み機器内のフラッシュメモリの後発エラーが発生した場合に、組み込み機器の寿命予測を行って組み込み機器の使用者又は保守者に組み込み機器が利用できなくなる前に警告することが可能となる。例えば、組み込み機器が車載機器の場合、車検等の定期的な検査があるため、その時に警告が出力されてフラッシュメモリ後発エラーの訂正が限界に近づいていることがわかれば、車載機器を交換することでフラッシュメモリの寿命による車載機器の故障の発生を抑止することができる。
尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
(付記1)
メモリ内のデータのエラーを訂正して得られた訂正データ及びそのエラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出する検出工程と、
該情報に基づいて警告を出力する警告出力工程と
を含むことを特徴とするメモリアクセス制御方法。
(付記2)
該警告出力工程は、該情報に応じて複数のレベルの警告を出力することを特徴とする付記1記載のメモリアクセス制御方法。
(付記3)
該検出工程及び該警告出力工程は、該メモリを用いる装置の起動時に行われることを特徴とする付記1又は2記載のメモリアクセス方法。
(付記4)
該メモリはNOR型フラッシュメモリであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項記載のメモリアクセス制御方法。
(付記5)
メモリ内のデータのエラーを訂正して得られた訂正データ及びそのエラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群と、
該メモリ及び該エラー訂正レジスタ群へのアクセスを制御すると共に、該エラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出するアクセス制御回路と、
該情報に基づいて警告を出力する警告出力回路と
を備えたことを特徴とするメモリアクセス制御回路。
(付記6)
該警告出力回路は、該情報に応じて複数のレベルの警告を出力することを特徴とする付記5記載のメモリアクセス制御回路。
(付記7)
該アクセス制御回路による該情報の検出及び該警告出力回路による該警告の出力は、該メモリを用いる装置の起動時に行われることを特徴とする付記5又は6記載のメモリアクセス回路。
(付記8)
メモリと、
該メモリ内のデータのエラーを訂正して訂正データを生成するエラー訂正回路と、
該訂正データと該エラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群と、
該エラー訂正回路による該エラーの訂正と該訂正データ及び該アドレスの該エラー訂正レジスタ群への設定を制御するCPUと、
該メモリ及び該エラー訂正レジスタ群へのアクセスを制御すると共に、該エラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出するアクセス制御回路と、
該情報に基づいて警告を出力する警告出力回路と
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
(付記9)
該警告出力回路は、該情報に応じて複数のレベルの警告を出力することを特徴とする付記8記載の情報処理装置。
(付記10)
該アクセス制御回路による該情報の検出及び該警告出力回路による該警告の出力は、該情報処理装置の起動時に行われることを特徴とする付記8又は9記載の情報処理装置。
(付記11)
該メモリはNOR型フラッシュメモリであることを特徴とする付記8乃至10のいずれか1項記載の情報処理装置。
(付記12)
該情報処理装置は、ワンチップフラッシュ内蔵マイクロコンピュータであることを特徴とする付記11記載の情報処理装置。
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
本発明の一実施例の構成を示すブロック図である。 フラッシュメモリのメモリマップを示す図である。 実施例の動作を説明するフローチャートである。 実施例の動作を説明するフローチャートである。
符号の説明
1 ワンチップフラッシュ内蔵マイクロコンピュータ
11 CPU
12 エラー訂正回路
13 警告出力回路
14 RAM
15 アクセス制御回路
16 フラッシュメモリ
17 アドレス比較回路
18 エラー訂正レジスタ群
19 バス

Claims (5)

  1. メモリ内のデータのエラーを訂正して得られた訂正データ及びそのエラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出する検出工程と、
    該情報に基づいて警告を出力する警告出力工程と
    を含むことを特徴とするメモリアクセス制御方法。
  2. メモリ内のデータのエラーを訂正して得られた訂正データ及びそのエラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群と、
    該メモリ及び該エラー訂正レジスタ群へのアクセスを制御すると共に、該エラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出するアクセス制御回路と、
    該情報に基づいて警告を出力する警告出力回路と
    を備えたことを特徴とするメモリアクセス制御回路。
  3. 該警告出力回路は、該情報に応じて複数のレベルの警告を出力することを特徴とする請求項2記載のメモリアクセス制御回路。
  4. メモリと、
    該メモリ内のデータのエラーを訂正して訂正データを生成するエラー訂正回路と、
    該訂正データと該エラーのアドレスを保持するエラー訂正レジスタ群と、
    該エラー訂正回路による該エラーの訂正と該訂正データ及び該アドレスの該エラー訂正レジスタ群への設定を制御するCPUと、
    該メモリ及び該エラー訂正レジスタ群へのアクセスを制御すると共に、該エラー訂正レジスタ群の空き容量を示す情報を検出するアクセス制御回路と、
    該情報に基づいて警告を出力する警告出力回路と
    を備えたことを特徴とする情報処理装置。
  5. 該メモリはNOR型フラッシュメモリであることを特徴とする請求項4記載の情報処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011108306A (ja) * 2009-11-16 2011-06-02 Sony Corp 不揮発性メモリおよびメモリシステム
JP2016153928A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 日本電気株式会社 記憶装置およびその制御方法

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