JP2011103411A - 光学素子の保持装置、光学系、及び露光装置 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】凹面鏡22を保持する保持装置50であって、凹面鏡22を支持する分割鏡筒47と、凹面鏡22の裏面22cの少なくとも一部の領域に接触する磁性流体Lmを保持する流体保持板51と、流体保持板51で保持された磁性流体Lmの圧力を制御して、凹面鏡22を変形させるアクチュエータ54Aと、を備える。
【選択図】図2
Description
これらの露光装置に搭載される投影光学系は、諸収差が所定の許容範囲内に収まるように組立調整が行われる。この際に、例えば歪曲収差や倍率誤差等の回転対称で、かつ低次数の収差成分が残存していても、これらの収差は投影光学系に装着されている結像特性補正機構(例えば所定のレンズの光軸方向の位置や傾斜角を制御する機構)によって補正することができる。これに対して、光軸上での非点収差(以下、センターアスと言う。)のような非回転対称な収差成分が残存している場合には、結像特性補正機構ではその補正は困難である。
本発明はこのような課題に鑑み、光学素子の損傷の恐れがなく、かつ光学素子の変形状態を正確に予測できる状態で、光学素子を変形可能に保持することを目的とする。
また、本発明の第2の態様によれば、複数の光学素子を含む光学系において、その複数の光学素子の少なくとも一つの光学素子を支持するために、本発明の第1の態様の光学素
子の保持装置を備え、その光学系の非回転対称な収差に応じてその圧力制御装置によってその光学系の変形量を制御する光学系が提供される。
また、本発明の第4の態様によれば、複数の光学素子を含む光学系において、その複数の光学素子の少なくとも一つの光学素子を支持するために、本発明の第3の態様の光学素子の保持装置を備える光学系が提供される。
また、本発明の第6の態様によれば、本発明の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
図1は、本実施形態のスキャニングステッパーよりなる走査露光型の露光装置EXの露光本体部を示す。図1において、露光装置EXは、露光用の照明光IL(露光光)を発生する露光光源(不図示)と、照明光ILでレチクルR(マスク)を照明する照明光学系ILS(図1ではこの一部のみが表れている)と、レチクルRのパターンの像をウエハW(基板)の表面に形成する投影光学系PLとを備えている。さらに、露光装置EXは、レチクルRを保持して移動するレチクルステージ15と、ウエハWを保持して移動するウエハステージ32と、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータよりなる主制御系5(図2参照)とを備えている。
の紙面に平行にY軸を取り、図1の紙面に垂直にX軸を取って説明する。走査露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向はY軸に平行な方向(Y方向)であり、レチクルRのパターン面及びウエハWの表面はXY面にほぼ平行である。また、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の回りの回転方向(傾斜方向)をθx方向、θy方向、及びθz方向とも呼ぶ。
ジ32は、ウエハベース33のXY面に平行な上面にY方向に一定速度で移動可能に、かつX方向、Y方向にステップ移動可能に載置されている。ウエハベース33は、能動型の防振装置38A,38B等を介してベース部材1上に載置されている。ウエハステージ32の少なくともX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角はレーザ干渉計34によって計測され、この計測値及び主制御系5からの制御情報に基いて、リニアモータ等を含む駆動装置(不図示)がウエハステージ32を駆動する。
露光時には、不図示のアライメント系を用いてレチクルR及びウエハWのアライメントを行った後、ウエハステージ32をX方向、Y方向にステップ移動することで、ウエハWの露光対象のショット領域が露光領域の手前に移動する。その後、レチクルRの照明領域内のパターンの投影光学系PLによる像でウエハWの当該ショット領域を露光しつつ、レチクルステージ15及びウエハステージ32を介してレチクルRとウエハWとをY方向に投影光学系PLの投影倍率を速度比として同期移動する走査露光が行われる。そのステップ移動と走査露光とをステップ・アンド・スキャン方式で繰り返すことによって、ウエハWの全部のショット領域にレチクルRのパターンの像が露光される。
図1において、反射屈折光学系からなる投影光学系PLは、レチクルRのパターンの第1中間像を形成する屈折型の第1結像光学系G1と、凹面鏡22と2つの負屈折力のレンズL8,L9とから構成されて第1中間像とほぼ等倍の第2中間像を形成する第2結像光学系G2と、第2中間像からの光を用いてウエハW上にレチクルRのパターンの最終像を形成する屈折型の第3結像光学系G3と、凹面鏡22を保持する保持装置50とを備えている。さらに、投影光学系PLは、第1結像光学系G1からの光を第2結像光学系G2に向かって偏向する反射面Aと、第2結像光学系G2からの光を第3結像光学系G3に向かって偏向する反射面Bとが形成された光路折り曲げ鏡FMを備えている。第1中間像及び第2中間像は、それぞれ反射面Aと第2結像光学系G2との間、及び第2結像光学系G2と反射面Bとの間に形成される。
第1結像光学系G1は、レチクルR側から順に、平行平面板L1、レンズL2,L3,L4,L5,L6,L7を配置して構成されている。第2結像光学系G2は、光の進行往路に沿ってレチクル側(即ち入射側)から順に、負のレンズL8及びL9と、凹面鏡22とを配置して構成されている。第3結像光学系G3は、光の進行方向に沿ってレチクル側
から順に、レンズL10,L11と、開口絞りASと、レンズL12,L13とを配置して構成されている。開口絞りASの配置面は投影光学系PLの瞳面又はその近傍の面であり、凹面鏡22の反射面22b(図2参照)は、投影光学系PLの瞳面とほぼ共役である。なお、投影光学系PLの構成は任意である。
筒47の端面47bにボルト40によって固定されている。さらに、保持装置50は、分割鏡筒47の内面47aの段差部との間で凹面鏡22の外周の凸部22aを挟んで固定する押さえリング48と、凹面鏡22の裏面22c側に磁性流体Lmを隔てて配置された流体保持板51と、ハウジング49の内面に流体保持板51を連結するY方向に弾性変形可能なヒンジ部材52Aと、ハウジング49に対する流体保持板51のY方向の位置を検出するリニアエンコーダ53Aと、流体保持板51の+Y方向の外面に固定された、円筒状で+Y方向の端部が閉じられた取り付け部材55とを備えている。ハウジング49に固定されたヒンジ部材52Aは、ボルト52Aaによって流体保持板51に固定されている。リニアエンコーダ53Aは、流体保持板51に固定されたスケール部53Abとハウジング49に固定された検出部53Aaとからなる。
図2のBB線に沿う断面図である図4(A)に示すように、ハウジング49の内面に等角度間隔で配置された3箇所の同一構成のヒンジ部材52A,52B,52Cによって流体保持板51が支持されている。即ち、流体保持板51は、ハウジング49の内部に3箇所で安定に保持されている。また、ヒンジ部材52A〜52Cの近傍に、それぞれハウジング49に対する流体保持板51のY方向の位置を検出するリニアエンコーダ53A,53B,53Cが配置されている。リニアエンコーダ53A〜53Cの検出結果は図2の圧力温度制御系9に供給されている。
図2のCC線に沿う断面図である図4(B)に示すように、ハウジング49内にはヒンジ部材52A,52B,52Cを介して流体保持板51をそれぞれY方向に変位させる同じ構成のアクチュエータ54A,54B,54Cが配置されている。アクチュエータ54A〜54Cは例えばピエゾ素子(電歪素子)又はボイスコイルモータ(VCM)等である。リニアエンコーダ53A〜53Cの検出結果及び結像特性制御系6からの制御情報に基づいて、図2の圧力温度制御系9がアクチュエータ54A〜54Cの駆動量を制御する。アクチュエータ54A〜54Cを駆動することで、凹面鏡22の裏面22cに対する流体保持板51のY方向の位置、及びθx方向、θz方向の傾斜角を制御できる。アクチュエータ54A〜54CのY方向の駆動ストロークは例えば数μm程度である。
制御系6から圧力温度制御系9に対して、その領域23A,23Bの位置及び大きさの情報、及びこれらの領域における平均的な波面収差量の情報を供給する。
(1)本実施形態の投影光学系PLは凹面鏡22を保持する保持装置50を備えている。保持装置50は、凹面鏡22(光学素子)を支持する分割鏡筒47(支持部材)と、凹面鏡22の裏面22c(表面の一部)の少なくとも一部の領域に接触する磁性流体Lmを保持する流体保持板51(流体保持部材)と、流体保持板51で保持された磁性流体Lmの圧力を制御して、凹面鏡22を変形させるアクチュエータ54A〜54C(圧力制御装置)と、を備えている。
(2)また、保持装置50は、凹面鏡22の裏面22cにおける磁性流体Lmの分布を制御するための複数の電磁石57(分布設定装置)を備えている。従って、電磁石57の電流を個別に制御することで、磁性流体Lmの分布を種々の分布に容易に設定できる。
なお、保持装置50は一つのアクチュエータのみを備え、このアクチュエータでハウジング49に対して流体保持板51をY方向に変位させるのみでもよい。この場合には、電磁石57の磁力が互いに等しいときには、裏面22cの磁性流体Lmの圧力は位置に関係なくほぼ等しくなる。一方、電磁石57毎に磁力を変えることによって、磁力の強い部分で磁性流体Lmの圧力を大きくすることも可能である。
従って、例えば2極照明を用いる場合のように、凹面鏡22の温度分布が非回転対称になることが予め予測できる場合には、その非回転対称な温度分布を抑制するように、磁性流体Lmの分布及びその温度を制御することで、非回転対称な収差を低減できる。また、回転対称な高次の収差も低減可能である。
なお、凹面鏡22の裏面22cを格子状の仕切り部材によって複数の領域に分割し、これらの複数の領域に磁性流体Lmを満たし、複数の領域毎にペルチエ素子(温度制御装置)によって磁性流体Lmの温度を制御してもよい。この構成でも、凹面鏡22の温度分布を補正可能である。
(6)また、磁性流体Lmは、凹面鏡22(ミラー)の反射面22bの裏面22cの少なくとも一部の領域に接触するように保持される。従って、裏面22cにおける磁性流体Lmの分布によって、それに対向する反射面22bの変位の分布又は温度分布を正確に制御可能である。
(8)また、本実施形態の露光装置EXは、照明光IL(露光光)でレチクルRのパターンを照明し、照明光ILでそのパターン及び投影光学系PLを介してウエハW(基板)を露光する露光装置において、投影光学系PLは保持装置50を備えている。
なお、露光装置EXの照明光学系ILS内の光学素子(例えば瞳面の近傍のレンズ)に保持装置50と同様の保持装置(ただし、磁性流体Lmはレンズの光束が通過する部分の周囲の領域に分布する)を備えてもよい。この場合には、照明条件を高精度に設定可能である。
また、本発明は、波長数nm〜100nm程度の極端紫外光(EUV光)を露光光として用いる投影露光装置の投影光学系の収差補正を行う場合にも適用できる。露光光としてEUV光を用いる場合には、投影光学系は特定のフィルタ等を除いて複数のミラー(凹面鏡、凸面鏡、平面鏡等)から構成されるため、本発明の光学素子の保持装置は、その複数のミラーのうちの少なくとも1枚のミラーを保持するために使用可能である。
Claims (21)
- 光学素子の保持装置であって、
前記光学素子を支持する支持部材と、
前記光学素子の表面の少なくとも一部の領域に接触する磁性流体を保持する流体保持部材と、
前記流体保持部材で保持された前記磁性流体の圧力を制御して、前記光学素子を変形させる圧力制御装置と、
を備えることを特徴とする光学素子の保持装置。 - 前記圧力制御装置は、ベース部材に対して前記流体保持部材を変位させる少なくとも一つのアクチュエータを有することを特徴とする光学素子の保持装置。
- 前記光学素子の表面に対する前記磁性流体の位置を調整して、前記光学素子の温度分布を制御する温度制御装置を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学素子の保持装置。
- 前記流体保持部材に設けられ、温度制御された冷媒が供給される配管部材を備えることを特徴とする請求項3に記載の光学素子の保持装置。
- 前記温度制御装置は、前記磁性流体を吸引するための複数の電磁石を有することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の光学素子の保持装置。
- 前記磁性流体は、前記光学素子の表面の温度分布の制御に有効な領域の外に退避可能であることを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の光学素子の保持装置。
- 前記光学素子はミラーであり、前記磁性流体は前記ミラーの反射面の裏面の少なくとも一部の領域に接触するように保持されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の光学素子の保持装置。
- 前記光学素子はレンズであり、前記磁性流体は、前記レンズの表面のうち、光束が通過しない領域の少なくとも一部に接触するように保持されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の光学素子の保持装置。
- 複数の光学素子を含む光学系において、
前記複数の光学素子の少なくとも一つの光学素子を支持するために、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の光学素子の保持装置を備え、
前記光学系の非回転対称な収差に応じて前記圧力制御装置によって前記光学系の変形量を制御することを特徴とする光学系。 - 露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
請求項9に記載の光学系を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記光学系は前記投影光学系であることを特徴とする請求項10に記載の露光装置。
- 光学素子の保持装置であって、
前記光学素子を支持する支持部材と、
前記光学素子の表面の少なくとも一部の領域に接触する磁性流体を保持する流体保持部
材と、
前記光学素子の表面に対する前記磁性流体の位置を調整して、前記光学素子の温度分布を制御する温度制御装置と、
を備えることを特徴とする光学素子の保持装置。 - 前記流体保持部材に設けられ、温度制御された冷媒が供給される配管部材を備えることを特徴とする請求項12に記載の光学素子の保持装置。
- 前記温度制御装置は、前記磁性流体を吸引するための複数の電磁石を有することを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の光学素子の保持装置。
- 前記磁性流体は、前記光学素子の表面の温度分布の制御に有効な領域の外に退避可能であることを特徴とする請求項14に記載の光学素子の保持装置。
- 前記光学素子はミラーであり、前記磁性流体は前記ミラーの反射面の裏面の少なくとも一部の領域に接触するように保持されることを特徴とする請求項12から請求項15のいずれか一項に記載の光学素子の保持装置。
- 前記光学素子はレンズであり、前記磁性流体は、前記レンズの表面のうち、光束が通過しない領域の少なくとも一部に接触するように保持されることを特徴とする請求項12から請求項15のいずれか一項に記載の光学素子の保持装置。
- 複数の光学素子を含む光学系において、
前記複数の光学素子の少なくとも一つの光学素子を支持するために、請求項12から請求項17のいずれか一項に記載の光学素子の保持装置を備えることを特徴とする光学系。 - 露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
請求項18に記載の光学系を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記光学系は前記投影光学系であることを特徴とする請求項19に記載の露光装置。
- 請求項10、請求項11、請求項19、又は請求項20に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017513064A (ja) * | 2014-04-07 | 2017-05-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 素子を作動させるための方法および装置 |
JP2020503550A (ja) * | 2016-12-21 | 2020-01-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の光学系の結像特性を変更する方法及び装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02146437A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-05 | Daikin Ind Ltd | 氷蓄熱装置 |
JP2004039862A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Nikon Corp | 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2005086209A1 (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Nikon Corporation | 光学素子、投影光学系及び露光装置 |
JP2006235549A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 鏡胴、鏡胴ユニット、および撮像装置 |
JP2007102919A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Konica Minolta Opto Inc | 光ピックアップ装置 |
JP2007523485A (ja) * | 2004-02-20 | 2007-08-16 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投射露光装置の投射対物レンズ |
WO2010098299A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 株式会社ニコン | 光学素子の保持装置、光学系、及び露光装置 |
-
2009
- 2009-11-11 JP JP2009258449A patent/JP5434498B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02146437A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-05 | Daikin Ind Ltd | 氷蓄熱装置 |
JP2004039862A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Nikon Corp | 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007523485A (ja) * | 2004-02-20 | 2007-08-16 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投射露光装置の投射対物レンズ |
WO2005086209A1 (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Nikon Corporation | 光学素子、投影光学系及び露光装置 |
JP2006235549A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 鏡胴、鏡胴ユニット、および撮像装置 |
JP2007102919A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Konica Minolta Opto Inc | 光ピックアップ装置 |
WO2010098299A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 株式会社ニコン | 光学素子の保持装置、光学系、及び露光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017513064A (ja) * | 2014-04-07 | 2017-05-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 素子を作動させるための方法および装置 |
JP2020503550A (ja) * | 2016-12-21 | 2020-01-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の光学系の結像特性を変更する方法及び装置 |
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