JP2010527139A - レチクル及び他の平面体用のキネマティックチャック - Google Patents

Abstract

例えばマイクログラフィにおける、レチクルなどの平面体を保持及び移動させる装置が開示される。装置の一例は、ステージ及び基体チャックを有する。ステージは、移動可能な支持面を有する。第１メンブレンの基部近傍領域は支持面に搭載される。第１メンブレンの先端領域は支持面から延び、前記第１メンブレンが少なくとも部分的に前記チャックを支持するように、前記チャックにつながる。チャックは、そこから複数のピンが延びる面を含む。その面は、先端領域に置かれる。ピンは、基体の各領域に接触しかつ基体を支持するように配列される。ピンの配置は、支持面によるチャックの移動の間、その移動で生じる力に基づくピンに対する基体の滑りが各ピンで実質的に均一となるように構成される。

Description

本開示は、特に、半導体マイクロデバイス、ディスプレイ、及び、マイクログラフィック・インプリンティングを含むプロセスによって製造可能な微細構造を有する他の製品、の製造に使用される主要結像技術であるマイクロリソグラフィに関する。より具体的には、本開示は、レチクル又は他の平面体を保持するための装置に関する。

本願は、２００６年５月１９日に出願された米国仮出願第６０／８０１，８６６号に基づいて２００７年５月１６日に出願された米国特許出願第１１／７４９，７０６号に優先権を主張しその内容をここに援用する。

一般に、投影マイクロリソグラフィシステムにおいて、露光感光性の基板の表面に投影されるパターンは、マスクと呼ばれることがある、レチクルによって規定される。マイクロリソグラフィシステムにおいて、リソグラフィック露光に要求される精密及び高精度の移動が可能なステージ上にマスクが搭載される。レチクルは、レチクルステージ上に搭載されている間、放射線ビーム（例えば、遠紫外線又は真空紫外光のビーム）で照明される。レチクルからのビームが下流に伝播するのに伴い、照明されたパターンの空間像をビームが運ぶ。この下流ビーム（downstream beam）は、パターンビーム又は像ビームと呼ばれ、パターンビームを調整及び形作る投影光学システムを通過し、これにより、露光感光性のリソグラフィック基板（例えば、レジストが塗布された半導体ウエハ）の表面に、集光されたパターン像が形成される。露光のために、例えば、基板ステージ又はウエハステージと呼ばれる移動可能なステージに基板も搭載される。

リソグラフィック露光中のレチクル（通常は水平状態）の保持のために、レチクルステージには、レチクルステージの移動面に搭載されるレチクルチャックが設けられる。レチクルチャックは、精巧なレチクルへのダメージを避けながら結像するのに適切な方法でレチクルを保持する。例えば、あるレチクルチャックにおいて、レチクルに吸着力を作用させることによりレチクルを保持する。他のレチクルチャックにおいて、静電気又はローレンツ力による吸引力によってレチクルを保持する。レチクルを通して放射線ビームを伝達するマイクログラフィシステムにおいて、レチクルチャックは、通常、周縁の周りで（又は少なくとも対向する側部に沿って）レチクルを保持する（チャックする）ように構成され、これにより、レチクルのパターン領域は支持されないままとなっている。レチクルの質量を要因として、レチクルの支持されていない中央の領域は、重力によって垂れ下がる傾向にある。この撓みは、レチクルを変形させ、何らかの補正又は補償をしないと、マイクログラフィシステムにおけるイメージング性能（結像性能）を低下させる可能性がある。

マイクログラフィシステムにおける性能を示す重要な２つの指標は、オーバーレイと結像品質である。像品質は、像解像度、精確度、鮮明度、コントラストなどの様々なパラメータを含む。「オーバーレイ」は、像目標位置に対する現在の像についての精確性及び精密性に関する。例えば、適切なオーバーレイは、予め形成された、基板上の基底構造に対して、像が位置合わせされる（レジストレーションされる）ことを要求する。

チャックされたレチクルの変形した形状は、オーバーレイ及び結像品質に対して直接的な影響を及ぼす。レチクルの撓みが不可避である場合、理想的な変形形状は、走査軸（ｙ軸）周りに多くても２次（放物線）である。下流の光学系（例えば、投影光学系）に対する適切な調整を行うことで、この種のレチクル変形を補償することができるものの、各レチクルの変形は、通常、別のレチクルとは異なり、異なるレチクルがチャックされる毎に下流光学系を調整するのは実際的ではない。

チャックされたレチクルにおいて、レチクルとチャックが接触した領域では部分的な摩擦力が生じており、こうした摩擦力は、レチクルステージの移動中にレチクルの位置を保つ上で鍵となる。しかし、こうした摩擦力は、レチクルステージの加速及び減速の間、レチクルとチャックとの間の部分的なせん断応力を克服するのに十分でない可能性がある。こうしたせん断応力は、チャックに対してレチクルが滑る原因となる可能性がある。さらに、加速又は減速の後に、レチクルの滑りが生じた結果、レチクル及びチャックが、それぞれ元の形状や元の相対位置関係に戻らない可能性がある。こうした事象において、残留応力がレチクル及びチャックで生じ、その結果、リソグラフィック露光におけるレチクルステージの走査動作の間に意図しないレチクル歪みが生じる可能性がある。レチクル滑りによる別の結果として、レチクルの位置決めに使用される干渉計とレチクルとの間の再現不能な相対位置の変化がある。この変化は、オーバーレイ精度に直接的に影響する。

これらの問題については、従来、レチクルステージ全体にわたる熱的及び機械的歪みを制御及び最小化する試みによって取り組みがなされてきた。しかしながら、次世代のマイクログラフィシステムにおいて、さらに高いステージ加速が要求され、また、オーバーレイの仕様が厳しくなり続けており、このアプローチの限界が明らかになってきている。

Gilissen等の米国特許第６，９５６，２２２号には、この課題を解決するためのひとつの取り組みが開示されており、すなわち、テーブル上で延在する「ピンプルプレート（pimple plate）」にレチクルが置かれ、ピンプルプレートとテーブルとの間にはすき間が設けられる。ピンプルプレートは、硬質材料（ガラス又はセラミック）からなり、レチクルに接する多数の突起を有する。レチクルは、静電吸着によって、ピンプルプレート上に保持される。ピンプルプレートは、静電吸着によって、メンブレン上に保持される。ピンプルプレートの下側は、テーブルに設けられた支持ピンによって支持されている。ピンプルは、３方向（ｘ、ｙ、ｚ）のすべてにおいて高剛性を有する。残念ながら、レチクルを保持したレチクルステージの加速及び減速中に、レチクルについてピンプルプレートに対して許容できない量の滑りが生じ、また、ピンプルプレートについてメンブレンに対して許容できない量の滑りが生じる。

Donders等の米国特許第６，４８０，２６０号には、この課題を解決するための別のアプローチが開示されており、その内容をここに援用する。この２６０特許によれば、（ｙ方向（走査方向）に対する）レチクルの２つの対向する側（側面）領域が、互いに平行に配置される「従属部材」に補助されて、レチクルステージに保持される。好ましい実施形態において、各従属部材は、レチクルの側領域に沿った、またレチクルステージの側領域に沿った、縦に延びる細長い形状を有する。従属部材の１つの側領域は、レチクルステージの側領域に配置され、従属部材の他の側領域は、片持ち式でレチクルステージの端部から張り出している。各従属部材の片持ちの側領域の全長に沿って延び、また上方に突出された短い壁が「真空スペース」を取り囲みかつ規定する。壁及び真空スペースは集合的にレチクル「チャック」を規定する。それに対応するレチクルの下側は、集合的に「チャック面」となる壁の頂部（ランド）上に実質的に置かれる。真空スペースを吸引することにより、レチクルがチャック面に保持される。従属部材は、ｚ方向に従属性を示し、レチクルの形状に従って若干撓むものの、壁と同様に、それらはｘ−ｙ方向に高剛性を有する。少なくとも３つのピンがチャックの下側とレチクルステージの上面との間で延在する（すなわち、１つのチャックの真下に２つのピンがあり、他のチャックの真下に１つのピンがある）。１以上のピンが真空スペースに配置可能であり、レチクルにおけるチャック領域に対して追加的な支持がなされ、これらの構成は、「ピンチャック」と呼ばれる。この方法においても、チャックされたレチクルを支持しているレチクルステージの加速及び減速中において、チャック面に対して許容できない量のレチクルの滑りが生じる。

従来のレチクルチャックのこうした事情に鑑みると、レチクルのキネマティック支持を維持しつつ、チャック面に対するレチクルの滑りがより低減された（又は完全に解消された）状態で、レチクルステージ上にレチクルがチャックされれば有利である。こうした目標の達成は、リソグラフィック露光中におけるオーバーレイのエラーなどの実質的な原因を取り除くと考えられる。

第１態様に従えば、レチクルなどの平面体（基体）を保持及び移動させる装置が提供される。装置の一実施形態は、ステージ及び基体チャックを含む。ステージは、移動可能な支持面を有する。装置は、基部近傍領域と先端領域とを含む第１メンブレンを含む。基部近傍領域は支持面につながる。先端領域は支持面から延び、第１メンブレンが少なくとも部分的に基体チャックを支持するように、基体チャックにつながる。基体チャックは、面と多数のピンを含む。面は、第１メンブレンの先端領域に置かれる。ピンは、面に対して延在しかつ、面上に並べられ、それぞれが基体に部分的に接して面に対して基体を支持する。支持面の移動に伴う基体チャックの移動中、その移動によって生じる、ピンに対する基体の滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、ピンが並べられる。

上記概要の装置における、ある実施形態において、ステージは、互いに離間した（しかし望ましくは同期的に移動する）第１及び第２支持面を有する。基体チャックは、第１チャック部と第２チャック部を有し、第１メンブレンは、第１支持面に配置されかつ第１支持面から延びる第１メンブレン部と、第２支持面に配置されかつ第２支持面から延びる第２メンブレン部とを含む。第１チャック部は、第１メンブレン部の先端領域に配置され、第２チャック部は、第２メンブレン部の先端領域に配置される。

基体チャックは、例えばレチクルのための、少なくとも１つの真空チャックを含むことができる。この構成及び他の構成において、基体チャックは、面から延びる壁を含むことができる。壁は、望ましくは、面及び基体チャックに接する基体の部分と協働して、真空空間を規定する。

ピンは、必要に応じて、真空空間に配置され壁と関連するサイドピンを含むことができる。独立ピンは、真空空間に置かれかつ面から延びる。

壁は、それぞれランドを有し、ピンはそれぞれ頂面を有する。装置によって基体が保持されているとき、頂面（及び必要に応じて少なくともランドの１つ）が集合的に、基体に接触しかつ基体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、ピンの頂面（及び必要に応じてランドの少なくとも１つ）が基体の下面に接触する。壁は、面と一体にできる。壁の少なくとも１つが面と異なる材料によって作られかつ面に搭載される。

ピンは、支持面の移動による基体チャックの走査方向における少なくとも１つの縦列に延びて配列可能である。ピンは、少なくとも１つの列で実質的に同じピッチで配列可能である。ピンは、複数の縦列に配置可能である。後の構成において、各列はそれぞれピンピッチを有し、各ピンピッチが実質的に同じにできる。代替的に、各列はそれぞれピンピッチを有し、ピンピッチは、少なくとも２つの列で異なる、列は、互いに実質的に等しい間隔又は互いに異なる間隔にできる。ピンは、同じ形状又は異なる形状にできる。例えば、ピンは、円柱状、球状、矩形、楕円、長円、正方形、他の多角形、円錐台、階段状、及びそれらの組み合わせのような、形状をそれぞれ有することができ、ただしこれらに限定されない。ピンは、実質的に同じ剛性又は多様な剛性を有するようにできる。

装置は、そこからピンが延びる面を含む第２メンブレンを有することができる。第２メンブレンは、実質的に均質の厚みを有する、又は多様な厚みを有することができる。第２メンブレンは、石英ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、コーディエライト（ケイ酸アルミニウム・マグネシウム）、酸化アルミニウム、インバー、ゼロデュア（登録商標）、又はステンレス鋼から作成できる。ピンは、第２メンブレンと同じ材料で作られかつ第２メンブレンと一体にできる。

第２メンブレンを有する実施形態において、壁の少なくとも１つは、第２メンブレンと同じ材料で作ることができる。代替的に、壁の１つを、第２メンブレンと異なる材料で作り、第２メンブレンに取り付けることができる。例えば、少なくとも１つの壁が、ＰＴＦＥ（登録商標）、又はロー・デュロメーター・ケミカリー・クリーン・ラバーで作成でき、ただしこれらに限定されない。

他の態様に従えば、レチクルを保持及び移動させる装置が提供される。こうした装置の一実施形態は、移動可能な第１及び第２支持面を有するステージを備える。また、装置は、支持面に搭載されるレチクルチャックを含む。レチクルチャックは、第１及び第２チャック部を有する。各チャック部はそれぞれ、第１領域と第２領域を有する第１メンブレンを含む。第１及び第２支持面から第２領域が互いに向かって延びるように、第１領域が第１及び第２支持面にそれぞれ搭載される。第１及び第２チャック部が第２領域にそれぞれ搭載される。各チャック部はそれぞれ、面（第１メンブレンに搭載された第２メンブレン、又は第１メンブレンの一部）と、壁と、面から延びた独立ピンとを有する。面及び壁は、レチクルの各領域がチャック部に置かれると、集合的に真空空間を規定する。壁は、接触又は非接触ランドとなり得るランドを提供でき、接触ランドはレチクルの下面と接触し、非接触ランドは接触しない。少なくとも複数のピン（及び必要に応じて少なくとも１つのランド）が、レチクルの各領域に接触しかつレチクルを支持する。ピンは、ステージによるレチクルチャックの移動の間、移動によって生じるせん断力によるピン（及び接触ランド）に対するレチクルの滑りが各ピンで実質的に均一となるように、構成かつ配置される、

代替的な実施形態において、概要したように、ピン、ピン列、壁、ランド、真空空間などの構成は様々である。ある実施形態において、各チャック部でのピンの頂部（及び接触ランド）が集合的に、平面状に置かれかつレチクルの各部分を保持するように構成された各チャック面を規定する。

さらに別の態様に従えば、処理システムが提供される。システムの様々な実施形態は、処理装置、及び処理装置に対して平面体を保持及び移動させる上で概要した装置の１つのような装置を含む。処理装置は、例えば、光学システムにできる。

さらに別の態様に従えば、マイクログラフィシステムが提供される。こうしたシステムの様々な実施形態は、レチクル上に規定されたパターンをリソグラフィック基板上に形作るように構成される結像光学系を備える。また、実施形態は、結像光学系に対して置かれ移動可能な支持面を有するレチクルステージを備える。レチクルチャックは、支持面に搭載され、上記概要した構成のいずれかのような少なくとも１つのチャック部を有する。

本発明について前述の及び追加の特徴部分及び利点は、添付の図を参照した、以下の詳しい説明から容易に明らかになるだろう

図１Ａは、平面体を保持及び移動するための装置の一例としての、キネマティックレチクルチャックの第１の代表的実施形態の平面図である。 図１Ｂは、図１ＡにおけるＢ−Ｂ線に沿った断面立面図である。 図１Ｃは、図１Ｂに示した部分の近傍の領域の斜視図である。 図２は、様々な剛性を示す模式図であり、Ｋ_ｓｐはサイドピンの剛性、Ｋ_ｗｌは長ウェブの剛性、Ｋ_ｗｓは短ウェブの剛性、Ｋ_ｃｐは中心部ピンの剛性、そしてＫ_ｍはメンブレンの剛性である。 図３は、第１の代表的実施家形態における一例（第１実施例）に応じたキネマティックレチクルチャックにおける中央部ピンとサイドピンの間の、加速度が２０×ｇにおける、ｙ力分布を示しており、力の数値は１ピンあたりである。 図４は、ピンの様々な形状例を示す。 図５は、チャックされたレチクルの二次元歪みを示し、走査軸（ｙ軸）周りの放物線形状が現れている。 図６は、２０×ｇ加速度下で行われた、第１実施例における、ピン及びランドの変位を斜視的に示す。 図７Ａは、平面体を保持及び移動するための装置の他の一例としての、キネマティックレチクルチャックの第２の代表的実施形態の平面図である。 図７Ｂは、図７ＡにおけるＢ−Ｂ線に沿った断面立面図である。 図７Ｃは、図７Ｂに示した部分の近傍の領域の斜視図である。 図８は、第３の代表的実施形態に係る真空チャックの断面立面図である。 図９は、第２実施例の分析モデルの模式図である。 図１０Ａは、ピンせん断を模式的に示す。 図１０Ｂは、力負荷下におけるピンの湾曲を模式的に示す。 図１０Ｃは、モーメント負荷下におけるピンの湾曲を模式的に示す。 図１０Ｄは、ピンの旋回を模式的に示す。 図１１は、第２実施例における、ｙ力及びピン及びウェブの変位のプロットを含む。 図１２Ａは、第４の代表的実施形態に係るキネマティックレチクルチャックの一部を示す模式的な断面立面図であり、ピンの長さが同じでない。 図１２Ｂは、図１２Ａに示すキネマティックレチクルチャックの代替的な構成の一部を示す模式的な断面立面図である。 図１３は、第５の代表的実施形態に係るキネマティックレチクルチャックの一部を示す模式的な断面立面図である。 図１４は、ここで開示されたキネマティックレチクルチャックを有する露光システムの一態様を示す模式的な断面立面図である。 図１５は、リソグラフィステップを含むウエハ処理ステップを有する、半導体デバイスの製造プロセスの一例のブロック図である。 図１６は、図１５におけるウエハ処理工程のブロック図である。 図１７は、変形実施形態に係る真空チャックの断面立面図である。 図１８Ａは、径が変化したピンを示す。 図１８Ｂは、変形実施形態に係るピンを示す。

以下の説明は、代表的な実施形態を説明するものであって、発明を限定する意図はない。

以下の説明において、「上（up）」、「下（down）」、「上の（upper）」、「下の（lower）」、「水平の（horizontal）」、「鉛直の（vertical）、「左の（left）」、「右の（right）」などの用語が使用される。これらの用語は、相対関係を扱う際に、その説明をある程度明確にするものである。しかし、これらの用語について、関係、位置、及び／又は方向性について絶対的なものを示す意図はない。例えば、ある対象物に関し、その対象物を単にひっくり返すことで「上」面は「下」面となり得る。しかしながらその対象物（object）は同じである。

本開示において、「レチクル」は、マイクロリソグラフィ及び関連技術において使用される、パターンを規定する物体（パターンマスター）を示すのに用いられる。マイクロリソグラフィによく用いられる、パターンマスターを示す他の用語として「マスク」があり、「レチクル」は、マスク及びマイクロリソグラフィに用いられる他のパターンマスターを含むものとして理解されるだろう。

出願人の詳細な検討及び従来のレチクルチャックの評価から、下記が開示又は確認されている。

（１）レチクルとチャックとの間における接触応力（符号Ｓｓ）と摩擦係数（符号ｕ）の積を、レチクルとチャック表面との間のせん断応力（符号Ｓｃ）が超えるとレチクル滑りが生じる：

（２）せん断応力に対する接触応力と摩擦係数の積の比が最大のとき、レチクル滑りが最小である：

（３）レチクルステージとレチクルの間の相対変位（符号ｄｙ）と、レチクルとステージの間の剛性（符号Ｋ）の積に、せん断応力が比例する：

ピンチャックの場合、チャック吸引圧力（符号Ｐ）とピン周りの不支持面積の積にピン頂部での接触応力が比例する：

上記の結果として、レチクルに対するチャックの各接触のために、Ｒを最大化するのが望ましい。各接触に対してＲを最大化することにより、各接触についてＲを実質的に等しくすることが可能である。すなわち、レチクルチャックとレチクルの各接触における滑りの発現が同時に生じるとき、システムを最適化又は均衡化することが可能である。

＜第１の代表的実施形態＞
図１Ａ−１Ｃは、キネマティック・レチクルチャック１０の第１の代表的実施形態を示す。図１Ａは、ｘ−ｙ平面に関する平面図であり、ｙ方向が走査方向である。レチクルステージ１２の左部１４ａ及び右部１４ｂが示され、各支持面１７ａ，１７ｂがそれぞれ表わされている。部分１４ａ，１４ｂは、ｙ方向において互いに平行に延び、ｘ方向において互いに対向する。支持面１７ａ，１７ｂには、フレキシブル部材（ここでは第１メンブレン（第１膜状部材）と称する）１６ａ，１６ｂがそれぞれ取り付けられている。各第１メンブレン１６ａ，１６ｂは、レチクルステージ１２の支持面１７ａ，１７ｂにそれぞれ取り付けられた第１の側領域１８ａ，１８ｂと、各部分１４ａ，１４ｂから片持ち式に張り出した第２の側領域２０ａ，２０ｂとを有する。つまり、第１の側領域１８ａ，１８ｂは、第１メンブレン１６ａ，１６ｂにおける（支持面１７ａ，１７ｂに対してそれぞれ）「近接した」領域であり、第２の側領域２０ａ，２０ｂは、第１メンブレン１６ａ，１６ｂにおける（支持面１７ａ，１７ｂに対してそれぞれ）「先端の」領域である。各第２の側領域２０ａ，２０ｂの上方に向いた表面には、真空チャック２２ａ，２２ｂが搭載されている。真空チャック２２ａ，２２ｂは、ｙ方向に延びるセンターラインＣＬをそれぞれ有する。真空チャック２２ａ，２２ｂは、レチクル２５を支持する。

図１Ｂに示すように、真空チャック２２ａ，２２ｂはそれぞれ、センターラインＣＬに沿って、第１メンブレン１６ａ，１６ｂにおける第２の側領域２０ａ，２２ｂに取り付けられる。各真空チャック２２ａ，２２ｂとそれぞれの第２の側領域２０ａ，２０ｂとの間には、真空チャックを第２の側領域のそれぞれの表面から（ｚ方向に）わずかに持ち上げるスペーサ２４ａ，２４ｂがある。スペーサ２４ａ，２４ｂは、真空チャック２２ａ，２２ｂを、各センターラインに沿って、第２の側領域２０ａ，２０ｂに搭載するのを容易にする。

独立したスペーサ２４ａ，２４ｂの代替として、スペーサを真空チャック２２ａ，２２ｂと一体的なものにできる。例えば、各真空チャック２２ａ，２２ｂの下面を、図示された実施形態における各スペーサによって占められた領域で（ｚ方向に）厚くできる。

第２の側領域２０ａ及び真空チャック２２ａのさらなる詳細を図１Ｃに示す。この図では、下層部分を示すためにレチクルを図示していない。図示された実施形態において、第２の側領域２０ａは、互いに平行にｘ方向に延びた複数の枝部２６を含む。（後に説明するような他の実施形態では、枝部２６は省略している。） スペーサ２４ａは、枝部２６の端に搭載され、真空チャック２２ａは、スペーサ２４ａの上面に搭載されている。真空チャック２２ａは、基部（第２メンブレン又はウェブとも称する）２８を含み、そこから壁３０，３２がｚ方向に突出している。

壁３０，３２は、「ランド」と呼ばれる上面３４，３６をそれぞれ有する。（図においては、第２メンブレン２８の表面の上方において、すべてのランドが同じ高さとなっているが、これに限定されない。後述する他の実施形態において、ランドは、第２メンブレン上で個別の高さを有する） 本実施形態において、少なくとも１つの横壁３０が「サイドピン」３８を個別に規定し、任意に、少なくとも１つの縦壁３２が個別にサイドピン４０を規定する。（後述するような他の実施形態では、任意につき、サイドピン３８，４０は省略している。） 図示の実施形態におけるサイドピン３８は、壁３０，３２と同じ高さで、第２メンブレン２８の上面から上方に突出している。本実施形態は、壁の交差部分に配置された任意のコーナーピン４２と、第２メンブレン２８から上方に延びて独立的に立つ複数のピン４４からなる複数（図では２つ）の縦列とを含む。

本実施形態において、ランド３４，３６及びピン３８，４０，４４のすべては、第２メンブレン２８の上方において実質的に同じ高さを有しており、ｘ−ｙ方向に延在しかつレチクルが置かれる「チャック面」を規定する（図１B）。レチクル２５、第２メンブレン２８、及び壁３０，３２は集合的に真空空間３３を規定し、それは第２メンブレン２８を通って延びるポート４６を介して真空引きされる。真空空間３３内を減圧することにより、ランド３４，３６及びピン３８，４０，４４に対してレチクルがおしつけられる。

サイドピン３８，４０上の接触圧力（Sｃ）は、独立ピン４４（ピンが等間隔である場合）上の接触圧力の実質的に半分であるのが好ましい。

ここで、Sｃｓｐは、サイドピン３８，４０におけるせん断応力、Ｓｃｐは、独立ピン４４におけるせん断応力である。バランス及び最適化のために、独立ピン４４、サイドピン３８，４０（存在する場合）、及びその間のウェブ構造の各剛性について、サイドピンを通ってレチクルステージ１４ａ，１４ｂからレチクル２５に至る経路の剛性が独立ピンを通る経路の剛性の実質的に半分であるのが好ましい。

ここで、Ｋは全体剛性を示し、Ｋ_ｓｐはサイドピンの剛性を示し、Ｋ_ｗｌは第２メンブレン（ウェブ）の長手の剛性を示し、Ｋ_ｗｓは第２メンブレン（ウェブ）の短手の剛性を示し、Ｋ_ｃｐは独立ピの剛性を示し、そして、Ｋ_ｍは第１メンブレンの剛性を示す。図２には、これらの変数の図が示される。この式では、各ピンで摩擦係数が同じであるとしている。

こうした例として、一般的なレチクルの質量は０．３ｋｇであり、これは２０×ｇの加速度で６６Ｎのせん断力を生む。２つのチャックは、それぞれが前述に準じた独立ピン（１列につき８０のピン）からなる２つの縦列を有し、図３に示すようなｙ方向の力の分布を生む。すなわち、ランド及びサイドピンにおける、ｙ方向の力が１ピンあたり６９ｍＮであり、独立ピンにおいて、ｙ方向の力が１ピンあたり１３８ｍＮである。図３において、破線は、スペーサ２４の位置を示す。

独立ピン４４は、重要な役割をし、特に、第１メンブレンにバランスの取れた応力を与える。この点において、独立ピン４４の複数の列（ｙ方向における）は価値がある。再度、図３に示す力の分布例を見てほしい。ここで、独立ピン４４の基部周りにおける第２メンブレン（ウェブ）の曲げ剛性（bending flexibility）がこれらのピンの傾斜剛性（tilting stiffness）に影響する。

本実施形態は、従来のレチクルチャックで生じる重要な課題、すなわち、真空チャックがレチクルに接触する箇所で生じる、不均一なせん断力による滑りの課題を解決する。本実施形態において、真空チャック２２ａ，２２ｂ上でレチクルが滑るような大きさを有する加速又は減速をレチクル２５が受けたとしても、真空チャックにレチクルが接触している各箇所における滑りポイント（せん断応力の大きさ）は実質的に同じである。

第１メンブレン１６ａ，１６ｂ及び第２メンブレン２８，２８ｂを製造するための材料の例として、石英ガラス（fused silica、石英（amorphous quarts））、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、コーディエライト（cordierite）（ケイ酸アルミニウム・マグネシウム（magnesium aluminum silicate））、酸化アルミニウム、インバー、及びゼロデュア（ドイツ、ショット社製のガラスセラミックの登録商標）が挙げられる。厳しい要求を軽減するために、ステンレス鋼などいくつかの金属を代替的に使用可能である。特に望ましい材料は、極低熱膨張率を有しており、上述のリストはレチクルを製造するための候補となる材料リストと似ている。レチクルチャックは、これらの材料のいずれかで作成可能であり、第１メンブレンと同じ材料又は異なる材料で作成可能である。

壁３０，３２及びランド３４，３６は、第２メンブレン２８と同じ材料で作成しなくてもよい。例えば、後述するように、ランドは、ＰＴＦＥ（デュポン社のテフロン（登録商標））、又はロー・デュロメーター・ケミカリー・クリーン・ラバー（low-durometer, chemically clean rubber）（例えば、オプティック アルモア（OPTIC ARMOR）（登録商標））を第２メンブレン２８に接着して取り付けることによって作成できる。

本実施形態において、壁３０，３２はランド３４，３６をそれぞれ有し、それらはすべて（ピンの頂部として）同じｘ−ｙ面内にある。このことは、本実施形態において、第２メンブレン２８の上面に対して、壁３０，３２のすべてが等しい高さである構成によって達成される。しかしながら、本実施形態のように、すべてのランドが同じ平面にあることに限定されない。代替的な実施形態において、後述するように、壁の少なくとも１つ（例えば、外側の壁）が他の壁（例えば、内側の壁）よりも短くでき、これにより、短い壁のランドがピン頂部のｘ−ｙ面よりも低く置かれ、ランドとレチクルの下側との間のギャップがそのまま残る。短い壁は一般にサイドピンを有さないだろう。

本実施形態において、壁３０，３２は、互いに連続しているがこれに限定されない。代替的に、壁は不連続にできる（例えば、角部で互いに分かれる、及び／又は、ｘ又はｙ方向の隙間を有する）。少なくとも１つの短い壁、又はその長さに沿った少なくとも１つの隙間を有する壁、を有する真空チャックは、真空空間３３にとって漏れやすいシールを形成する。

各真空チャック２２ａ，２２ｂにおいて、空間３３内を吸引することにより、レチクル２５のｘ−ｙ平面に垂直な、レチクルをランド３４，３６及びピン３８，４０，４４の頂部におしつける機能を有する力が生じる。様々な機能のうち、独立ピン４０も、第２メンブレン２８に対してレチクル２５の部分的な損傷を防ぐ。

上述した本実施形態において、各真空チャック２２ａ，２２ｂは、それぞれ１つのユニットである。代替的な実施形態において、各真空チャック２２ａ，２２ｂは、レチクル２５の１つの辺に１を超える真空チャックを設けた、ユニットペアのような、複数のユニットを含むことができる。

上述の本実施形態において、第１メンブレン１６ａ，１６ｂの第２の側領域２０ａ，２０ｂは、複数の枝部２６を有する。代替的なある実施形態において、より少ない枝部２６が存在し、他の代替的な実施形態において、第２の側領域２０ａ，２０ｂに枝部がない。枝部を有する実施形態において、各枝部の間の隙間は、図１Ａに示したものと異なることができ、また、均一でなくてもよい。

第１メンブレン１６ａ，１６ｂの第１の側領域１８ａ，１８ｂは、適切な様々な手段によって、レチクルステージの各支持面１７ａ，１７ｂに取り付け可能である。例示的手段は、ねじやボルト、クリップ、接着剤、又は他の適切な手段を含む。

上述した実施形態において、各真空チャック２２ａ，２２ｂは、独立して立つピン４４からなる複数の列を含む（２つの列が図示されている）。代替的なある実施形態において、各真空チャックは、１列のみの独立ピン４４を有し、これは、ランド３４，３６が独立ピンと同じ高さを有する場合、及び／又は真空チャックがサイドピン３８，４０を有する場合に適する可能性がある。他の代替的な実施形態（いくつかは後述する）において、各真空チャックは、独立ピンが２列を超える。また、１列あたりの独立ピン４４の数は、図１Ｃにおいて示されたような所定の数（例えば８０）に限定さない。単一又はいくつかの列は、ピンの（ｙ方向の）ピッチが他の列と異なることができ、また、いずれの列においてもｙ方向ピッチが均一でなくてもよい。また、隣接した列の間の隙間（ｘ方向ピッチ）は、列から列まで等しくなくてもよい。さらに、独立ピン４４は、スペーサ２４ａ，２４ｂを超えて配置しなくてもよく、又はスペーサを超えただけの配置をしなくてもよい。また、本実施形態において、独立ピン４４は、左右対称の列に配置されているが、これに限定されない。他の実施形態において、例えば、最も近い独立ピン４４の列までの壁３８からのｘ方向の距離は、最も近い独立ピン４４の列までの壁３６からのｘ方向の距離に比べて短くできる。

なお、本実施形態において、独立ピン４４は、筒形状を有するものとして示されるが、これに限定されない。代替的に、ピン形状は、矩形、楕円、長円、正方形、他の多角形（例えば、六角形）、円錐台（frustoconical）、階段状等であり、これらに限定されない。円柱状４４ａ、正方形４４ｂ、矩形４４ｃ、楕円４４ｄ、六角形４４ｅ、錐状（frustoconical）４４ｆ、及び階段状４４ｇ等を含む、それらの例示的な形状を図４に示す。

本実施形態に基づくレチクルチャックに置かれたレチクルは、重力による撓みが生じ得るとされ、これは、この方法で支持される物体にとって概ね避けられない。図５は、理想的なレチクルの変形形状を示す。この理想的な変形は、走査軸（ｙ軸）に関して最大で２次のものである。すでに述べたように、マイクロリソグラフィシステムの性能に関して２つの重要な手段は、オーバーレイ及び結像である。保持されたレチクルの変形は、オーバーレイ及び結像に直接的な影響を及ぼす。しかし、その変形が走査軸に関して最大で２次（放物線状）であるとき、下流の光学系について、変形の影響を補償するための調整が容易に可能である。本実施形態はこの目標を達成する。また、異なるレチクルは異なる平坦性（フラットネス）を有するものの、本実施形態において、レチクルチャックはレチクルをキネマティックに支持しており、そのため、レチクルのフラットネスの違いが、保持に伴うレチクルの変形に影響しない。また、レチクルステージがｙ方向に繰り返し加減速される状況にあっても、本実施形態はレチクルを確実に保持する。したがって、オーバーレイにおけるエラーが最小化される。

代替的な実施形態において、スペーサ２４ａ，２４ｂ及び第２メンブレン２８が削除され、第１メンブレン１６ａ，１６ｂにおける第２側領域２０ａ，２０ｂの各上面によって提供される面から壁及びピンが延びる。

＜実施例１＞
図６は、２０×ｇの加速度下における実施形態でのピン及びランドの相対的な変位を、斜視図として示す。ランド、サイドピン、及び独立ピンは、図３に示すｙ力分布のために実質的に等しい変位を有する。

＜第２の代表的実施形態＞
第１の代表的実施形態は、ランド３４，３６ですべて同じ高さの独立ピン４４及びサイドピン３８，４０を含んでいた。また、第１実施形態は、枝部２６を有していた。第２の代表的実施形態は、枝部及びサイドピンを含まない。また、外側のランドは、独立ピン及び内側ランドに比べて短い。したがって、外側のランドは、独立ピン及び内側ランドの頂部としての同じｘ−ｙ平面にない。

図７Ａ−７Ｃは、この実施形態に係るレチクルチャック２１０を示す。図7Aは、ｘ−ｙ平面に関する平面図であり、ｙ方向が走査方向である。レチクルステージ２１２の左部２１４ａ及び右部２１４ｂが示され、各支持面２１７ａ，２１７ｂがそれぞれ表わされている。部分２１４ａ，２１４ｂは、ｙ方向において互いに平行に延び、ｘ方向において互いに対向する。支持面２１７ａ，２１７ｂには、フレキシブル部材（第１メンブレン（第１膜状部材））２１６ａ，２１６ｂがそれぞれ取り付けられている。各第１メンブレン２１６ａ，２１６ｂは、支持面２１７ａ，２１７ｂにそれぞれ取り付けられた第１の側領域２１８ａ，２１８ｂと、各部分２１４ａ，２１４ｂから片持ち式に張り出した第２の側領域２２０ａ，２２０ｂとを有する。各第２の側領域２２０ａ,２２０ｂの上方に向いた表面には、真空チャック２２２ａ，２２２ｂが搭載されている。真空チャック２２２ａ，２２２ｂは、ｙ方向に延びるセンターラインＣＬをそれぞれ有する。真空チャック２２２ａ，２２２ｂは、レチクル２２５を支持する。

図７Ｂに示すように、真空チャック２２２ａ，２２２ｂはそれぞれ、センターラインＣＬに沿って、第１メンブレン２１６ａ，２１６ｂにおける第２の側領域２２０ａ，２２０ｂに取り付けられる。各真空チャック２２２ａ，２２２ｂとそれぞれの第２の側領域２２０ａ，２２０ｂとの間には、真空チャックを第２の側領域のそれぞれの表面から（ｚ方向に）わずかに持ち上げるスペーサ２２４ａ，２２４ｂがある。スペーサ２２４ａ，２２４ｂは、真空チャック２２２ａ，２２２ｂを、各センターラインに沿って、第２の側領域２２０ａ，２２０ｂに搭載するのを容易にする。

第２の側領域２２０ａ及び真空チャック２２２ａのさらなる詳細を図7Cに示す。この図では、下層部分を示すためにレチクルを図示していない。ここで、第１の代表的実施形態に対して、第２実施形態では、第２の側領域２２０ａ，２２０ｂが、枝部を有していない。スペーサ２２４ａは、第２の側領域２２０ａ上に搭載され、真空チャック２２２ａは、スペーサ２２４ａの上面に搭載されている。真空チャック２２２ａは、第２メンブレン又はウェブ２２８を含み、そこから壁２３０，２３２，２３２ａがｚ方向に突出している。壁２３０，２３２，２３２ａは、ランド２３４，２３６，２３６ａをそれぞれ有する。壁２３２ａの外側ランド２３６ａは、ランド２３４又は内側ランド２３６に比べてｚ方向が短い。またここで、本実施形態は、サイドピン及びコーナーピンを有していない。本実施形態は、第２メンブレン２２８から上方に延びて独立的に立つ複数のピン４４からなる複数（図では６つ）の縦列とを含む。本実施形態において、ランド２３４，２３６及び独立ピン２４４のすべては、第２メンブレン２２８の上方において実質的に同じ高さを有しており、レチクル２５が置かれるチャック面（ｘ−ｙ方向に延在する）を規定する（図７Ｂ）。レチクル２５、第２メンブレン２２８、及び壁２３０，２３２，２３２ａは集合的に真空空間２３３を規定し、それは第２メンブレン２２８を通って延びるポート２４６を介して真空引きされる。真空空間２２３内を減圧することにより、ランド２３４，２３６及びピン２４４に対してレチクル２５がおしつけられる。

第１の実施形態のように、独立ピン２４４は、筒形状を有するものとして示されるが、これに限定されない。代替的に、ピン形状は、上記の図４に示したような、矩形、楕円、長円、正方形、六角形、円錐台（frustoconical）、階段状等であり、また、これらに限定されない。

図示された実施形態（図７Ａ−７Ｂ）において、メンブレン２１６ａ，２２８ａは、レチクル２５に接するランド２３２、及びレチクルに接しないランド２３２ａに対して左右非対称に配置される。換言すると、この構成において、ランド２３２は「接触ランド」、ランド２３２ａは「非接触ランド」である。代替的な実施形態において、ランド２３２ａ（ランド２３２に加えて）が接触ランドである。別の代替的な実施形態において、ランド２３２，２３２ａがすべて非接触ランドである。また、サイドランド２３４は、接触又は非接触のいずれかにできる。

＜第３の代表的実施形態＞
第２の代表的実施形態において、すべての独立ピンのｘ−ｙ方向の厚み（幅）が実質的に同じである。本実施形態において、図８に示すように（図７Ｂと同じ視点から見ている）、独立ピン３４４ａ−３４４ｆが独立した縦列に配置されている。各列のピンは、他の列のピンに比べて異なる径を有する。ピン３４４ａ−３４４ｆは、メンブレン（ウェブ）３２８から上方（ｚ方向）に延びている。

ここで、本実施形態においては、第２の代表的実施形態における第１メンブレン２１６及び第２メンブレン２２８のような２つの「メンブレン」がない。本実施形態においては、レチクル２５の各対向側に沿ったメンブレン３２８だけがある。

また、本実施形態において、内側ランド３３６（壁３３２の）は、ピン３４４ａ−３４４ｆと同じ高さであり、よって内側ランドはレチクル２５の下面に接触する接触ランドである。これに対して、外側ランド３３６ａ（壁３３２ａの）は、ピン３４４ａ−３４４ｆに比べて短く、よってレチクル２５の下面に接触しない非接触ランドである。ピン３４４ａ−３４４ｆ及び内側ランド３３６上のレチクル２５の保持のために、空間３３３が吸引される。なお、メンブレン２３８が取り付けられたベース３１４も図示されている。

ここで説明した本実施形態及び他の実施形態において、少なくともいくつかの場所で、独立ピンに比べて短い、独立した高さをランドが任意で有する可能性がある。

ランドの高さが短い場所において、レチクルはランドに接触しない。こうした場所ではレチクル接触がないため、レチクル滑りがない。

＜実施例２＞
本例において、図８に再び言及し、ピン３４４ａ−３４４ｆはそれぞれ０．１１ｍｍ、０．１５ｍｍ、０．１６ｍｍ、０．１９ｍｍ、０．２５ｍｍ、及び０．３８ｍｍである。メンブレン３２８の上面からの、接触ランド３３６及びピン３４４ａ−３４４ｆの高さは０．１ｍｍ、ランド３３６，３３６ａの幅（ｘ方向）は０．２ｍｍ、メンブレン３２８の厚み（ｚ方向）は０．４５ｍｍ、１列あたりのピンの数は７８、ｘ方向におけるピンピッチ（中心から中心）は１．７５ｍｍ、そしてｙ方向におけるピンピッチ（中心から中心）は１．５ｍｍである。

本例の分析モデルを図９に示す。非接触ランド３３６ａ、接触ランド３３６、ピン３４４ａ３４４ｆ、メンブレン（ウェブ）３２８、及びグラウンドＧが示されている。上向きの矢印は、各独立ピン及びランドでのｙ方向の力を示し、円は節（結節点）を示す。堅固な要素３０８は、グラウンドＧと第１節（ピン３４４ａに対応する）との間に置かれている。（以下に説明する分析の結果は、有限要素解析を使うことでよりよい最適化が得られるだろう。）

ピン及びランドでのｙ方向の力について以下である：

ここで、Ｆ_ｎｃｌは非接触ランド３３６ａにおける力を示し、Ｆ_ｃｌは接触ランド３３６における力を示し、Ｆ_ｐｉｎは独立ピンにおける力を示し、Ｆ_ｐｉｎｌはピン３４４ａにおける力を示し、そしてＦ_{ｐｉｎ２−５}はピン３４４ｂ−３４４ｅにおける力を示す。ピン及びランドの剛性について以下である：

Ｎ_{ｐｉｎｓ／ｃｏｌ}は一列あたりの独立ピンの数を示し、Ｋ_{ｐｉｎ ｓｈｅａｒ}はピンのせん断応力を示し、Ｋ_{ｐｉｎ ｂｅｎｄ}はピンの曲げ剛性を示し、Ｋ_{ｐｉｎ ｐｉｖｏｔ}はピンの旋回剛性（pivoting stiffness）を示し、Ｋ_ｌａｎｄはランドの剛性を示し、Ｋ_ｗｅｂはメンブレン（ウェブ）３２８の剛性を示し、Ｋ_{ｒｉｇｉｄ}は剛要素３０８の剛性を示し、Ｇは剛性率を示し、Ｌ_ｘはｘ方向の長さを示し、Ｌ_ｙはｙ方向（走査方向）の長さを示し、そしてＬ_ｚはｚ方向の長さを示す。

上述したように次がなりたつ：

ピン剛性は図１０Ａに図示されている：

力負荷によるピンの曲げは図１０Ｂに図示されている：

モーメント負荷からのピンの曲げは図１０Ｃに図示されている：

ピンの旋回は図１０Ｄに図示されている：

ここで、

（α関数は、「応力及び歪に関するRoarkの式（Roark's Formulas for Stress and Strain）」の第７版、４９３頁、表１１．２、ケース２０に基づいた。上記のαの式は、上記書籍における表式に示されたα関数に適合した関数である。）

図１１は、各データのプロットであり、左部分のプロットが力（Ｎ）とｘ位置に関し、右部分のプロットが変位（ｎｍ）とｘ位置に関する。左部分のプロットにおいて、非接触ランド３３６ａにおけるｙ力がゼロである。また、ピン＃１（すなわちピン３４４ａ）は、非接触ランド３３６ａの近くにあり、そのピンにおけるｙ方向の力は他のピン３４４ｂ−３４４ｆ（プロットの上部を横切っている）に比べて低い。接触ランド３３６におけるｙ方向の力も、ピン３４４ｂ−３４４ｆに比べて低い。ピン３４４ｂ−３４４ｆ及び接触ピン３３６に関して、ｙ方向の力は各ピン及び接触ランドの周囲の吸引面積（vacuum area）に比例している。右部分のプロットにおいて、非接触ランド３３６ａはレチクル２５に接触しないことから、そのランドに変位はない。ここで、ピン３４４ａ−３４４ｆ及び接触ランド３３６（最も右の円）は実質的に同じ変位である。曲線は、メンブレン（ウェブ）３２８の変位である。
＜第４の代表的実施形態＞

通常の接触応力に対するせん断応力の割合が、真空チャックに接触するレチクルのすべての箇所で実質的に等しくなるように、様々な実施形態が構成される。代替的に、その応力を望ましい方法でポイントごとに変えるために、レチクルと真空チャックとの間のせん断応力を振り分けることができる。本実施形態において、ピンのせん断／曲げ剛性を制御可能に変化させることによってこの変化が達成される。例えば、ピンのサイズ（径、及び／又は長さ）を変化させることで、それらのせん断／曲げ剛性の相応の変化を生み出すことができる。また、独立ピンの周り及び真下の第２メンブレン（ウェブ）の厚さを変化させることによっても、それらの剛性について相当する変化を生み出すことができる。例を、図１２Ａ及び１２Ｂに示す。図１２Ａにおいて、レチクル２５の一部分、レチクルステージ部１４、及び第１メンブレン１６ａを、真空チャック１２０とともに示す。真空チャック１２０は、先端の短い壁１２２、基部に近い長い壁１２４、及び階段状の第２メンブレン（ウェブ）１２８の表面から上方に延在する独立したピン１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃを含む。なお、第２メンブレン１２８は、第１メンブレン１６ａを単に延ばしたものにできる。例として、ピン１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃは、０．２５から２．５ｍｍまで高さが変化する。レチクル２５は、ピン１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃの頂部上のみならず、壁１２２，１２４によって規定されるランド１３０ａ，１３０ｂ上にも置かれる。ランド１３０ａ，１３０ｂは、レチクル２５におけるチャック部分の真下の領域を囲み、真空空間１３２を規定する。

図１２Ｂに示す代替的な構成において、真空チャック１４０の壁１４２，１４４が、独立ピン１４６ａ，１４６ｂ，１４６ｃに比べて短い。壁１４２，１４４によって、真空空間１５０を規定するレチクル２５の下面に効果的な真空「シール」を設けるランド１４８ａ，１４８ｂが設けられる。基部１５２は、異なる長さのピン１４６ａ−１４６ｃに合わせて階段状である。また、ウェブの厚さも変化している。

この代表的な実施形態において、所定の方法でレチクルとレチクルチャックの間のせん断応力を配分することで、レチクル滑りのない、より高速のレチクル加速が可能になる。

＜第５の代表的実施形態＞
上述した第１から第４の各実施形態において、真空チャックの壁は、そこからｚ方向における上方に壁が延びる第２メンブレン（ウェブ）と一体である。これに限定する意図はない。先に説明したように、第２メンブレンが第１材料からなり、そこからピンが延びる面に取り付けられた、壁の少なくとも１つが、ＰＴＦＥ（テフロン（登録商標））などの第２材料からなるようにできる。（独立ピンは、面と同じ材料で一体化されてなるのが最も好都合である。） 異なる材料で壁を作ることで、面及び／又はピンに対する壁の剛性を、真空チャックが使用される特殊状況に応じたより好ましいものにできる。図１３に示す実施形態において、第１メンブレン４１６ａ及び第２メンブレン４２８を備えた真空チャック４２２ａが示される。（本実施形態において、実際には、第１メンブレン４１６ａ及び第２メンブレン４２８は連続的であり、第２メンブレン４２８は、第１メンブレン４１６ａの一部と見なすことができる。） また、真空チャック４２２ａは、独立ピン４４４ａ−４４４ｃ、内側壁４３２（内側ランド４３６を提供）、及びＰＴＦＥからなる外側壁４３５を含む。外側壁４３５は、外側ランド４３７を提供する。ここで、本実施形態において、ピン４４４ａ−４４４ｃ及び内側壁４３２は、面４３０から上方に延びている。レチクル２５は、ランド４３６，３２７及びピン４４４ａ−４４４ｃの頂部上に置かれ、これにより真空空間４３３が規定される。真空空間４３３を吸引することにより、レチクル２５がランド及びピンの頂部に押し付けられ、レチクルが真空チャック４２２ａに保持される。外側壁４３５は、適切な接着剤を使って面４３０に取り付けられる。

壁の厚さ（長さ寸法に対して垂直なｘ又はｙの寸法）を適切に変化させることによっても、壁の剛性を適切にできる。

＜リソグラフィ・システム＞
上記の実施形態が使用可能なマイクロリソグラフィシステム５１０（一般に露光装置と呼ばれる）の一例である、投影露光システムの一例を図１４に示す。パターンは、レチクルステージ５１４上に搭載されたレチクル（マスクとも呼ばれる）５１２上に規定される。レチクルステージ５１４は、上記の実施形態のいずれかのような構成にできる。レチクル５１２は、光源５１６によって生成されかつ照明光学系５１８を通過したエネルギービーム（例えばＤＵＶ光）によって照明される。エネルギービームがレチクル５１２を通過するとき、ビームは、レチクル５１２の照明部分の像を、レチクルの下流に、形成する能力を得る。ビームは、基板ステージ（ウエハステージ又はウエハＸＹステージ）５２４に保持された基板５２２の感光面にビームをフォーカスする投影光学系５２０を通過する。図に示すように、光源５１６、照明光学系５１８、レチクルステージ５１４、投影光学系５２０、及びウエハステージ５２４は、一般に、光軸ＡＸに沿って置かれる。レチクルステージ５１４は、ステージアクチュエータ（例えばリニアモータ）５２６を使って少なくともｘ及びθｚ方向に移動可能であり、また、レチクルステージ５１４のｘ及びｙ方向の位置が干渉系５２８によって検出される。システム５１０は、制御器（コンピュータ）５３０によって制御される。

基板５２２（ウエハとも呼ばれる）は、ウエハチャック５３２及びウエハテーブル５３４（レベリングテーブルとも呼ばれる）を介してウエハステージ５２４上に搭載される。ウエハステージ５２４は、露光用のウエハ５２２（下流に面するレジスト付き）を保持するだけでなく、露光及びアライメントに必要な、制御されたｘ及びｙ方向のウエハ５２２の動きを提供する。ウエハステージ５２４は、適切なウエハステージアクチュエータ５２３（例えばリニアモータ）によって移動可能であり、ｘ及びｙ方向のウエハステージ５２４の位置が干渉系５２５によって決定される。ウエハテーブル５３４は、ウエハステージ５２４に対する、ｘ、ｙ、及びｚ方向における、（ウエハ５２２を保持している）ウエハチャック５３２の精密な位置調整に用いられる。ｘ及びｙ方向のウエハテーブル５３４の位置は、ウエハステージ干渉系５３６によって決定される。

ウエハチャック５３２は、露光のためにウエハをしっかり保持し、ウエハ５２２の平らな感光面が露光のために円滑に提示されるように構成される。所定の条件下で静電気引力のような他の技術も採用可能であるものの、ウエハ５２２は、通常、真空吸引によってウエハチャック５３２の表面に保持される。また、ウエハチャック５３２は、ウエハから熱が外に出るのを促し、そうしないと露光中にウエハが熱を蓄積する可能性がある。

ｚ方向（光軸方向）におけるウエハテーブル５３４の動き、及びウエハテーブル３４のｚ軸（光軸ＡＸ）に対する傾きは、主として、投影光学系５２０を介してウエハ５２２の感光面上に形成される、適切な像のフォーカスを確立又は再構築するために行われる。フォーカスは、投影光学系５２０に対して相対的なウエハ５２２における被露光部の位置に関連する。フォーカスは、通常、オートフォーカス（ＡＦ）装置５３８を使用して自動的に決定される。ＡＦ装置５３８は、制御器５３０に送られるデータを作る。ＡＦ装置５３８によって作られたフォーカスデータが非合焦状態であることを示した場合、制御器５３０は、各ウエハテーブルアクチュエータ５４０ａにつながったウエハテーブル制御器５４０に送られるレベリング指令を出す。ウエハテーブルアクチュエータ５４０ａの通電により、適切な合焦を回復するためのウエハテーブル５３４の動作及び／又は傾斜が行われる。

露光システム５１０は様々なタイプのいずれでもよい。例えば、ステッパーのステップアンドリピート方式に代わるものとして、露光システムは、レチクル５１２及びウエハ５２２の双方を同期的に連続的にスキャニングする間に、レチクル５１２からのパターンをウエハ５２２に露光することが可能なスキャニングタイプの装置にできる。こうしたスキャニングの間、レチクル５１２とウエハ５２２は光軸ＡＸに垂直な互いに反対方向に同期的に移動する。走査動作は、各ステージ５１４，５２４によって実行される。

これに対して、ステップアンドリピート式の露光装置では、レチクル５１２及びウエハ５２２が静止しているときにのみ、露光が実行される。露光装置が「光学リソグラフィ」装置である場合、所定のパターン領域の露光の間、ウエハ５２２は主としてレチクル５１２及び投影光学系５２０に対して一定位置にある。所定のパターン領域が露光された後、光軸ＡＸに対して垂直かつレチクル５１２に対して相対的にウエハ５２２が移動され、ウエハ５２２の次の領域が露光位置に置かれる。こうした方式において、レチクルパターンの像がウエハ５２２上の各領域に順次露光される。

なお、露光システムは、マイクロ電子デバイス製造用のマイクログラフィシステムに限定されない。第１の代替として、例えば、露光システムは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のパターンをガラスプレート上に転写するマイクログラフィシステムにできる。第２の代替として、露光システムは、薄膜磁気ヘッド製造用に使用されるマイクログラフィシステムにできる。第３の代替として、露光システムは、例えばマスクパターンの露光に用いられる、プロキシミティ・マイクログラフィシステムにできる。この代替において、マスク及び基板は互いに近接して配置され、投影光学系５２０を使用せずに露光が実行される。

先の開示において説明した原理はさらに代替的に、他のマイクロ電子処理装置、工作機械、金属切断設備、及び検査装置を含む（ただしこれらに限定されない）、他の様々な装置に使用可能である。

上記の様々な露光システムにおいて、照明光の光源５１６（照明光学系５１８における）は、例えば、ｇ線源（４３６ｎｍ）、ｉ線源（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、又はＦ_２エキシマレーザ（１５７ｎｍ）にできる。代替的に、光源５１６は、他の適切な露光光用のものにできる。

投影光学系５２０に関し、照明光が遠紫外放射線を含む場合、構成レンズは、石英及び蛍石のような紫外線を透過可能なＵＶ透過材からなる。照明光がＦ_２エキシマレーザ又はＥＵＶ源から発生する場合、投影光学系５２０のレンズは、屈折又は反射屈折のいずれかにでき、レチクル５１２は望ましくは反射型である。照明光が真空紫外（ＶＵＶ）域（２００ｎｍ以下）である場合、投影光学系５２０は、例えば米国特許第５，６６８，６７２号や第５，８３５，２７５号（ここに援用する）などに開示されたような、ビームスプリッタ及び凹ミラーを含む反射屈折の構成を有するものにできる。投影光学系５２０は、米国特許第５，６８９，３７７号、第５，８９２，１１７号（ここに援用する）に開示されたような、ビームスプリッタなしで凹ミラーを含む反射屈折型の構成を有することができる。

レチクルステージ５１４及びウエハステージ５２４のいずれか又は双方は、レチクル５１２及びウエハ５２２のｘ軸及びｙ軸方向における動きを達成するためのリニアモータを含むことができる。リニアモータは、エア浮上型（エアベアリング利用）又は磁気浮上型（ローレンツ力又はリアクタンス力に基づくベアリングを利用）にできる。ステージ５１４，５２４のいずれか又は双方は、それぞれガイドに沿って移動する構成にでき、又は代替的にガイドレスにできる。米国特許第５，６２３，８５３号及び５，５２８，１１８号を参照でき、これらをここに援用する。

さらに代替的に、ステージ５１４，５２４のいずれか又は双方は平面モータによって駆動でき、これは二次元配置された磁石を含む磁石ユニット及び対向する位置で二次元配置されたコイルを含む電機子コイルユニットによって生じた電磁力で各ステージを駆動する。こうした駆動システムにおいて、磁石ユニット又は電機子コイルユニットが各ステージに接続され、他のユニットが各ステージの移動面上に搭載される。

上述したようなステージ５１４，５２４の動きは、露光装置の性能に影響する反力を生む可能性がある。ウエハステージ５２４の移動によって生じた反力は例えば米国特許第５，５２８，１１８号（ここに援用する）に開示されているように、フレーム部材を使って床（大地）に逃がすことができる。レチクルステージ５１４の移動によって生じた反力は、米国特許第５，８７４，８２０号（ここに援用する）に開示されているように、フレーム部材を使って床（大地）に逃がすことができる。

上述した様々なタイプの露光システムは、添付の請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造することができる。例えば、これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、すべての光学系について、光学的精度を達成するための調整が行われる。同様に、すべての機械系及び電気系について、機械的精度及び電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、及び気圧回路の配管接続等を含む。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、構成するサブシステムの組み立て工程がある。装置の組み立て後、システム全体としてのすべての精度を確保するなどのための、システム調整が行われる。サブシステム及びシステムレベルの組み立ては、温度及び湿度が管理されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。

＜半導体デバイス製造＞
半導体デバイスは、上述したマイクログラフィシステムを用いて実行されるマイクログラフィステップを含むプロセスによって製造可能である。図１５に示すステップ７０１において、半導体デバイスの機能及び特性の設計が行われる。ステップ７０２において、前記設計ステップに従った所望パターンを規定するレチクルが設計される。この間、ステップ７０３において、基板（ウエハ）が作られ適切なレジストが塗布される。ステップ７０４において、ステップ７０２で設計されたレチクルパターンが、マイクログラフィシステムによって、基板の表面に露光される。ステップ７０５において、半導体デバイスが組み立てられる（ウエハから個々のデバイス又はチップを切り出すダイシング工程、チップ上の特定の場所にワイヤをつなぐボンティング工程、及びデバイスを適切なパッケージに包むパッケージング工程を含む）。ステップ７０６において、組み立てられたデバイスが試験及び検査される。

マイクロリソグラフィステップを含むウエハ処理工程の代表的な詳細例を図１６に示す。ステップ７１１（酸化ステップ）において、ウエハ表面が酸化する。ステップ７１２（ＣＶＤステップ）において、ウエハ表面に絶縁膜が形成される。ステップ７１３（電極形成ステップ）において、例えば蒸着によってウエハ上に電極が形成される。ステップ５１４（イオン打込みステップ）において、ウエハにイオンが打ち込まれる。これらのステップ７１１〜７１４は、ウエハのための前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択される。

ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。後処理工程では、まず、ステップ７１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハ表面に適切な感光剤が塗布される。次に、ステップ７１６（露光ステップ）において、上記のマイクロリソグラフィシステムを用いて、レチクルのパターンがウエハ上のレジスト層にリソグラフィカリ転写される。ステップ７１７（現像ステップ）において、ウエハ上の露光されたレジストが現像され、レジストパターンに対応する、使用可能なマスクパターンがウエハ上のレジストに形成される。ステップ７１８（エッチングステップ）において、現像されたレジストによって覆われていない部分（露光された材料表面）がエッチングにより制御された深さで取り除かれる。ステップ７１９（フォトレジスト除去ステップ）において、残存する現像されたレジストがウエハから取り除かれる（剥がされる）。

前処理工程と後処理工程とを必要に応じて繰り返すことにより、ウエハ上に多数の接続パターンが形成される。一般に、前処理工程と後処理工程のセットが各層の形成に実施される。

代表的な様々な実施形態の内容について開示したが、本発明の範囲はそれらの実施形態に限定されない。一方、本発明は、添付の請求の範囲に規定された、本発明の精神と範囲内にあるすべての変形、代替、及び等価物を含むものとする。

例えば、図８に示した構成においては、各ピンでの、面積あたりの法線力に対する、面積あたりのせん断力の比が実質的に均一である効果を得ることが可能であるといえる。この効果は以下の式で示すことができる。

この原理を満足させるために、図８に示した実施形態とは異なる複数の構成を挙げることができる。例えば、図１７に示すように、図８のピン３４４ａ−３４４ｆの径を変化させる代わりに、メンブレン３２８の厚さを変化させる。この場合、メンブレン３２８は、固定部（図の左側）と端部（図の右側）の間の広いスパンでの厚さ範囲を有する必要があるだろう。なお、メンブレン３２８は、厚すぎない、又は柔軟性を失わないのが好ましい。また、図１８Ａ及び１８Ｂに示すように、ピン３４４ａ−３４４ｆ（図１８Ａ）の径を変化させる代わりに、小さな複数のピンによって同じ径を形成し、位置に応じて小さなピンの密度が変化する（図１８Ｂ）。この場合、小さいピンを均一性良く作るのが好ましい。

Claims (79)

1. 平面基体を保持及び移動させるための装置であって、
   移動可能な支持面を有するステージと、
   基体チャックと、
   基部近接領域及び先端領域を含む第１メンブレンであり、前記基部近接領域が前記支持面につながり、前記第１メンブレンが前記基体チャックを少なくとも部分的に支持するように前記先端領域が前記支持面から延びかつ前記基体チャックにつながる、前記第１メンブレンと、を備え、
   前記基体チャックは、面と、前記面に対して延びかつ前記面上に配列されて前記基体の各部分に接触しかつ前記面及び前記先端領域に対して前記各部分を支持する複数のピンと、を含み、
   前記ピンは、前記支持面の移動に対応する前記基体チャックの移動の間、前記移動で生じる力に基づく前記ピンに対する前記基体の滑りが各ピンで実質的に均一となるように、配列される、ことを特徴とする装置。
2. 前記基体チャックは、少なくとも１つの真空チャックを含む、請求項１に記載の装置。
3. 前記基体チャックは、前記面から延びる複数の壁を含み、前記壁は、前記面及び前記基体チャックに接する前記基体の一部と協働して真空空間を規定する、請求項１に記載の装置。
4. 前記ピンは、前記真空空間に配置され前記壁と関連するサイドピンと、前記真空空間に置かれ前記面から延びる独立ピンと、を含む、請求項３に記載の装置。
5. 前記壁は、それぞれがランドを有し、
   前記ピンは、それぞれが頂面を有し、
   前記装置によって前記基体が保持されているとき、前記ピンの少なくとも頂面が集合的に、前記基体に接触しかつ前記基体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、
   請求項３に記載の装置。
6. 前記装置によって前記基体が保持されているとき、少なくともランドの１つが前記頂面とともに、前記基体に接触しかつ前記基体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、請求項５に記載の装置。
7. 前記頂面が前記基体の下面に接触する、請求項５に記載の装置。
8. 前記頂面及び少なくとも１つの前記ランドが前記基体の下面に接触する、請求項５に記載の装置。
9. 前記壁の少なくとも１つが前記第１メンブレンと異なる材料によって作られ、前記面に搭載されている、請求項３に記載の装置。
10. 前記ピンが前記支持面の移動による前記基体チャックの走査方向における少なくとも１つの縦列に延びて配列される、請求項１に記載の装置。
11. 前記ピンは、少なくとも１つの列で実質的に同じピッチで配列される、請求項１０に記載の装置。
12. 前記ピンは、複数の縦列に配置される、請求項１０に記載の装置。
13. 各列は、それぞれピンピッチを有し、
    前記ピンピッチがそれぞれ実質的に同じである、
    請求項１２に記載の装置。
14. 各列は、それぞれピンピッチを有し、
    前記ピンピッチは、少なくとも２つの列で異なる、
    請求項１３に記載の装置。
15. 前記列は、互いに実質的に等しい間隔である、請求項１２に記載の装置。
16. 前記列は、互いに異なる間隔である、請求項１２に記載の装置。
17. 前記ピンは同じ形状である、請求項１に記載の装置。
18. 前記ピンは少なくとも２つが異なる形状を有する、請求項１に記載の装置。
19. 前記複数のピンは、実質的に同じ剛性を有する、請求項１に記載の装置。
20. 前記複数のピンは、多様な剛性を有する、請求項１に記載の装置。
21. 前記第１メンブレンは、実質的に均一な厚さを有する、請求項１に記載の装置。
22. 前記第1メンブレンは、多様な厚さを有する、請求項１に記載の装置。
23. 前記基体チャックはさらに、それに対して前記複数のピンが延びる前記面を含む第２メンブレンを含み、
    前記第２メンブレンは、前記先端領域につながり、
    前記ピンは、前記基体の各部分に接触しかつ前記第２メンブレンに対して前記各部分を支持する、
    請求項１に記載の装置。
24. 前記ステージは、互いに離間した第１及び第２支持面を有し、
    前記基体チャックは、第１チャック部分及び第２チャック部分を含み、
    前記第１メンブレンは、前記第１支持面に搭載されかつ前記第１支持面から延びる第１メンブレン部分と、前記第２支持面に搭載されかつ前記第２支持面から延びる第２メンブレン部分と、を有し、
    前記第１チャック部分は、前記第１メンブレン部分の先端領域に搭載され、
    前記第２チャック部分は、前記第２メンブレン部分の先端領域に搭載される、
    請求項２３に記載の装置。
25. 前記基体チャックは、少なくとも１の真空チャックを含む、請求項２３に記載の装置。
26. 前記基体チャックは、前記第２メンブレンから延びる壁を含み、前記壁は、前記第２メンブレン及び前記基体チャックに接する前記基体の一部と協働して真空空間を規定する、請求項２３に記載の装置。
27. 前記複数の壁は、それぞれがランドを有し、
    前記複数のピンは、それぞれが頂面を有し、
    前記装置によって前記基体が保持されているとき、前記ピンの少なくとも頂面が集合的に、前記基体に接触しかつ前記基体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、
    請求項２６に記載の装置。
28. 前記頂面及び前記ランドの少なくとも１つが集合的に前記チャック面を規定する、請求項２７に記載の装置。
29. 少なくとも前記頂面が前記基体の下面に接触する、請求項２７に記載の装置。
30. 前記頂面及び前記ランドの少なくとも１つが前記基体の下面に接触する、請求項２８に記載の装置。
31. 前記壁は、前記第２メンブレンと一体である、請求項２６に記載の装置。
32. 前記壁の少なくとも１つが前記第２メンブレンと異なる材料によって作られ、前記第２メンブレンに搭載されている、請求項２６に記載の装置。
33. 前記ピンが前記支持面の移動による前記基体チャックの走査方向における少なくとも１つの縦列に延びて配列される、請求項２３に記載の装置。
34. 前記ピンは、少なくとも１つの列で実質的に同じピッチで配列される、請求項２２に記載の装置。
35. 前記ピンは、複数の縦列に配置される、請求項３３に記載の装置。
36. 各列は、それぞれピンピッチを有し、
    前記ピンピッチがそれぞれ実質的に同じである、
    請求項３５に記載の装置。
37. 各列は、それぞれピンピッチを有し、
    前記ピンピッチは、列の少なくとも２つで異なる、
    請求項３６に記載の装置。
38. 前記列は、互いに実質的に等しい間隔である、請求項３５に記載の装置。
39. 前記列は、互いに異なる間隔である、請求項３５に記載の装置。
40. 前記ピンは同じ形状である、請求項２３に記載の装置。
41. 前記ピンは、円柱状、球状、矩形、楕円、長円、正方形、他の多角形、円錐台、階段状、及びそれらの組み合わせから構成される群から選択される形状をそれぞれ有する、請求項２３に記載の装置。
42. 前記複数のピンは、実質的に同じ剛性を有する、請求項２３に記載の装置。
43. 前記複数のピンは、多様な剛性を有する、請求項２３に記載の装置。
44. 前記第２メンブレンは、実質的に均一な厚さを有する、請求項２３に記載の装置。
45. 前記第２メンブレンは、多様な厚さを有する、請求項２３に記載の装置。
46. 前記第２メンブレンは、石英ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、コーディエライト（ケイ酸アルミニウム・マグネシウム）、酸化アルミニウム、インバー、ゼロデュア（登録商標）、及びステンレス鋼からなる群の中から選択された材料で作られる、請求項２３に記載の装置。
47. 前記壁は、前記ピンは、前記第２メンブレンと同じ材料で作られかつ前記第２メンブレンと一体である、請求項２３に記載の装置。
48. 前記壁の少なくとも１つが前記第２メンブレンと同じ材料で作られる、請求項２３に記載の装置。
49. 前記壁の少なくとも１つが前記第２メンブレンと異なる材料によって作られ、前記第２メンブレンに取り付けられている、請求項２３に記載の装置。
50. 少なくとも１つの前記壁が、ＰＴＦＥ（登録商標）、及びロー・デュロメーター・ケミカリー・クリーン・ラバーからなる群から選択される材料によって作られる、請求項４９に記載の装置。
51. レチクルを保持及び移動させるための装置であって、
    移動可能な第１及び第２支持面を有するステージと、
    前記支持面に搭載されるレチクルチャックであり、前記レチクルチャックが第１及び第２チャック部を含み、各チャック部が第１領域と第２領域とを有する第１メンブレンをそれぞれ含む、前記レチクルチャックと、 を備え、
    前記第２領域が前記第１及び前記第２支持面から互いに向かって延びるように、前記第１領域が前記第１及び第２支持面にそれぞれ搭載され、
    前記第１及び第２チャック部が前記第２領域にそれぞれ搭載され、
    各チャック部がそれぞれ、複数の壁と、それぞれ面から延びる複数の独立ピンとを有し、レチクルの各領域が前記チャック部に置かれたときに前記面及び壁が集合的に真空空間を規定し、
    各チャック部において、少なくともピンが前記レチクルの前記各領域に接しかつ支持し、
    前記ピンは、前記ステージによる前記レチクルチャックの移動の間、前記移動で生じるせん断力に基づく前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に均一となるように、構成かつ配置される、装置。
52. 前記独立ピンは、各チャック部における前記面上に複数の列に配置される、請求項５１に記載の装置。
53. 各列は、それぞれピンピッチを有し、
    前記ピンピッチがそれぞれ実質的に同じである、
    請求項５２に記載の装置。
54. 各列は、それぞれピンピッチを有し、
    前記ピンピッチは、少なくとも２つの列で異なる、
    請求項５２に記載の装置。
55. 前記独立ピンは、少なくとも１つの列で一定のピッチを有する、請求項５２に記載の装置。
56. 少なくとも１つの列で前記ピンピッチが多様である、請求項５２に記載の装置。
57. 各チャック部の少なくとも１つの壁が接触ランドを提供する、請求項５１に記載の装置。
58. 各チャック部における少なくとも１つの接触ランド及び前記ピンの頂部が集合的に、平面状に置かれかつレチクルの各部分を保持するように構成された各チャック面を規定する、請求項５７に記載の装置。
59. 前記壁の少なくとも１つが前記面と異なる材料によって作られ、前記面に搭載されている、請求項５１に記載の装置。
60. 前記列は、少なくとも１つのチャック部において、互いに実質的に等しい間隔である、請求項５１に記載の装置。
61. 前記列は、少なくとも１つのチャック部において、互いに異なる間隔である、請求項５１に記載の装置。
62. 少なくとも１つのチャック部において、前記ピンは同じ形状である、請求項５１に記載の装置。
63. 前記複数のピンは、実質的に同じ剛性を有する、請求項５１に記載の装置。
64. 少なくともいくつかのピンは、多様な剛性を有する、請求項５１に記載の装置。
65. 前記第１メンブレンは、実質的に均一な厚さを有する、請求項５１に記載の装置。
66. 前記第１メンブレンは、多様な厚さを有する、請求項５１に記載の装置。
67. 各チャック部は、前記各面を含む第２メンブレンをそれぞれ含む、請求項５１に記載の装置。
68. 前記第２メンブレンは、実質的に均一な厚さを有する、請求項６７に記載の装置。
69. 前記第２メンブレンは、多様な厚さを有する、請求項６７に記載の装置。
70. 処理装置と、
    前記処理装置に対して平面基体を保持及び移動させるための、請求項１に記載された装置と、を備える、
    処理システム。
71. 前記処理装置は、光学システムを含む、請求項７０に記載のシステム。
72. レチクル上に規定されたパターンをリソグラフィック基板上に形作るように構成される結像光学系と、
    前記結像光学系に対して置かれかつ移動可能な支持面を有するレチクルステージと、
    前記支持面に搭載されかつ少なくとも１つのチャック部を含むレチクルチャックと、を備え、
    前記チャック部は、基部近接領域及び先端領域を含む第１メンブレンであり、前記基部近接領域が前記支持面につながり、前記第１メンブレンが前記レチクルチャックを少なくとも部分的に支持するように前記先端領域が前記支持面から延びかつ前記チャック部につながる、前記第１メンブレン、を含み、
    前記チャック部は、面と、前記面から延びる複数のピンとを含み、前記面が前記第１メンブレンの前記先端領域に置かれ、前記ピンが前記面上で配列されて前記レチクルの各部分に接触しかつ前記面に対して前記レチクルの各部分を支持し、
    前記ピンは、前記支持面の移動に対応した前記レチクルチャックの移動の間、前記移動で生じる力に基づく前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に均一となるように、配列される。
    マイクロリソグラフィシステム。
73. 前記結像光学系が露光光として紫外光を利用するように構成される、請求項７２に記載のマイクロリソグラフィシステム
74. 請求項７２に記載のマイクロリソグラフィシステムで実行される少なくとも１つのマイクロリソグラフィ工程を含む処理によって製造された、マイクロ電子デバイス。
75. 請求項７２に記載のマイクログラフィシステムを用いて実行される、マイクロリソグラフィプロセス。
76. レチクル上に規定されたパターンをリソグラフィック基板上に形作るように構成される結像光学システムと、
    前記結像光学系に対して置かれかつ移動可能な第１及び第２支持面を有するレチクルステージと、
    前記支持面に搭載されかつ第１及び第２チャック部を含むレチクルチャックであり、各チャック部がそれぞれ、第１領域及び第２領域を有する第１メンブレンを備える、前記レチクルチャックと、を備え、
    前記第２領域が前記第１及び前記第２支持面から互いに向かって延びるように、前記第１領域が前記第１及び第２支持面にそれぞれ搭載され、
    前記第１及び第２チャック部が前記第２領域にそれぞれ搭載され、
    各チャック部がそれぞれ、面と、複数の壁と、それぞれ前記面から延びる複数の独立ピンとを有し、レチクルの各領域が前記チャック部に置かれたときに前記面及び壁が集合的に真空空間を規定し、
    少なくとも前記ピンが、前記レチクルの各領域に接触しかつ前記レチクルを支持するように構成され、
    前記ピンは、前記ステージによる前記レチクルチャックの移動の間、前記移動で生じるせん断力に基づく前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に均一となるように、構成かつ配置される、
    マイクロリソグラフィシステム。
77. 前記結像光学系が露光光として紫外光を利用するように構成される、請求項７６に記載のマイクロリソグラフィシステム。
78. 請求項７６に記載のマイクロリソグラフィシステムで実行される少なくとも１つのマイクロリソグラフィ工程を含む処理によって製造された、マイクロ電子デバイス。
79. 請求項７６に記載のマイクログラフィシステムを用いて実行される、マイクロリソグラフィプロセス。

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