JP2011100796A - Circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、携帯電話機等の携帯情報端末機器;コンピュータ及びその周辺機器;各種情報家電製品等の電気機器に使用される回路基板に関するものである。 The present invention relates to a circuit board used in a portable information terminal device such as a mobile phone; a computer and its peripheral devices; and electrical equipment such as various information home appliances.
従来より、化学的機械的研磨法(Chemical MechnicalPolishing、CMP法)を用いた配線形成法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法は、まず、図2(a)に示すように、絶縁基材1の表面にレーザー加工等により回路溝3を形成する。次に、図2(b)に示すように、絶縁基材1の回路溝3を形成した表面全面(回路溝3の側面や底面を含む)に無電解めっき層10を形成する。この無電解めっき層10は銅などの金属薄膜を無電解めっきにより形成することができる。次に、図2(c)に示すように、無電解めっき層10の表面に銅などの金属により電解めっき層11を形成する。電解めっき層11は回路溝3に充填され、無電解めっき層10の表面全面を被覆するように形成される。この後、絶縁基材1の表面と、回路溝3に充填された電解めっき層11の表面と、回路溝3の側面に付着した無電解めっき層10の上端面とが面一になるように、電解めっき層11の不要部分を除去する。ここで、電解めっき層11を研磨機20で研磨除去するCMP法が採用されている。このようにして回路溝3に充填された無電解めっき層10と電解めっき層11とからなる電気回路(配線)6を有する回路基板Aを形成することができる。
Conventionally, a wiring forming method using a chemical mechanical polishing method (CMP method) has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In this method, first, as shown in FIG. 2A, a
しかし、上記のようにして形成される回路基板は、主に電気回路6が集中した部分でエロージョンEが発生するという問題があった。エロージョンEとは、電気回路6の表面とその周辺の絶縁基材1の表面とが皿状等に凹んで削り取られてしまった部分をいう。このエロージョンは電解めっき層11と絶縁基材1との硬さの相違や、研磨機20や研磨液に対する耐性の相違などに起因して発生すると考えられる。そして、このようなエロージョンEが発生した回路基板Aでは次にような問題があった。まず、ビルドアップ工法などにおいて、回路基板Aの表面にプリプレグ等の絶縁材料を重ね合わせた後、加熱加圧成形して絶縁層を形成する場合、エロージョンEでの圧力低下が大きくなり、積層カスレ不良(樹脂の未充填部分)が発生するおそれがあった。また、エロージョンに対応する箇所の絶縁層の表面には凹みが生じることがあって絶縁層の表面の平坦性が低下し、このため、絶縁層の表面に回路形成を形成した場合にレーザー加工深度がばらついて、導体断面積(回路断面積)のばらつきや電気回路6の抵抗値に影響を与えるおそれがあった。さらに、絶縁層の厚みが電気回路6の集中部分(高密度部30)と非集中部分(低密度部分31)により変動するため、電気回路6の低密度部分と高密度部分とでインピーダンスがばらついて回路設計の余裕がない。
However, the circuit board formed as described above has a problem that erosion E occurs mainly at the portion where the
また、転写箔を用いて上記と同様の回路基板を形成することも行われているが、この場合は、電気回路を転写する際に電気回路6の集中部分(高密度部30)と非集中部分(低密度部分31)とでプリプレグの樹脂が偏って流れ、絶縁層の厚みが電気回路6の集中部分(高密度部30)と非集中部分(低密度部分31)とで異なることになり、上記問題を解決することはできなかった。
Also, a circuit board similar to the above is formed using a transfer foil, but in this case, when transferring the electric circuit, the concentrated portion (high density portion 30) of the
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、積層カスレの発生がなく、電気回路の断面積のバラツキや抵抗値への影響が少なく、電気回路の低密度部分と高密度部分とでインピーダンスのばらつきが小さくて回路設計に余裕がある回路基板を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and there is no occurrence of laminating blur, there is little influence on the variation in the cross-sectional area of the electric circuit and the resistance value, and the low-density part and the high-density part of the electric circuit An object of the present invention is to provide a circuit board having a small impedance variation and a sufficient circuit design.
本発明の請求項1に係る回路基板は、絶縁基材1に複数の回路溝3を有し、各回路溝3に充填されためっき層により電気回路6が形成された回路基板であって、前記電気回路6が密に形成された高密度部30と、疎に形成された低密度部31とを有し、高密度部30における絶縁基材1及び電気回路6の各表面と、低密度部31における絶縁基材1及び電気回路6の各表面とが面一に形成されて成ることを特徴とするものである。
A circuit board according to
本発明の請求項2に係る回路基板は、請求項1において、絶縁基材1に複数の回路溝3を有し、各回路溝3に充填されためっき層により電気回路6が形成された回路基板であって、前記電気回路6が密に形成された高密度部30と、疎に形成された低密度部31とを有し、絶縁基材1の回路溝3の形成面と反対側の面から高密度部30における回路溝3の底部までの距離と、絶縁基材1の回路溝3の形成面と反対側の面から低密度部31における回路溝3の底部までの距離とが、等しく形成されて成ることを特徴とするものである。
The circuit board according to
本発明の請求項3に係る回路基板は、請求項1において、絶縁基材1に複数の回路溝3を有し、各回路溝3に充填されためっき層により電気回路6が形成された回路基板であって、前記電気回路6が密に形成された高密度部30と、疎に形成された低密度部31とを有し、高密度部30における電気回路6の導体厚みと、低密度部における電気回路6の導体厚みとが、等しく形成されて成ることを特徴とするものである。
The circuit board according to
本発明では、高密度部における絶縁基材及び電気回路の各表面と、低密度部における絶縁基材及び電気回路の各表面とが面一に形成されているため、回路基板の表面にプリプレグ等の絶縁材料を重ね合わせた後、加熱加圧成形して絶縁層を形成する場合、エロージョンによる圧力低下が生じないようにすることができ、積層カスレ不良が発生しないようにすることができる。また、前記絶縁層の表面に回路形成を形成した場合にレーザー加工深度がばらつかないようにすることができ、導体断面積(電気回路の断面積)のばらつきや電気回路の抵抗値に影響を与えないようにすることができるものである。さらに、絶縁層の厚みが電気回路の低密度部と高密度部で一定であるため、電気回路の低密度部と高密度部とでインピーダンスがばらつかずに回路設計の余裕がある。 In the present invention, each surface of the insulating base material and the electric circuit in the high density portion and each surface of the insulating base material and the electric circuit in the low density portion are formed flush with each other. In the case where the insulating layer is formed by heating and pressing after overlapping the insulating materials, it is possible to prevent a pressure drop due to erosion from occurring, and to prevent a stacking defect from occurring. In addition, when the circuit formation is formed on the surface of the insulating layer, it is possible to prevent the laser processing depth from varying, which affects the variation in the conductor cross-sectional area (electric circuit cross-sectional area) and the resistance value of the electric circuit. It is something that can be avoided. Further, since the thickness of the insulating layer is constant between the low density portion and the high density portion of the electric circuit, the impedance does not vary between the low density portion and the high density portion of the electric circuit, and there is a margin for circuit design.
また、高密度部における絶縁基材の回路溝の形成面と反対側の面から回路溝の底部までの距離と、低密度部における絶縁基材の回路溝の形成面と反対側の面から回路溝の底部までの距離とが、等しく形成されていたり、高密度部における電気回路の導体厚みと、低密度部における電気回路の導体厚みが等しく形成されていたりすることにより、本発明の効果を確実に得ることができるものである。 In addition, the distance from the surface opposite to the circuit groove forming surface of the insulating base in the high density portion to the bottom of the circuit groove, and the circuit from the surface opposite to the circuit groove forming surface of the insulating base in the low density portion The distance to the bottom of the groove is formed to be equal, or the conductor thickness of the electric circuit in the high density portion and the conductor thickness of the electric circuit in the low density portion are formed to be equal. It can be obtained with certainty.
以下、本発明を実施するための形態を説明する。 Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described.
図1(e)に本発明の回路基板Aを示す。この回路基板Aは、絶縁基材1に複数の回路溝3及び貫通孔4を有し、各回路溝3及び貫通孔4に無電解めっきが充填された複数の電気回路6を有するものである。電気回路6の表面は絶縁基材1の一方又は両方の表面に露出している。電気回路6の幅寸法(ライン幅)は全ての電気回路6で同一にすることが好ましいが、これに限らず、電気回路6の幅寸法は各電気回路6で異ならせても良い。
FIG. 1E shows a circuit board A of the present invention. This circuit board A has a plurality of
そして、本発明の回路基板Aは電気回路6が密に形成された高密度部30と、疎に形成された低密度部31とを有している。ここで、電気回路6の幅寸法Lが一定(例えば、5〜50μm)とした場合、隣り合う電気回路6、6の間隔WHが100μm以下、好ましくは70μm以下、さに好ましくは50μm以下(下限は5μm)の部分を高密度部30とし、隣り合う電気回路6、6の間隔WLが50μm以上、好ましくは70μm以上、さらに好ましくは100μm以上(上限は、特に限定なし)の部分を低密度部31として形成することができる。また、高密度部30において絶縁基材1の表面と電気回路6の表面とは略平坦で略面一に形成されている。また、低密度部31において絶縁基材1の表面と電気回路6の表面とは略平坦で略面一に形成されている。そして、高密度部30における絶縁基材1の表面と低密度部31における絶縁基材1の表面も略平坦で略面一に形成され、高密度部30における電気回路6の表面と低密度部31における電気回路6の表面も略平坦で略面一に形成されている。すなわち、本発明の回路基板は電気回路6が露出する側の表面が全体にわたって略平坦に形成されており、エロージョンなどの凹みが生じていないものである。尚、本発明の回路基板は、絶縁基材1の厚みを全体にわたって一定にし、また、全ての電気回路6の厚みを一定にすることができるが、これに限定されるものではない。
And the circuit board A of this invention has the
本発明の回路基板を製造するにあたっては、絶縁基材の表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み分以上の深さの凹部を形成して回路パターン部を形成する回路パターン形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面にめっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を除去する被膜除去工程と、前記樹脂被膜を除去した後の前記めっき触媒又はその前駆体が残留する部位にのみ無電解めっき膜を形成するめっき処理工程とを備える。 In manufacturing the circuit board of the present invention, a film forming step of forming a resin film on the surface of the insulating base material, and forming a recess having a depth equal to or greater than the thickness of the resin film on the basis of the outer surface of the resin film A circuit pattern forming step for forming a circuit pattern portion, a catalyst deposition step for depositing a plating catalyst or a precursor thereof on the surface of the circuit pattern portion and the surface of the resin coating, and the resin from the insulating substrate. A coating removal step for removing the coating; and a plating treatment step for forming an electroless plating film only in a portion where the plating catalyst or its precursor remains after the resin coating is removed.
図1は本発明の回路基板の製造方法における各工程を説明するための模式断面図である。まず、図1(a)に示すように、絶縁基材1の表面に樹脂被膜2を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。次に、図1(b)に示すように、前記樹脂被膜2の外表面を基準として前記樹脂被膜2の厚み分以上の深さの凹部を形成して回路パターン部32を形成させる。前記回路パターン部32としては、前記絶縁基材1を掘り込んだ回路溝3であってもよいし、また、必要に応じて、前記絶縁基材1に、前記回路パターン部32として貫通孔4を形成するための穴あけを行ってもよい。また、前記回路パターン部32(回路溝3及び貫通孔4)によって、無電解めっきによって無電解めっき膜が形成される部分、すなわち、電気回路6が形成される部分が規定される。この工程により、高密度部30として形成される部分には回路溝3及び貫通孔4が高密度で形成され、低密度部31として形成される部分には回路溝3及び貫通孔4が低密度で形成される。なお、この工程は、回路パターン形成工程に相当する。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining each step in the circuit board manufacturing method of the present invention. First, as shown in FIG. 1A, a
次に、図1(c)に示すように、前記回路溝3の底面及び側面と貫通孔4の内面、並びに前記回路溝3及び貫通孔4が形成されなかった前記樹脂被膜2の表面にめっき触媒又はその前駆体5を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 1C, the bottom and side surfaces of the
次に、図1(d)に示すように、前記絶縁基材1から前記樹脂被膜2を除去させる。そうすることによって、前記絶縁基材1の、前記回路溝3の底面及び側面と貫通孔4の内面が形成された部分の表面にのみめっき触媒又はその前駆体5を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜2の表面に被着されためっき触媒又はその前駆体5は、前記樹脂被膜2に担持された状態で、前記樹脂被膜2とともに除去される。なお、この工程は、被膜除去工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 1 (d), the
次に、前記樹脂被膜2が除去された絶縁基材1に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記めっき触媒又はその前駆体5が残存する部分にのみ無電解めっき層6aが形成される。すなわち、図1(e)に示すように、前記回路溝3及び貫通孔4が形成された部分に、電気回路6となる無電解めっき層6aが形成される。そして、この電気回路6は、この無電解めっきからなるものであってもよいし、前記無電解めっき層6aにさらに無電解めっき(フィルアップめっき)を施して、さらに厚膜化させたものであってもよい。具体的には、例えば、図1(e)に示すように、前記回路溝3や前記貫通孔4全体を埋めるように無電解めっき層からなる電気回路6を形成させ、前記絶縁基材1と前記電気回路6との段差をなくすようにしてもよい。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
Next, electroless plating is performed on the insulating
上記各工程によって、図1(e)に示すような回路基板Aが形成される。このように形成された回路基板Aは、前記絶縁基材1上に高精度に前記電気回路6が形成されたものである。
Through the above steps, a circuit board A as shown in FIG. The circuit board A thus formed is obtained by forming the
以下、本実施形態の各構成について、説明する。 Hereinafter, each configuration of the present embodiment will be described.
<被膜形成工程>
被膜形成工程は、上述したように、絶縁基材1の表面に樹脂被膜2を形成させる工程である。
<Film formation process>
As described above, the film forming process is a process of forming the
(絶縁基材)
前記被膜形成工程において用いる絶縁基材1は、回路基板の製造に用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、樹脂を含む樹脂基材等が挙げられる。
(Insulating base material)
The insulating
また、前記樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成する樹脂であれば、特に限定なく用いることができる。具体的には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等が挙げられる。 Moreover, as said resin, if it is resin which comprises the various organic substrates which can be used for manufacture of a circuit board, it can use without limitation in particular. Specifically, for example, epoxy resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyimide resin, polyphenylene sulfide resin, polyphenylene ether resin, cyanate resin, benzoxazine resin, bismaleimide resin, and the like can be given.
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂としては、上記各エポキシ樹脂を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it is an epoxy resin constituting various organic substrates that can be used for manufacturing a circuit board. Specifically, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, aralkyl epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin , Dicyclopentadiene type epoxy resins, epoxidized products of condensates of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group, triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resins, and the like. Furthermore, the epoxy resin, nitrogen-containing resin, and silicone-containing resin that are brominated or phosphorus-modified to impart flame retardancy are also included. Moreover, as said epoxy resin, said each epoxy resin may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.
また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。更に難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂または、リン変性したシアネート樹脂等もあげられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Moreover, when comprising a base material with said each resin, in order to make it harden | cure, a hardening | curing agent is generally contained. The curing agent is not particularly limited as long as it can be used as a curing agent. Specific examples include dicyandiamide, phenolic curing agents, acid anhydride curing agents, aminotriazine novolac curing agents, and cyanate resins. As said phenol type hardening | curing agent, a novolak type, an aralkyl type, a terpene type etc. are mentioned, for example. Further examples include phosphorus-modified phenolic resins or phosphorus-modified cyanate resins for imparting flame retardancy. Moreover, as said hardening | curing agent, said each hardening | curing agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.
また、特に限定はされないが、レーザー加工により回路パターンを形成することから、10〜400nm波長領域でのレーザー光の吸収率がよい樹脂等を用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。 In addition, although not particularly limited, it is preferable to use a resin or the like having a good laser light absorption rate in a wavelength region of 10 to 400 nm because a circuit pattern is formed by laser processing. For example, specifically, a polyimide resin or the like can be given.
また、前記絶縁基材1には、フィラーを含有していてもよい。前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザー加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるメッキと樹脂との密着性を向上することが可能である。
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、シリカ(SiO2)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、酸化チタン(TiO2)等の高誘電率充填材;ハードフェライト等の磁性充填材;水酸化マグネシウム(Mg(OH)2)、水酸化アルミニウム(Al(OH)2)、三酸化アンチモン(Sb2O3)、五酸化アンチモン(Sb2O5)、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤;タルク(Mg3(Si4O10)(OH)2)、硫酸バリウム(BaSO4)、炭酸カルシウム(CaCO3)、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また、特に限定はされないが、絶縁層の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、更には0.01μm〜10μm、更に好ましくは、0.05μm〜5μmの平均粒径のフィラーを用いるのがよい。
The insulating
Specific examples of the material constituting the inorganic fine particles include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), silica (SiO 2 ), High dielectric constant fillers such as barium titanate (BaTiO 3 ) and titanium oxide (TiO 2 ); magnetic fillers such as hard ferrite; magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ), aluminum hydroxide (Al (OH) 2 ), Antimony trioxide (Sb 2 O 3 ), antimony pentoxide (Sb 2 O 5 ), guanidine salts, zinc borate, molybdate compounds, zinc stannate, and other inorganic flame retardants; talc (Mg 3 (Si 4 O 10) (OH) 2), barium sulfate (BaSO 4), calcium carbonate (CaCO 3), mica, and the like. As said inorganic fine particle, the said inorganic fine particle may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type. These inorganic fine particles have high thermal conductivity, relative dielectric constant, flame retardancy, particle size distribution, color tone flexibility, etc. And high filling can be easily performed. Although not particularly limited, it is preferable to use a filler having an average particle diameter equal to or smaller than the thickness of the insulating layer, more preferably 0.01 μm to 10 μm, and still more preferably a filler having an average particle diameter of 0.05 μm to 5 μm. It is good.
また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The inorganic fine particles may be surface-treated with a silane coupling agent in order to improve dispersibility in the insulating base material. The insulating base material may contain a silane coupling agent in order to increase the dispersibility of the inorganic fine particles in the insulating base material. Specific examples of the silane coupling agent include epoxy silane, mercapto silane, amino silane, vinyl silane, styryl silane, methacryloxy silane, acryloxy silane, titanate silane couplings, and the like. Agents and the like. As said silane coupling agent, the said silane coupling agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.
また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The insulating base material may contain a dispersant in order to enhance the dispersibility of the inorganic fine particles in the insulating base material. Specific examples of the dispersant include alkyl ether-based, sorbitan ester-based, alkyl polyether amine-based, polymer-based dispersants, and the like. As said dispersing agent, the said dispersing agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。 Specific examples of the organic fine particles include rubber fine particles.
また、前記絶縁基材の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。前記絶縁基材1の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、10〜500μmであることが好ましく、20〜200μm程度であることがより好ましい。また、前記絶縁基材としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。
Further, the form of the insulating substrate is not particularly limited. Specifically, a sheet | seat, a film, a prepreg, a molded object of a three-dimensional shape etc. are mentioned. The thickness of the insulating
(樹脂被膜)
前記樹脂被膜2は、前記被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体(膨潤液)で膨潤しうる樹脂からなる膨潤性樹脂被膜等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜が特に好ましい。また、前記膨潤性樹脂被膜としては、例えば、前記液体(膨潤液)に対する膨潤度が50%以上であることが好ましい。なお、前記膨潤性樹脂被膜には、前記液体(膨潤液)に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記絶縁基材1表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、前記液体(膨潤液)に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により前記絶縁基材1表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、前記液体(膨潤液)に対して溶解し、その溶解により前記絶縁基材1表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。
(Resin coating)
The
前記樹脂被膜2の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材1の表面に、樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜を絶縁基材1の表面に転写する方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。
A method for forming the
前記樹脂被膜2の厚みとしては、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜2の厚みとしては、0.1μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜2の厚みが厚すぎる場合には、前記回路パターン形成工程におけるレーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝や貫通孔等の回路パターン部の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜2の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜を形成しにくくなる傾向がある。
The thickness of the
次に、前記樹脂被膜2として好適な膨潤性樹脂被膜を例に挙げて説明する。
Next, a swellable resin film suitable as the
前記膨潤性樹脂被膜としては、膨潤液に対する膨潤度が50%以上である樹脂被膜が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が100%以上である樹脂被膜がより好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜除去工程において膨潤性樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。 As the swellable resin film, a resin film having a swelling degree with respect to the swelling liquid of 50% or more can be preferably used. Furthermore, a resin film having a swelling degree with respect to the swelling liquid of 100% or more is more preferable. In addition, when the said swelling degree is too low, there exists a tendency for a swelling resin film to become difficult to peel in the said film removal process.
前記膨潤性樹脂被膜の形成方法は、特に限定されず、上述した樹脂被膜2の形成方法と同様の方法であればよい。具体的には、例えば、前記絶縁基材1の表面に、膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される膨潤性樹脂被膜を絶縁基材1の表面に転写する方法等が挙げられる。
The formation method of the said swellable resin film is not specifically limited, What is necessary is just the method similar to the formation method of the
前記膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜を容易に形成することができる。 Examples of the liquid material that can form the swellable resin film include an elastomer suspension or emulsion. Specific examples of the elastomer include a diene elastomer such as a styrene-butadiene copolymer, an acrylic elastomer such as an acrylate ester copolymer, and a polyester elastomer. According to such an elastomer, it is possible to easily form a swellable resin film having a desired degree of swelling by adjusting the degree of crosslinking or gelation of the elastomer resin particles dispersed as a suspension or emulsion.
また、前記膨潤性樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のpHに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜除去工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるpHにおいては膨潤性樹脂被膜は絶縁基材に対する高い密着力を維持し、被膜除去工程におけるpHにおいては容易に膨潤性樹脂被膜を剥離させることができる。 The swellable resin film is particularly preferably a film whose degree of swelling changes depending on the pH of the swelling liquid. When such a coating is used, the liquid condition in the catalyst deposition step is different from the liquid condition in the coating removal step, so that the swellable resin can be obtained at the pH in the catalyst deposition step. The coating maintains high adhesion to the insulating substrate, and the swellable resin coating can be easily peeled off at the pH in the coating removal step.
さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、pH1〜3の範囲の酸性めっき触媒コロイド溶液(酸性触媒金属コロイド溶液)中で処理する工程を備え、前記被膜除去工程がpH12〜14の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜は、前記酸性めっき触媒コロイド溶液に対する膨潤度が60%以下、さらには40%以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が50%以上、さらには100%以上、さらには500%以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。 More specifically, for example, the catalyst deposition step includes a step of treating in an acidic plating catalyst colloid solution (acid catalytic metal colloid solution) having a pH in the range of 1-3, for example, and the coating removal step has a pH of 12-12. When the step of swelling the swellable resin film in an alkaline solution in the range of 14 is provided, the swelling degree of the swellable resin film with respect to the acidic plating catalyst colloid solution is 60% or less, and further 40% or less. The resin film preferably has a degree of swelling with respect to the alkaline solution of 50% or more, more preferably 100% or more, and even more preferably 500% or more.
このような膨潤性樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト(以下、DFRとも呼ぶ)等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。 Examples of such a swellable resin film include photocuring used for a sheet formed from an elastomer having a predetermined amount of carboxyl groups, a dry film resist (hereinafter also referred to as DFR) for patterning printed wiring boards, and the like. And a sheet obtained by curing the entire surface of a curable alkali-developing resist, and thermosetting or alkali-developing sheet.
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー;アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー;及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量,架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂被膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは、1当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。 Specific examples of the elastomer having a carboxyl group include a diene elastomer such as a styrene-butadiene copolymer having a carboxyl group in the molecule by containing a monomer unit having a carboxyl group as a copolymerization component; acrylic acid Examples include acrylic elastomers such as ester copolymers; and polyester elastomers. According to such an elastomer, a swellable resin film having a desired alkali swelling degree can be formed by adjusting the acid equivalent, the degree of crosslinking or the degree of gelation of the elastomer dispersed as a suspension or emulsion. . The carboxyl group in the elastomer swells the swellable resin film with respect to the alkaline aqueous solution and acts to peel the swellable resin film from the surface of the insulating substrate. The acid equivalent is the polymer weight per equivalent of carboxyl groups.
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。 Specific examples of the monomer unit having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and the like.
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で100〜2000、さらには100〜800であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大きすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。 The content ratio of the carboxyl group in the elastomer having such a carboxyl group is preferably 100 to 2000, more preferably 100 to 800 in terms of acid equivalent. When the acid equivalent is too small, the compatibility with the solvent or other composition tends to decrease, whereby the resistance to the plating pretreatment liquid tends to decrease. Moreover, when an acid equivalent is too large, there exists a tendency for the peelability with respect to aqueous alkali solution to fall.
また、エラストマーの分子量としては、1万〜100万、さらには、2万〜6万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。 The molecular weight of the elastomer is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 20,000 to 60,000. When the molecular weight of the elastomer is too large, the releasability tends to decrease, and when it is too small, the viscosity decreases, so that it is difficult to maintain a uniform thickness of the swellable resin film, and plating pretreatment The resistance to the liquid also tends to deteriorate.
また、DFRとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂;エポキシ系樹脂;スチレン系樹脂;フェノール系樹脂;ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなDFRの具体例としては、特開2000−231190号公報、特開2001−201851号公報、特開平11−212262号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のDFRとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のUFGシリーズ等が挙げられる。 In addition, as DFR, a photocurable resin containing a photopolymerization initiator containing a predetermined amount of a carboxyl group, an acrylic resin; an epoxy resin; a styrene resin; a phenol resin; A sheet of a resin composition can be used. As specific examples of such DFR, a dry film of a photopolymerizable resin composition as disclosed in JP 2000-231190 A, JP 2001-201851 A, and JP 11-212262 A is used. Sheets obtained by curing, and commercially available as an alkali development type DFR, for example, UFG series manufactured by Asahi Kasei Corporation can be mentioned.
さらに、その他の膨潤性樹脂被膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂(例えば、吉川化工株式会社製の「NAZDAR229」)やフェノールを主成分とする樹脂(例えば、LEKTRACHEM社製「104F」)等が挙げられる。 Furthermore, as another example of the swellable resin film, a resin containing a carboxyl group and containing rosin as a main component (for example, “NAZDAR229” manufactured by Yoshikawa Chemical Co., Ltd.) or a resin containing phenol as a main component (for example, LEKTRACHEM “104F”) and the like.
膨潤性樹脂被膜は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基板に形成されたDFRを真空ラミネータ等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。 The swellable resin film was formed on the surface of the insulating substrate by applying a resin suspension or emulsion using a conventionally known application method such as a spin coat method or a bar coater method, followed by drying or a support substrate. After the DFR is bonded to the surface of the insulating substrate using a vacuum laminator or the like, it can be easily formed by curing the entire surface.
また、前記樹脂被膜としては、上記のものに加えて、以下のようなものが挙げられる。例えば、前記樹脂被膜を構成するレジスト材料としては、以下のようなものが挙げられる。 Moreover, as said resin film, in addition to the above, the following are mentioned. For example, the following are mentioned as a resist material which comprises the said resin film.
前記樹脂被膜を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、(1)後述の触媒被着工程で、樹脂被膜が形成された絶縁基材を浸漬させる液体(めっき核付け薬液)に対する耐性が高いこと、(2)後述の被膜除去工程、例えば、樹脂被膜が形成された絶縁基材をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜(レジスト)が容易に除去できること、(3)成膜性が高いこと、(4)ドライフィルム(DFR)化が容易なこと、(5)保存性が高いこと等が挙げられる。 Properties required for the resist material constituting the resin coating include, for example, (1) resistance to a liquid (plating nucleation chemical) in which an insulating substrate on which the resin coating is formed is immersed in a catalyst deposition step described later. (2) The film coating process described later, for example, the resin film (resist) can be easily removed by the step of immersing the insulating base material on which the resin film is formed in alkali, and (3) High film formability. (4) easy dry film (DFR) formation, (5) high storage stability, and the like.
めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Pd−Snコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性(pH1〜2)水溶液である。また、アルカリ性Pdイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ(pH8〜12)であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、pH1〜11、好ましくはpH1〜12に耐えることが必要である。なお、耐えうるとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜60℃、浸漬時間は、1〜10分間、レジスト膜厚は、1〜10μm程度が一般的であるが、これらに限定されない。
As the plating nucleating chemical solution, as will be described later, for example, in the case of an acidic Pd—Sn colloid catalyst system, all are acidic (pH 1-2) aqueous solutions. Moreover, in the case of an alkaline Pd ion catalyst system, the catalyst imparting activator is a weak alkali (pH 8 to 12), and the others are acidic. From the above, it is necessary to withstand
被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、NaOH水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのpHは、11〜14であり、好ましくはpH12から14でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。NaOH水溶液濃度は、1〜10%程度、処理温度は、室温〜50℃、処理時間は、1〜10分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。 As the alkali stripping chemical used in the film removal step, as will be described later, for example, an aqueous NaOH solution or an aqueous sodium carbonate solution is common. Its pH is 11 to 14, and it is desirable that the resist film can be easily removed preferably at pH 12 to 14. The NaOH aqueous solution concentration is generally about 1 to 10%, the processing temperature is room temperature to 50 ° C., the processing time is 1 to 10 minutes, and the immersion or spray treatment is generally performed, but is not limited thereto.
絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター(ロール、真空)で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜160℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた3層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。 Since a resist is formed on an insulating material, film formability is also important. A uniform film formation without repelling or the like is necessary. Moreover, although it is made into a dry film for the simplification of a manufacturing process, reduction of material loss, etc., the flexibility of a film is required in order to ensure handling property. Also, a dry film resist is pasted on the insulating material with a laminator (roll, vacuum). The pasting temperature is room temperature to 160 ° C., and the pressure and time are arbitrary. Thus, adhesiveness is required at the time of pasting. For this reason, the resist formed into a dry film is generally used as a three-layer structure sandwiched by a carrier film and a cover film to prevent dust from adhering, but is not limited thereto.
保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。 The best preservation is that it can be stored at room temperature, but it must also be refrigerated or frozen. As described above, it is necessary to prevent the composition of the dry film from being separated at low temperatures or to be cracked due to a decrease in flexibility.
また、前記樹脂被膜としては、(a)分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも1種類以上の単量体と(b)前記(a)単量体と重合しうる少なくとも1種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物からなるものが挙げられる。 The resin coating includes (a) at least one monomer of carboxylic acid or acid anhydride having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule and (b) the monomer (a). And a polymer resin obtained by polymerizing at least one monomer that can be polymerized with or a resin composition containing the polymer resin.
前記樹脂組成物(レジスト材料の樹脂組成物)としては、メイン樹脂(バインダー樹脂)として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーやその他添加剤の少なくとも1種類を添加してもよい。 As the resin composition (resin composition of resist material), the polymer resin is an essential component as a main resin (binder resin), and at least one of oligomers, monomers, fillers and other additives may be added. .
メイン樹脂は熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。その分子量としては、数平均分子量で1000〜500000程度であり、5000〜50000が好ましい。分子量が小さすぎると、膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性(耐酸性)が低下する傾向がある。また、分子量が大きすぎると、アルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる傾向がある。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。 The main resin is preferably a linear polymer with thermoplastic properties. In order to control fluidity and crystallinity, it may be branched by grafting. The molecular weight is about 1,000 to 500,000 in terms of number average molecular weight, preferably 5,000 to 50,000. If the molecular weight is too small, the flexibility of the film and the resistance to the plating nucleation solution (acid resistance) tend to decrease. Moreover, when molecular weight is too large, there exists a tendency for the sticking property at the time of using alkali peelability or a dry film to worsen. Furthermore, a crosslinking point may be introduced to improve resistance to plating nucleus chemicals, suppress thermal deformation during laser processing, and control flow.
メイン樹脂の組成としては、(a)分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有するカルボン酸または酸無水物の単量体と(b)(a)単量体と重合しうる単量体を重合させることで得られる。公知技術としては、例えば、特開平7−281437号公報、特開2000−231190号公報、及び特開2001−201851号公報に記載のもの等が挙げられる。(a)の一例として、例えば、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは2種類以上を組み合わせても良い。(b)の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を(一個)有するものが一般的であり、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、iso−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、tert.−ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシルエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシルプロピル(メタ)アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や(メタ)アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等が挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、3次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定する、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は、酸当量で100〜2000が良く、100〜800が好ましい。ここで酸当量とはその中に1当量のカルボキシル基を有するポリマーの重量をいう。その酸当量が低すぎる場合、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が高すぎる場合、剥離性が低下する傾向がある。また、(a)単量体の組成比率は、5〜70重量%である。 As the composition of the main resin, (a) a carboxylic acid or acid anhydride monomer having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule and (b) (a) a monomer that can be polymerized with the monomer It is obtained by polymerizing. Examples of known techniques include those described in JP-A-7-281437, JP-A-2000-231190, and JP-A-2001-201851. Examples of (a) include, for example, (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid half ester, butyl acrylate, etc., alone or 2 More than one type may be combined. Examples of (b) are generally non-acidic and have (one) polymerizable unsaturated group in the molecule, but are not limited thereto. It is selected so as to maintain various properties such as resistance in the plating process and flexibility of the cured film. Specifically, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert. -Butyl (meth) acrylate, 2-hydroxylethyl (meth) acrylate, 2-hydroxylpropyl (meth) acrylates, etc. are mentioned. Further, esters of vinyl alcohol such as vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene, or a polymerizable styrene derivative may be used. It can also be obtained by polymerization of only a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Furthermore, a monomer having a plurality of unsaturated groups is selected as a monomer used in the polymer so that it can be three-dimensionally cross-linked, such as an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, an amide group, a vinyl group in the molecular skeleton. Reactive functional groups can be introduced. When the carboxyl group is contained in the resin, the amount of the carboxyl group contained in the resin is preferably 100 to 2000, preferably 100 to 800, as an acid equivalent. Here, the acid equivalent means the weight of the polymer having 1 equivalent of a carboxyl group therein. When the acid equivalent is too low, there is a tendency that compatibility with a solvent or other composition is lowered or plating pretreatment solution resistance is lowered. Moreover, when an acid equivalent is too high, there exists a tendency for peelability to fall. Moreover, the composition ratio of (a) monomer is 5 to 70% by weight.
モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム(DFR)の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加する。具体的には、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、iso−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、tert.−ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシルエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシルプロピル(メタ)アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や(メタ)アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等も挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを二種類以上含むことも可能である。このモノマーの例としては、例えば、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、またポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ(メタ)アクリレート、2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)プロパンジ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、2,2−ビス(4−メタクリロキシペンタエトキシフェニル)プロパン、ウレタン基を含有する多官能(メタ)アクリレート等が挙げられる。また、上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。 Any monomer or oligomer may be used as long as it is resistant to plating nucleation chemicals and can be easily removed with alkali. In order to improve the sticking property of the dry film (DFR), it can be considered that it is used as a plasticizer as a tackifier. Further, a crosslinking agent is added to increase various resistances. Specifically, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert. -Butyl (meth) acrylate, 2-hydroxylethyl (meth) acrylate, 2-hydroxylpropyl (meth) acrylates, etc. are mentioned. In addition, esters of vinyl alcohol such as vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene, or a polymerizable styrene derivative are also included. It can also be obtained by polymerization of only a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Furthermore, a polyfunctional unsaturated compound may be included. Any of the above monomers or oligomers obtained by reacting the monomers may be used. In addition to the above monomers, it is possible to include two or more other photopolymerizable monomers. Examples of this monomer include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, Polyoxyalkylene glycol di (meth) acrylate such as polyoxyethylene polyoxypropylene glycol di (meth) acrylate, 2-di (p-hydroxyphenyl) propane di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (Meth) acrylate, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether tri (meth) acrylate, 2,2-bis (4-methyl) Methacryloxy pentaethoxy phenyl) propane, a polyfunctional (meth) acrylate containing urethane groups. Further, any of the above monomers or oligomers obtained by reacting the monomers may be used.
さらに、フィラーを含有してもよい。フィラーは特に限定されないが、具体的には、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。またレジストの厚みは、一般的に1〜10μmと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。 Furthermore, you may contain a filler. The filler is not particularly limited. Specifically, for example, silica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, clay, kaolin, titanium oxide, barium sulfate, alumina, zinc oxide, talc, mica, glass, titanic acid. Examples include potassium, wollastonite, magnesium sulfate, aluminum borate, and an organic filler. Moreover, since the resist thickness is generally as thin as 1 to 10 μm, a small filler size is preferable. Although it is preferable to use a material having a small average particle size and cut coarse particles, the coarse particles can be crushed during dispersion or removed by filtration.
その他の添加剤としては、例えば、光重合性樹脂(光重合開始剤)、重合禁止剤、着色剤(染料、顔料、発色系顔料)、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。 Other additives include, for example, photopolymerizable resins (photopolymerization initiators), polymerization inhibitors, colorants (dyes, pigments, coloring pigments), thermal polymerization initiators, and crosslinking agents such as epoxies and urethanes. Can be mentioned.
プリント板加工プロセスでは、例えば、レーザ加工が用いられる場合があるが、本発明の回路基板Aを形成するにあたってレーザ加工の場合、レジスト材料にレーザによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザ加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、UV−YAGレーザなどが選定される。これらのレーザ加工機は、種々の固有の波長を持っており、この波長に対して吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもUV−YAGレーザは微細加工に適しており、レーザ波長は3倍高調波355nm、4倍高調波266nmであるため、これらの波長に対して、吸収率が高いことが望ましい。一方、吸収率がある程度低い材料のほうが好ましい場合もある。具体的には、例えば、UV吸収率の低いレジストを用いると、UV光がレジストを透過するので、下地の絶縁層加工にエネルギを集中させることができる。すなわち、レーザ光の吸収率によって、利点が異なるので、状況に応じて、レジストのレーザ光の吸収率を調整したレジストを用いることが好ましい。レジスト材料としては、これらの波長に対して、吸収率が50%以上になることが望ましい。 In the printed board processing process, for example, laser processing may be used, but in the case of laser processing in forming the circuit board A of the present invention, it is necessary to impart a laser ablation property to the resist material. As the laser processing machine, for example, a carbon dioxide laser, an excimer laser, a UV-YAG laser, or the like is selected. These laser processing machines have various intrinsic wavelengths, and productivity can be improved by using a material having a high absorption rate for these wavelengths. Among them, the UV-YAG laser is suitable for fine processing, and the laser wavelength is 3rd harmonic 355 nm and 4th harmonic 266 nm. Therefore, it is desirable that the absorption rate is high with respect to these wavelengths. On the other hand, a material having a somewhat low absorption rate may be preferable. Specifically, for example, when a resist having a low UV absorption rate is used, the UV light transmits through the resist, so that energy can be concentrated on the underlying insulating layer processing. That is, since the advantages differ depending on the absorption rate of the laser beam, it is preferable to use a resist in which the absorption rate of the laser beam of the resist is adjusted according to the situation. The resist material desirably has an absorptance of 50% or higher for these wavelengths.
<回路パターン形成工程>
回路パターン形成工程は、絶縁基材1に回路溝3等の回路パターン部32を形成する工程である。回路パターン部32としては、上述したように、回路溝3だけではなく、前記樹脂被膜2及び前記絶縁基材1を厚み方向で貫通する貫通孔4であってもよい。
<Circuit pattern formation process>
The circuit pattern forming step is a step of forming the
前記回路パターン部32を形成する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記樹脂被膜2が形成された絶縁基材1に、前記樹脂被膜2の外表面側から、レーザ加工、及びダイシング加工等の切削加工や型押加工等の機械加工等を施すことにより、所望の形状及び深さの回路溝3を形成させる方法等が挙げられる。高精度の微細な回路を形成する場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられうる。
A method for forming the
また、前記回路パターン部32として、ビアホール等を形成するための貫通孔4を形成してもよい。
Further, as the
この工程により、前記回路溝3の形状及び深さや前記貫通孔4の径及び位置等の回路パターン部の形状が規定される。また、前記回路パターン形成工程は、前記樹脂被膜2の厚み分以上掘り込めばよく、前記樹脂被膜2の厚み分掘り込んでもよいし、前記樹脂被膜2の厚み分を超えて掘り込んでもよい。ここで、絶縁基材1が平板状の場合、高密度部30における絶縁基材1の回路溝3の形成面と反対側の面から回路溝3の底部3aまでの距離RHと、低密度部31における絶縁基材1の回路溝3の形成面と反対側の面から回路溝3の底部3aまでの距離RLとが等しく、RH=RLに形成されているのが好ましい。尚、平板状の絶縁基材1は上面及び下面が平坦面に形成された絶縁基材1のことを指す。また、絶縁基材1の回路溝3の形成面とは絶縁基材1の回路溝3の開口する面を意味し、図1では絶縁基材1の上面のことを指す。また、絶縁基材1の回路溝3の形成面と反対側の面とは絶縁基材1の回路溝3の開口しない面を意味し、図1では絶縁基材1の下面のことを指す。
By this step, the shape of the circuit pattern portion such as the shape and depth of the
前記回路パターン形成工程で形成される回路溝3等の回路パターン部32の幅は特に限定されない。なお、レーザ加工を用いた場合には、線幅20μm以下のような微細な回路も容易に形成できる。また、回路溝3の深さは、フィルアップめっきにより、電気回路6と絶縁基材1とに段差をなくした場合には電気回路6の厚み寸法となる。
The width of the
<触媒被着工程>
触媒被着工程は、前記回路溝3等の回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜2の表面にめっき触媒又はその前駆体を被着させる工程である。このとき、貫通孔4が形成されている場合、貫通孔4内壁表面にもめっき触媒又はその前駆体が被着される。
<Catalyst deposition process>
The catalyst deposition step is a step of depositing a plating catalyst or its precursor on the surface of the circuit pattern portion such as the
前記めっき触媒又はその前駆体5は、前記めっき処理工程において無電解めっきにより無電解めっき膜を形成したい部分にのみ無電解めっき膜を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜の除去後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
The plating catalyst or its
めっき触媒又はその前駆体5を被着させる方法としては、例えば、pH1〜3の酸性条件下で処理される酸性Pd−Snコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。
Examples of the method of depositing the plating catalyst or its
はじめに、回路溝3及び貫通孔4が形成された絶縁基材1の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液(クリーナー・コンディショナー)中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、pH1〜2の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度0.1%程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材1表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、pH1〜3の酸性Pd−Snコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりPd及びSnを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応(SnCl2+PdCl2→SnCl4+Pd↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
First, oil or the like adhering to the surface of the insulating
なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Pd−Snコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。 In addition, as an acidic plating catalyst colloid solution, a well-known acidic Pd-Sn colloid catalyst solution etc. can be used, and the commercially available plating process using an acidic plating catalyst colloid solution may be used. Such a process is systematized and sold by Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd., for example.
このような触媒被着処理によって、前記回路溝3の表面(底面及び側面)、前記貫通孔4の内壁表面、及び前記樹脂被膜2の表面にめっき触媒又はその前駆体5を被着させることができる。
By such catalyst deposition treatment, the plating catalyst or its
<被膜除去工程>
被膜除去工程は、前記触媒被着工程を施した絶縁基材1から前記樹脂被膜2を除去する工程である。
<Film removal process>
The coating removal step is a step of removing the
前記樹脂被膜2を除去する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、所定の溶液(膨潤液)で前記樹脂被膜2を膨潤させた後に、前記絶縁基材1から前記樹脂被膜2を剥離させる方法、所定の溶液(膨潤液)で前記樹脂被膜2を膨潤させ、さらに一部を溶解させた後に、前記絶縁基材1から前記樹脂被膜2を剥離させる方法、及び所定の溶液(膨潤液)で前記樹脂被膜2を溶解させて除去する方法等が挙げられる。前記膨潤液としては、前記樹脂被膜2を膨潤させることができるものであれば、特に限定されない。また、前記膨潤又は溶解は、前記樹脂被膜2で被覆された前記絶縁基材1を前記膨潤液に所定時間浸漬させること等によって行う。そして、その浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。
The method for removing the
また、前記樹脂被膜2として、前記膨潤性樹脂被膜を用いた場合について、説明する。
The case where the swellable resin film is used as the
前記膨潤性樹脂被膜2を膨潤させる液体(膨潤液)としては、前記絶縁基材1、及び前記めっき触媒又はその前駆体5を実質的に分解又は溶解させることなく、前記膨潤性樹脂被膜2を膨潤又は溶解させることができる液体であれば特に限定なく用いられうる。また、前記膨潤性樹脂被膜2を容易に剥離される程度に膨潤させうる液体が好ましい。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜2の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーや、(a)分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも1種類以上の単量体と(b)前記(a)単量体と重合しうる少なくとも1種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、1〜10%程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。
As the liquid (swelling liquid) for swelling the
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するめっきプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜2が、酸性条件下においては膨潤度が60%以下、好ましくは40%以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が50%以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマー、(a)分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも1種類以上の単量体と(b)前記(a)単量体と重合しうる少なくとも1種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜は、pH12〜14であるようなアルカリ水溶液、例えば、1〜10%程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。
In the case of using a plating process that is performed under acidic conditions as described above in the catalyst deposition step, the swelling
また、前記樹脂被膜としては、(a)分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも1種類以上の単量体と、(b)前記(a)単量体と重合しうる少なくとも1種類以上の単量体とを重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物からなるものであることが好ましい。このような樹脂被膜を用いれば、絶縁基材表面に樹脂被膜を容易に形成することができる。よって、高精度な電気回路を絶縁基材上により容易に形成することができる。また、このような樹脂被膜は、前記被膜除去工程で用いる液体で溶解させることができるものが多く、剥離除去だけでなく、溶解除去も有効に用いることができる。 In addition, as the resin film, (a) at least one monomer of carboxylic acid or acid anhydride having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule, and (b) the (a) single monomer It is preferable to consist of a polymer resin obtained by polymerizing at least one kind of monomer that can be polymerized with a polymer or a resin composition containing the polymer resin. If such a resin film is used, the resin film can be easily formed on the surface of the insulating substrate. Therefore, a highly accurate electric circuit can be more easily formed on the insulating substrate. In addition, many of these resin films can be dissolved by the liquid used in the film removal step, and not only peeling and removal but also dissolution and removal can be used effectively.
膨潤性樹脂被膜2を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜2で被覆された絶縁基材1を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
Examples of the method for swelling the
<めっき処理工程>
めっき処理工程は、前記樹脂被膜2を除去した後の前記絶縁基材1に無電解めっき処理を施す工程である。尚、本発明では無電解めっき処理の代わりに、電解めっき処理を行っても良い。
<Plating process>
The plating process is a process of performing an electroless plating process on the insulating
前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒又はその前駆体5が被着された絶縁基材1を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒又はその前駆体5が被着された部分のみに無電解めっき層6aを析出させるような方法等が用いられうる。無電解めっき層6aは、回路溝3及び貫通孔4に完全に充填され、無電解めっき層6aの表面が絶縁基材1の表面に突出しないように形成する。また、高密度部30における無電解めっき層6aの厚みTHと、低密度部31における無電解めっき層6aの厚みTLとが等しく、TH=TLに形成されるのが好ましい。尚、無電解めっき層6aの厚みは回路基板に形成される電気回路6の導体厚みのことである。
As a method of the electroless plating treatment, the insulating
無電解めっきに用いられる金属としては、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、アルミニウム(Al)等が挙げられる。これらの中では、Cuを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Niを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。 Examples of the metal used for electroless plating include copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and aluminum (Al). In these, the plating which has Cu as a main component is preferable from the point which is excellent in electroconductivity. Moreover, when Ni is included, it is preferable from the point which is excellent in corrosion resistance and adhesiveness with a solder.
めっき処理工程により、絶縁基材1表面のめっき触媒又はその前駆体5が残留する部分のみに無電解めっきが析出する。そのために、回路パターン部32を形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路パターン部32を形成していない部分に対する無電解めっきの析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な電気回路6を複数本形成するような場合でも、隣接する電気回路6、6間に不要なめっきが残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
By the plating process, electroless plating is deposited only on the portion where the plating catalyst or its
<デスミア処理工程>
上記の回路基板Aの製造方法において、前記めっき処理工程を施した後、具体的には、フィルアップめっきを施す前又は施した後に、デスミア処理を施すデスミア処理工程をさらに備えていてもよい。デスミア処理を施すことによって、無電解めっき膜に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、得られた回路基板を備える多層回路基板を想定した場合、前記絶縁基材の、無電解めっき膜が形成されていない部分の表面を粗し、前記回路基板の上層等との密着性を向上させることができる。さらに、ビア底にデスミア処理を施してもよい。そうすることによって、ビア底に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、前記デスミア処理としては、特に限定されず、公知のデスミア処理を用いることができる。具体的には、例えば、過マンガン酸溶液等に浸漬する処理等が挙げられる。
<Desmear treatment process>
In the manufacturing method of said circuit board A, after giving the said plating process process, specifically, before giving a fill-up plating, or after giving, you may further provide the desmear process process which performs a desmear process. By applying desmear treatment, unnecessary resin adhered to the electroless plating film can be removed. Further, when assuming a multilayer circuit board provided with the obtained circuit board, the surface of the insulating base material where the electroless plating film is not formed is roughened, and the adhesion with the upper layer of the circuit board is improved. Can be improved. Further, a desmear process may be performed on the via bottom. By doing so, unnecessary resin adhered to the via bottom can be removed. Moreover, it does not specifically limit as said desmear process, A well-known desmear process can be used. Specifically, the process etc. which are immersed in a permanganic acid solution etc. are mentioned, for example.
以下本発明を実施例によって具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples.
(実施例1)
厚み100μmの絶縁基材1(パナソニック電工(株)製のR1766、エポキシ樹脂使用)の表面に2μm厚のスチレン−ブタジエン共重合体(SBR)の樹脂被膜2を形成した。なお、樹脂被膜2の形成は、前記絶縁基材1の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体(SBR)のメチルエチルケトン(MEK)サスペンジョン(日本ゼオン(株)製、酸当量600、粒子径200nm、固形分15%)を塗布し、80℃で30分間乾燥することにより行った。
Example 1
A
そして、樹脂被膜2が形成された絶縁基材1に対して、レーザー加工により幅20μm、深さ30μmの略長方形断面の溝形成加工を行って複数の回路溝3を形成した。なお、レーザー加工にはUV−YAGレーザーを備えたESI社製のMODEL5330を用いた。
Then, a plurality of
次に、回路溝3が形成された絶縁基材1をクリーナーコンディショナー(界面活性剤溶液、pH<1:ローム&ハース電子材料(株)製C/N3320)中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のpH<1のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。この後、PD404(シプレイ・ファーイースト(株)製、pH<1)を用いてプリディップ工程を行った。次に、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むpH1の酸性Pd−Snコロイド溶液(CAT44、シプレイ・ファーイースト(株)製)に浸漬することにより、無電解銅めっきの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で絶縁基材1の回路溝3の底面及び側面並びに樹脂被膜2の表面に吸着させた。
Next, the insulating
次に、pH<1のアクセラレータ薬液(ACC19E、シプレイ・ファーイースト(株)製)に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。そして、絶縁基材1をpH14の5%水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら10分間浸漬した。これにより、表面の樹脂被膜(SBR被膜)2は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、絶縁基材1の表面に樹脂被膜2の断片等が残っていなかった。次に、絶縁基材1を無電解めっき液(CM328A,CM328L、CM328C、シプレイ・ファーイースト(株)製)に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。無電解銅めっき処理により、回路溝3に無電解銅めっき層6aが析出し、電気回路6が形成された。尚、無電解銅めっき処理された絶縁基材1の表面をSEM(走査型顕微鏡)により観察したところ、溝形成加工された部分(回路溝3の部分)のみに、正確に無電解めっき層6aが形成されていた。
Next, palladium nuclei were generated by immersing in an accelerator chemical solution (ACC19E, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) having pH <1. Then, the insulating
このようにして形成された回路基板Aでは、電気回路6のライン幅Lが20μmで、高密度部30における隣り合う電気回路6、6の間隔WHが20μmで、低密度部31における隣り合う電気回路6、6の間隔WLが50000μmであった。また、上記の回路基板Aでは、エロージョンのような凹みは形成されず、高密度部30における絶縁基材1及び電気回路6の各表面と、低密度部31における絶縁基材1及び電気回路6の各表面とが面一に形成されていた。
In the circuit board A thus formed, the line width L of the
そして、この回路基板Aの表面にプリプレグを重ね合わせた後、加熱加圧成形して絶縁層を形成すると、圧力低下が生じないようにすることができ、積層カスレ不良が発生しなかった。また、前記絶縁層の表面に回路形成を形成した場合にレーザー加工深度がばらつかないようにすることができ、導体断面積(電気回路の断面積)のばらつきや電気回路の抵抗値に影響を与えないようにすることができた。さらに、前記絶縁層の厚みが電気回路の低密度部と高密度部で一定であるため、電気回路の低密度部と高密度部とでインピーダンスがばらつかずに回路設計の余裕があった。 When an insulating layer is formed by superposing a prepreg on the surface of the circuit board A and then forming by heating and pressurizing, it is possible to prevent a pressure drop from occurring, and no stacking defects occur. In addition, when the circuit formation is formed on the surface of the insulating layer, it is possible to prevent the laser processing depth from varying, which affects the variation in the conductor cross-sectional area (electric circuit cross-sectional area) and the resistance value of the electric circuit. I was able to avoid giving it. Furthermore, since the thickness of the insulating layer is constant between the low density portion and the high density portion of the electric circuit, the impedance does not vary between the low density portion and the high density portion of the electric circuit, and there is a margin for circuit design.
(実施例2)
スチレン−ブタジエン共重合体(SBR)のメチルエチルケトン(MEK)サスペンジョン(日本ゼオン(株)製、酸当量600、粒子径200nm、固形分15%)の代わりに、カルボキシル基含有重合体(日本ゼオン(株)製、酸当量500、重量平均分子量25000、固形分20%)を用いた以外、実施例1と同様に行った。
(Example 2)
Instead of methyl ethyl ketone (MEK) suspension (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., acid equivalent 600, particle size 200 nm, solid content 15%) of styrene-butadiene copolymer (SBR), a carboxyl group-containing polymer (Nippon Zeon Co., Ltd.) ), Acid equivalent 500, weight average molecular weight 25000,
このとき、pH14の水酸化ナトリウム5%水溶液に対する膨潤度は1000%であった。一方、pH1の塩酸5%水溶液に対する膨潤度は30%であった。
At this time, the degree of swelling with respect to a 5% aqueous solution of sodium hydroxide at pH 14 was 1000%. On the other hand, the degree of swelling with respect to a 5% hydrochloric acid aqueous solution at
A 回路基板
1 絶縁基材
3 回路溝
6 電気回路
30 高密度部
31 低密度部
A
Claims (3)
A circuit board having a plurality of circuit grooves in an insulating base material and having an electric circuit formed by a plating layer filled in each circuit groove, wherein the electric circuit is densely formed and a dense portion The low-density portion is formed, and the conductor thickness of the electric circuit in the high-density portion is equal to the conductor thickness of the electric circuit in the low-density portion. Circuit board.
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