JP5075157B2 - Wiring substrate manufacturing method and wiring substrate obtained by the manufacturing method - Google Patents

Wiring substrate manufacturing method and wiring substrate obtained by the manufacturing method Download PDF

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Description

配線基材の製造方法及び該製造方法により得られた配線基材に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring substrate and a wiring substrate obtained by the manufacturing method.

近年、携帯電話をはじめとする携帯情報端末機器;コンピュータ及びその周辺機器;各種情報家電製品、等の電気機器においては、高機能化が急速に進行している。それに伴い、これら電気機器に搭載される回路基板には回路の高密度化がますます要求されている。このような回路基板の高密度化を実現するために、より狭い線幅及び線間隔を有する回路を正確に形成する方法が求められている。高密度化された配線においては、配線間における短絡やマイグレーションの発生が生じやすくなる。さらに、積層数が増えることにより、回路形成平面に生じる凹凸が大きくなることにより微細回路の形成が困難になってきた。   2. Description of the Related Art In recent years, functions of mobile information terminal devices such as mobile phones; computers and peripheral devices; Accordingly, circuit boards mounted on these electrical devices are increasingly required to have higher circuit density. In order to realize such a high density circuit board, a method for accurately forming a circuit having a narrower line width and line spacing is required. In high-density wiring, short-circuiting or migration between wirings easily occurs. Furthermore, as the number of stacked layers increases, it becomes difficult to form a fine circuit due to an increase in unevenness generated on the circuit formation plane.

従来から、プリント配線板の回路形成方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法は、絶縁基材表面に被着された金属箔の不要な部分を除去(サブトラクティブ)し、回路を形成したい部分の金属箔のみを残すことにより回路を形成する方法である。一方、アディティブ法は、絶縁基材上の回路形成部分のみに無電解メッキを施すことにより、所定の回路を形成する方法である。   Conventionally, a subtractive method and an additive method are known as a method for forming a circuit of a printed wiring board. The subtractive method is a method of forming a circuit by removing an unnecessary portion of the metal foil deposited on the surface of the insulating base material (subtractive) and leaving only the portion of the metal foil where the circuit is to be formed. On the other hand, the additive method is a method of forming a predetermined circuit by performing electroless plating only on a circuit forming portion on an insulating substrate.

サブトラクティブ法は、厚膜の銅箔をエッチングすることにより、回路形成部分のみの金属箔を残し、その他の部分を除去するような方法であるために、除去される部分の銅を浪費することになり、製造コストの点で不利である。一方、アディティブ法は、回路形成部分のみに無電解メッキを用いて導電層を形成するために、資源の無駄がない点から好ましい方法である。   In the subtractive method, by etching a thick copper foil, the metal foil of only the circuit forming part is left, and the other part is removed. Therefore, the copper of the removed part is wasted. This is disadvantageous in terms of manufacturing cost. On the other hand, the additive method is a preferable method because there is no waste of resources because the conductive layer is formed only on the circuit forming portion by using electroless plating.

従来の代表的なアディティブ法の一つであるフルアディティブ法について、図5(A)〜図5(E)の模式断面図を参照しながら説明する。   A full additive method, which is one of conventional representative additive methods, will be described with reference to schematic cross-sectional views of FIGS. 5 (A) to 5 (E).

はじめに、図5(A)に示すように、スルーホール101が設けられた絶縁基材100の表面に触媒金属102を被着させる。なお、絶縁基材100の表面は、予め粗化されている。次に、図5(B)に示すように、フォトレジスト層103を形成する。次に、図5(C)に示すように、所定の回路パターンが形成されたフォトマスク110を介してフォトレジスト層103の表面を露光する。次に、図5(D)に示すように、回路パターンを現像する。そして、図5(E)に示すように、現像により形成された回路パターンの表面及びスルーホール101の内壁面に無電解銅メッキを施すことにより金属配線104を形成する。このような工程により絶縁基材100に回路が形成される。   First, as shown in FIG. 5A, a catalytic metal 102 is deposited on the surface of an insulating substrate 100 provided with a through hole 101. Note that the surface of the insulating substrate 100 is roughened in advance. Next, as shown in FIG. 5B, a photoresist layer 103 is formed. Next, as shown in FIG. 5C, the surface of the photoresist layer 103 is exposed through a photomask 110 on which a predetermined circuit pattern is formed. Next, as shown in FIG. 5D, the circuit pattern is developed. Then, as shown in FIG. 5E, the metal wiring 104 is formed by performing electroless copper plating on the surface of the circuit pattern formed by development and the inner wall surface of the through hole 101. A circuit is formed on the insulating substrate 100 by such a process.

上述した従来のアディティブ法においては、絶縁基材100の表面全体に触媒金属102が被着される。そのために、次のような問題が生じていた。すなわち、フォトレジスト層103が高精度に現像された場合には、フォトレジストで保護されていない部分のみにメッキを形成させることができる。しかし、フォトレジスト層103が高精度に現像されなかった場合には、図6に示すように、本来メッキを形成したくない部分に不要なメッキ部分105が残ることがある。これは、絶縁基材100の表面全体に触媒金属102が被着されているために起こる。不要なメッキ部分105は、隣接する回路間に短絡やマイグレーションを引き起こす。このような短絡やマイグレーションは、線幅及び線間隔が狭い回路を形成する場合にはより生じやすくなる。   In the conventional additive method described above, the catalytic metal 102 is deposited on the entire surface of the insulating substrate 100. As a result, the following problems have arisen. That is, when the photoresist layer 103 is developed with high accuracy, plating can be formed only on the portions not protected by the photoresist. However, when the photoresist layer 103 is not developed with high accuracy, an unnecessary plated portion 105 may remain in a portion where the plating is not originally formed as shown in FIG. This occurs because the catalytic metal 102 is deposited on the entire surface of the insulating substrate 100. The unnecessary plated portion 105 causes a short circuit or migration between adjacent circuits. Such a short circuit or migration is more likely to occur when a circuit having a narrow line width and line interval is formed.

このような問題を解決すべく、下記特許文献1には、絶縁基板に溶剤可溶性の第1の感光性樹脂層とアルカリ可溶性の第2の感光性樹脂層を形成し、第1及び第2の感光性樹脂層を所定の回路パターンを有するフォトマスクを介して露光した後、第1及び第2の感光性樹脂層を現像し、現像により生じた凹部を含む表面全体に触媒を吸着させた後、アルカリ可溶性の第2の感光性樹脂をアルカリ溶液で溶解させることにより不要な触媒を除去し、その後無電解メッキを施すことにより触媒が存在する部分のみに正確に回路を形成する方法が記載されている。しかしながら、このような方法によれば、溶剤溶解性の異なる2種の感光性樹脂層を形成し、また、現像時においても2種の溶剤で現像し、触媒を吸着させた後にさらに、アルカリ溶液で第2の感光性樹脂を溶解させる必要があるなど、製造工程が非常に煩雑であった。   In order to solve such a problem, the following Patent Document 1 discloses that the first and second solvent-soluble first photosensitive resin layers and the alkali-soluble second photosensitive resin layer are formed on the insulating substrate. After the photosensitive resin layer is exposed through a photomask having a predetermined circuit pattern, the first and second photosensitive resin layers are developed, and the catalyst is adsorbed on the entire surface including the concave portions generated by the development. A method is described in which an unnecessary catalyst is removed by dissolving an alkali-soluble second photosensitive resin in an alkaline solution, and then an electroless plating is performed to form a circuit accurately only in a portion where the catalyst exists. ing. However, according to such a method, two types of photosensitive resin layers having different solvent solubility are formed, and also during development, after developing with two types of solvent and adsorbing the catalyst, an alkaline solution is further added. The manufacturing process is very complicated, such as the need to dissolve the second photosensitive resin.

また、下記特許文献2には、絶縁基板上に樹脂あるいは金属の保護膜をコーティングする第1の工程と、上記保護膜をコーティングした絶縁基板上に機械加工あるいはレーザービームの照射により配線パターンに対応した溝及びスルーホールを単独又は同時に描画形成する第2の工程と、上記絶縁基板全面に活性化層を形成したのち上記保護膜を剥離して上記絶縁基板上の活性化層を除去し溝およびスルーホールの内壁面のみに活性化層を残す第3の工程と、上記絶縁基板にメッキ保護膜を用いないメッキを施し上記活性化された溝およびスルーホールの内壁面のみに選択的に導電層を形成する第4の工程とを備えたことを特徴とする印刷配線板の製造方法が記載されている。   In Patent Document 2 below, a first process of coating a protective film made of resin or metal on an insulating substrate, and a wiring pattern by machining or laser beam irradiation on the insulating substrate coated with the protective film. A second step of drawing and forming the groove and through hole individually or simultaneously, and after forming an activation layer on the entire surface of the insulating substrate, the protective film is peeled off to remove the activation layer on the insulating substrate and remove the groove and A third step of leaving an activation layer only on the inner wall surface of the through hole; and a conductive layer selectively applied only to the inner surface of the activated groove and through hole by plating the insulating substrate without using a plating protective film. And a fourth step of forming the printed wiring board.

そして、該特許文献2には、絶縁基板上に保護膜として熱硬化性樹脂をコーティングし加熱硬化させ、スクライバー、ボール盤等を用いて所定の配線パターンに従って保護膜及び絶縁基板を切削加工し、次に、保護膜及び絶縁基板の全面に無電解メッキに対する活性化処理を行い、絶縁基板表面の熱硬化性樹脂を溶剤で除去することにより必要な部分のみの活性化層を残した後、無電解メッキを行うことにより必要部分のみに選択的に導電層を形成することが記載されている(特許文献2第2頁左下欄第16行〜右下欄第11行)。   In Patent Document 2, a thermosetting resin is coated on an insulating substrate as a protective film and heated and cured, and the protective film and the insulating substrate are cut according to a predetermined wiring pattern using a scriber, a drilling machine, etc. In addition, an activation process for electroless plating is performed on the entire surface of the protective film and the insulating substrate, and the thermosetting resin on the surface of the insulating substrate is removed with a solvent to leave only the necessary activation layer, and then electroless It is described that a conductive layer is selectively formed only on necessary portions by plating (Patent Document 2, page 2, lower left column, line 16 to lower right column, line 11).

上記特許文献2に記載された保護膜として用いられる熱硬化性樹脂については、その種類については特に記載されていない。一般的な熱硬化性樹脂は硬質であり、耐溶剤性にも優れているために単なる溶剤では除去しにくいという問題があった。また、このような熱硬化性樹脂は、樹脂基材との密着性が高すぎて、樹脂基材の表面に保護膜の断片等を残すことなく、保護膜のみを容易且つ正確に除去することは困難であった。また、充分に剥離しようとして強い溶剤を用いたり、長時間浸漬したりした場合には、基材表面の触媒金属等も除去されてしまい、そのメッキが除去された部分には導電層が形成ざれなくなって短絡の原因になるというような問題があった。また、強い溶剤を用いたり、長時間浸漬したりした場合には、熱硬化性樹脂からなる保護膜がバラバラになるように崩れ、保護膜中の触媒金属が溶剤中に再分散されることがあった。そして、このような溶剤中に再分散された触媒金属は、樹脂基材表面に再付着してしまい、その部分に不要なメッキ膜の形成がなされてしまうおそれがあった。そのために特許文献2に開示された方法のように、一般的な熱硬化性樹脂により絶縁基板表面を被覆し、後に、除去する方法によれば、保護膜を正確に除去することが困難であった。   About the thermosetting resin used as a protective film described in the said patent document 2, the kind in particular is not described. Since general thermosetting resins are hard and have excellent solvent resistance, there is a problem that they are difficult to remove with a simple solvent. Further, such a thermosetting resin has an adhesiveness to the resin base material that is too high, so that only the protective film can be easily and accurately removed without leaving a piece of the protective film on the surface of the resin base material. Was difficult. In addition, if a strong solvent is used for sufficient peeling or if the substrate is immersed for a long time, the catalyst metal and the like on the surface of the base material are also removed, and a conductive layer may not be formed in the portion where the plating is removed. There was a problem that it would disappear and cause a short circuit. In addition, when a strong solvent is used or when immersed for a long time, the protective film made of thermosetting resin may collapse so that the catalyst metal in the protective film is redispersed in the solvent. there were. And the catalyst metal re-dispersed in such a solvent reattaches to the resin base material surface, and there exists a possibility that formation of an unnecessary plating film may be made in the part. For this reason, according to the method disclosed in Patent Document 2, the surface of the insulating substrate is covered with a general thermosetting resin, and later, it is difficult to accurately remove the protective film. It was.

特開昭57−134996号公報JP-A-57-134996 特開昭58−186994号公報JP 58-186994 A

本発明は、アディティブ法を用いて微細な回路を形成する際に、容易な方法で、所定の回路パターンの輪郭を高精度に維持した回路形成が可能な配線基材の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention provides a method of manufacturing a wiring substrate capable of forming a circuit while maintaining the outline of a predetermined circuit pattern with high accuracy by an easy method when forming a fine circuit using the additive method. With the goal.

本発明の配線基材の製造方法は、絶縁基材表面に膨潤性樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程と、前記膨潤性樹脂皮膜の外表面を基準として前記皮膜の厚み分または該厚み分を超える深さを有する回路溝を形成する回路溝形成工程と、前記回路溝の表面及び前記膨潤性樹脂皮膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、前記膨潤性樹脂皮膜を所定の液体で膨潤させることにより、前記絶縁基材表面から前記膨潤性樹脂皮膜を剥離する皮膜剥離工程と、前記膨潤性樹脂皮膜を剥離した後に、触媒金属が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ処理工程と、を備えることを特徴とする。このような製造方法によれば、絶縁基材上に膨潤性樹脂皮膜を形成した後、レーザー加工等を用いて所定のパターンの回路溝を形成し、膨潤性樹脂皮膜でメッキ膜を形成させない部分を保護した状態で、回路溝部分に触媒金属を付与し、膨潤性樹脂皮膜を膨潤させて剥離することにより、不要な触媒金属を容易に除去することができる。このような工程により、触媒金属が残留した回路溝部分のみに無電解メッキを施すことができる。それにより形成される回路パターンの輪郭を高精度に維持することができる。その結果、例えば、一定の間隔を空けて複数の回路線を形成するような場合においても、回路線間に無電解メッキ膜の断片等が残留せず、短絡やマイグレーションの発生を抑制することができる。   The method for producing a wiring substrate of the present invention includes a film forming step of forming a swellable resin film on the surface of an insulating substrate, and the thickness of the film or exceeding the thickness based on the outer surface of the swellable resin film A circuit groove forming step for forming a circuit groove having a depth; a catalyst deposition step for depositing a catalyst metal on the surface of the circuit groove and the surface of the swellable resin film; and the swellable resin film on a predetermined liquid. And a film peeling step for peeling off the swellable resin film from the surface of the insulating substrate, and after peeling off the swellable resin film, an electroless plating film is formed only on the portion where the catalyst metal remains. And a plating process step. According to such a manufacturing method, after a swellable resin film is formed on an insulating substrate, a circuit groove having a predetermined pattern is formed using laser processing or the like, and the plating film is not formed with the swellable resin film In a state in which the catalyst is protected, an unnecessary catalyst metal can be easily removed by applying a catalyst metal to the circuit groove portion and swelling and swelling the swellable resin film. By such a process, electroless plating can be performed only on the circuit groove portion where the catalyst metal remains. As a result, the contour of the circuit pattern formed can be maintained with high accuracy. As a result, for example, even in the case where a plurality of circuit lines are formed with a certain interval, an electroless plating film fragment or the like does not remain between the circuit lines, thereby suppressing the occurrence of short circuits and migration. it can.

本発明の製造方法においては、前記触媒被着工程が酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記皮膜剥離工程がアルカリ性溶液中で前記膨潤性樹脂皮膜を膨潤させる工程を備え、前記膨潤性樹脂皮膜が、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対しては膨潤せず、前記アルカリ性溶液に対しては膨潤する樹脂皮膜であることが好ましい。このような製造方法によれば、膨潤性樹脂皮膜は酸性条件で処理される触媒被着工程では剥離せず、触媒被着工程の後のアルカリ性溶液で処理される皮膜剥離工程において選択的に剥離される。従って、触媒被着工程においてはメッキを形成させない部分を正確に保護し、触媒の被着後には膨潤性樹脂皮膜を剥離させることができるために、より正確な回路形成が可能になる。この場合においては、前記膨潤性樹脂皮膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が10%以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が50%以上であることが好ましい。   In the production method of the present invention, the catalyst deposition step includes a step of treating in an acidic catalyst metal colloid solution, and the film peeling step includes a step of swelling the swellable resin film in an alkaline solution, and the swelling The conductive resin film is preferably a resin film that does not swell with respect to the acidic catalyst metal colloid solution and swells with respect to the alkaline solution. According to such a manufacturing method, the swellable resin film does not peel in the catalyst deposition process treated under acidic conditions, but selectively peels off in the film peeling process treated with an alkaline solution after the catalyst deposition process. Is done. Therefore, in the catalyst deposition step, the portion where plating is not formed can be accurately protected, and the swellable resin film can be peeled off after deposition of the catalyst, so that more accurate circuit formation is possible. In this case, the swelling resin film preferably has a degree of swelling with respect to the acidic catalyst metal colloid solution of 10% or less and a degree of swelling with respect to the alkaline solution of 50% or more.

上記のようなアルカリ性の液性条件で選択的に剥離される膨潤性樹脂皮膜としては、カルボキシル基を有する、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー、のようなエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂皮膜が挙げられる。このようなエラストマーによれば、酸当量、架橋度またはゲル化度を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性皮膜を容易に形成することができる。これらの中でも、カルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体からなるジエン系エラストマーが特に好ましい。   Examples of swellable resin films that are selectively peeled off under alkaline liquid conditions as described above include suspensions or emulsions of elastomers such as diene elastomers, acrylic elastomers, and polyester elastomers having carboxyl groups. A resin film formed by applying and then drying is mentioned. According to such an elastomer, it is possible to easily form a swellable film having a desired degree of swelling by adjusting the acid equivalent, the degree of crosslinking or the degree of gelation. Among these, a diene elastomer comprising a styrene-butadiene copolymer having a carboxyl group is particularly preferable.

また、前記膨潤性樹脂皮膜としては、酸当量100〜800のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂を主成分とする皮膜も好ましく用いられる。   As the swellable resin film, a film mainly composed of a resin composed of an acrylic resin having a carboxyl group with an acid equivalent of 100 to 800 is also preferably used.

また、前記膨潤性樹脂皮膜の厚みは10μm以下であることが、回路溝を形成する際に微細な溝を高精度に形成することができる点から好ましい。   Further, the thickness of the swellable resin film is preferably 10 μm or less from the viewpoint that a fine groove can be formed with high accuracy when the circuit groove is formed.

また、前記回路溝形成工程により除去される部分の幅が20μm以下の部分を有することが、微細な加工が要求されるアンテナ回路等の形成ができる点から好ましい。   In addition, it is preferable that the width of the portion removed by the circuit groove forming step has a portion of 20 μm or less because an antenna circuit or the like that requires fine processing can be formed.

前記回路溝形成工程が、レーザー加工により回路溝を形成する加工である場合には、より微細な回路を高精度に形成することができ、またレーザーのパワーを変化させることにより、回路溝の深さを容易に調整することができる点から好ましい。   When the circuit groove forming step is a process of forming a circuit groove by laser processing, a finer circuit can be formed with high accuracy, and the depth of the circuit groove can be increased by changing the laser power. This is preferable because the thickness can be easily adjusted.

また、前記回路溝形成工程が、型押法を用いて回路溝を形成する工程である場合には、型のスタンピングにより容易に回路溝を形成することができる点から好ましい。   Further, when the circuit groove forming step is a step of forming a circuit groove using a mold pressing method, it is preferable because the circuit groove can be easily formed by stamping a mold.

また、前記回路溝形成工程において、前記膨潤性樹脂皮膜の厚み分を超える深さの回路溝を形成する場合には、後述する図3に示すような絶縁基材の深い部分に回路形成をすることができる。これにより回路の損傷等を抑制することができる。   In the circuit groove forming step, when a circuit groove having a depth exceeding the thickness of the swellable resin film is formed, the circuit is formed in a deep portion of the insulating base as shown in FIG. be able to. Thereby, damage to the circuit and the like can be suppressed.

また、前記回路溝形成工程において、前記膨潤性樹脂皮膜を通過して絶縁基材に絶縁層間の導通をとるための穴あけをすることが、回路溝の形成の際にビアホールやインナービアホールに用いられうる孔を形成することができ、形成された孔に無電解メッキすることにより、ビアホールやインナービアホールが形成される点から好ましい。   In the circuit groove forming step, a hole for passing through the swellable resin film and establishing conduction between the insulating layers in the insulating base material is used for the via hole or the inner via hole in forming the circuit groove. It is preferable from the point that via holes and inner via holes can be formed by electroless plating on the formed holes.

また、前記絶縁基材が段差状に形成された段差面を有し、前記段差面に前記皮膜形成工程、前記回路溝形成工程、前記触媒被着工程、前記皮膜剥離工程、及び前記メッキ処理工程と、を施すことも好ましい形態である。このような製造方法によれば、段差を乗り越えるような回路が容易に形成できる。   The insulating base material has a step surface formed in a step shape, and the film formation step, the circuit groove formation step, the catalyst deposition step, the film peeling step, and the plating treatment step on the step surface. Is also a preferred form. According to such a manufacturing method, a circuit that can overcome a step can be easily formed.

また、前記膨潤性樹脂皮膜が蛍光性物質を含有するものであり、前記皮膜除去工程の後、前記蛍光性物質からの発光を用いて皮膜除去不良を検査するための検査工程をさらに備えることが好ましい。上記のような製造方法においては、配線幅及び配線間隔が極端に小さくなった場合には、隣接する配線間の本来除去すべきであった部分の皮膜が完全に除去しきれず、わずかに残留することも懸念される。また、回路溝の形成の際に除去された樹脂皮膜の断片が、形成された回路溝に入り込み残留することも懸念される。配線間に樹脂皮膜が残留した場合には、その部分にメッキ膜が形成されてしまい、マイグレーションや短絡の原因になりうる。また、形成された回路溝に樹脂皮膜の断片が残留した場合には、電気回路の耐熱性不良や伝搬損失の原因にもなる。このような場合において、上記のように膨潤性樹脂皮膜に蛍光性物質を含有させ、皮膜除去工程の後、皮膜除去面に所定の発光源を照射して皮膜が残留している部分のみを蛍光性物質により発光させることにより、皮膜除去不良の有無や皮膜除去不良の箇所を検査することができる。   The swellable resin film contains a fluorescent substance, and further includes an inspection step for inspecting defective film removal using light emitted from the fluorescent substance after the film removal step. preferable. In the manufacturing method as described above, when the wiring width and the wiring interval become extremely small, the film of the portion that should originally be removed between the adjacent wirings cannot be completely removed and remains slightly. This is also a concern. There is also a concern that the resin film fragments removed during the formation of the circuit groove may enter and remain in the formed circuit groove. When the resin film remains between the wirings, a plating film is formed at the portion, which may cause migration or short circuit. In addition, if a resin film fragment remains in the formed circuit groove, it may cause poor heat resistance and propagation loss of the electric circuit. In such a case, the fluorescent resin is contained in the swellable resin film as described above, and after the film removal step, only a portion where the film remains is irradiated with a predetermined light source on the film removal surface. The presence or absence of a film removal failure or the location of a film removal failure can be inspected by emitting light with a reactive substance.

本発明の製造方法によれば、無電解メッキにより形成される回路パターンの輪郭を高精度に維持することができる。これにより、回路パターン形成部分以外の部分に、不要な無電解メッキ膜の断片等が残留することを抑制することができ、それにより短絡やマイグレーション等の発生を抑制することができる。   According to the manufacturing method of the present invention, the outline of a circuit pattern formed by electroless plating can be maintained with high accuracy. Thereby, it can suppress that the fragment | piece etc. of an unnecessary electroless plating film | membrane remain in parts other than a circuit pattern formation part, and, thereby, generation | occurrence | production of a short circuit, migration, etc. can be suppressed.

図1は本発明に係る製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 1 is a process diagram for explaining an embodiment of a production method according to the present invention. 図2は、膨潤性樹脂皮膜に蛍光性物質を含有させて、蛍光性物質からの発光を用いて皮膜除去不良を検査するための検査工程を説明するための説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining an inspection process for inspecting defective film removal using light emission from the fluorescent substance by adding a fluorescent substance to the swellable resin film. 図3は、回路溝形成工程において、前記膨潤性樹脂皮膜の厚み分を超えて、絶縁基材を掘り込むような回路溝を形成したときに形成される無電解メッキ膜を示す模式断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an electroless plating film formed when a circuit groove that digs into an insulating base material is formed beyond the thickness of the swellable resin film in the circuit groove forming step. is there. 図4は、段差面を有する絶縁基材を用いた回路形成を説明するための工程図である。FIG. 4 is a process diagram for explaining circuit formation using an insulating base material having a stepped surface. 図5は、従来のアディティブ法により形成された回路の輪郭形状を説明するための説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the contour shape of a circuit formed by a conventional additive method. 図6は、従来のアディティブ法により形成された回路の輪郭形状を説明するための説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a contour shape of a circuit formed by a conventional additive method.

(第一実施形態)
本実施形態の配線基材の製造方法は、絶縁基材表面に膨潤性樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程と、前記膨潤性樹脂皮膜の外表面を基準として前記皮膜の厚み分または該厚み分を超える深さを有する回路溝を形成する回路溝形成工程と、前記回路溝の表面及び前記膨潤性樹脂皮膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、前記膨潤性樹脂皮膜を所定の液体で膨潤させることにより、前記絶縁基材表面から前記膨潤性樹脂皮膜を剥離する皮膜剥離工程と、前記膨潤性樹脂皮膜を剥離した後に、前記触媒金属が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ処理工程と、を備えることを特徴とする。
(First embodiment)
The manufacturing method of the wiring substrate of the present embodiment includes a film forming step of forming a swellable resin film on the surface of the insulating substrate, and the thickness of the film or the thickness based on the outer surface of the swellable resin film. A circuit groove forming step for forming a circuit groove having a depth exceeding, a catalyst deposition step for depositing a catalyst metal on the surface of the circuit groove and the surface of the swellable resin film, and a predetermined amount of the swellable resin film. A film peeling step for peeling the swellable resin film from the surface of the insulating substrate by swelling with a liquid, and an electroless plating film only on a portion where the catalyst metal remains after the swellable resin film is peeled off And a plating process to be formed.

以下、本発明の製造方法を、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, the production method of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明に係る製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。図1中、1は絶縁基材、2は膨潤性樹脂皮膜、3は回路溝(切削部)、4は貫通孔、5は触媒金属(触媒金属)、6は無電解メッキ膜である。   FIG. 1 is a process diagram for explaining an embodiment of a production method according to the present invention. In FIG. 1, 1 is an insulating substrate, 2 is a swellable resin film, 3 is a circuit groove (cutting part), 4 is a through hole, 5 is a catalyst metal (catalyst metal), and 6 is an electroless plating film.

本実施形態の製造方法においては、図1(A)に示すように、はじめに、絶縁基材1の表面に膨潤性樹脂皮膜2を形成する。   In the manufacturing method of the present embodiment, as shown in FIG. 1A, first, the swellable resin film 2 is formed on the surface of the insulating substrate 1.

絶縁基材1としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板が特に限定なく用いられうる。有機基板の具体例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等からなる基材が挙げられる。基材形態としては、シート、フィルム、プリプレグ、三次元形状の成形体等、特に、限定されない。絶縁基材1の厚みは特に限定されない。シート、フィルム、又はプリプレグの場合には、例えば、10〜200μm、さらには20〜100μm程度であることが好ましい。   As the insulating base material 1, various organic substrates that can be used for manufacturing a circuit board can be used without any particular limitation. Specific examples of the organic substrate include base materials made of epoxy resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyimide resin, polyphenylene sulfide resin, and the like. The substrate form is not particularly limited, such as a sheet, a film, a prepreg, and a three-dimensional shaped molded body. The thickness of the insulating substrate 1 is not particularly limited. In the case of a sheet, film, or prepreg, for example, it is preferably about 10 to 200 μm, more preferably about 20 to 100 μm.

膨潤性樹脂皮膜2の形成方法としては、絶縁基材1の表面に、膨潤性樹脂皮膜2を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、予め形成された膨潤性樹脂皮膜2からなる樹脂フィルムを貼り合せる方法等が挙げられる。   As a method for forming the swellable resin film 2, a liquid material capable of forming the swellable resin film 2 is applied to the surface of the insulating substrate 1 and then dried, or a swellable resin film 2 formed in advance is used. The method of bonding the resin film which becomes is mentioned.

膨潤性樹脂皮膜2を形成するための材料としては、後述する所定の液体(膨潤液)で膨潤させる工程により、膨潤液に対しては実質的に溶解せず、絶縁基材1表面から容易に剥離するような樹脂皮膜であれば特に限定なく用いられうる。好ましくは、膨潤液に対する膨潤度が50%以上、さらには100%以上で、1000%以下であるような膨潤度の樹脂皮膜が用いられる。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、後述する皮膜剥離工程において膨潤性樹脂皮膜が剥離しにくくなる傾向があり、高すぎる場合には、皮膜強度が低下することにより剥離する際に破れる等して剥離が困難になる傾向がある。   As a material for forming the swellable resin film 2, it is easily dissolved from the surface of the insulating substrate 1 without being substantially dissolved in the swelling liquid by a step of swelling with a predetermined liquid (swelling liquid) described later. Any resin film that peels can be used without particular limitation. Preferably, a resin film having a swelling degree such that the swelling degree with respect to the swelling liquid is 50% or more, further 100% or more and 1000% or less is used. If the degree of swelling is too low, the swellable resin film tends to be difficult to peel in the film peeling step described later, and if it is too high, the film strength is reduced and it is broken when peeled off. Tends to be difficult to peel.

なお、このような膨潤性樹脂皮膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のpHに依存して変化するような皮膜であることが好ましい。このような、皮膜を用いた場合には、後述する触媒被着工程における液性条件と、後述する皮膜剥離工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるpHにおいては膨潤性樹脂皮膜2は絶縁基材1に対する高い密着力を維持し、皮膜剥離工程におけるpHにおいては容易に膨潤性樹脂皮膜2を剥離させることができる。   Such a swellable resin film is particularly preferably a film whose degree of swelling varies depending on the pH of the swelling liquid. When such a film is used, the pH in the catalyst deposition process can be changed by making the liquid conditions in the catalyst deposition process described later different from the liquid conditions in the film peeling process described later. The swellable resin film 2 maintains a high adhesion to the insulating substrate 1, and the swellable resin film 2 can be easily peeled off at the pH in the film peeling step.

さらに具体的には、例えば、後述する触媒被着工程が、例えば、pH1〜3の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、後述する皮膜剥離工程がpH12〜14の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂皮膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂皮膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が25%以下、さらには10%以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が50%以上、さらには100%以上、さらには500%以上であるような樹脂皮膜であることが好ましい。   More specifically, for example, the catalyst deposition step described later includes a step of treating in an acidic catalyst metal colloid solution having a pH in the range of 1 to 3, for example, and the film peeling step described later is alkaline in the range of pH 12 to 14. When the step of swelling the swellable resin film in the solution is provided, the swellable resin film has a swelling degree of 25% or less, further 10% or less with respect to the acidic catalyst metal colloid solution, and with respect to the alkaline solution. A resin film having a swelling degree of 50% or more, further 100% or more, and more preferably 500% or more is preferable.

このような膨潤性樹脂皮膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト(以下、DFRとも呼ぶ)等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。   Examples of such swellable resin films include photocuring used for sheets formed from elastomers having a predetermined amount of carboxyl groups, dry film resists for patterning printed wiring boards (hereinafter also referred to as DFR), and the like. And a sheet obtained by curing the entire surface of a curable alkali-developing resist, and thermosetting or alkali-developing sheet.

カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー;アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー;及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量,架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂皮膜を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂皮膜を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂皮膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは1当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。   Specific examples of the elastomer having a carboxyl group include a diene elastomer such as a styrene-butadiene copolymer having a carboxyl group in the molecule by containing a monomer unit having a carboxyl group as a copolymerization component; acrylic acid Examples include acrylic elastomers such as ester copolymers; and polyester elastomers. According to such an elastomer, a swellable resin film having a desired degree of alkali swelling can be formed by adjusting the acid equivalent, the degree of crosslinking, the degree of gelation, etc. of the elastomer dispersed as a suspension or emulsion. . The carboxyl group in the elastomer swells the swellable resin film with respect to the alkaline aqueous solution and acts to peel the swellable resin film from the surface of the insulating substrate. The acid equivalent is the polymer weight per equivalent of carboxyl groups.

カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。   Specific examples of the monomer unit having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and the like.

このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で100〜2000、さらには100〜800であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が小さすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。   The content ratio of the carboxyl group in the elastomer having such a carboxyl group is preferably 100 to 2000, more preferably 100 to 800 in terms of acid equivalent. When the acid equivalent is too small, the compatibility with the solvent or other composition tends to decrease, whereby the resistance to the plating pretreatment liquid tends to decrease. Moreover, when an acid equivalent is too small, there exists a tendency for the peelability with respect to aqueous alkali solution to fall.

また、エラストマーの分子量としては、1万〜100万、さらには、2万〜6万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂皮膜の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。   The molecular weight of the elastomer is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 20,000 to 60,000. When the molecular weight of the elastomer is too large, the releasability tends to decrease, and when it is too small, the viscosity decreases, so that it is difficult to maintain a uniform thickness of the swellable resin film, and plating pretreatment The resistance to the liquid also tends to deteriorate.

また、DFRとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂;エポキシ系樹脂;スチレン系樹脂;フェノール系樹脂;ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなDFRの具体例としては、特開2000-231190号公報、特開2001-201851号公報、特開平11-212262号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のDFRとして市販されている、例えば、旭化成工業(株)製のUFGシリーズ等が挙げられる。   In addition, as DFR, a photocurable resin containing a photopolymerization initiator containing a predetermined amount of a carboxyl group, an acrylic resin; an epoxy resin; a styrene resin; a phenol resin; A sheet of a resin composition can be used. Specific examples of such DFR include a dry film of a photopolymerizable resin composition as disclosed in JP-A-2000-231190, JP-A-2001-201851, and JP-A-11-212262. Sheets obtained by curing, and commercially available as an alkali development type DFR, for example, UFG series manufactured by Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd. can be mentioned.

さらに、その他の膨潤性樹脂皮膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂(例えば、吉川化工(株)製の「NAZDAR229」)やフェノールを主成分とする樹脂(例えば、LEKTRACHEM社製「104F」)等が挙げられる。   Furthermore, examples of other swellable resin films include rosin-based resins containing carboxyl groups (for example, “NAZDAR229” manufactured by Yoshikawa Chemical Co., Ltd.) and phenol-based resins (for example, And “104F” manufactured by LEKTRACHEM).

膨潤性樹脂皮膜は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基材に形成されたDFRを真空ラミネーター等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。   The swellable resin film is formed on the surface of the insulating substrate by applying a resin suspension or emulsion to the surface of the insulating substrate using a conventionally known application method such as a spin coat method or bar coater method, and then drying it. The bonded DFR can be easily formed by pasting the DFR on the surface of the insulating substrate using a vacuum laminator or the like and then curing the entire surface.

膨潤性樹脂皮膜2の厚みとしては、10μm以下、さらには5μm以下であり、0.1μm以上、さらには1μm以上であることが好ましい。前記厚みが厚すぎる場合は、微細な回路溝を形成する際に精度が低下する傾向があり、前記厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の皮膜を形成しにくくなる傾向がある。   The thickness of the swellable resin film 2 is 10 μm or less, further 5 μm or less, preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more. When the thickness is too thick, the accuracy tends to decrease when forming fine circuit grooves, and when the thickness is too thin, it tends to be difficult to form a film having a uniform thickness.

次に、図1(B)に示すように、膨潤性樹脂皮膜2が形成された絶縁基材1に前記皮膜の厚み分または該厚み分を超える深さを有する、所定の回路パターンの回路溝を形成する。また、必要に応じて貫通孔4を形成するための穴あけを行う(回路溝形成工程)。   Next, as shown in FIG. 1 (B), a circuit groove having a predetermined circuit pattern having a thickness corresponding to the thickness of the coating or a depth exceeding the thickness on the insulating base material 1 on which the swellable resin coating 2 is formed. Form. Further, drilling for forming the through hole 4 is performed as necessary (circuit groove forming step).

回路溝の幅は、特に限定されないが、レーザー加工を用いた場合には、線幅20μm以下のような微細な回路をも容易に形成することができる。このような微細な回路を形成することにより、高精度の加工が要求されるアンテナ回路等を容易に形成することができる。   The width of the circuit groove is not particularly limited, but when laser processing is used, a fine circuit having a line width of 20 μm or less can be easily formed. By forming such a fine circuit, an antenna circuit or the like that requires high-precision processing can be easily formed.

また、回路溝形成工程においては、前記膨潤性樹脂皮膜2を通過して絶縁基材1に絶縁層間の導通をとるための貫通孔を形成することが、配線基材を複数層重ねるときのビアホールやインナービアホールに用いられうる孔を回路溝3の形成の際に形成することができ、形成された孔に無電解メッキすることにより、層間の導通をとるためのビアホールやインナービアホールを容易に形成できる点から好ましい。   Further, in the circuit groove forming step, forming a through-hole for passing through the swellable resin film 2 and establishing conduction between the insulating layers in the insulating base material 1 is a via hole when a plurality of wiring base materials are stacked. A hole that can be used for an inner via hole can be formed when the circuit groove 3 is formed, and via holes and inner via holes are easily formed by conducting electroless plating on the formed hole. It is preferable from the point which can be performed.

回路溝3を形成するための加工方法は特に限定されず、レーザー加工やダイシング加工による切削加工や型押加工等が用いられる。微細な回路溝を精度よく形成するためには、レーザー加工が好ましい。レーザー加工によれば、レーザーのパワーを変化させることにより、回路溝の深さ等を自由に調整することができる。また、型押加工には、ナノインプリントの分野において用いられるような微細型等が好ましく用いられうる。   The processing method for forming the circuit groove 3 is not particularly limited, and cutting or stamping by laser processing or dicing is used. Laser processing is preferable in order to form fine circuit grooves with high accuracy. According to laser processing, the depth of the circuit groove and the like can be freely adjusted by changing the laser power. In addition, a fine mold or the like used in the field of nanoimprint can be preferably used for the embossing process.

回路溝形成加工においては、絶縁基材1上において、回路や電極、ビアホールやインナービアホール等の導通層を形成したい部分のみの膨潤性樹脂皮膜2を選択的に除去することにより、後述する無電解メッキ処理工程により無電解メッキ膜6が形成される部分である金属触媒5が被着する領域が規定される。   In the circuit groove forming process, electroless electrolysis described later is performed by selectively removing only a portion of the insulating base material 1 where a conductive layer such as a circuit, an electrode, a via hole or an inner via hole is to be formed. A region to which the metal catalyst 5 which is a portion where the electroless plating film 6 is formed by the plating treatment process is defined.

次に、図1(C)に示すように、回路溝3及び貫通孔4が形成された表面及び回路溝3及び貫通孔4が形成されなかった膨潤性樹脂皮膜2の表面全体に触媒金属(メッキ触媒)5を被着させる(触媒被着工程)。   Next, as shown in FIG. 1C, a catalyst metal (on the surface where the circuit groove 3 and the through hole 4 are formed and on the entire surface of the swellable resin film 2 where the circuit groove 3 and the through hole 4 are not formed). (Plating catalyst) 5 is deposited (catalyst deposition step).

触媒金属5は、後述するメッキ処理工程において、触媒活性化した部分のみに無電解メッキ膜を充分且つ効果的に形成されるために付与される触媒またはその前駆体であり、無電解メッキ用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。その具体例としては、例えば、金属パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。   The catalyst metal 5 is a catalyst or a precursor thereof that is imparted in order to sufficiently and effectively form an electroless plating film only on a portion where the catalyst is activated in a plating process described later. Any known catalyst can be used without particular limitation. Specific examples thereof include, for example, metallic palladium (Pd), platinum (Pt), silver (Ag), etc., or precursors that generate these.

触媒金属5を被着させる方法としては、例えば、pH1〜3の酸性条件下で処理される酸性Pd−Snコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法が挙げられる。具体的には次のような方法が挙げられる。   Examples of the method of depositing the catalytic metal 5 include a method of treating with an acidic Pd—Sn colloid solution treated under acidic conditions of pH 1 to 3, and then treating with an acid solution. Specifically, the following methods can be mentioned.

はじめに、回路溝3及び貫通孔4が形成された絶縁基材1の表面に付着している油分等を界面活性剤溶液(クリーナー・コンディショナー)中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、pH1〜2の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。そして、濃度0.1%程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材1表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、pH1〜3の酸性Pd−Snコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりPd及びSnを凝集させて吸着させる。そして、吸着したPd及びSnとの間で酸化還元反応(SnCl2+PdCl2→SnCl4+Pd↓)をさせることにより金属パラジウムを形成させる。 First, oil and the like adhering to the surface of the insulating base material 1 in which the circuit grooves 3 and the through holes 4 are formed are washed with hot water in a surfactant solution (cleaner / conditioner) for a predetermined time. Next, if necessary, a soft etching treatment is performed with a sodium persulfate-sulfuric acid based soft etching agent. And it pickles further in acidic solutions, such as sulfuric acid aqueous solution and hydrochloric acid aqueous solution of pH1-2. Then, a pre-dip treatment is performed in which a chloride ion is adsorbed on the surface of the insulating base material 1 by being immersed in a pre-dip solution mainly containing a stannous chloride aqueous solution having a concentration of about 0.1%. Thereafter, Pd and Sn are aggregated and adsorbed by further dipping in an acidic catalytic metal colloid solution such as acidic Pd—Sn colloid having pH 1 to 3 containing stannous chloride and palladium chloride. Then, metal palladium is formed by causing an oxidation-reduction reaction (SnCl 2 + PdCl 2 → SnCl 4 + Pd ↓) between the adsorbed Pd and Sn.

なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Pd−Snコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のメッキプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム&ハース電子材料(株)からシステム化されて販売されている。   In addition, as an acidic catalyst metal colloid solution, a well-known acidic Pd-Sn colloid catalyst solution etc. can be used, and the commercially available plating process using an acidic catalyst metal colloid solution may be used. Such a process is systematized and sold by Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd., for example.

このようなメッキ被着処理により、図1(C)に示すように、回路溝3や貫通孔4の表面及び膨潤性樹脂皮膜2の表面に触媒金属5を被着させることができる。   By such plating deposition treatment, the catalyst metal 5 can be deposited on the surfaces of the circuit grooves 3 and the through holes 4 and the surface of the swellable resin film 2 as shown in FIG.

次に、図1(D)に示すように、膨潤性樹脂皮膜2を所定の液体で膨潤させることにより絶縁基材1表面から膨潤性樹脂皮膜2を剥離させる(皮膜剥離工程)。この工程によれば、絶縁基材1表面を被覆する膨潤性樹脂皮膜2を剥離することにより、回路溝形成工程において、形成された回路溝3や貫通孔4の表面の触媒金属5のみを絶縁基材1に残留させ、それ以外の回路溝が形成されなかった表面(膨潤性樹脂皮膜2の表面)に被着された触媒金属5を膨潤性樹脂皮膜2に担持した状態で除去することができる。   Next, as shown in FIG. 1D, the swelling resin film 2 is peeled from the surface of the insulating base material 1 by swelling the swelling resin film 2 with a predetermined liquid (film peeling step). According to this process, only the catalyst metal 5 on the surface of the formed circuit groove 3 and the through-hole 4 is insulated in the circuit groove forming process by peeling off the swellable resin film 2 covering the surface of the insulating substrate 1. The catalyst metal 5 deposited on the surface (the surface of the swellable resin film 2) that is left on the base material 1 and on which no other circuit grooves are formed can be removed while being supported on the swellable resin film 2. it can.

膨潤性樹脂皮膜2を膨潤させる膨潤液としては、絶縁基材1、膨潤性樹脂皮膜2及び触媒金属5を実質的に分解または溶解させることなく、膨潤性樹脂皮膜2を膨潤、好ましくは膨潤度50%以上になるように膨潤させうる液体であれば特に限定なく用いられうる。このような膨潤液は、膨潤性樹脂皮膜2の種類や厚みにより適宜選択することができる。   The swelling liquid for swelling the swellable resin film 2 swells the swellable resin film 2 without substantially decomposing or dissolving the insulating base material 1, the swellable resin film 2 and the catalytic metal 5, and preferably has a degree of swelling. Any liquid can be used as long as it can be swollen to 50% or more. Such a swelling liquid can be appropriately selected depending on the type and thickness of the swellable resin film 2.

なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂皮膜2が、酸性条件下においては膨潤度が10%以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が50%以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂皮膜は、pH12〜14であるようなアルカリ水溶液、例えば、1〜10%程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。   In addition, when the plating process treated under acidic conditions as described above is used in the catalyst deposition step, the swelling resin film 2 has a swelling degree of 10% or less under acidic conditions, and under alkaline conditions. It is preferably formed from an elastomer such as a diene elastomer, an acrylic elastomer, and a polyester elastomer having a degree of swelling of 50% or more. Such a swellable resin film easily swells and peels off with an alkaline aqueous solution having a pH of 12 to 14, such as a sodium hydroxide aqueous solution having a concentration of about 1 to 10%. In addition, in order to improve peelability, you may irradiate with an ultrasonic wave during immersion. Moreover, you may peel by peeling with a light force as needed.

次に、図1(E)に示すように、触媒金属5が残留する部位のみに無電解メッキ膜6を形成する(メッキ処理工程)。このような工程により、所定の回路パターンを形成したい部分、すなわち、触媒金属5が被着された部分のみに無電解メッキ膜6を析出させることができる。   Next, as shown in FIG. 1 (E), an electroless plating film 6 is formed only on the portion where the catalyst metal 5 remains (plating process). By such a process, the electroless plating film 6 can be deposited only on a portion where a predetermined circuit pattern is to be formed, that is, a portion where the catalytic metal 5 is deposited.

無電解メッキ処理の方法としては、回路パターンを形成したい部分のみに触媒金属5が被着された絶縁基板1を無電解めっき液に浸漬し、触媒金属5が被着された部分のみに無電解メッキ膜6を析出させるような方法が用いられうる。   As an electroless plating method, the insulating substrate 1 with the catalytic metal 5 deposited only on the portion where the circuit pattern is to be formed is immersed in the electroless plating solution, and only the portion on which the catalytic metal 5 is deposited is electroless. A method of depositing the plating film 6 can be used.

無電解メッキに用いられる金属としては、Cu(銅)、Ni(ニッケル)、Co(コバルト)、Al(アルミニウム)等が挙げられる。これらの中では、Cuを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましく、また、Niを含む場合には耐食性や、はんだ等との密着性に優れている点等から好ましい。   Examples of the metal used for electroless plating include Cu (copper), Ni (nickel), Co (cobalt), and Al (aluminum). Among these, plating containing Cu as a main component is preferable from the viewpoint of excellent conductivity, and when Ni is contained, it is preferable from the viewpoint of excellent corrosion resistance and adhesion to solder or the like.

形成される無電解メッキ膜6の膜厚は、特に限定されないが、0.1〜10μm、さらには1〜5μm程度であることが好ましい。   The thickness of the electroless plating film 6 to be formed is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 10 μm, more preferably about 1 to 5 μm.

このようなメッキ処理工程により、絶縁基材1表面の、回路を形成したい部分、すなわち、触媒金属5が被着された部分のみに無電解メッキ膜6を析出させることができる。そして、このような方法により形成される無電解メッキ膜6においては、回路を形成したい部分のみに触媒金属が被着され、それ以外の部分の触媒金属5は膨潤性樹脂皮膜2の剥離により除去されている。そのために、回路を形成したい部分のみに正確に無電解メッキからなる導電層を形成させることができる。従って、余計な部分への無電解メッキ膜の析出を抑制することができるために、例えば、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な回路を複数本形成するような場合でも、隣接する回路間に不要なメッキ残りがなく、そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。   By such a plating process, the electroless plating film 6 can be deposited only on the portion of the surface of the insulating substrate 1 where the circuit is to be formed, that is, the portion where the catalytic metal 5 is deposited. In the electroless plating film 6 formed by such a method, the catalytic metal is deposited only on the part where the circuit is to be formed, and the catalytic metal 5 in the other part is removed by peeling off the swellable resin film 2. Has been. Therefore, it is possible to accurately form a conductive layer made of electroless plating only on a portion where a circuit is to be formed. Therefore, since it is possible to suppress the deposition of the electroless plating film on an unnecessary portion, for example, even when a plurality of fine circuits having a narrow line width and a narrow line width are formed, adjacent circuits are formed. There is no unnecessary plating residue in between, so that the occurrence of short circuits and migration can be suppressed.

なお、上述した配線基材の製造方法においては、膨潤性樹脂皮膜2に蛍光性物質を含有させることにより、皮膜剥離工程の後、検査対象面に紫外光や近紫外光を照射することによる蛍光性物質からの発光を用いて皮膜剥離不良を検査することができる。本実施形態の製造方法においては、配線幅及び配線間隔が極端に小さい金属配線を形成することができる。このような場合においては、例えば、図2の絶縁基材1表面に形成された回路8の上面拡大図における膨潤性樹脂皮膜2の残渣2aとして示したように、隣接する金属配線間の樹脂皮膜が完全に除去されずに残留することが懸念される。金属配線間に膨潤性樹脂皮膜2の残渣2aが残留した場合には、その部分にメッキ膜が形成されてしまい、マイグレーションや短絡の原因になりうる。このような場合、膨潤性樹脂皮膜2に蛍光性物質を含有させ、皮膜除去工程の後、皮膜除去面に所定の発光源を照射して皮膜が残留している部分のみを蛍光性物質により発光させることにより、皮膜除去不良の有無や皮膜除去不良の箇所を検査することができる。   In addition, in the manufacturing method of the wiring base material mentioned above, the fluorescence by irradiating ultraviolet light or near-ultraviolet light to a test object surface after a film | membrane peeling process by making the swelling resin film 2 contain a fluorescent substance. The film peeling failure can be inspected by using light emission from the active substance. In the manufacturing method of the present embodiment, a metal wiring having an extremely small wiring width and wiring interval can be formed. In such a case, for example, as shown as the residue 2a of the swellable resin film 2 in the enlarged top view of the circuit 8 formed on the surface of the insulating base 1 in FIG. There is a concern that it remains without being completely removed. When the residue 2a of the swellable resin film 2 remains between the metal wirings, a plating film is formed on the portion, which may cause migration or short circuit. In such a case, the swellable resin film 2 is made to contain a fluorescent substance, and after the film removal step, the film removal surface is irradiated with a predetermined light source and only the portion where the film remains is emitted by the fluorescent substance. By doing so, it is possible to inspect the presence or absence of film removal failure and the location of film removal failure.

本検査工程に用いられる膨潤性樹脂皮膜2に含有させうる蛍光性物質は、所定の光源により光を照射することにより発光特性を示すものであればとくに限定されない。その具体例としては、例えば、Fluoresceine、Eosine、Pyronine G等が挙げられる。   The fluorescent substance that can be contained in the swellable resin film 2 used in this inspection process is not particularly limited as long as it exhibits light emission characteristics when irradiated with light from a predetermined light source. Specific examples thereof include Fluoresceine, Eosine, Pyronine G and the like.

本検査工程により蛍光性物質からの発光が検出された部分は、膨潤性樹脂皮膜2の残渣2aが残留する部分である。従って、発光が検出された部分を除去することにより、その部分にメッキ膜が形成されることを抑制できる。これにより、マイグレーションや短絡の発生を未然に抑制することができる。   The portion where light emission from the fluorescent substance is detected by this inspection process is a portion where the residue 2a of the swellable resin film 2 remains. Therefore, by removing the portion where light emission is detected, it is possible to suppress the formation of a plating film on that portion. Thereby, generation | occurrence | production of a migration or a short circuit can be suppressed beforehand.

このような工程を経て、図1(E)に示すような配線基材10が形成される。   Through such steps, a wiring substrate 10 as shown in FIG. 1E is formed.

なお、上述した本発明に係る製造方法を用いれば、回路溝形成工程において、膨潤性樹脂皮膜2の厚みよりも深い回路溝を形成することにより、絶縁基材1に所定の深さを有する回路溝3を形成することができる。そして、絶縁基材1に所定の深さを有する回路溝3を形成することにより、図3に示すように絶縁基材の深い部分に回路となる無電解メッキ膜6aを形成したり、複数の導電層間で互いに深さの異なる位置(例えば、図3中の6aと6b)に回路を形成したりすることもできる。また、図3の6c,6dに示すように、絶縁基材1において所定の深さを有する回路溝を形成した後に、回路溝を無電解メッキにより埋設するように回路を形成した場合には断面積が大きい回路を容易に形成することができるために、回路の電気容量を増加させることができる点から好ましい。   In addition, if the manufacturing method which concerns on this invention mentioned above is used, the circuit which has predetermined depth in the insulating base material 1 by forming a circuit groove deeper than the thickness of the swellable resin film 2 in a circuit groove formation process. The groove 3 can be formed. Then, by forming a circuit groove 3 having a predetermined depth in the insulating base material 1, an electroless plating film 6a that becomes a circuit is formed in a deep portion of the insulating base material as shown in FIG. Circuits can also be formed at positions having different depths between the conductive layers (for example, 6a and 6b in FIG. 3). Also, as shown in 6c and 6d of FIG. 3, after forming a circuit groove having a predetermined depth in the insulating substrate 1, a circuit is formed so that the circuit groove is embedded by electroless plating. Since a circuit having a large area can be easily formed, it is preferable in that the electric capacity of the circuit can be increased.

(第二実施形態)
第一実施形態では、平面の絶縁基材上に回路を形成する方法を説明したが、本発明の方法は、特に、段差状の立体面を有するような三次元形状の絶縁基材にも、正確な回路形成ができる。
(Second embodiment)
In the first embodiment, the method of forming a circuit on a flat insulating substrate has been described, but the method of the present invention is particularly applicable to a three-dimensional insulating substrate having a stepped three-dimensional surface. Accurate circuit formation is possible.

本実施形態の三次元形状の絶縁基材51に回路を形成する方法を、図面を参照しながら説明する。  A method for forming a circuit on the three-dimensional insulating substrate 51 of the present embodiment will be described with reference to the drawings.

図4(A)〜(E)はそれぞれ、本実施形態の三次元形状の絶縁基材51に回路を形成する方法の各工程を説明するための模式断面図である。   4A to 4E are schematic cross-sectional views for explaining each step of the method of forming a circuit on the three-dimensional insulating base material 51 of the present embodiment.

本実施形態においては、図4(A)に示すように、はじめに、段差部分を有する立体絶縁基材51の表面に膨潤性樹脂皮膜2を形成する。   In this embodiment, as shown in FIG. 4A, first, the swellable resin film 2 is formed on the surface of the three-dimensional insulating substrate 51 having a stepped portion.

立体絶縁基材51としては、従来から知られた立体回路基板の製造に用いられうるような各種樹脂成形体が特に限定なく用いられうる。このような成形体は射出成形により得ることが、生産効率の点から好ましい。樹脂成形体を得るための樹脂材料の具体例としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、各種ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が挙げられる。   As the three-dimensional insulating base material 51, various resin molded bodies that can be used for manufacturing a three-dimensional circuit board conventionally known can be used without any particular limitation. It is preferable from the viewpoint of production efficiency that such a molded body is obtained by injection molding. Specific examples of the resin material for obtaining the resin molding include polycarbonate resin, polyamide resin, various polyester resins, polyimide resin, polyphenylene sulfide resin, and the like.

膨潤性樹脂皮膜2の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、立体絶縁基材51の段差面に膨潤性樹脂皮膜2を形成するための液状材料を塗布した後、乾燥させる方法が挙げられる。塗布する方法は特に限定されない。具体的には、従来から知られたスピンコート法、バーコーター法、スプレー法、静電塗装、電着塗装等が特に限定なく用いられうる。   The method for forming the swellable resin film 2 is not particularly limited. Specifically, for example, a method of drying after applying a liquid material for forming the swellable resin film 2 on the stepped surface of the three-dimensional insulating substrate 51 can be mentioned. The method for applying is not particularly limited. Specifically, conventionally known spin coating methods, bar coater methods, spray methods, electrostatic coating, electrodeposition coating, and the like can be used without particular limitation.

次に、図4(B)に示すように、形成された膨潤性樹脂皮膜2の外表面側から、例えばレーザーを用いて所定部分の膨潤性樹脂皮膜2のみを除去することにより、所定パターンの回路溝3を形成する。回路溝3を形成する方法は特に限定されない。   Next, as shown in FIG. 4B, by removing only a predetermined portion of the swellable resin film 2 from the outer surface side of the formed swellable resin film 2 using, for example, a laser, a predetermined pattern is formed. A circuit groove 3 is formed. The method for forming the circuit groove 3 is not particularly limited.

このように所定の回路パターンに従って回路溝3を形成することにより、回路形成される部分が規定される。   Thus, by forming the circuit groove 3 in accordance with a predetermined circuit pattern, a portion where the circuit is formed is defined.

次に、図4(C)に示すように、回路溝3が形成された表面及び回路溝3が形成されなかった表面の全体に金属触媒5が被着される(触媒被着工程)。このような触媒被着処理により、図4(C)に示すように、回路溝3の表面、及び膨潤性樹脂皮膜2の表面に金属触媒5を被着させることができる。   Next, as shown in FIG. 4C, the metal catalyst 5 is deposited on the entire surface where the circuit groove 3 is formed and the surface where the circuit groove 3 is not formed (catalyst deposition step). By such a catalyst deposition process, the metal catalyst 5 can be deposited on the surface of the circuit groove 3 and the surface of the swellable resin film 2 as shown in FIG.

次に、図4(D)に示すように、膨潤性樹脂皮膜2を所定の液体で膨潤させ、立体絶縁基材51の表面から剥離する(皮膜剥離工程)。この工程によれば、立体絶縁基材51の段差面の回路形成したい部分のみに金属触媒5を残留させることができる。   Next, as shown in FIG. 4D, the swellable resin film 2 is swollen with a predetermined liquid and peeled from the surface of the three-dimensional insulating substrate 51 (film peeling step). According to this step, the metal catalyst 5 can be left only in the portion of the stepped surface of the three-dimensional insulating base material 51 where it is desired to form a circuit.

そして、図4(E)に示すように、金属触媒5が残留する部位のみに無電解メッキ膜6を形成する(メッキ処理工程)。このような工程により、回路溝3が形成された部分のみに無電解メッキ膜6が析出する。   Then, as shown in FIG. 4E, the electroless plating film 6 is formed only on the portion where the metal catalyst 5 remains (plating process). By such a process, the electroless plating film 6 is deposited only on the portion where the circuit groove 3 is formed.

このような工程を経て、図4(E)に示すような三次元形状の絶縁基材51に回路6が形成された立体回路基板60が形成される。本実施形態の回路形成方法によれば、立体回路基板の段差部を有する面にも、正確且つ容易に回路形成することができる。   Through such a process, the three-dimensional circuit board 60 in which the circuit 6 is formed on the three-dimensional insulating base 51 as shown in FIG. According to the circuit formation method of the present embodiment, a circuit can be accurately and easily formed on the surface of the three-dimensional circuit board having the stepped portion.

(実施例1)
厚み100μmのエポキシ樹脂基材(パナソニック電工(株)製のR1766)表面にスピンコート法を用いて、スチレン−ブタジエン共重合体(SBR)のメチルエチルケトン(MEK)サスペンジョン(日本ゼオン(株)製、酸当量600、粒子径200nm、固形分15%)を塗布し、80℃で30分間乾燥することにより、2μm厚の樹脂皮膜を形成した。
Example 1
Using a spin coat method on the surface of an epoxy resin base material (R1766 manufactured by Panasonic Electric Works Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm, a methyl ethyl ketone (MEK) suspension of styrene-butadiene copolymer (SBR) (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., acid) Equivalent 600, particle diameter 200 nm, solid content 15%) was applied and dried at 80 ° C. for 30 minutes to form a 2 μm thick resin film.

そして、上記樹脂皮膜が形成されたエポキシ樹脂基材に対して、レーザー加工により幅20μm、深さ30μmの略長方形断面を有する所定形状の回路溝の形成を行った。なお、レーザー加工にはUV−YAGレーザーを備えたESI社製のMODEL5330を用いた。   And the circuit groove | channel of the predetermined shape which has a substantially rectangular cross section of width 20micrometer and depth 30micrometer was formed by laser processing with respect to the epoxy resin base material in which the said resin film was formed. For laser processing, MODEL 5330 manufactured by ESI equipped with a UV-YAG laser was used.

次に、回路溝が形成されたエポキシ樹脂基材をクリーナーコンディショナー(界面活性剤溶液、pH<1:ローム&ハース電子材料(株)製C/N3320)中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のpH<1のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、水洗後、PD404(シプレイ・ファーイースト(株)製、pH<1)を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むpH1の酸性Pd−Snコロイド溶液(CAT44、シプレイ・ファーイースト(株)製)に浸漬することにより、無電解銅メッキの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態でエポキシ樹脂基材に吸着させた。   Next, the epoxy resin base material in which the circuit groove was formed was immersed in a cleaner conditioner (surfactant solution, pH <1: C / N 3320 manufactured by Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd.), and then washed with water. Then, soft etching treatment was performed with a sodium persulfate-sulfuric acid-based soft etchant having a pH <1. And after water washing, the pre-dip process was performed using PD404 (Shipley Far East Co., Ltd. product, pH <1). Then, by immersing in an acidic Pd—Sn colloidal solution (CAT44, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) having a pH of 1 containing stannous chloride and palladium chloride, palladium serving as the core of electroless copper plating is tin-palladium. It was made to adsorb | suck to an epoxy resin base material in the state of a colloid.

次に、pH<1のアクセレータ薬液(ACC19E、シプレイ・ファーイースト(株)製)に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。そして、エポキシ樹脂基材を、pH14の5%水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら10分間浸漬した。これにより、表面のSBR皮膜は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、エポキシ樹脂基材表面にSBR皮膜の断片等が残っていなかった。そして、エポキシ樹脂基材を無電解メッキ液(CM328A,CM328L、CM328C、シプレイ・ファーイースト(株)製)に浸漬させて無電解銅メッキ処理を行った。   Next, palladium nuclei were generated by immersing in an accelerator chemical solution (ACC19E, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) having a pH <1. Then, the epoxy resin substrate was immersed for 10 minutes in a pH 14 5% aqueous sodium hydroxide solution while being ultrasonically treated. As a result, the SBR film on the surface swelled and peeled cleanly. At this time, no fragments of the SBR film remained on the surface of the epoxy resin substrate. Then, the epoxy resin base material was immersed in an electroless plating solution (CM328A, CM328L, CM328C, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) to perform electroless copper plating.

無電解銅メッキ処理により、厚み5μmの無電解銅メッキ膜が析出した。無電解銅メッキ処理されたエポキシ基材表面をSEM(走査型顕微鏡)により観察したところ、回路溝が形成された部分のみに、正確に無電解メッキ膜が形成されていた。   An electroless copper plating film having a thickness of 5 μm was deposited by the electroless copper plating treatment. When the surface of the epoxy base material subjected to the electroless copper plating treatment was observed with an SEM (scanning microscope), the electroless plating film was accurately formed only in the portion where the circuit groove was formed.

なお、アルカリ性条件及び酸性条件における膨潤性樹脂皮膜の膨潤度は、以下のように求めた。   The swelling degree of the swellable resin film under alkaline conditions and acidic conditions was determined as follows.

離型紙上に膨潤性樹脂皮膜を形成するために塗布したSBRサスペンジョンを塗布し、80℃で30分間乾燥した。これにより2μm厚の樹脂皮膜を形成した。そして、形成された皮膜を強制的に剥離することにより、試料を得た。   An SBR suspension applied to form a swellable resin film on the release paper was applied and dried at 80 ° C. for 30 minutes. As a result, a 2 μm thick resin film was formed. Then, a sample was obtained by forcibly peeling the formed film.

そして、得られた試料0.02g程度を秤量した。このときの試料重量を膨潤前重量m(b)とする。そして、秤量された試料を20±2℃の水酸化ナトリウム5%水溶液(pH14)10ml中に15分間浸漬した。また、別に採取した試料を同様にして、20±2℃の塩酸5%水溶液(pH1)10ml中に15分間浸漬した。   And about 0.02 g of the obtained sample was weighed. The weight of the sample at this time is defined as the weight m (b) before swelling. Then, the weighed sample was immersed in 10 ml of a 5% aqueous sodium hydroxide solution (pH 14) at 20 ± 2 ° C. for 15 minutes. Similarly, another sample was immersed in 10 ml of a 5% hydrochloric acid aqueous solution (pH 1) at 20 ± 2 ° C. for 15 minutes.

そして、それぞれ、遠心分離器を用いて1000Gで約10分間遠心分離処理を行い、試料に付着した水分等を除去した。そして、遠心分離後の膨潤した試料の重量を測定し、膨潤後重量m(a)とした。それぞれ得られた、膨潤前重量m(b)及び膨潤後重量m(a)から、「膨潤度SW=(m(a)−m(b))/m(b)×100(%)」の式から、膨潤度を算出した。なお、その他の条件は、JIS L1015 8.27(アルカリ膨潤度の測定方法)に準じて行った。   Then, each of the samples was centrifuged at 1000 G for about 10 minutes using a centrifuge to remove moisture and the like attached to the sample. And the weight of the swollen sample after centrifugation was measured, and it was set as the weight m (a) after swelling. From each of the obtained weight m (b) before swelling and weight m (a) after swelling, “swelling degree SW = (m (a) −m (b)) / m (b) × 100 (%)” The degree of swelling was calculated from the formula. Other conditions were performed in accordance with JIS L1015 8.27 (measurement method of alkali swelling degree).

このとき、pH14の水酸化ナトリウム5%水溶液に対する膨潤度は750%であった。一方、pH1の塩酸5%水溶液に対する膨潤度は3%であった。   At this time, the degree of swelling with respect to a sodium hydroxide 5% aqueous solution at pH 14 was 750%. On the other hand, the degree of swelling with respect to a 5% hydrochloric acid aqueous solution at pH 1 was 3%.

以上のように、本発明に係る方法を用いれば、膨潤性樹脂皮膜を剥離することにより、基材表面の特定の部分のみに触媒金属を被着させることができる。従って、触媒金属を被着した部分にのみ正確に無電解メッキ膜が形成される。また、膨潤性樹脂皮膜は膨潤作用により容易に剥離させることができるために、剥離工程も容易かつ正確に行うことができることがわかる。   As described above, when the method according to the present invention is used, the catalytic metal can be deposited only on a specific portion of the substrate surface by peeling the swellable resin film. Therefore, the electroless plating film is formed accurately only on the portion where the catalyst metal is deposited. Moreover, since the swellable resin film can be easily peeled off by the swelling action, it can be seen that the peeling step can be easily and accurately performed.

1,100 絶縁基材
2 膨潤性樹脂皮膜
2a 膨潤性樹脂皮膜の残渣
3 回路溝
4 貫通孔
5 触媒金属
6,6a〜6d,無電解メッキ膜
8 回路
10 配線基材
51 三次元形状の絶縁基材
101 貫通孔
102 触媒金属
103フォトレジスト層
104 導電層
105 不要部
110 フォトマスク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 Insulating base material 2 Swellable resin film 2a Residue of swelling resin film 3 Circuit groove 4 Through-hole 5 Catalytic metal 6,6a-6d, Electroless plating film 8 Circuit 10 Wiring base material 51 Three-dimensional shape insulating base Material 101 Through-hole 102 Catalytic metal 103 Photoresist layer 104 Conductive layer 105 Unnecessary portion 110 Photomask

Claims (15)

絶縁基材表面に膨潤性樹脂皮膜を形成する皮膜形成工程と、
前記膨潤性樹脂皮膜の外表面を基準として前記膨潤性樹脂皮膜の厚み分または該厚み分を超える深さを有する回路溝を形成する回路溝形成工程と、
前記回路溝の表面及び前記膨潤性樹脂皮膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、
前記膨潤性樹脂皮膜をアルカリ性溶液で膨潤させることにより、前記絶縁基材表面から前記膨潤性樹脂皮膜を剥離する皮膜剥離工程と、
前記膨潤性樹脂皮膜を剥離した後に、前記触媒金属が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ処理工程と、を備えることを特徴とする配線基材の製造方法。
A film forming step of forming a swellable resin film on the surface of the insulating substrate;
Forming a circuit groove having a depth corresponding to the thickness of the swellable resin film based on the outer surface of the swellable resin film or a depth exceeding the thickness; and
A catalyst deposition step of depositing a catalyst metal on the surface of the circuit groove and the surface of the swellable resin film;
A film peeling step of peeling the swellable resin film from the surface of the insulating substrate by swelling the swellable resin film with an alkaline solution ;
And a plating treatment step of forming an electroless plating film only on a portion where the catalytic metal remains after peeling off the swellable resin film.
前記触媒被着工程が酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記皮膜剥離工程がアルカリ性溶液中で前記膨潤性樹脂皮膜を膨潤させる工程を備え、
前記膨潤性樹脂皮膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度は10%以下であり、前記アルカリ性溶液に対しては膨潤する樹脂皮膜である請求項1に記載の配線基材の製造方法。
The catalyst deposition step includes a step of treating in an acidic catalyst metal colloid solution, and the film peeling step includes a step of swelling the swellable resin film in an alkaline solution;
The swellable resin film, the degree of swelling against the acidic catalyst metal colloidal solution is below 10%, method for manufacturing a wiring substrate according to claim 1 for the said alkaline solution is a resin film that swells.
前記膨潤性樹脂皮膜は、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が50%〜1000%である請求項1または2に記載の配線基材の製造方法。 The swellable resin coating method for producing a wiring substrate according to claim 1 or 2 degree of swelling before Symbol alkaline solution is 50% to 1000%. 前記膨潤性樹脂皮膜が、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂皮膜である請求項2または3に記載の配線基材の製造方法。   The method for manufacturing a wiring substrate according to claim 2 or 3, wherein the swellable resin film is a resin film formed by applying an elastomer suspension or emulsion and then drying. 前記エラストマーがカルボキシル基を有する、ジエン系エラストマー,アクリル系エラストマー,及びポリエステル系エラストマーからなる群から選ばれる請求項4に記載の配線基材の製造方法。   The method for producing a wiring substrate according to claim 4, wherein the elastomer has a carboxyl group and is selected from the group consisting of a diene elastomer, an acrylic elastomer, and a polyester elastomer. 前記ジエン系エラストマーがスチレン−ブタジエン系共重合体である請求項5に記載の配線基材の製造方法。   The method for producing a wiring substrate according to claim 5, wherein the diene elastomer is a styrene-butadiene copolymer. 前記膨潤性樹脂皮膜が、酸当量100〜800のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂を主成分とする請求項2または3に記載の配線基材の製造方法。   The method for producing a wiring substrate according to claim 2 or 3, wherein the swellable resin film is mainly composed of a resin made of an acrylic resin having a carboxyl group with an acid equivalent of 100 to 800. 前記膨潤性樹脂皮膜の厚みが0.1〜10μm以下である請求項1〜7のいずれか1項に記載の配線基材の製造方法。 The method for manufacturing a wiring substrate according to claim 1, wherein the swellable resin film has a thickness of 0.1 to 10 μm or less. 前記回路溝形成工程が、レーザー加工により回路溝を形成する工程である請求項1〜のいずれか1項に記載の配線基材の製造方法。 The circuit groove forming step, the manufacturing method of the wiring substrate according to any one of claims 1-8 is a step of forming a circuit grooves by laser processing. 前記回路溝形成工程が、型押法を用いて回路溝を形成する工程である請求項1〜のいずれか1項に記載の配線基材の製造方法。 Manufacturing method of the circuit groove-forming step is, the wiring substrate according to any one of claims 1-8 is a step of forming a circuit groove with a mold押法. 前記回路溝形成工程において、前記膨潤性樹脂皮膜の厚み分を超える深さの回路溝を形成する請求項1〜1のいずれか1項に記載の配線基材の製造方法。 The method for manufacturing a wiring substrate according to any one of claims 1 to 10 , wherein in the circuit groove forming step, a circuit groove having a depth exceeding a thickness of the swellable resin film is formed. 前記回路溝形成工程において、前記膨潤性樹脂皮膜を通過して前記絶縁基材に穴あけをする請求項1〜1のいずれか1項に記載の配線基材の製造方法。 The method for manufacturing a wiring substrate according to any one of claims 1 to 11, wherein, in the circuit groove forming step, the insulating substrate is perforated through the swellable resin film. 前記絶縁基材が段差状に形成された段差面を有し、前記段差面に前記皮膜形成工程、前記回路溝形成工程、前記触媒被着工程、前記皮膜剥離工程、及び前記メッキ処理工程と、を施す請求項1〜1のいずれか1項に記載の配線基材の製造方法。 The insulating substrate has a step surface formed in a step shape, and the film formation step, the circuit groove formation step, the catalyst deposition step, the film peeling step, and the plating treatment step on the step surface, a method for manufacturing a wiring substrate according to any one of claims 1 to 1 2 for performing. 前記膨潤性樹脂皮膜が蛍光性物質を含有するものであり、前記皮膜除去工程の後、前記蛍光性物質からの発光を用いて皮膜除去不良を検査するための検査工程をさらに備える請求項1〜1のいずれか1項に記載の配線基材の製造方法。 The said swellable resin film contains a fluorescent substance, and further comprises an inspection step for inspecting defective film removal using light emission from the fluorescent substance after the film removal step. 14. The method for manufacturing a wiring substrate according to any one of 1 to 3 . 請求項1〜1の何れか1項に記載の製造方法により得られた配線基材。 The wiring base material obtained by the manufacturing method of any one of Claims 1-4 .
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