JP2017117906A - Multilayer circuit board manufacturing method - Google Patents

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幹男 佐藤
弘明 藤原
Hiroaki Fujiwara
弘明 藤原
愼悟 吉岡
Shingo Yoshioka
愼悟 吉岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a multilayer circuit board that is simple and high in reliability.SOLUTION: A method of manufacturing a multilayer circuit board having mutually-connected electric circuit and interlayer connection hole comprises an insulating layer forming step (a) of forming an insulating layer on a circuit forming surface of a core substrate or a circuit board on which a first electric circuit is formed, a coating forming step (b) of forming a resin coating on the outer surface of the insulating layer, a circuit groove forming step (c) of forming a groove having a depth equal to or greater than the thickness of the resin coating with respect to the outer surface of the resin film, thereby exposing the circuit board on which the core substrate or the first electric circuit is formed, a catalyst deposition step (d) of depositing plating catalyst on the surface of the resin coating and the surface of the circuit groove, a coating removing step (e) of removing the resin coating film from the insulating layer, a plating treatment step (f) of subjecting the insulating layer to electroless plating to form a plating film on a part where the plating catalyst remains, and an etching step (g) of removing the plating portion protruding from the surface of the insulating layer by etching.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、多層回路基板の技術分野に属し、特に、アディティブ法を用いた多層回路基板の製造方法に関する。   The present invention belongs to the technical field of multilayer circuit boards, and particularly relates to a method for manufacturing a multilayer circuit board using an additive method.

近年、携帯電話をはじめとする携帯情報端末機器、コンピュータ及びその周辺機器、各種情報家電機器、等の電気機器においては、高機能化及びコンパクト化が急速に進行している。それに伴い、これら電気機器に搭載される回路基板には電気回路の高密度化がますます要求されている。このような回路基板の高密度化を実現するために、より狭い線幅及び線間隔を有する回路を正確に形成する方法が求められている。高密度化された配線においては、配線間における短絡やマイグレーションの発生が生じ易くなる。また、細い幅の配線においては、配線の機械的強度が低下して、衝撃等により回路切れが生じ易くなる。さらに、積層数が増えることにより、回路形成面に生じる凹凸が大きくなることにより微細回路の形成が困難になる。   2. Description of the Related Art In recent years, in electronic devices such as mobile information terminals such as mobile phones, computers and peripheral devices, and various information home appliances, higher functionality and downsizing are rapidly progressing. Accordingly, circuit boards mounted on these electric devices are increasingly required to have higher density of electric circuits. In order to realize such a high density circuit board, a method for accurately forming a circuit having a narrower line width and line spacing is required. In high-density wiring, short-circuiting or migration between wirings is likely to occur. Further, in a narrow width wiring, the mechanical strength of the wiring is lowered, and the circuit is easily cut off by an impact or the like. Furthermore, as the number of stacked layers increases, the unevenness generated on the circuit formation surface becomes larger, so that it becomes difficult to form a fine circuit.

従来から、回路基板の回路の形成方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法は、金属箔張積層板の表面の回路を形成したい部分以外の金属箔を除去(サブトラクティブ)することにより、回路を形成する方法である。一方、アディティブ法は、絶縁基材上の回路を形成したい部分のみに無電解メッキを施すことにより、回路を形成する方法である。   Conventionally, a subtractive method and an additive method are known as a method of forming a circuit on a circuit board. The subtractive method is a method of forming a circuit by removing (subtractive) a metal foil other than a portion where a circuit is desired to be formed on the surface of the metal foil-clad laminate. On the other hand, the additive method is a method of forming a circuit by performing electroless plating only on a portion on the insulating base material where the circuit is to be formed.

一般に、サブトラクティブ法は、厚膜の金属箔をエッチングすることにより、回路形成部分のみに金属箔を残す方法である。この方法によれば、除去される部分の金属を浪費することになる。一方、アディティブ法は、金属配線を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を形成することができるために金属を浪費しない。この点からも、アディティブ法は好ましい回路形成方法である。   In general, the subtractive method is a method of leaving a metal foil only in a circuit formation portion by etching a thick metal foil. According to this method, a portion of the metal to be removed is wasted. On the other hand, the additive method does not waste metal because the electroless plating film can be formed only on the portion where the metal wiring is to be formed. Also in this respect, the additive method is a preferable circuit forming method.

従来の代表的なアディティブ法の一つであるフルアディティブ法は、例えば次のようにして行われる。まず、絶縁基材の表面にメッキ触媒を被着させる。次に、メッキ触媒の上にフォトレジスト層を形成する。次に、所定の回路パターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジスト層の表面を露光する。次に、回路パターンを現像する。そして、現像により形成された回路パターンの表面に無電解メッキを施すことにより、回路パターンの部分に金属配線を形成する。このような工程により絶縁基材に電気回路が形成される。   The full additive method, which is one of conventional representative additive methods, is performed as follows, for example. First, a plating catalyst is deposited on the surface of the insulating substrate. Next, a photoresist layer is formed on the plating catalyst. Next, the surface of the photoresist layer is exposed through a photomask on which a predetermined circuit pattern is formed. Next, the circuit pattern is developed. Then, by applying electroless plating to the surface of the circuit pattern formed by development, metal wiring is formed on the circuit pattern portion. An electric circuit is formed on the insulating base material by such a process.

前述した従来のアディティブ法においては、絶縁基材の表面全体にメッキ触媒が被着される。そのために、次のような問題が生じていた。すなわち、フォトレジスト層が高精度に現像された場合は、フォトレジストで保護されていない部分のみにメッキ膜を形成させることができる。しかし、フォトレジスト層が高精度に現像されなかった場合には、本来回路を形成したくない部分に不要にメッキ膜が形成される可能性がある。これは、絶縁基材の表面全体にメッキ触媒が被着されるために起こる。不要に形成されたメッキ膜は、隣接する回路間に短絡やマイグレーションを引き起こす。このような短絡やマイグレーションは、線幅及び線間隔が狭い回路を形成する場合にはより生じ易くなる。   In the conventional additive method described above, the plating catalyst is deposited on the entire surface of the insulating substrate. As a result, the following problems have arisen. That is, when the photoresist layer is developed with high accuracy, the plating film can be formed only on the portion not protected by the photoresist. However, if the photoresist layer is not developed with high accuracy, a plating film may be unnecessarily formed in a portion where a circuit is not originally desired to be formed. This occurs because the plating catalyst is deposited on the entire surface of the insulating substrate. Unnecessarily formed plating films cause short circuits and migration between adjacent circuits. Such a short circuit or migration is more likely to occur when a circuit having a narrow line width and line interval is formed.

このような問題に対処するために、例えば特許文献1に記載されている次のような技術を適用することが報告されている。まず、絶縁基材上に樹脂の保護膜をコーティングする。次に、前記保護膜でコーティングされた絶縁基材上に機械加工あるいはレーザービームの照射により回路パターンに対応した溝及びスルーホールを描画形成する。次に、前記絶縁基材全面に活性化層を形成する。次に、前記樹脂保護膜を剥離することにより、溝及びスルーホールの内壁面のみに活性化層を残留させる。そして、前記絶縁基材にメッキを施すことにより、前記活性化された溝及びスルーホールの内壁面のみに選択的に導電層を形成する。   In order to cope with such a problem, for example, it has been reported that the following technique described in Patent Document 1 is applied. First, a protective film of resin is coated on the insulating substrate. Next, grooves and through holes corresponding to the circuit pattern are drawn and formed on the insulating substrate coated with the protective film by machining or laser beam irradiation. Next, an activation layer is formed on the entire surface of the insulating substrate. Next, the activation layer is left only on the inner wall surface of the groove and the through hole by peeling off the resin protective film. Then, by plating the insulating base material, a conductive layer is selectively formed only on the inner surfaces of the activated grooves and through holes.

特開昭58−186994号公報JP 58-186994 A

上述したような絶縁基材に埋設回路を形成する方法では、絶縁基材に埋設回路を形成する際、絶縁基材にレーザー加工等により、回路形成用の回路溝を形成する。この回路溝に無電解めっきを施すことにより深さや面積の異なる各種回路を形成することができる。   In the method of forming the embedded circuit in the insulating base as described above, when forming the embedded circuit in the insulating base, a circuit groove for circuit formation is formed on the insulating base by laser processing or the like. Various circuits having different depths and areas can be formed by applying electroless plating to the circuit grooves.

しかし、従来の技術では、深さや面積の異なる回路配線を一括でメッキ処理する際、メッキむらにより回路部、ビア部、パッド部における導体未充填が生じたり、あるいは、絶縁層表面より高くオーバーメッキされてしまうことによって回路表面が不均一となったり、ショートしてしまったりと、信頼性に問題があった。また、回路表面が不均一になると、回路上への部品実装が、接触不良により困難となる問題もある。さらに、多層化を進める際、メッキむらによる回路両面の凹凸により、絶縁層の積層が不均一になり、それにより絶縁層表面に凹凸が生じるおそれがある。絶縁層表面が平坦でないと、レーザー加工の際に焦点の位置ずれが生じ、レーザー加工に悪影響を及ぼすことや、絶縁層が不均一となり、予期しない反りの発生による基板の実装不良、接続不良が生じるとういった問題が発生する。   However, according to the conventional technology, when circuit wiring with different depths and areas is plated at a time, plating unevenness causes unfilled conductors in the circuit portion, via portion, and pad portion, or overplating higher than the insulating layer surface. As a result, the circuit surface becomes non-uniform or short-circuited, causing problems in reliability. Further, when the circuit surface becomes non-uniform, there is a problem that component mounting on the circuit becomes difficult due to poor contact. Furthermore, when the number of layers is increased, unevenness on both sides of the circuit due to uneven plating may cause the insulating layer to be non-uniformly laminated, thereby causing unevenness on the surface of the insulating layer. If the surface of the insulating layer is not flat, the focal point will be displaced during laser processing, which will adversely affect the laser processing, and the insulating layer will become non-uniform, resulting in poor board mounting and poor connection due to unexpected warpage. Such a problem will occur.

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、サイズや深さの異なる溝を形成する工程を含む多層回路基板の製造において、溝形成や位置合わせ、並びにメッキ処理による導体充填を簡略化でき、かつ、確実に部品実装を行うことができる製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and in manufacturing a multilayer circuit board including a step of forming grooves of different sizes and depths, the conductor formation by the groove formation and alignment and plating treatment is simplified. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method that can be manufactured and that can reliably perform component mounting.

本発明の一態様に係る多層回路基板の製造方法は、相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、コア基板又は第1の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程(a)、前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程(b)、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第1の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程(c)、前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程(d)、前記樹脂被膜を前記絶縁層から除去する被膜除去工程(e)、前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程(f)、及び前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程(g)を備えることを特徴とする。   A method of manufacturing a multilayer circuit board according to one aspect of the present invention is a method of manufacturing a multilayer circuit board having an electrical circuit and an interlayer connection hole that are connected to each other, and the core substrate or the first electrical circuit is formed. An insulating layer forming step (a) for forming an insulating layer on the circuit forming surface of the circuit board, a film forming step (b) for forming a resin coating on the outer surface of the insulating layer, and the outer surface of the resin coating as a reference A circuit groove forming step (c) for exposing the core substrate or the circuit board on which the first electric circuit is formed by forming a groove having a depth equal to or greater than a thickness of the resin film; and a surface of the resin film; A catalyst deposition step (d) for depositing a plating catalyst on the surface of the circuit groove, a coating removal step (e) for removing the resin coating from the insulating layer, and electroless plating on the insulating layer In the part where the catalyst remains Plating step of forming a Tsu key film (f), and characterized in that it comprises the etching process is removed by etching (g) plating portion projecting from the insulating layer surface.

さらに、上記製造方法において、前記樹脂被膜は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜であることが好ましい。   Furthermore, in the above manufacturing method, the resin film is preferably a resin film that can be dissolved or removed from the insulating layer by dissolving or swelling with a predetermined liquid.

また、前記触媒被着工程が酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がアルカリ性溶液中で前記樹脂被膜を膨潤又は溶解させる工程を備え、前記樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対しては膨潤又は溶解せず、前記アルカリ性溶液に対しては膨潤又は溶解する樹脂被膜であることが好ましい。   Further, the catalyst deposition step includes a step of treating in an acidic catalyst metal colloid solution, and the coating peeling step includes a step of swelling or dissolving the resin coating in an alkaline solution, wherein the resin coating comprises the acidic catalyst. A resin film that does not swell or dissolve in the metal colloid solution and swells or dissolves in the alkaline solution is preferable.

さらに、前記回路溝形成工程が、電気回路用回路パターンと層間接続用孔とを設けるために、レーザー加工によりサイズや深さの異なる溝を形成することを含むことが好ましい。   Furthermore, it is preferable that the circuit groove forming step includes forming grooves having different sizes and depths by laser processing in order to provide the circuit pattern for electric circuit and the hole for interlayer connection.

また、前記メッキ処理工程が、前記メッキ触媒が残留する回路溝に選択的にメッキ膜が形成されることにより、前記回路溝がメッキにより完全に充填されること含むことが好ましい。   In addition, it is preferable that the plating treatment step includes that the circuit groove is completely filled by plating by selectively forming a plating film in the circuit groove where the plating catalyst remains.

さらに、上記製造方法において、前記エッチング工程が、有機酸ベースのアルカリ性エッチング剤を用いるエッチング処理であることが好ましい。   Further, in the above manufacturing method, the etching step is preferably an etching process using an organic acid-based alkaline etching agent.

また、上記製造方法は、前記絶縁層形成工程(a)〜前記エッチング工程(g)を繰り返すことにより多層化を行う多層化工程を備えていてもよい。   Moreover, the said manufacturing method may be provided with the multilayering process which multilayers by repeating the said insulating-layer formation process (a)-the said etching process (g).

本発明によれば、簡易かつ信頼性の高い、多層回路基板の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of a multilayer circuit board simple and reliable can be provided.

図1は、本発明の一実施形態に係る多層回路基板の製造方法における回路基板準備工程、(a)絶縁層形成工程、(b)被膜形成工程、(c)回路溝形成工程、(d)触媒被着工程、(e)被膜除去工程、(f)メッキ処理工程及び(g)エッチング処理工程を示す、断面図である。FIG. 1 shows a circuit board preparation step, (a) an insulating layer formation step, (b) a film formation step, (c) a circuit groove formation step, and (d) in a method for manufacturing a multilayer circuit substrate according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows a catalyst deposition process, (e) film removal process, (f) plating process, and (g) etching process. 図2は、本発明の一実施形態に係る多層回路基板の製造方法における、多層化工程を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing a multilayering process in the method for manufacturing a multilayer circuit board according to an embodiment of the present invention. 図3は、エッチング処理工程前(A)およびエッチング処理後(B)の基板を表面から見た概略図である。FIG. 3 is a schematic view of the substrate before (A) and after the etching process (B) as viewed from the surface. 図4は、図3に示すエッチング処理工程前(A)およびエッチング処理後(B)の基板の断面図である。4 is a cross-sectional view of the substrate before (A) and after the etching process (B) shown in FIG. 図5は、従来品の基板(A)と本発明の基板(B)におけるメッキ処理後の部品実装の比較を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a comparison of component mounting after plating on a conventional substrate (A) and a substrate (B) of the present invention. 図6は、従来品の基板(A)と本発明の基板(B)における、多層化工程後(2層目の絶縁層形成後)の状態を比較した断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view comparing the state of the conventional substrate (A) and the substrate (B) of the present invention after the multilayering step (after the formation of the second insulating layer).

本発明の実施形態に係る多層回路基板の製造方法は、相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、コア基板又は第1の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程(a)、前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程(b)、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第1の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程(c)、前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程(d)、前記樹脂被膜を前記絶縁層から除去する被膜除去工程(e)、前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程(f)、及び前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程(g)を備えることを特徴とする。   A method of manufacturing a multilayer circuit board according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing a multilayer circuit board having an electrical circuit and an interlayer connection hole that are connected to each other, and a core substrate or a first electrical circuit is formed. An insulating layer forming step (a) for forming an insulating layer on the circuit forming surface of the circuit board, a film forming step (b) for forming a resin coating on the outer surface of the insulating layer, and the outer surface of the resin coating as a reference A circuit groove forming step (c) for exposing the core substrate or the circuit board on which the first electric circuit is formed by forming a groove having a depth equal to or greater than a thickness of the resin film; and a surface of the resin film; A catalyst deposition step (d) for depositing a plating catalyst on the surface of the circuit groove, a coating removal step (e) for removing the resin coating from the insulating layer, and electroless plating on the insulating layer The part where the catalyst remains Plating step of forming a plating film (f), and characterized in that it comprises the etching process is removed by etching (g) plating portion projecting from the insulating layer surface.

このような構成により、本発明の製造方法は、以下のような利点を有する:
まず、1回の溝形成工程にて、サイズや深さの異なる溝を形成することにより、溝形成時に必要となる位置あわせ工程を1回のみで行うことができる。これにより微細配線形成時に問題となる位置ずれの問題を解消できると考えられる。
With this configuration, the manufacturing method of the present invention has the following advantages:
First, by forming grooves of different sizes and depths in a single groove forming process, the alignment process required at the time of groove formation can be performed only once. This is considered to solve the problem of misalignment, which is a problem when forming fine wiring.

また、サイズや深さの異なる溝の形成後、メッキにより一括で導体充填を行うことにより、製造工程の簡略化を実現できると考えられる。   In addition, it is considered that simplification of the manufacturing process can be realized by forming conductors collectively by plating after forming grooves having different sizes and depths.

絶縁層表面より突出した不要なめっき部を除去し、絶縁層部と回路部とを平坦化するとともに、回路にショートが発生することを防ぐことができる。また、回路表面の平坦化による回路表面上への部品実装の実現を可能とする。   Unnecessary plated portions protruding from the surface of the insulating layer are removed, the insulating layer portion and the circuit portion are planarized, and a short circuit can be prevented from occurring. Further, it is possible to realize component mounting on the circuit surface by flattening the circuit surface.

さらに、絶縁層部と回路部とを平坦化することにより、多層化の際に生じる下層回路部上の絶縁層の凹凸形成を抑制し、焦点距離ズレのよるレーザー加工への悪影響の抑制、絶縁層が不均一なことによる不規則な反りの発生を抑制することができると考えられる。   Furthermore, by flattening the insulating layer and the circuit part, the formation of irregularities in the insulating layer on the lower circuit part that occurs during multilayering is suppressed, and the adverse effect on laser processing due to focal length deviation is suppressed, insulating. It is considered that the occurrence of irregular warpage due to the non-uniform layer can be suppressed.

以下、本実施形態に係る製造方法について、必要に応じて図面を参照しながら、具体的に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method according to the present embodiment will be specifically described with reference to the drawings as necessary.

図1は本発明に係る製造方法の一実施形態を説明するための工程図(断面図)である。   FIG. 1 is a process diagram (cross-sectional view) for explaining an embodiment of a production method according to the present invention.

<回路基板準備工程>
本実施形態の製造方法においては、まず、図1の最初に示すように、コア基板又は第1電気回路が形成された回路基板1を準備する(回路基板準備工程)。なお、第1回路基板の形成方法はここでは問わない。例えばサブトラクティブ法やアディティブ法等の従来から知られた回路形成方法で形成されたものでよい。さらに、回路基板は、片面のみに回路形成されたものでも、あるいは両面とも回路形成されたものでもよい。また、多層回路基板であってもよい。
<Circuit board preparation process>
In the manufacturing method of this embodiment, first, as shown in the beginning of FIG. 1, a circuit board 1 on which a core board or a first electric circuit is formed is prepared (circuit board preparation step). In addition, the formation method of a 1st circuit board is not ask | required here. For example, it may be formed by a conventionally known circuit forming method such as a subtractive method or an additive method. Further, the circuit board may be formed on only one side or may be formed on both sides. A multilayer circuit board may also be used.

また、コア基板および回路基板としては、従来から多層回路基板の製造に使用される各種有機基板が特に限定なく採用可能である。有機基板の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。コア基板の形態としては、シート、フィルム、プリプレグ、三次元形状の成形体等、特に限定されない。コア基板の厚みも特に限定されず、例えば、シート、フィルム、プリプレグ等の場合は、10〜500μm、好ましくは20〜200μm程度の厚みである。   In addition, as the core substrate and the circuit substrate, various organic substrates conventionally used for manufacturing a multilayer circuit substrate can be employed without any particular limitation. Specific examples of the organic substrate include substrates made of epoxy resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyimide resin, polyphenylene sulfide resin, polyphenylene ether resin, cyanate resin, benzoxazine resin, bismaleimide resin, and the like. The form of the core substrate is not particularly limited, such as a sheet, a film, a prepreg, and a three-dimensional shaped molded body. The thickness of the core substrate is also not particularly limited. For example, in the case of a sheet, a film, a prepreg, etc., the thickness is about 10 to 500 μm, preferably about 20 to 200 μm.

<絶縁層形成工程(a)>
次に、図1(a)に示すように、コア基板または第1回路が形成された回路基板1の上面(回路形成面)に絶縁層2を形成する(絶縁層形成工程)。この絶縁層2の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等、樹脂溶液塗布により形成したもの等が挙げられる。前記絶縁層2の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、10〜200μmであることが好ましく、20〜100μm程度であることがより好ましい。また、前記絶縁層2としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。絶縁層2は、例えば、基板1の上面に、シート、フィルム、あるいはプリプレグを積層し、加圧して張り合わせた後、硬化させることで形成可能であり、加熱加圧により硬化させることでも形成できる。また、絶縁層2は、基板1の上面に樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより形成することもできる。また、金型及び枠型等を用いて絶縁層となる材料を入れて、加圧し、硬化させることで三次元形状の成形体等を形成してもよいし、シート、フィルム、あるいはプリプレグを打ち抜き、くりぬいたものを、基板1の上面に積層し、加圧張り合わせた後、硬化させること、もしくは、加熱加圧により硬化させることにより三次元形状の成形体等を形成してもよい。
<Insulating layer forming step (a)>
Next, as shown in FIG. 1A, the insulating layer 2 is formed on the upper surface (circuit forming surface) of the circuit substrate 1 on which the core substrate or the first circuit is formed (insulating layer forming step). The form of the insulating layer 2 is not particularly limited. Specific examples include a sheet, a film, a prepreg, and a three-dimensional molded article formed by applying a resin solution. The thickness of the insulating layer 2 is not particularly limited. Specifically, in the case of a sheet, film, or prepreg, for example, the thickness is preferably 10 to 200 μm, and more preferably about 20 to 100 μm. The insulating layer 2 may contain inorganic fine particles such as silica particles. The insulating layer 2 can be formed, for example, by laminating a sheet, a film, or a prepreg on the upper surface of the substrate 1, pressing them together, and curing them, or by curing them by heating and pressing. The insulating layer 2 can also be formed by applying a resin solution to the upper surface of the substrate 1 and then curing it. In addition, a material to be an insulating layer may be put in using a mold and a frame mold, and pressed and cured to form a three-dimensional molded body, or a sheet, film, or prepreg is punched out. A three-dimensional shaped article or the like may be formed by laminating the hollowed material on the upper surface of the substrate 1 and pressurizing them, followed by curing, or curing by heating and pressing.

前記絶縁層2は、従来から多層回路基板の製造に使用される各種有機基板が特に限定なく採用可能である。有機基板の具体例としては、従来から多層回路基板の製造に使用される、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。   As the insulating layer 2, various organic substrates conventionally used for manufacturing a multilayer circuit board can be used without any particular limitation. Specific examples of organic substrates include those conventionally used in the manufacture of multilayer circuit boards, such as epoxy resins, acrylic resins, polycarbonate resins, polyimide resins, polyphenylene sulfide resins, polyphenylene ether resins, cyanate resins, benzoxazine resins, bis Examples include a substrate made of maleimide resin or the like.

前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂及び樹脂としては、上記各エポキシ樹脂および樹脂を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is an epoxy resin constituting various organic substrates that can be used for manufacturing a circuit board. Specifically, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, aralkyl epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin , Dicyclopentadiene type epoxy resins, epoxidized products of condensates of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group, triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resins, and the like. Furthermore, the epoxy resin, nitrogen-containing resin, and silicone-containing resin that are brominated or phosphorus-modified to impart flame retardancy are also included. Moreover, as said epoxy resin and resin, said each epoxy resin and resin may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.

また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。   Moreover, when comprising a base material with said each resin, in order to make it harden | cure, a hardening | curing agent is generally contained. The curing agent is not particularly limited as long as it can be used as a curing agent. Specific examples include dicyandiamide, phenolic curing agents, acid anhydride curing agents, aminotriazine novolac curing agents, and cyanate resins.

前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。更に難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂または、リン変性したシアネート樹脂等もあげられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   As said phenol type hardening | curing agent, a novolak type, an aralkyl type, a terpene type etc. are mentioned, for example. Further examples include phosphorus-modified phenolic resins or phosphorus-modified cyanate resins for imparting flame retardancy. Moreover, as said hardening | curing agent, said each hardening | curing agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.

また特に限定されないが、レーザー加工により回路パターンを形成することから、100nm〜400nm波長領域でのレーザー光の吸収率が良い樹脂等を用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。   Although not particularly limited, it is preferable to use a resin or the like that has a good laser light absorption rate in a wavelength region of 100 nm to 400 nm because a circuit pattern is formed by laser processing. For example, specifically, a polyimide resin or the like can be given.

また、前記絶縁基材(絶縁層)には、フィラーを含有していてもよい。前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザー加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるメッキと樹脂との密着性を向上することが可能である。   The insulating base material (insulating layer) may contain a filler. The filler may be inorganic fine particles or organic fine particles, and is not particularly limited. By containing the filler, the filler is exposed in the laser processed part, and it is possible to improve the adhesion between the plating due to the unevenness of the filler and the resin.

前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(Al)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、シリカ(SiO)、チタン酸バリウム(BaTiO)、酸化チタン(TiO)等の高誘電率充填材;ハードフェライト等の磁性充填材;水酸化マグネシウム(Mg(OH))、水酸化アルミニウム(Al(OH))、三酸化アンチモン(Sb)、五酸化アンチモン(Sb)、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤;タルク(Mg(Si10)(OH))、硫酸バリウム(BaSO)、炭酸カルシウム(CaCO)、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また、特に限定はされないが、絶縁層の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、更には0.01μm〜10μm、更に好ましくは、0.05μm〜5μmの平均粒径のフィラーを用いるのがよい。 Specific examples of the material constituting the inorganic fine particles include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), silica (SiO 2 ), High dielectric constant fillers such as barium titanate (BaTiO 3 ) and titanium oxide (TiO 2 ); magnetic fillers such as hard ferrite; magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ), aluminum hydroxide (Al (OH) 2 ), Antimony trioxide (Sb 2 O 3 ), antimony pentoxide (Sb 2 O 5 ), guanidine salts, zinc borate, molybdate compounds, zinc stannate, and other inorganic flame retardants; talc (Mg 3 (Si 4 O 10) (OH) 2), barium sulfate (BaSO 4), calcium carbonate (CaCO 3), mica, and the like. As said inorganic fine particle, the said inorganic fine particle may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type. Since these inorganic fine particles have high thermal conductivity, relative dielectric constant, flame retardancy, particle size distribution, color tone freedom, etc., when selectively exerting a desired function, appropriate blending and particle size design should be performed. And high filling can be easily performed. Although not particularly limited, it is preferable to use a filler having an average particle diameter equal to or smaller than the thickness of the insulating layer, more preferably 0.01 μm to 10 μm, and still more preferably a filler having an average particle diameter of 0.05 μm to 5 μm. It is good.

また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The inorganic fine particles may be surface-treated with a silane coupling agent in order to improve dispersibility in the insulating base material. The insulating base material may contain a silane coupling agent in order to increase the dispersibility of the inorganic fine particles in the insulating base material. The silane coupling agent is not particularly limited. Specific examples include silane coupling agents such as epoxy silane, mercapto silane, amino silane, vinyl silane, styryl silane, methacryloxy silane, acryloxy silane, and titanate. As said silane coupling agent, the said silane coupling agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.

また、前記絶縁層2は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The insulating layer 2 may contain a dispersant in order to improve the dispersibility of the inorganic fine particles in the insulating base material. The dispersant is not particularly limited. Specific examples include dispersants such as alkyl ether, sorbitan ester, alkyl polyether amine, and polymer. As said dispersing agent, the said dispersing agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.

また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。   Specific examples of the organic fine particles include rubber fine particles.

また、例えば、基板1及び絶縁層2としてプリプレグを用いる場合には、基板1の上面(回路形成面)に絶縁層2を重ね合わせ、加熱プレスすることにより積層し硬化させてもよい。   For example, when using a prepreg as the substrate 1 and the insulating layer 2, the insulating layer 2 may be stacked on the upper surface (circuit forming surface) of the substrate 1 and heated and pressed to be cured.

なお、基板1を構成する素材の種類及び樹脂の種類等と、絶縁層2を構成する素材の種類及び樹脂の種類等とは、互いに異なっていてもよい。ただし、基板1と絶縁層2とを良好に密着させ積層させる観点からは、互いになじみの良い種類同士とすることが好ましく、典型的には同じ種類同士とすることがより好ましい。   Note that the types of materials and resins constituting the substrate 1 and the types and materials of the materials constituting the insulating layer 2 may be different from each other. However, from the viewpoint of satisfactorily adhering and laminating the substrate 1 and the insulating layer 2, it is preferable that the types be familiar with each other, and it is more preferable that the types are typically the same.

<被膜形成工程(b)>
次に、図1(b)に示すように、絶縁層2の外表面部に樹脂被膜3を形成する(被膜形成工程)。樹脂被膜(レジスト)3は、後述する被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。樹脂被膜3は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層2の上面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜が好ましい。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解し得る可溶型樹脂からなる被膜や、所定の液体(膨潤液)で膨潤し得る膨潤性樹脂からなる被膜等が挙げられる。なお、膨潤性樹脂被膜には、所定の液体に対して実質的に溶解せず、膨潤により絶縁層2の表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、所定の液体に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により絶縁層2の表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、所定の液体に対して溶解し、その溶解により絶縁層2の表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。このような樹脂被膜を用いることにより、絶縁層表面から樹脂被膜を容易かつ良好に除去できる。樹脂被膜を除去するときに樹脂被膜を崩壊させると、その樹脂被膜に被着したメッキ触媒が飛散し、飛散したメッキ触媒が絶縁層に再被着してその部分に不要なメッキ膜が形成される問題がある。絶縁層表面から樹脂被膜を容易かつ良好に除去できるから、そのような問題が防止できる。
<Film formation process (b)>
Next, as shown in FIG.1 (b), the resin film 3 is formed in the outer surface part of the insulating layer 2 (film formation process). The resin film (resist) 3 is not particularly limited as long as it can be removed in a film removal step described later. The resin film 3 is preferably a resin film that can be easily dissolved or removed from the upper surface of the insulating layer 2 by dissolving or swelling with a predetermined liquid. Specifically, for example, a film made of a soluble resin that can be easily dissolved by an organic solvent or an alkaline solution, a film made of a swellable resin that can swell with a predetermined liquid (swelling liquid), and the like can be given. Note that the swellable resin film does not substantially dissolve in a predetermined liquid and swells in a predetermined liquid as well as a resin film that easily peels off from the surface of the insulating layer 2 due to swelling. Furthermore, at least a part is dissolved, and the resin film that is easily peeled off from the surface of the insulating layer 2 by swelling or dissolution thereof, or dissolved in a predetermined liquid, and easily dissolved from the surface of the insulating layer 2 by dissolution. A resin film that peels off is also included. By using such a resin film, the resin film can be easily and satisfactorily removed from the surface of the insulating layer. If the resin film is collapsed when removing the resin film, the plating catalyst deposited on the resin film will be scattered, and the scattered plating catalyst will be re-deposited on the insulating layer, and an unnecessary plating film will be formed on that part. There is a problem. Such a problem can be prevented because the resin film can be easily and satisfactorily removed from the surface of the insulating layer.

樹脂被膜3の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、絶縁層2の上面(外表面)に、樹脂被膜3を形成し得る液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜を絶縁層2の表面に転写する方法等が挙げられる。また、別の方法としては、絶縁層2の上面(外表面)に、予め形成された樹脂被膜3からなる樹脂フィルムを貼り合せる方法等も挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。   The method for forming the resin coating 3 is not particularly limited. Specifically, for example, a liquid material capable of forming the resin coating 3 is applied to the upper surface (outer surface) of the insulating layer 2 and then dried, or the liquid material is applied to a support substrate and then dried. For example, a method of transferring the resin film formed on the surface of the insulating layer 2 may be used. Moreover, as another method, the method of bonding the resin film which consists of the resin film 3 previously formed on the upper surface (outer surface) of the insulating layer 2 etc. are mentioned. The method for applying the liquid material is not particularly limited. Specifically, for example, conventionally known spin coating method, bar coater method and the like can be mentioned.

樹脂被膜3を形成するための材料としては、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層2の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂であれば特に限定なく用いられ得る。好ましくは、所定の液体に対する膨潤度が50%以上、より好ましくは、100%以上、さらに好ましくは、500%以上であるような膨潤度の樹脂が用いられる。なお、膨潤度が低すぎる場合には、樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。   As a material for forming the resin coating 3, any resin can be used without particular limitation as long as it can be easily dissolved or removed from the surface of the insulating layer 2 by dissolving or swelling with a predetermined liquid. Preferably, a resin having a degree of swelling with respect to a predetermined liquid is 50% or more, more preferably 100% or more, and still more preferably 500% or more. In addition, when the degree of swelling is too low, the resin film tends to be difficult to peel.

なお、樹脂被膜の膨潤度(SW)は、膨潤前重量m(b)及び膨潤後重量m(a)から、「膨潤度SW={(m(a)−m(b))/m(b)}×100(%)」の式で求められる。   The swelling degree (SW) of the resin film is calculated from the weight m (b) before swelling and the weight m (a) after swelling, as follows: “swelling degree SW = {(m (a) −m (b)) / m (b )} × 100 (%) ”.

このような樹脂被膜は、絶縁層2の表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥する方法や、支持基材にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される被膜を絶縁層2の表面に転写する方法等により容易に形成され得る。   Such a resin film is formed by applying an elastomer suspension or emulsion to the surface of the insulating layer 2 and then drying, or by applying an elastomer suspension or emulsion to a support substrate and then drying. Can be easily formed by a method of transferring the film to the surface of the insulating layer 2.

エラストマーの具体例としては、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の樹脂被膜を容易に形成することができる。   Specific examples of the elastomer include diene elastomers such as a styrene-butadiene copolymer, acrylic elastomers such as an acrylate ester copolymer, and polyester elastomers. According to such an elastomer, it is possible to easily form a resin film having a desired degree of swelling by adjusting the degree of crosslinking or gelation of the elastomer resin particles dispersed as a suspension or emulsion.

なお、このような樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のpHに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような、被膜を用いた場合には、後述する触媒被着工程における液性条件と、後述する被膜除去工程における液性条件とを相異させることにより、触媒被着工程におけるpHにおいては樹脂被膜3は絶縁層2に対する高い密着力を維持し、被膜除去工程におけるpHにおいては容易に樹脂被膜3を剥離除去することができる。   Such a resin film is particularly preferably a film whose degree of swelling varies depending on the pH of the swelling liquid. When such a coating is used, the resin in the pH in the catalyst deposition step can be obtained by differentiating the liquid conditions in the catalyst deposition step described later and the liquid conditions in the coating removal step described later. The coating film 3 maintains a high adhesion to the insulating layer 2, and the resin coating 3 can be easily peeled and removed at the pH in the coating removal step.

さらに具体的には、例えば、後述する触媒被着工程が、例えば、pH1〜3の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、後述する被膜除去工程がpH12〜14の範囲のアルカリ性溶液中で樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が60%以下、さらには40%以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が50%以上、さらには100%以上、さらには500%以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。   More specifically, for example, the catalyst deposition step described later includes a step of treating in an acidic catalyst metal colloid solution having a pH in the range of 1 to 3, for example, and the coating removal step described later is alkaline in the range of pH 12 to 14. When the step of swelling the resin coating in the solution is provided, the resin coating has a swelling degree of 60% or less, further 40% or less with respect to the acidic catalyst metal colloid solution, and a swelling degree with respect to the alkaline solution of 50%. % Or more, preferably 100% or more, and more preferably 500% or more.

このような樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト(以下「DFR」と記す場合がある)等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型のシート等が挙げられる。   Examples of such resin coatings are used for sheets formed from elastomers having a predetermined amount of carboxyl groups, dry film resists for patterning printed wiring boards (hereinafter sometimes referred to as “DFR”), and the like. Examples thereof include a sheet obtained by completely curing a photocurable alkali-developing resist, a thermosetting or alkali-developing sheet, and the like.

カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマーや、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、あるいはポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量、架橋度又はゲル化度等を調整することにより、所望のアルカリ膨潤度を有する樹脂被膜を形成することができる。また、被膜除去工程において用いる所定の液体に対する膨潤度をより大きくでき、前記液体に対して溶解する樹脂被膜も容易に形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して樹脂被膜を膨潤させて、絶縁層2の表面から樹脂被膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは、カルボキシル基1個当たりのポリマー分子量である。   Specific examples of the elastomer having a carboxyl group include diene elastomers such as a styrene-butadiene copolymer having a carboxyl group in the molecule by containing a monomer unit having a carboxyl group as a copolymerization component, and acrylic. Examples include acrylic elastomers such as acid ester copolymers, and polyester elastomers. According to such an elastomer, a resin film having a desired degree of alkali swelling can be formed by adjusting the acid equivalent, the degree of crosslinking or the degree of gelation of the elastomer dispersed as a suspension or emulsion. Moreover, the swelling degree with respect to the predetermined | prescribed liquid used in a film removal process can be enlarged, and the resin film which melt | dissolves with respect to the said liquid can also be formed easily. The carboxyl group in the elastomer swells the resin film with respect to the alkaline aqueous solution and acts to peel the resin film from the surface of the insulating layer 2. The acid equivalent is the polymer molecular weight per carboxyl group.

カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。   Specific examples of the monomer unit having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and the like.

このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で100〜2000、さらには100〜800であることが好ましい。酸当量が小さ過ぎる場合(カルボキシル基の数が相対的に多過ぎる場合)には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、無電解メッキの前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大き過ぎる場合(カルボキシル基の数が相対的に少な過ぎる場合)には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。   The content ratio of the carboxyl group in the elastomer having such a carboxyl group is preferably 100 to 2000, more preferably 100 to 800 in terms of acid equivalent. When the acid equivalent is too small (when the number of carboxyl groups is relatively large), the compatibility with a pretreatment solution for electroless plating is reduced due to a decrease in compatibility with a solvent or other composition. Tend. In addition, when the acid equivalent is too large (when the number of carboxyl groups is relatively small), the peelability with respect to the alkaline aqueous solution tends to decrease.

また、エラストマーの分子量としては、1万〜100万、さらには、2万〜50万、さらには、2万〜6万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大き過ぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さ過ぎる場合には粘度が低下するために樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になると共に、無電解メッキの前処理液に対する耐性も低下する傾向がある。   The molecular weight of the elastomer is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 20,000 to 500,000, and more preferably 20,000 to 60,000. If the molecular weight of the elastomer is too large, the releasability tends to decrease, and if it is too small, the viscosity decreases, making it difficult to maintain a uniform thickness of the resin film and before electroless plating. There is also a tendency that the resistance to the treatment liquid also decreases.

また、DFRとしては、例えば、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられ得る。このようなDFRの具体例としては、特開2000−231190号公報、特開2001−201851号公報、特開平11−212262号公報に開示されるような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のDFRとして市販されている、例えば、旭化成工業社製のUFGシリーズ等が挙げられる。   In addition, as DFR, for example, an acrylic resin, an epoxy resin, a styrene resin, a phenol resin, a urethane resin, or the like containing a predetermined amount of a carboxyl group is used as a resin component, and a photopolymerization initiator is included. A sheet of curable resin composition may be used. Specific examples of such DFR include a dry film of a photopolymerizable resin composition as disclosed in JP-A-2000-231190, JP-A-2001-201851, and JP-A-11-212262. Sheets obtained by curing, and commercially available as an alkali development type DFR, for example, UFG series manufactured by Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd. may be mentioned.

さらに、その他の樹脂被膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂(例えば、吉川化工社製の「NAZDAR229」)や、フェノールを主成分とする樹脂(例えば、LEKTRACHEM社製の「104F」)等が挙げられる。   Examples of other resin coatings include rosin-based resins containing carboxyl groups (for example, “NAZDAR229” manufactured by Yoshikawa Chemical Co., Ltd.) and phenol-based resins (for example LEKTRACHEM). Manufactured "104F").

樹脂被膜3は、絶縁層2の表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基材に形成されたDFRを真空ラミネーター等を用いて絶縁層2の表面に貼り合わせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。   The resin coating 3 is formed on the surface of the insulating layer 2 by applying a resin suspension or emulsion using a conventionally known coating means such as a spin coat method or a bar coater method, followed by drying, or a support substrate. After the DFR is bonded to the surface of the insulating layer 2 using a vacuum laminator or the like, it can be easily formed by curing the entire surface.

樹脂被膜3の厚みとしては、例えば、10μm以下が好ましく、5μm以下がさらに好ましい。また、0.1μm以上が好ましく、1μm以上がさらに好ましい。厚みが厚過ぎる場合は、微細な回路溝をレーザー加工や機械加工等により形成する際に精度が低下する傾向がある。また、厚みが薄過ぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜3を形成し難くなる傾向がある。   For example, the thickness of the resin coating 3 is preferably 10 μm or less, and more preferably 5 μm or less. Moreover, 0.1 micrometer or more is preferable and 1 micrometer or more is further more preferable. When the thickness is too thick, the accuracy tends to be lowered when the fine circuit groove is formed by laser processing or machining. Moreover, when the thickness is too thin, it tends to be difficult to form the resin film 3 having a uniform film thickness.

また、前記樹脂被膜3として、例えば、酸等量が100〜800程度のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂(カルボキシル基含有アクリル系樹脂)を主成分とする樹脂被膜もまた好ましく用いられ得る。   Moreover, as the resin film 3, for example, a resin film mainly composed of a resin (carboxyl group-containing acrylic resin) made of an acrylic resin having a carboxyl group with an acid equivalent of about 100 to 800 can also be used. .

さらに、上記のものの他に、前記樹脂被膜3として、次のようなものもまた好適である。すなわち、前記樹脂被膜を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、(1)後述の触媒被着工程で、樹脂被膜が形成された絶縁基材(回路基板や絶縁層等)を浸漬させる液体(めっき核付け薬液)に対する耐性が高いこと、(2)後述の被膜除去工程、例えば、樹脂被膜が形成された絶縁基材をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜(レジスト)が容易に除去できること、(3)成膜性が高いこと、(4)ドライフィルム(DFR)化が容易なこと、(5)保存性が高いこと等が挙げられる。めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Pd−Snコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性(例えばpH1〜3)水溶液である。また、アルカリ性Pdイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ(pH8〜12)であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、pH1〜11、好ましくはpH1〜12に耐え得ることが必要である。なお、耐え得るとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜60℃、浸漬時間は、1〜10分間、レジスト膜厚は、1〜10μm程度が一般的であるが、これらに限定されない。被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、NaOH水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのpHは、11〜14であり、好ましくはpH12から14でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。NaOH水溶液濃度は、1〜10%程度、処理温度は、室温〜50℃、処理時間は、1〜10分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター(ロール、真空)で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜160℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた3層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。   In addition to the above, the following is also suitable as the resin coating 3. That is, as a characteristic required for the resist material constituting the resin film, for example, (1) an insulating base material (circuit board, insulating layer, etc.) on which the resin film is formed is immersed in a catalyst deposition process described later. Resistant to liquid (plating nucleation chemical solution) is high, (2) Resin film (resist) is easily removed by the film removal process described later, for example, the process of immersing the insulating base material on which the resin film is formed in alkali (3) High film formability, (4) Easy dry film (DFR) formation, (5) High storage stability, and the like. As the plating nucleation chemical solution, as will be described later, for example, in the case of an acidic Pd—Sn colloid catalyst system, all are acidic (for example, pH 1 to 3) aqueous solutions. Moreover, in the case of an alkaline Pd ion catalyst system, the catalyst imparting activator is a weak alkali (pH 8 to 12), and the others are acidic. From the above, it is necessary to withstand pH 1 to 11, and preferably pH 1 to 12, as the resistance to the plating nucleating solution. In addition, being able to withstand is that when a sample on which a resist is formed is immersed in a chemical solution, swelling and dissolution of the resist are sufficiently suppressed, and the resist plays a role as a resist. The immersion temperature is generally room temperature to 60 ° C., the immersion time is 1 to 10 minutes, and the resist film thickness is generally about 1 to 10 μm, but is not limited thereto. As the alkali stripping chemical used in the film removal step, as will be described later, for example, an aqueous NaOH solution or an aqueous sodium carbonate solution is common. Its pH is 11 to 14, and it is desirable that the resist film can be easily removed preferably at pH 12 to 14. The NaOH aqueous solution concentration is about 1 to 10%, the treatment temperature is room temperature to 50 ° C., the treatment time is 1 to 10 minutes, and the immersion or spray treatment is generally performed, but is not limited thereto. Since a resist is formed on an insulating material, film formability is also important. A uniform film formation without repelling or the like is necessary. Moreover, although it is made into a dry film for the simplification of a manufacturing process, reduction of material loss, etc., the flexibility of a film is required in order to ensure handling property. Also, a dry film resist is pasted on the insulating material with a laminator (roll, vacuum). The pasting temperature is room temperature to 160 ° C., and the pressure and time are arbitrary. Thus, adhesiveness is required at the time of pasting. For this reason, the resist formed into a dry film is generally used as a three-layer structure sandwiched by a carrier film and a cover film to prevent dust from adhering, but is not limited thereto. The best preservation is that it can be stored at room temperature, but it must also be refrigerated or frozen. As described above, it is necessary to prevent the composition of the dry film from being separated at low temperatures or to be cracked due to a decrease in flexibility.

以上のような観点から、前記樹脂被膜3として、(a)分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも1種類以上の単量体と、(b)(a)単量体と重合しうる少なくとも1種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。公知技術として、特開平7−281437、特開2000−231190、特開2001−201851等が挙げられる。(a)単量体の一例として、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは2種類以上を組み合わせても良い。(b)単量体の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を(1個)有するものが一般的であり、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、iso−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシルエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシルプロピル(メタ)アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や(メタ)アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に1個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、3次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定することができる。また、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。   From the above viewpoint, as the resin coating 3, (a) at least one monomer of carboxylic acid or acid anhydride having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule, and (b) ( It may be a polymer resin obtained by polymerizing a) at least one monomer that can be polymerized with a monomer, or a resin composition containing this polymer resin. Known techniques include JP-A-7-281437, JP-A-2000-231190, JP-A-2001-201851, and the like. (A) As an example of the monomer, (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid half ester, butyl acrylate, etc. may be mentioned alone or Two or more types may be combined. Examples of the monomer (b) are generally non-acidic and have (1) a polymerizable unsaturated group in the molecule, but are not limited thereto. It is selected so as to maintain various properties such as resistance in the plating process and flexibility of the cured film. Specifically, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2 -There are hydroxylethyl (meth) acrylates and 2-hydroxylpropyl (meth) acrylates. Further, there are esters of vinyl alcohol such as vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene or polymerizable styrene derivatives. It can also be obtained by polymerization of only a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Furthermore, a monomer having a plurality of unsaturated groups can be selected as the monomer used for the polymer so that three-dimensional crosslinking can be performed. In addition, reactive functional groups such as epoxy groups, hydroxyl groups, amino groups, amide groups, and vinyl groups can be introduced into the molecular skeleton.

樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は酸当量で100〜2000が良く、100〜800が好ましく、100〜600がさらに好ましい。酸当量が低すぎると、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する。酸当量が高すぎると剥離性が低下する。また、(a)単量体の組成比率は5〜70質量%が好ましい。   When a carboxyl group is contained in the resin, the amount of the carboxyl group contained in the resin is preferably 100 to 2000, preferably 100 to 800, and more preferably 100 to 600 in terms of acid equivalent. If the acid equivalent is too low, the compatibility with the solvent or other composition is lowered and the resistance to the plating pretreatment solution is lowered. If the acid equivalent is too high, the peelability is lowered. Further, the composition ratio of the monomer (a) is preferably 5 to 70% by mass.

樹脂組成物は、メイン樹脂(バインダー樹脂)として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーや、その他の添加剤の少なくとも1種類を添加してもよい。メイン樹脂は、熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。分子量としては、重量平均分子量で1,000〜500,000程度であり、5,000〜50,000が好ましい。重量平均分子量が小さいと膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性(耐酸性)が低下する。また分子量が大きいとアルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。   The resin composition may contain the polymer resin as an essential component as a main resin (binder resin), and may contain at least one of oligomers, monomers, fillers, and other additives. The main resin is preferably a linear polymer having thermoplastic properties. In order to control fluidity and crystallinity, it may be branched by grafting. The molecular weight is about 1,000 to 500,000 in terms of weight average molecular weight, and preferably 5,000 to 50,000. When the weight average molecular weight is small, the flexibility of the film and the resistance to the plating nucleation solution (acid resistance) are lowered. On the other hand, when the molecular weight is large, the alkali peelability and the sticking property when a dry film is formed deteriorate. Furthermore, a crosslinking point may be introduced to improve resistance to plating nucleus chemicals, suppress thermal deformation during laser processing, and control flow.

モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム(DFR)の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加することが考えられる。具体的には、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、iso−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシルエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシルプロピル(メタ)アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や(メタ)アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に1個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを2種類以上含むことも可能である。モノマーの例としては、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、またポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ(メタ)アクリレート、2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)プロパンジ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、2,2−ビス(4−メタクリロキシペンタエトキシフェニル)プロパン、ウレタン基を含有する多官能(メタ)アクリレート等がある。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。   Any monomer or oligomer may be used as long as it is resistant to plating nucleation chemicals and can be easily removed with alkali. Further, in order to improve the sticking property of the dry film (DFR), it can be considered that it is used as a tackifier as a plasticizer. Further, it is conceivable to add a crosslinking agent in order to increase various resistances. Specifically, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2 -There are hydroxylethyl (meth) acrylates and 2-hydroxylpropyl (meth) acrylates. Further, there are esters of vinyl alcohol such as vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene or polymerizable styrene derivatives. It can also be obtained by polymerization of only a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Furthermore, a polyfunctional unsaturated compound may be included. Any of the above monomers or oligomers obtained by reacting the monomers may be used. In addition to the above monomers, it is possible to include two or more other photopolymerizable monomers. Examples of monomers include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polyoxyethylene Polyoxyalkylene glycol di (meth) acrylate such as polyoxypropylene glycol di (meth) acrylate, 2-di (p-hydroxyphenyl) propane di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) Acrylate, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether tri (meth) acrylate, 2,2-bis (4-methacryloxy) Pointer ethoxyphenyl) propane, there is a polyfunctional (meth) acrylate containing urethane groups. Any of the above monomers or oligomers obtained by reacting the monomers may be used.

フィラーは特に限定されないが、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。また、レジストの好ましい厚みは、0.1〜10μmと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。   The filler is not particularly limited, but silica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, clay, kaolin, titanium oxide, barium sulfate, alumina, zinc oxide, talc, mica, glass, potassium titanate, wollastonite, sulfuric acid Magnesium, aluminum borate, an organic filler, etc. are mentioned. Moreover, since the preferable thickness of a resist is as thin as 0.1-10 micrometers, the thing with a small filler size is preferable. Although it is preferable to use a material having a small average particle size and cut coarse particles, the coarse particles can be crushed during dispersion or removed by filtration.

その他の添加剤として、光重合性樹脂(光重合開始剤)、重合禁止剤、着色剤(染料、顔料、発色系顔料)、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。   Examples of other additives include a photopolymerizable resin (photopolymerization initiator), a polymerization inhibitor, a colorant (dye, pigment, coloring pigment), a thermal polymerization initiator, and a crosslinking agent such as epoxy and urethane.

次に説明する回路溝形成工程では、樹脂被膜3は、レーザー加工等されるため、レジスト材料にレーザーによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザー加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、UV−YAGレーザーなどが選定される。これらのレーザー加工機は種々の固有の波長を持っており、この波長に対してUV吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもUV−YAGレーザーは微細加工に適しており、レーザー波長は3倍高調波355nm、4倍高調波266nmであるため、レジスト材料(樹脂被膜3の材料)としては、これらの波長に対して、UV吸収率が相対的に高いことが望ましい。UV吸収率が高くなるほど、レジストの加工がきれいに仕上がり、生産性の向上が図れる。もっとも、これに限らず、UV吸収率の相対的に低いレジスト材料を選定するほうがよい場合もあり得る。UV吸収率が低くなるほど、UV光がレジストを通過するので、その下の絶縁層2の加工にUVエネルギーを集中させることができ、絶縁層2が加工しにくい材料である場合等に特に好ましい結果が得られる。このように、レジストのレーザー加工のしやすさ、絶縁層2のレーザー加工のしやすさ、およびこれらの関係等に応じて、レジスト材料を設計することが好ましい。   In the circuit groove forming step to be described next, the resin coating 3 is subjected to laser processing or the like, and therefore it is necessary to impart a laser ablation property to the resist material. As the laser processing machine, for example, a carbon dioxide laser, an excimer laser, a UV-YAG laser, or the like is selected. These laser processing machines have various intrinsic wavelengths, and productivity can be improved by using a material having a high UV absorption rate for these wavelengths. Among them, the UV-YAG laser is suitable for fine processing, and the laser wavelength is 3rd harmonic 355 nm and 4th harmonic 266 nm. Therefore, as a resist material (material for the resin coating 3), Therefore, it is desirable that the UV absorption rate is relatively high. The higher the UV absorptivity, the finer the resist processing and the higher the productivity. However, the present invention is not limited to this, and it may be better to select a resist material having a relatively low UV absorption rate. The lower UV absorption rate, the more UV light passes through the resist, so that the UV energy can be concentrated on the processing of the insulating layer 2 below, and the result is particularly preferable when the insulating layer 2 is a material that is difficult to process. Is obtained. As described above, it is preferable to design the resist material according to the ease of laser processing of the resist, the ease of laser processing of the insulating layer 2, and the relationship thereof.

<回路溝形成工程(c)>
次に、図1(c)に示すように、樹脂被膜3の上面(外表面)から少なくとも該樹脂被膜3の厚み以上の所定の深さを有する溝を形成することにより回路溝4を形成する(回路パターン形成工程)。回路溝4は、レーザー加工、切削加工又は型押加工等により形成される。また、回路溝4の溝は、主として電気回路および層間接続用孔(ビア)のための溝であり、用途に応じてサイズや深さが異なる溝であってもよい。また、状況に応じて、回路溝4は、電極パッド用孔を含んでもよい。
<Circuit groove forming step (c)>
Next, as shown in FIG. 1C, a circuit groove 4 is formed by forming a groove having a predetermined depth at least equal to or greater than the thickness of the resin film 3 from the upper surface (outer surface) of the resin film 3. (Circuit pattern formation process). The circuit groove 4 is formed by laser processing, cutting processing, embossing processing, or the like. The groove of the circuit groove 4 is mainly a groove for an electric circuit and an interlayer connection hole (via), and may be a groove having a different size and depth depending on the application. Further, depending on the situation, the circuit groove 4 may include an electrode pad hole.

この場合において、樹脂被膜3の厚みの分だけ回路溝4を形成した場合は、絶縁層2は掘り込まれず、絶縁層2の上面(外表面)に回路溝4が載った状態となる(図示せず)。一方、樹脂被膜3の厚みの分を超えて回路溝4を形成した場合には、図1(c)のそれぞれの回路溝4に示すように、絶縁層2が掘り込まれて、絶縁層2の上面(外表面)に回路溝4が埋設された状態となる。   In this case, when the circuit groove 4 is formed by the thickness of the resin coating 3, the insulating layer 2 is not dug and the circuit groove 4 is placed on the upper surface (outer surface) of the insulating layer 2 (FIG. Not shown). On the other hand, when the circuit groove 4 is formed exceeding the thickness of the resin coating 3, the insulating layer 2 is dug as shown in each circuit groove 4 in FIG. The circuit groove 4 is embedded in the upper surface (outer surface).

回路溝4における溝の深さ及び幅は特に限定されない。電気回路用、層間接続用孔(ビア)用、パッド用など、用途に応じて溝の深さおよび幅を適宜設定できる。なお、レーザー加工を用いた場合には線幅20μm以下のような微細な溝も容易に形成できる。   The depth and width of the circuit groove 4 are not particularly limited. The depth and width of the groove can be appropriately set according to the application, such as for electric circuits, interlayer connection holes (vias), and pads. When laser processing is used, a fine groove having a line width of 20 μm or less can be easily formed.

好ましい実施態様では、前記溝の深さは20μm以下であり、より好ましくは15μm以下である。また、前記溝の幅は、好ましくは20μm以下であり、より好ましくは15μm以下である。   In a preferred embodiment, the depth of the groove is 20 μm or less, more preferably 15 μm or less. The width of the groove is preferably 20 μm or less, and more preferably 15 μm or less.

回路溝4を形成する方法は特に限定されない。具体的には、レーザー加工、ダイシング加工等による切削加工、型押加工等が用いられる。サイズと深さの異なる高精度の微細な回路溝4を形成するためには、レーザー加工が好ましい。レーザー加工によれば、レーザーの出力(エネルギー又はパワー)を制御することにより、絶縁層2の掘り込み深さ等を容易に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられ得る。   The method for forming the circuit groove 4 is not particularly limited. Specifically, cutting by laser processing, dicing processing, etc., embossing, etc. are used. In order to form a highly accurate fine circuit groove 4 having a different size and depth, laser processing is preferable. According to laser processing, the digging depth of the insulating layer 2 can be easily adjusted by controlling the output (energy or power) of the laser. As the embossing, for example, embossing with a fine resin mold used in the field of nanoimprinting can be preferably used.

このように所定の回路溝4を形成することにより、後に無電解メッキ膜が付与されて回路などが形成される部分が規定される。   By forming the predetermined circuit groove 4 in this way, a portion where an electroless plating film is provided later to form a circuit or the like is defined.

また、本実施形態によれば、一回の溝形成工程によって、サイズや深さの異なる回路溝4を形成することができ、溝形成時に必要となる位置合わせを一回行うだけですむという利点がある。これにより、微細配線形成時に問題となっていた位置ズレの問題を解消できると考えられる。   Further, according to the present embodiment, the circuit grooves 4 having different sizes and depths can be formed by a single groove forming process, and the alignment necessary for forming the grooves is only performed once. There is. Thereby, it is considered that the problem of misalignment, which has been a problem when forming fine wiring, can be solved.

<触媒被着工程>
次に、図1(d)に示すように、樹脂被膜3の表面及び回路溝4の表面にメッキ触媒5を被着させる(触媒被着工程)。つまり、回路溝4が形成された表面及び回路溝4が形成されなかった表面の全体にメッキ触媒5を被着する工程である。ここで、メッキ触媒5は、その前駆体を含む概念である。
<Catalyst deposition process>
Next, as shown in FIG. 1D, the plating catalyst 5 is deposited on the surface of the resin coating 3 and the surface of the circuit groove 4 (catalyst deposition step). That is, this is a step of depositing the plating catalyst 5 on the entire surface where the circuit groove 4 is formed and the surface where the circuit groove 4 is not formed. Here, the plating catalyst 5 is a concept including its precursor.

メッキ触媒5は、後述するメッキ工程において無電解メッキ膜を形成したい部分のみに該メッキ膜を形成させるために予め付与される触媒である。メッキ触媒5としては、無電解メッキ用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられ得る。また、予めメッキ触媒5の前駆体を被着させ、樹脂被膜3の除去後にメッキ触媒5を生成させてもよい。メッキ触媒5の具体例としては、例えば、金属パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)等の他、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。   The plating catalyst 5 is a catalyst that is applied in advance in order to form the plating film only on the portion where the electroless plating film is desired to be formed in the plating process described later. The plating catalyst 5 can be used without any particular limitation as long as it is known as a catalyst for electroless plating. Alternatively, the precursor of the plating catalyst 5 may be deposited in advance, and the plating catalyst 5 may be generated after the resin coating 3 is removed. Specific examples of the plating catalyst 5 include, for example, metal palladium (Pd), platinum (Pt), silver (Ag), and the like, and precursors that generate these.

メッキ触媒5を被着させる方法としては、例えば、pH1〜3の酸性条件下で処理される酸性Pd−Snコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法が挙げられる。より具体的には次のような方法が挙げられる。   Examples of the method of depositing the plating catalyst 5 include a method of treating with an acidic Pd—Sn colloidal solution treated under acidic conditions of pH 1 to 3 and then treating with an acid solution. More specifically, the following methods can be mentioned.

はじめに、回路溝4が形成された絶縁層2の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液(クリーナー・コンディショナー)中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、pH1〜2の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度0.1%程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁層2の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、pH1〜3の酸性Pd−Snコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりPd及びSnを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応(SnCl+PdCl→SnCl+Pd↓)を起こさせる。これによりメッキ触媒5である金属パラジウムが析出する。 First, oil or the like adhering to the surface of the insulating layer 2 in which the circuit groove 4 is formed is washed with hot water in a surfactant solution (cleaner / conditioner) for a predetermined time. Next, if necessary, a soft etching treatment is performed with a sodium persulfate-sulfuric acid based soft etching agent. And it pickles further in acidic solutions, such as sulfuric acid aqueous solution of pH 1-2, and aqueous hydrochloric acid. Next, a pre-dip treatment is performed in which a chloride ion is adsorbed on the surface of the insulating layer 2 by dipping in a pre-dip solution mainly containing a stannous chloride aqueous solution having a concentration of about 0.1%. Thereafter, Pd and Sn are aggregated and adsorbed by further dipping in an acidic catalytic metal colloid solution such as acidic Pd—Sn colloid having pH 1 to 3 containing stannous chloride and palladium chloride. Then, an oxidation-reduction reaction (SnCl 2 + PdCl 2 → SnCl 4 + Pd ↓) is caused between the adsorbed stannous chloride and palladium chloride. Thereby, the metal palladium which is the plating catalyst 5 is deposited.

なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Pd−Snコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のメッキプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム&ハース電子材料社からシステム化されて販売されている。   In addition, as an acidic catalyst metal colloid solution, a well-known acidic Pd-Sn colloid catalyst solution etc. can be used, and the commercially available plating process using an acidic catalyst metal colloid solution may be used. Such a process is systematized and sold by, for example, Rohm & Haas Electronic Materials.

このような触媒被着処理により、図1(d)に示したように、樹脂被膜3の表面及び回路溝4の表面にメッキ触媒5を被着させることができる。   By such a catalyst deposition process, the plating catalyst 5 can be deposited on the surface of the resin film 3 and the surface of the circuit groove 4 as shown in FIG.

<被膜除去工程>
次に、図1(e)に示すように、樹脂被膜3を絶縁層2から除去する(被膜除去工程)。つまり、樹脂被膜3が可溶型の樹脂でなる場合は、有機溶剤やアルカリ溶液を用いて樹脂被膜3を溶解し、絶縁層2の表面から除去する。また、樹脂被膜3が膨潤性の樹脂でなる場合は、所定の液体を用いて樹脂被膜3を膨潤させ、絶縁層2の表面から剥離して除去する。
<Film removal process>
Next, as shown in FIG.1 (e), the resin film 3 is removed from the insulating layer 2 (film removal process). That is, when the resin film 3 is made of a soluble resin, the resin film 3 is dissolved using an organic solvent or an alkaline solution and removed from the surface of the insulating layer 2. When the resin coating 3 is made of a swellable resin, the resin coating 3 is swollen using a predetermined liquid, and is peeled off from the surface of the insulating layer 2 and removed.

この被膜除去工程によれば、絶縁層2において回路溝4が形成された部分の表面のみにメッキ触媒5を残留させることができる。一方、樹脂被膜3の表面に被着されたメッキ触媒5は、樹脂被膜3と共に絶縁層2から除去される。ここで、絶縁層2から除去されたメッキ触媒5が飛散して絶縁層2の表面に再被着することを防ぐ観点から、樹脂被膜3は、絶縁層2から除去されるときにバラバラに崩壊することなく全体が連続したまま除去され得るものが好ましい。   According to this coating removal process, the plating catalyst 5 can remain only on the surface of the insulating layer 2 where the circuit groove 4 is formed. On the other hand, the plating catalyst 5 deposited on the surface of the resin coating 3 is removed from the insulating layer 2 together with the resin coating 3. Here, from the viewpoint of preventing the plating catalyst 5 removed from the insulating layer 2 from scattering and re-depositing on the surface of the insulating layer 2, the resin coating 3 collapses apart when removed from the insulating layer 2. It is preferable that the whole can be removed without being continuous.

樹脂被膜3を溶解又は膨潤させる液体としては、基板1、絶縁層2及びメッキ触媒5を実質的に分解や溶解させることなく、樹脂被膜3が容易に絶縁層2から溶解除去又は剥離除去され得る程度に溶解又は膨潤させ得る液体であれば特に限定なく用いられ得る。このような樹脂被膜除去用液体は、樹脂被膜3の種類や厚み等により適宜選択され得る。具体的には、例えば、レジスト樹脂として、光硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、有機溶剤、又はアルカリ水溶液のレジスト除去剤等が用いられる。また、例えば、樹脂被膜3がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されている場合、あるいは、樹脂被膜3として、(a)分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも1種類以上の単量体と、(b)(a)単量体と重合しうる少なくとも1種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物である場合、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、1〜10%程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられ得る。   The liquid that dissolves or swells the resin coating 3 can be easily removed or removed from the insulating layer 2 without substantially decomposing or dissolving the substrate 1, the insulating layer 2, and the plating catalyst 5. Any liquid that can be dissolved or swollen to the extent can be used without particular limitation. Such a resin film removing liquid can be appropriately selected depending on the type and thickness of the resin film 3. Specifically, for example, when a photocurable epoxy resin is used as the resist resin, an organic solvent, a resist remover in an alkaline aqueous solution, or the like is used. For example, when the resin film 3 is formed of an elastomer such as a diene elastomer, an acrylic elastomer, and a polyester elastomer, or as the resin film 3, (a) a polymerizable unsaturated group is included in the molecule. It is obtained by polymerizing at least one monomer of carboxylic acid or acid anhydride having at least one and at least one monomer that can be polymerized with (b) (a) monomer. In the case of a polymer resin to be produced, or a resin composition containing this polymer resin, or formed from the aforementioned carboxyl group-containing acrylic resin, for example, hydroxylation at a concentration of about 1 to 10% An aqueous alkali solution such as an aqueous sodium solution can be preferably used.

なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、樹脂被膜3が、酸性条件下においては膨潤度が60%以下、好ましくは40%以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が50%以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていること、あるいは、(a)分子中に重合性不飽和基を少なくとも1個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも1種類以上の単量体と、(b)(a)単量体と重合しうる少なくとも1種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物から形成されていること、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような樹脂被膜は、pH11〜14、好ましくはpH12〜14であるようなアルカリ水溶液、例えば、1〜10%程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等に浸漬等することにより、容易に溶解又は膨潤し、溶解除去又は剥離除去される。なお、溶解性又は剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより除去してもよい。   In the case of using a plating process that is performed under acidic conditions as described above in the catalyst deposition step, the resin film 3 has a swelling degree of 60% or less, preferably 40% or less under acidic conditions. It is formed of an elastomer such as a diene elastomer, an acrylic elastomer, and a polyester elastomer that has a degree of swelling of 50% or more under alkaline conditions, or (a) polymerizable in the molecule. Polymerizing at least one monomer of carboxylic acid or acid anhydride having at least one unsaturated group and at least one monomer capable of polymerizing with (b) (a) monomer Or a resin composition containing this polymer resin, or the above-mentioned carboxyl group-containing acrylic resin. It is preferably formed from the system resin. Such a resin coating is easily dissolved or swollen by being immersed in an alkaline aqueous solution having a pH of 11 to 14, preferably a pH of 12 to 14, such as a sodium hydroxide aqueous solution having a concentration of about 1 to 10%. Then, it is removed by dissolution or peeling. In addition, in order to improve solubility or peelability, you may irradiate with an ultrasonic wave during immersion. Moreover, you may remove by peeling with a light force as needed.

樹脂被膜3を除去させる方法としては、例えば、樹脂被膜除去用液体に、樹脂被膜3で被覆された絶縁層2を所定の時間浸漬する方法等が挙げられる。また、溶解除去性又は剥離除去性を高めるために、浸漬中に超音波照射すること等が特に好ましい。なお、剥離除去又は溶解除去し難い場合等には、例えば、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。   Examples of the method for removing the resin coating 3 include a method of immersing the insulating layer 2 coated with the resin coating 3 in a resin coating removal liquid for a predetermined time. Moreover, in order to improve dissolution removal property or peeling removal property, it is particularly preferable to irradiate ultrasonic waves during immersion. In addition, when it is difficult to remove or remove, for example, it may be peeled off with a light force as necessary.

<メッキ処理工程>
次に、図1(f)に示すように、絶縁層2に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒5が残留する回路溝4の部分に無電解メッキ膜6を形成して前記絶縁層2に回路を形成する。または、層間接続用孔(ビア)用溝にメッキ膜6を形成することによって、基板1と接続する金属柱を形成することもできる。
<Plating process>
Next, as shown in FIG. 1 (f), the insulating layer 2 is subjected to electroless plating to form an electroless plating film 6 in the portion of the circuit groove 4 where the plating catalyst 5 remains to form the insulating layer 2. A circuit is formed. Alternatively, the metal pillar connected to the substrate 1 can be formed by forming the plating film 6 in the groove for the interlayer connection hole (via).

このような無電解メッキ処置により、回路溝4が形成された部分に無電解メッキ膜6が析出する。この処理により、サイズや深さの異なる回路溝に一括して導体を充填することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。   By such electroless plating treatment, the electroless plating film 6 is deposited on the portion where the circuit groove 4 is formed. By this process, the conductors can be filled in the circuit grooves having different sizes and depths, and the manufacturing process can be simplified.

なお、本実施形態では、図1(f)に示されるように、回路溝4がメッキ膜6により完全に充填されていることが好ましい。あるいは、メッキ膜6が回路溝4から多少突出するようにメッキ処理することが好ましい。具体的なメッキ時間は特に限定されないが、ビアホールおよびトレンチの大きさ等に応じて、適宜変更することが可能である。たとえば、30〜600分間、基板を無電解メッキ液中に浸漬させることによりメッキ処理を行うことができる。このメッキ時間を長めに設定することによって、回路溝4に対し、絶縁層2表面から突出するレベルまでメッキ処理(オーバーメッキ)を施すことができる。また、メッキ処理温度は、銅イオン等の金属イオンが還元反応を生じる程度の温度であれば特に限定されないが、還元反応を効率的に行う観点によりメッキ液の温度を20〜90℃に設定することが好ましく、50〜70℃に設定することがより好ましい。   In this embodiment, it is preferable that the circuit groove 4 is completely filled with the plating film 6 as shown in FIG. Alternatively, it is preferable to perform plating so that the plating film 6 slightly protrudes from the circuit groove 4. The specific plating time is not particularly limited, but can be appropriately changed according to the size of the via hole and the trench. For example, the plating process can be performed by immersing the substrate in an electroless plating solution for 30 to 600 minutes. By setting the plating time longer, the circuit groove 4 can be plated (overplated) to a level protruding from the surface of the insulating layer 2. The plating temperature is not particularly limited as long as metal ions such as copper ions cause a reduction reaction. However, the temperature of the plating solution is set to 20 to 90 ° C. from the viewpoint of efficiently performing the reduction reaction. It is preferable that the temperature is set to 50 to 70 ° C.

上述のように回路溝4に対し、絶縁層2表面から突出するレベルまでメッキ処理(オーバーメッキ)を施し、後述のエッチング処理工程において、このはみ出した部分のメッキを除去することによって、絶縁層と回路部とを平坦化でき、回路のショートの発生を防ぎ、メッキ未充填の空孔による接続不良などの発生を抑制することができる。   As described above, the circuit groove 4 is plated (over-plated) to a level protruding from the surface of the insulating layer 2, and in the etching process described later, this protruding portion is removed to remove the insulating layer. The circuit portion can be flattened, the occurrence of a short circuit can be prevented, and the occurrence of poor connection due to unfilled holes can be suppressed.

無電解メッキ処理の方法としては、部分的にメッキ触媒5が被着された絶縁層2を無電解メッキ液に浸漬して、メッキ触媒5が被着された部分のみに無電解メッキ膜を析出させるような方法が用いられ得る。   As an electroless plating method, the insulating layer 2 partially coated with the plating catalyst 5 is immersed in an electroless plating solution, and an electroless plated film is deposited only on the portion where the plating catalyst 5 is deposited. Such a method can be used.

無電解メッキに用いられる金属としては、例えば、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、アルミニウム(Al)等が挙げられる。これらのうちでは、Cuを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Niを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。   Examples of the metal used for electroless plating include copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and aluminum (Al). Of these, plating mainly composed of Cu is preferable because of its excellent conductivity. Moreover, when Ni is included, it is preferable from the point which is excellent in corrosion resistance and adhesiveness with a solder.

無電解メッキ膜の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、0.1〜10μm、さらには1〜5μm程度であることが好ましい。   The film thickness of the electroless plating film is not particularly limited. Specifically, for example, it is preferably about 0.1 to 10 μm, more preferably about 1 to 5 μm.

メッキ処理工程により、絶縁層2の表面のメッキ触媒5が残留する部分のみに無電解メッキ膜が析出する。そのために、回路やビア等を形成したい部分に導体層を形成することができる。一方、回路溝4を形成していない部分に対する無電解メッキ膜の析出を抑制することができる。   Through the plating process, an electroless plating film is deposited only on the portion of the surface of the insulating layer 2 where the plating catalyst 5 remains. Therefore, a conductor layer can be formed in a portion where a circuit, a via or the like is to be formed. On the other hand, the deposition of the electroless plating film on the portion where the circuit groove 4 is not formed can be suppressed.

<エッチング処理工程>
次に、図1(g)に示すように、メッキ処理工程により形成されたメッキ膜6のうち、絶縁層2表面より突出したはみ出し部分のメッキ膜6をエッチング処理によって除去し、回路7を形成する。
<Etching process>
Next, as shown in FIG. 1G, the plating film 6 protruding from the surface of the insulating layer 2 out of the plating film 6 formed by the plating process is removed by etching to form a circuit 7. To do.

具体的には、まず、図1(f)において絶縁層2の表面より突出したメッキ膜6について、はみ出し量の測定を行う。測定は、例えば、OLYMPUS製 走査型共焦点レーザー顕微鏡 LEXT OLS3000を用い、基板表面から突出しためっきはみ出し部の高さ測定を行う。得られた測定量に応じて、エッチングすべき量を設定し、エッチング処理を行う。エッチング処理は、特に限定はされないが、エッチング剤を用いて行うことができる。   Specifically, first, the amount of protrusion is measured for the plating film 6 protruding from the surface of the insulating layer 2 in FIG. The measurement is performed, for example, using a scanning confocal laser microscope LEXT OLS3000 manufactured by OLYMPUS, and measuring the height of the protruding portion protruding from the substrate surface. The amount to be etched is set according to the obtained measurement amount, and the etching process is performed. The etching treatment is not particularly limited, but can be performed using an etching agent.

本実施形態で使用されるエッチング剤としては、アルカリ性エッチング剤であることが好ましい。具体的には、主成分としてアミン化合物と、さらに少なくとも過酸化水素水と硫酸を含むアルカリ性エッチング剤を用いることができる。このようなエッチング剤を使用することによって、オーバーメッキした部分のメッキ膜を効率よくかつ簡便に除去することができると考えられる。前記エッチング剤は、さらに有機酸を含んでいることが好ましい。さらには、前記エッチング液がマイクロエッチング液であることが好ましい。   The etchant used in the present embodiment is preferably an alkaline etchant. Specifically, an alkaline compound containing an amine compound as a main component, and at least a hydrogen peroxide solution and sulfuric acid can be used. By using such an etching agent, it is considered that the plating film at the overplated portion can be efficiently and easily removed. It is preferable that the etching agent further contains an organic acid. Furthermore, the etching solution is preferably a microetching solution.

本実施形態のエッチング処理は、例えば、上述したようなエッチング剤を基板にスプレー処理することにより行うことができる。スプレー条件は、オーバーめっき部を過不足無く処理できれば特に限定されないが、エッチング処理量調整の観点から、水溶液温度を20℃〜40℃、スプレー圧を0.01MPa〜0.2MPa程度に設定することが好ましく、スプレー処理時間は、オーバーめっき部の量や処理条件により適宜決定することが好ましい。   The etching process of this embodiment can be performed, for example, by spraying the etching agent as described above on the substrate. The spray conditions are not particularly limited as long as the overplated portion can be processed without excess or deficiency, but from the viewpoint of adjusting the etching processing amount, the aqueous solution temperature should be set to 20 ° C to 40 ° C, and the spray pressure should be set to about 0.01 MPa to 0.2 MPa. It is preferable that the spray treatment time is appropriately determined according to the amount of overplated portion and the treatment conditions.

このようなエッチング処理により、過剰なメッキ膜6を除去し、信頼性の高い回路や層間接続ビアを形成することができる。図3は、エッチング前後の基板の表面を示す図である。左図はエッチング前の状態であり、オーバーメッキされて隣接する回路同士がショートを起こしているのがわかる。右図はエッチング処理後の状態であるが、エッチング前に生じていたショートが解消している。   By such an etching process, it is possible to remove the excessive plating film 6 and form a highly reliable circuit and interlayer connection via. FIG. 3 shows the surface of the substrate before and after etching. The figure on the left shows the state before etching, and it can be seen that the adjacent circuits are short-circuited due to overplating. The right figure shows the state after the etching process, but the short circuit that occurred before the etching is eliminated.

また、図4は、エッチング前後の基板を断面図である。図3と同じく、左図はエッチング前の状態を示し、右図はエッチング処理後の状態を示す。図4から明らかなように、エッチング処理後は、埋設回路部もビア部も表面が平坦化されていることがわかる。   FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate before and after etching. As in FIG. 3, the left figure shows the state before etching, and the right figure shows the state after the etching process. As is apparent from FIG. 4, the surface of both the embedded circuit portion and the via portion is flattened after the etching process.

上述したような工程(a)〜(g)を経て、絶縁層2表面に回路またはビアなどを有する回路基板を製造することができる。   A circuit board having a circuit or a via on the surface of the insulating layer 2 can be manufactured through the steps (a) to (g) as described above.

さらに、得られた回路基板の上に、図2に示すように、上述の工程(a)〜(g)を繰り返すことにより多層化を行い、多層回路基板を製造することができる。このようにして得られる回路基板には、回路保護のためにソルダーレジストが形成されていてもよい。   Furthermore, as shown in FIG. 2, multilayering is performed on the obtained circuit board by repeating the steps (a) to (g) described above, and a multilayer circuit board can be manufactured. A solder resist may be formed on the circuit board thus obtained for circuit protection.

本実施形態の製造方法によれば、溝形成時の位置合わせを一回で行うことができ、深さやサイズの異なる溝を一括で充填(フィリング)することができるため、製造工程が簡略化され生産性も上がる。また、絶縁層と回路部・ビア部が平坦化されるため、回路表面上への部品実装が可能となり、回路のショートも解消できる。   According to the manufacturing method of the present embodiment, alignment at the time of groove formation can be performed once, and grooves of different depths and sizes can be filled (filled) at a time, so that the manufacturing process is simplified. Productivity also increases. In addition, since the insulating layer and the circuit portion / via portion are flattened, components can be mounted on the circuit surface, and a short circuit can be eliminated.

図5は、従来の製法によって作成した埋設回路(左図)と、本実施形態によって作成した埋設回路(右図)を比較する断面図である。従来の製法では、導体となるメッキ膜6の回路溝4への充填が不十分な場合、回路上に部品9を実装すると、メッキ未充填の空孔が生じているため、回路部と実装部品9との接続が不十分であることがわかる。また、回路溝4にメッキ膜6が十分に充填されていた場合でも、回路表面の過剰なメッキ膜6の凹凸により、回路部と実装部品9との接続が十分ではないことがわかる。これに対し、図5右図に示される本実施形態の製法により得られる回路基板では、回路7の表面と絶縁層2の表面が平坦化されているため、回路7表面に部品9を実装できている。   FIG. 5 is a cross-sectional view comparing an embedded circuit (left diagram) created by a conventional manufacturing method with an embedded circuit (right diagram) created according to the present embodiment. In the conventional manufacturing method, when the filling of the plating film 6 serving as the conductor into the circuit groove 4 is insufficient, when the component 9 is mounted on the circuit, an unfilled hole is formed. It can be seen that the connection with 9 is insufficient. In addition, even when the circuit groove 4 is sufficiently filled with the plating film 6, it can be seen that the circuit portion and the mounting component 9 are not sufficiently connected due to excessive unevenness of the plating film 6 on the circuit surface. On the other hand, in the circuit board obtained by the manufacturing method of the present embodiment shown in the right figure of FIG. 5, the surface of the circuit 7 and the surface of the insulating layer 2 are flattened, so that the component 9 can be mounted on the surface of the circuit 7. ing.

図6は、多層化工程を経て得られた、従来法による多層回路基板(左図)と本実施形態の製法による多層回路基板(右図)を示す断面図である。従来の製法では、導体となるメッキ膜6の回路溝4への充填が不十分な場合、第2の絶縁層(2層目の絶縁層)12をその上に形成すると、窪んだ回路溝に絶縁層を形成する樹脂が充填されてしまい、第2の絶縁層12表面に凹みが発生してしまう。凹みが発生してしまうと二層目以降のレーザー加工、部品実装等に支障が出るという問題がある。本実施形態では、基板表面を平坦化することにより、二層目以降も絶縁層を平坦に作成することが出来、信頼性の高い多層回路基板を製造することができる。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing the multilayer circuit board (left figure) obtained by the conventional method and the multilayer circuit board (right figure) produced by the manufacturing method of the present embodiment, obtained through the multilayering process. In the conventional manufacturing method, when the circuit groove 4 is not sufficiently filled with the plating film 6 serving as a conductor, when the second insulating layer (second insulating layer) 12 is formed thereon, The resin forming the insulating layer is filled, and a dent is generated on the surface of the second insulating layer 12. If the dent is generated, there is a problem that the laser processing of the second and subsequent layers, component mounting, and the like are hindered. In the present embodiment, by flattening the substrate surface, the insulating layer can be formed flat also in the second and subsequent layers, and a highly reliable multilayer circuit board can be manufactured.

本明細書は、上述したように様々な態様の技術を開示しているが、そのうち主な技術を以下に纏める。   As described above, the present specification discloses various modes of technology, of which the main technologies are summarized below.

本発明の一態様に係る多層回路基板の製造方法は、相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、コア基板又は第1の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程(a)、前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程(b)、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第1の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程(c)、前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程(d)、前記樹脂被膜を膨潤させて前記絶縁層から除去する被膜除去工程(e)、前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程(f)、及び前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程(g)を備えることを特徴とする。   A method of manufacturing a multilayer circuit board according to one aspect of the present invention is a method of manufacturing a multilayer circuit board having an electrical circuit and an interlayer connection hole that are connected to each other, and the core substrate or the first electrical circuit is formed. An insulating layer forming step (a) for forming an insulating layer on the circuit forming surface of the circuit board, a film forming step (b) for forming a resin coating on the outer surface of the insulating layer, and the outer surface of the resin coating as a reference A circuit groove forming step (c) for exposing the core substrate or the circuit board on which the first electric circuit is formed by forming a groove having a depth equal to or greater than a thickness of the resin film; and a surface of the resin film; A catalyst deposition step (d) for depositing a plating catalyst on the surface of the circuit groove; a coating removal step (e) for swelling and removing the resin coating from the insulating layer; and electroless plating on the insulating layer. Due to residual plating catalyst Plating (f) forming a plating film on a portion that, and characterized in that it comprises the etching process is removed by etching (g) plating portion projecting from the insulating layer surface.

このような構成により、簡易かつ信頼性の高い、多層回路基板の製造方法を提供することができる。特に、上記エッチング工程により、絶縁層と回路部・ビア部が平坦化されるため、回路表面上への部品実装が可能となり、回路のショートも解消できると考えられる。   With such a configuration, it is possible to provide a simple and reliable method for manufacturing a multilayer circuit board. In particular, since the insulating layer and the circuit portion / via portion are flattened by the etching step, it is possible to mount components on the circuit surface and eliminate a short circuit.

さらに、上記製造方法において、前記樹脂被膜は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜であることが好ましい。このような樹脂被膜を用いることにより、絶縁層表面から樹脂被膜を容易かつ良好に除去できるため、上述したような効果をより確実に得ることができる。   Furthermore, in the above manufacturing method, the resin film is preferably a resin film that can be dissolved or removed from the insulating layer by dissolving or swelling with a predetermined liquid. By using such a resin film, the resin film can be easily and satisfactorily removed from the surface of the insulating layer, so that the effects described above can be obtained more reliably.

また、前記触媒被着工程が酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がアルカリ性溶液中で前記樹脂被膜を膨潤又は溶解させる工程を備え、前記樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対しては膨潤又は溶解せず、前記アルカリ性溶液に対しては膨潤又は溶解する樹脂被膜であることが好ましい。   Further, the catalyst deposition step includes a step of treating in an acidic catalyst metal colloid solution, and the coating peeling step includes a step of swelling or dissolving the resin coating in an alkaline solution, wherein the resin coating comprises the acidic catalyst. A resin film that does not swell or dissolve in the metal colloid solution and swells or dissolves in the alkaline solution is preferable.

それにより、絶縁層表面から樹脂被膜を容易かつ良好に除去できるため、上述したような効果をより確実に得ることができる。   Thereby, since the resin film can be easily and satisfactorily removed from the surface of the insulating layer, the above-described effects can be obtained more reliably.

さらに、前記回路溝形成工程が、電気回路用回路パターンと層間接続用孔とを設けるために、レーザー加工によりサイズや深さの異なる溝を形成することを含むことが好ましい。それにより、溝形成時の位置合わせを一回で行うことができ、深さやサイズの異なる溝を一括でメッキ充填(フィリング)することができるため、製造工程が簡略化され生産性もより向上すると考えられる。   Furthermore, it is preferable that the circuit groove forming step includes forming grooves having different sizes and depths by laser processing in order to provide the circuit pattern for electric circuit and the hole for interlayer connection. As a result, alignment at the time of groove formation can be performed at a time, and grooves with different depths and sizes can be filled and filled (filling) at the same time, which simplifies the manufacturing process and improves productivity. Conceivable.

また、前記メッキ処理工程が、前記メッキ触媒が残留する回路溝に選択的にメッキ膜が形成されることにより、前記回路溝がメッキにより完全に充填されること含むことが好ましい。それにより、絶縁層と回路部・ビア部がより確実に平坦化されると考えられる。   In addition, it is preferable that the plating treatment step includes that the circuit groove is completely filled by plating by selectively forming a plating film in the circuit groove where the plating catalyst remains. Thereby, it is considered that the insulating layer and the circuit portion / via portion are more reliably planarized.

さらに、上記製造方法において、前記エッチング工程が、主成分としてアミン化合物を含み、さらに、少なくとも過酸化水素水と硫酸を含むアルカリ性エッチング剤を用いるエッチング処理であることが好ましい。それにより、オーバーメッキした部分のメッキ膜が除去され、上記効果がより確実に得られると考えられる。   Furthermore, in the manufacturing method, it is preferable that the etching step is an etching process using an alkaline etchant containing an amine compound as a main component and further containing at least a hydrogen peroxide solution and sulfuric acid. As a result, the overplated portion of the plating film is removed, and the above effect is considered to be obtained more reliably.

また、前記アルカリ性エッチング剤がさらに有機酸を含むことが好ましい。それにより、上記効果がより確実に得られると考えられる。   Moreover, it is preferable that the alkaline etching agent further contains an organic acid. Thereby, it is thought that the said effect is acquired more reliably.

また、上記製造方法は、前記絶縁層形成工程(a)〜前記エッチング工程(g)を繰り返すことにより多層化を行う多層化工程を備えていてもよい。   Moreover, the said manufacturing method may be provided with the multilayering process which multilayers by repeating the said insulating-layer formation process (a)-the said etching process (g).

1 コアまたは回路基板
2,12 絶縁層
3、13 樹脂被膜
4,14 回路溝(電気回路用溝および層間接続用孔)
5,15 メッキ触媒
6,16 無電解メッキ膜
7,17 回路又は層間接続用ビア
8 ハンダボール
9 実装部品
1 Core or circuit board 2,12 Insulating layer 3,13 Resin coating 4,14 Circuit groove (electric circuit groove and interlayer connection hole)
5,15 Plating catalyst 6,16 Electroless plating film 7,17 Via for circuit or interlayer connection 8 Solder ball 9 Mounting parts

Claims (8)

相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、
コア基板又は第1の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程(a)、
前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程(b)、
前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第1の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程(c)、
前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程(d)、
前記樹脂被膜を前記絶縁層から除去する被膜除去工程(e)、
前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程(f)、及び
前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程(g)
を備える多層回路基板の製造方法。
A method of manufacturing a multilayer circuit board having electrical circuits and interlayer connection holes connected to each other,
An insulating layer forming step (a) for forming an insulating layer on the circuit forming surface of the core substrate or the circuit board on which the first electric circuit is formed;
A film forming step (b) for forming a resin film on the outer surface of the insulating layer;
A circuit groove forming step of exposing the core substrate or the circuit board on which the first electric circuit is formed by forming a groove having a depth equal to or greater than the thickness of the resin film with reference to the outer surface of the resin film. (C),
A catalyst deposition step (d) for depositing a plating catalyst on the surface of the resin coating and the surface of the circuit groove;
A film removing step (e) for removing the resin film from the insulating layer;
A plating treatment step (f) for forming a plating film on the portion where the plating catalyst remains by performing electroless plating on the insulating layer, and an etching step (g) for removing the plating portion protruding from the surface of the insulating layer by etching. )
A method for manufacturing a multilayer circuit board.
前記樹脂被膜は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜である、請求項1に記載の多層回路基板の製造方法。   The method for producing a multilayer circuit board according to claim 1, wherein the resin coating is a resin coating that can be dissolved or removed from the insulating layer by dissolving or swelling with a predetermined liquid. 前記触媒被着工程が酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がアルカリ性溶液中で前記樹脂被膜を膨潤又は溶解させる工程を備え、
前記樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対しては膨潤又は溶解せず、前記アルカリ性溶液に対しては膨潤又は溶解する樹脂被膜である、請求項1又は2に記載の多層回路基板の製造方法。
The catalyst deposition step comprises a step of treating in an acidic catalyst metal colloid solution, and the coating stripping step comprises a step of swelling or dissolving the resin coating in an alkaline solution;
3. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the resin film is a resin film that does not swell or dissolve in the acidic catalyst metal colloid solution and swells or dissolves in the alkaline solution. Method.
前記回路溝形成工程が、電気回路用回路パターンと層間接続用孔とを設けるために、レーザー加工によりサイズや深さの異なる溝を形成することを含む、請求項1〜3のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。   4. The circuit groove forming step according to claim 1, wherein the circuit groove forming step includes forming grooves having different sizes and depths by laser processing in order to provide a circuit pattern for an electric circuit and an interlayer connection hole. Manufacturing method for multilayer circuit board. 前記メッキ処理工程が、前記メッキ触媒が残留する回路溝に選択的にメッキ膜が形成されることにより、前記回路溝がメッキにより完全に充填されること含む、請求項1〜4のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。   5. The plating process according to claim 1, wherein the plating treatment step includes that the circuit groove is completely filled by plating by selectively forming a plating film in the circuit groove where the plating catalyst remains. The manufacturing method of the multilayer circuit board as described. 前記エッチング工程が、主成分としてアミン化合物を含み、さらに、少なくとも過酸化水素水と硫酸を含むアルカリ性エッチング剤を用いるエッチング処理である、請求項1〜5のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。   The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the etching step is an etching process using an alkaline etchant containing an amine compound as a main component and further containing at least a hydrogen peroxide solution and sulfuric acid. Method. 前記アルカリ性エッチング剤がさらに有機酸を含む、請求項1〜6のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。   The manufacturing method of the multilayer circuit board in any one of Claims 1-6 in which the said alkaline etching agent contains an organic acid further. 前記絶縁層形成工程(a)〜前記エッチング工程(g)を繰り返すことにより多層化を行う多層化工程を備える、請求項1〜7のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。


The manufacturing method of the multilayer circuit board in any one of Claims 1-7 provided with the multilayering process which multilayers by repeating the said insulating-layer formation process (a)-the said etching process (g).


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