JP5374321B2 - Circuit board - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board making it harder to peel a pad part with a large area than that of a line part from an insulating substrate, and enabling stable mounting of surface mount parts non-tiltedly. <P>SOLUTION: The circuit board 10 is formed by burying a line part 9 and a pad part 8 as an electrical circuit in an insulating substrate 1 to be exposed. A circuit groove 3 having the line part 9 formed therein is formed shallow, and a circuit groove 3 having the pad part 8 formed therein is formed deep. The thickness of the pad part 8 is approximately uniform. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、各種電子機器に用いられる回路基板に関するものである。   The present invention relates to a circuit board used for various electronic devices.

従来、絶縁基材１にファインパターン（微細パターン）を形成するにあたっては、ピール強度を向上する必要があるため、ファインパターン等の電気回路７は絶縁基材１に埋設して形成することが行われている（例えば、特許文献１参照）。図３はこのようにして回路基板１０を製造する工程の一例を示すものであり、この工程ではまず図３（ａ）のように絶縁基材１の表面にレーザ加工等により電気回路形成用の回路溝３（トレンチ）を形成する。次に図３（ｂ）のように無電解めっきを行い、回路溝３の内面も含めて絶縁基材１の表面全体に無電解めっき膜６を形成する。その後、図３（ｃ）のように電解めっきを行い、回路溝３の内部を充填して無電解めっき膜６の表面全体に電解めっき層２０を形成する。そして、図３（ｄ）のように回路溝３の内部に形成された無電解めっき膜６及び電解めっき層２０は除去しないようにして、研磨パッド２１を用いてＣＭＰ（chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）により絶縁基材１の表面に形成された無電解めっき膜６及び電解めっき層２０を研磨して除去すると、電気回路７が絶縁基材１に埋設されて形成された回路基板１０が得られる。通常、このようにして得られた回路基板１０において、電気回路７は、細線状のライン部９及び表面実装部品（図示省略）を実装するためのパッド部８で構成されている。   Conventionally, when forming a fine pattern (fine pattern) on the insulating base material 1, it is necessary to improve the peel strength. Therefore, the electric circuit 7 such as the fine pattern is formed by being embedded in the insulating base material 1. (For example, refer to Patent Document 1). FIG. 3 shows an example of a process for manufacturing the circuit board 10 in this manner. In this process, first, as shown in FIG. 3A, the surface of the insulating substrate 1 is formed on the surface of the insulating substrate 1 by laser processing or the like. A circuit groove 3 (trench) is formed. Next, electroless plating is performed as shown in FIG. 3B to form an electroless plating film 6 on the entire surface of the insulating substrate 1 including the inner surface of the circuit groove 3. Thereafter, electrolytic plating is performed as shown in FIG. 3C to fill the inside of the circuit groove 3 and form the electrolytic plating layer 20 on the entire surface of the electroless plating film 6. Then, as shown in FIG. 3D, the electroless plating film 6 and the electrolytic plating layer 20 formed inside the circuit groove 3 are not removed, and a CMP (chemical mechanical polishing) is performed using a polishing pad 21. When the electroless plating film 6 and the electrolytic plating layer 20 formed on the surface of the insulating base material 1 are polished and removed by polishing), the circuit board 10 formed by embedding the electric circuit 7 in the insulating base material 1 is obtained. It is done. Usually, in the circuit board 10 thus obtained, the electric circuit 7 is composed of a thin line portion 9 and a pad portion 8 for mounting a surface mounting component (not shown).

しかし、電気回路７のうちパッド部８は、ライン部９に比べて面積が広いので絶縁基材１から剥離しやすいという問題がある。   However, since the pad portion 8 of the electric circuit 7 has a larger area than the line portion 9, there is a problem that it is easily peeled off from the insulating base material 1.

また、電気回路７のうちパッド部８は、ライン部９に比べて面積が広いのでＣＭＰにより研磨されやすい。そのため、図３（ｄ）のようにパッド部８の表面は凹面状に形成されることとなり（ディッシング）、この箇所に実装された表面実装部品は傾いてしまい、導通信頼性が損なわれるという問題が生じる。また、上記回路基板１０に他の基板（図示省略）を重ねて積層する場合、パッド部８の表面は凹面状に形成されているので他の基板を重ねるとこの箇所には空洞が形成されることとなり、回路基板１０と他の基板とを積層方向に加圧したときに上記空洞が形成された箇所には圧力がかかりにくくなるという問題も生じる。   Further, the pad portion 8 of the electric circuit 7 has a larger area than the line portion 9 and is easily polished by CMP. Therefore, as shown in FIG. 3D, the surface of the pad portion 8 is formed in a concave shape (dishing), and the surface-mounted component mounted at this location is inclined, and the conduction reliability is impaired. Occurs. Further, when another circuit board (not shown) is stacked on the circuit board 10, the surface of the pad portion 8 is formed in a concave shape. Therefore, when another circuit board is stacked, a cavity is formed at this location. In other words, when the circuit board 10 and another board are pressed in the stacking direction, there is a problem that it is difficult to apply pressure to the place where the cavity is formed.

特開２０００−４９１６２号公報JP 2000-49162 A

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ライン部に比べて面積の広いパッド部を絶縁基材から剥離しにくくすることができると共に、表面実装部品を傾くことなく安定的に実装することができる回路基板を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above points, and it is possible to make it difficult to peel off the pad portion having a larger area than the line portion from the insulating base material and to stably mount the surface mount component without tilting. An object of the present invention is to provide a circuit board that can be used.

本発明に係る回路基板は、絶縁基材１に電気回路７としてライン部９及びパッド部８を露出するように埋設して形成された回路基板１０において、前記ライン部９が形成された回路溝３が浅く、前記パッド部８が形成された回路溝３が深く形成されていると共に、前記パッド部８の厚みが略均一であり、前記パッド部８の最も厚い部分の厚みと最も薄い部分の厚みとの差が最も厚い部分の厚みに対して２０％以下であり、前記ライン部９の厚みと前記パッド部８の厚みが略等しいことを特徴とするものである。 Circuit board in accordance with the present onset Ming, the embedded and the circuit board 10 which is formed so as to expose the line section 9 and the pad section 8 as an electric circuit 7 to the insulating substrate 1, the line portion 9 are formed circuit The groove 3 is shallow, the circuit groove 3 in which the pad portion 8 is formed is deeply formed , the thickness of the pad portion 8 is substantially uniform, and the thickness of the thickest portion and the thinnest portion of the pad portion 8 The difference between the thickness of the line portion 9 is 20% or less with respect to the thickness of the thickest portion, and the thickness of the line portion 9 and the thickness of the pad portion 8 are substantially equal .

本発明に係る回路基板によれば、ライン部に比べて面積の広いパッド部を絶縁基材から剥離しにくくすることができると共に、表面実装部品を傾くことなく安定的に実装することができるものである。 According to the circuit board according to the present onset bright, with a wide pad portion of area than the line portion can be hardly peeled off from the insulating substrate can be stably implemented without tilting the surface mount component Is.

また、パッド部の表面が略平坦であることによって、表面実装部品をさらに安定的に実装することができるものである。 Further , since the surface of the pad portion is substantially flat, the surface mount component can be more stably mounted.

また、電気回路の厚みが略均一であることによって、インピーダンスの設計をすることが比較的容易になるものである。 Further , since the thickness of the electric circuit is substantially uniform, it is relatively easy to design the impedance.

本発明に係る回路基板の製造方法の一例における各工程を説明するための模式断面図である。It is a schematic cross section for explaining each process in an example of a manufacturing method of a circuit board concerning the present invention. 本発明に係る回路基板の製造方法の他の一例における各工程を説明するための模式断面図である。It is a schematic cross section for explaining each process in other examples of a manufacturing method of a circuit board concerning the present invention. 従来の回路基板の製造方法における各工程を説明するための模式断面図である。It is a schematic cross section for demonstrating each process in the manufacturing method of the conventional circuit board.

以下、本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

まず、本発明に係る回路基板の製造方法について説明する。図１は、本発明に係る回路基板の製造方法における各工程を説明するための模式断面図である。   First, a method for manufacturing a circuit board according to the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining each step in the method for manufacturing a circuit board according to the present invention.

はじめに、図１（ａ）に示すように、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。   First, as shown in FIG. 1A, a resin film 2 is formed on the surface of the insulating substrate 1. This process corresponds to a film forming process.

次に、図１（ｂ）に示すように、前記樹脂被膜２の外表面を基準として前記樹脂被膜２の厚み分を超える深さの凹部を形成して回路溝３を形成させる。また、前記回路溝３によって、後述する無電解めっきによって無電解めっき膜６が形成される部分、すなわち、電気回路７が形成される部分が規定される。また、回路溝３には、電気回路６のうち細線状のライン部９を形成するための回路溝３と、表面実装部品（図示省略）を実装するパッド部８を形成するための回路溝３とが含まれ、前者の回路溝３を浅く、後者の回路溝３を深く形成する。これにより、ライン部９に比べて面積の広いパッド部８を絶縁基材１から剥離しにくくすることができるものである。なお、この工程は、回路溝形成工程に相当する。   Next, as shown in FIG. 1 (b), a circuit groove 3 is formed by forming a recess having a depth exceeding the thickness of the resin coating 2 with reference to the outer surface of the resin coating 2. The circuit groove 3 defines a portion where the electroless plating film 6 is formed by electroless plating described later, that is, a portion where the electric circuit 7 is formed. Further, in the circuit groove 3, the circuit groove 3 for forming the thin line portion 9 of the electric circuit 6 and the circuit groove 3 for forming the pad portion 8 for mounting the surface mounting component (not shown). The former circuit groove 3 is shallow and the latter circuit groove 3 is deeply formed. Thereby, it is possible to make it difficult to peel the pad portion 8 having a larger area than the line portion 9 from the insulating base material 1. This step corresponds to a circuit groove forming step.

次に、図１（ｃ）に示すように、前記回路溝３の表面及び前記回路溝３が形成されなかった前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。   Next, as shown in FIG. 1C, a plating catalyst or a precursor 5 thereof is deposited on the surface of the circuit groove 3 and the surface of the resin film 2 on which the circuit groove 3 is not formed. This step corresponds to a catalyst deposition step.

次に、図１（ｄ）に示すように、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を除去させる。そうすることによって、前記絶縁基材１の、前記回路溝３が形成された部分の表面にのみめっき触媒又はその前駆体５を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜２の表面に被着されためっき触媒又はその前駆体５は、前記樹脂被膜２に担持された状態で、前記樹脂被膜２とともに除去される。なお、この工程は、被膜除去工程に相当する。   Next, as shown in FIG. 1 (d), the resin film 2 is removed from the insulating substrate 1. By doing so, a plating catalyst or its precursor 5 can be made to remain only on the surface of the insulating substrate 1 where the circuit groove 3 is formed. On the other hand, the plating catalyst or its precursor 5 deposited on the surface of the resin film 2 is removed together with the resin film 2 while being supported on the resin film 2. This process corresponds to a film removal process.

次に、前記樹脂被膜２が除去された絶縁基材１に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記めっき触媒又はその前駆体５が残存する部分にのみ無電解めっき膜６が形成される。すなわち、図１（ｅ）に示すように、前記回路溝３が形成された部分に、電気回路７となる無電解めっき膜６が形成される。そして、この電気回路７は、この無電解めっき膜６からなるものであってもよいし、前記無電解めっき膜６にさらに無電解めっき（フィルアップめっき）を施して、さらに厚膜化させたものであってもよい。具体的には、例えば、図１（ｅ）に示すように、前記回路溝３全体を埋めるように無電解めっき膜６からなる電気回路７を形成させ、前記絶縁基材１と前記電気回路７との段差をなくすようにするのが好ましいが、図２（ｅ）に示すように段差があってもよい。この場合、前記絶縁基材１の外表面と前記電気回路７（特にパッド部８）の表面との段差（高低差）は０〜４μｍであることが好ましい。パッド部８の厚みは略均一であることが好ましい。これにより、表面実装部品（図示省略）を傾くことなく安定的に実装することができるものである。また、図２（ｅ）に示すように、ライン部９の厚みとパッド部８の厚みは略等しいことが好ましい。電気回路７の厚みが略均一であることによって、インピーダンスの設計をすることが比較的容易になるものである。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。   Next, electroless plating is performed on the insulating substrate 1 from which the resin coating 2 has been removed. By doing so, the electroless plating film 6 is formed only in the portion where the plating catalyst or its precursor 5 remains. That is, as shown in FIG. 1E, an electroless plating film 6 to be an electric circuit 7 is formed in the portion where the circuit groove 3 is formed. And this electric circuit 7 may consist of this electroless-plating film | membrane 6, and also electroless-plated (fill-up plating) to the said electroless-plating film | membrane 6, and was made thicker further. It may be a thing. Specifically, for example, as shown in FIG. 1 (e), an electric circuit 7 made of an electroless plating film 6 is formed so as to fill the entire circuit groove 3, and the insulating base 1 and the electric circuit 7 are formed. However, there may be a step as shown in FIG. 2 (e). In this case, the step (height difference) between the outer surface of the insulating base 1 and the surface of the electric circuit 7 (particularly the pad portion 8) is preferably 0 to 4 μm. The thickness of the pad portion 8 is preferably substantially uniform. Thereby, it is possible to stably mount the surface mount component (not shown) without tilting. Moreover, as shown in FIG.2 (e), it is preferable that the thickness of the line part 9 and the thickness of the pad part 8 are substantially equal. Since the thickness of the electric circuit 7 is substantially uniform, it is relatively easy to design the impedance. This process corresponds to a plating process.

上記各工程によって、図１（ｅ）に示すような回路基板１０が形成される。このように形成された回路基板１０は、前記絶縁基材１上に高精度に前記電気回路７が形成されたものである。具体的には、この回路基板１０は、絶縁基材１に電気回路７を露出するように埋設して形成されたものであり、前記電気回路７のパッド部８の最も厚い部分の厚みと最も薄い部分の厚みとの差が最も厚い部分の厚みに対して２０％以下（下限は０％）となっている。このように、パッド部８の表面が略平坦であることによって、表面実装部品を傾くことなく安定的に実装することができるものである。   Through the above steps, a circuit board 10 as shown in FIG. The circuit board 10 thus formed is obtained by forming the electric circuit 7 on the insulating base material 1 with high accuracy. Specifically, the circuit board 10 is formed by being embedded in the insulating base material 1 so as to expose the electric circuit 7. The thickness of the thickest portion of the pad portion 8 of the electric circuit 7 is the largest. The difference from the thickness of the thin part is 20% or less (the lower limit is 0%) with respect to the thickness of the thickest part. Thus, since the surface of the pad portion 8 is substantially flat, the surface-mounted component can be stably mounted without being inclined.

以下、本実施形態の各構成について、説明する。   Hereinafter, each configuration of the present embodiment will be described.

＜被膜形成工程＞
被膜形成工程は、上述したように、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２を形成させる工程である。 <Film formation process>
As described above, the film forming process is a process of forming the resin film 2 on the surface of the insulating substrate 1.

（絶縁基材）
前記被膜形成工程において用いる絶縁基材１は、回路基板１０の製造に用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、樹脂を含む樹脂基材等が挙げられる。 (Insulating base material)
The insulating base material 1 used in the film forming step is not particularly limited as long as it can be used for manufacturing the circuit board 10. Specifically, for example, a resin substrate containing a resin can be used.

また、前記樹脂としては、回路基板１０の製造に用いられうる各種有機基板を構成する樹脂であれば、特に限定なく用いることができる。具体的には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等が挙げられる。   Moreover, as said resin, if it is resin which comprises the various organic substrates which can be used for manufacture of the circuit board 10, it can use without limitation in particular. Specifically, for example, epoxy resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyimide resin, polyphenylene sulfide resin, polyphenylene ether resin, cyanate resin, benzoxazine resin, bismaleimide resin, and the like can be given.

前記エポキシ樹脂としては、回路基板１０の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂としては、上記各エポキシ樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is an epoxy resin constituting various organic substrates that can be used for manufacturing the circuit board 10. Specifically, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, aralkyl epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin , Dicyclopentadiene type epoxy resins, epoxidized products of condensates of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group, triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resins, and the like. Furthermore, the epoxy resin, nitrogen-containing resin, and silicone-containing resin that are brominated or phosphorus-modified to impart flame retardancy are also included. Moreover, as said epoxy resin, said each epoxy resin may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.

また、上記各樹脂で絶縁基材１を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。さらに難燃性を付与するため、リン変性したフェノール樹脂、リン変性したシアネート樹脂等も挙げられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。   Moreover, when comprising the insulating base material 1 with each said resin, in order to make it harden | cure, a hardening | curing agent is generally contained. The curing agent is not particularly limited as long as it can be used as a curing agent. Specific examples include dicyandiamide, phenolic curing agents, acid anhydride curing agents, aminotriazine novolac curing agents, and cyanate resins. As said phenol type hardening | curing agent, a novolak type, an aralkyl type, a terpene type etc. are mentioned, for example. Furthermore, in order to impart flame retardancy, a phosphorus-modified phenol resin, a phosphorus-modified cyanate resin, and the like are also included. Moreover, as said hardening | curing agent, said each hardening | curing agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.

また、特に限定されないが、レーザ加工により回路溝３を形成する場合には、１００〜４００ｎｍ波長領域でのレーザ光の吸収率が良い樹脂等を用いるのが好ましい。例えば、ポリイミド樹脂等を挙げることができる。   In addition, although not particularly limited, in the case where the circuit groove 3 is formed by laser processing, it is preferable to use a resin or the like having a good laser light absorption rate in a wavelength region of 100 to 400 nm. For example, a polyimide resin etc. can be mentioned.

また、前記絶縁基材１には、フィラーを含有していてもよい。前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザ加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるめっきと樹脂との密着性をあげることが可能である。   The insulating base material 1 may contain a filler. The filler may be inorganic fine particles or organic fine particles, and is not particularly limited. By containing the filler, the filler is exposed to the laser processed portion, and it is possible to increase the adhesion between the plating due to the unevenness of the filler and the resin.

前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また特に限定されないが、絶縁基材１の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、平均粒径０．０１〜１０μｍのフィラーを用いるのがより好ましく、平均粒径０．０５〜５μｍのフィラーを用いるのが最も好ましい。 Specific examples of the material constituting the inorganic fine particles include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), silica (SiO 2 ), High dielectric constant fillers such as barium titanate (BaTiO 3 ) and titanium oxide (TiO 2 ); magnetic fillers such as hard ferrite; magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ), aluminum hydroxide (Al (OH) 2 ), Antimony trioxide (Sb 2 O 3 ), antimony pentoxide (Sb 2 O 5 ), guanidine salts, zinc borate, molybdate compounds, zinc stannate, and other inorganic flame retardants; talc (Mg 3 (Si 4 O 10) (OH) 2), barium sulfate (BaSO 4), calcium carbonate (CaCO 3), mica, and the like. As said inorganic fine particle, the said inorganic fine particle may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type. Since these inorganic fine particles have high thermal conductivity, relative dielectric constant, flame retardancy, particle size distribution, color tone freedom, etc., when selectively exerting a desired function, appropriate blending and particle size design should be performed. And high filling can be easily performed. Although not particularly limited, it is preferable to use a filler having an average particle diameter equal to or less than the thickness of the insulating substrate 1, more preferably a filler having an average particle diameter of 0.01 to 10 μm, and an average particle diameter of 0.05 to 5 μm. The filler is most preferably used.

また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材１は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。   The inorganic fine particles may be surface-treated with a silane coupling agent in order to improve dispersibility in the insulating base material 1. In addition, the insulating substrate 1 may contain a silane coupling agent in order to increase the dispersibility of the inorganic fine particles in the insulating substrate 1. Specific examples of the silane coupling agent include epoxy silane, mercapto silane, amino silane, vinyl silane, styryl silane, methacryloxy silane, acryloxy silane, titanate silane couplings, and the like. Agents and the like. As said silane coupling agent, the said silane coupling agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.

また、前記絶縁基材１は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材１中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。   The insulating substrate 1 may contain a dispersant in order to improve the dispersibility of the inorganic fine particles in the insulating substrate 1. Specific examples of the dispersant include alkyl ether-based, sorbitan ester-based, alkyl polyether amine-based, polymer-based dispersants, and the like. As said dispersing agent, the said dispersing agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.

また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。   Specific examples of the organic fine particles include rubber fine particles.

また、前記絶縁基材１の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。前記絶縁基材１の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍ程度であることがより好ましい。また、前記絶縁基材１としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。   Further, the form of the insulating substrate 1 is not particularly limited. Specifically, a sheet | seat, a film, a prepreg, a molded object of a three-dimensional shape etc. are mentioned. The thickness of the insulating substrate 1 is not particularly limited. Specifically, in the case of a sheet, film, or prepreg, for example, the thickness is preferably 10 to 200 μm, and more preferably about 20 to 100 μm. The insulating substrate 1 may contain inorganic fine particles such as silica particles.

（樹脂被膜）
前記樹脂被膜２は、前記被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体（膨潤液）で膨潤しうる樹脂からなる膨潤性樹脂被膜２等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜２が特に好ましい。また、前記膨潤性樹脂被膜２としては、例えば、前記液体（膨潤液）に対する膨潤度が５０％以上であることが好ましい。なお、前記膨潤性樹脂被膜２には、前記液体（膨潤液）に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜２だけではなく、前記液体（膨潤液）に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜２や、前記液体（膨潤液）に対して溶解し、その溶解により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜２も含まれる。 (Resin coating)
The resin film 2 is not particularly limited as long as it can be removed in the film removal step. Specifically, for example, a soluble resin that can be easily dissolved by an organic solvent or an alkaline solution, a swellable resin film 2 made of a resin that can be swollen by a predetermined liquid (swelling liquid) described later, and the like. Among these, the swellable resin film 2 is particularly preferable because accurate removal is easy. Moreover, as said swellable resin film 2, it is preferable that the swelling degree with respect to the said liquid (swelling liquid) is 50% or more, for example. The swellable resin film 2 is not limited to the resin film 2 that does not substantially dissolve in the liquid (swelling liquid) and easily peels off from the surface of the insulating substrate 1 due to swelling. Resin film 2 that swells with respect to the liquid (swelling liquid) and that at least partly dissolves and easily peels off from the surface of the insulating substrate 1 due to the swelling and dissolution, and the liquid (swelling liquid) And a resin coating 2 that can be easily dissolved and peeled off from the surface of the insulating substrate 1 by the dissolution.

前記樹脂被膜２の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の表面に、樹脂被膜２を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜２を絶縁基材１の表面に転写する方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。   A method for forming the resin coating 2 is not particularly limited. Specifically, for example, by applying a liquid material that can form the resin coating 2 on the surface of the insulating base material 1 and then drying, or by applying the liquid material to a support substrate and then drying the liquid material Examples thereof include a method of transferring the formed resin film 2 to the surface of the insulating base material 1. The method for applying the liquid material is not particularly limited. Specifically, for example, conventionally known spin coating method, bar coater method and the like can be mentioned.

前記樹脂被膜２の厚みとしては、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜２の厚みとしては、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜２の厚みが厚すぎる場合には、前記回路溝形成工程におけるレーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜２の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜２を形成しにくくなる傾向がある。   The thickness of the resin coating 2 is preferably 10 μm or less, and more preferably 5 μm or less. On the other hand, the thickness of the resin coating 2 is preferably 0.1 μm or more, and more preferably 1 μm or more. When the thickness of the resin coating 2 is too thick, the accuracy of the circuit groove formed by laser processing or machining in the circuit groove forming process tends to decrease. Moreover, when the thickness of the resin film 2 is too thin, it tends to be difficult to form the resin film 2 having a uniform film thickness.

次に、前記樹脂被膜２として好適な膨潤性樹脂被膜２を例に挙げて説明する。   Next, the swellable resin film 2 suitable as the resin film 2 will be described as an example.

前記膨潤性樹脂被膜２としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上である樹脂被膜２が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が１００％以上である樹脂被膜２がより好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜除去工程において膨潤性樹脂被膜２が剥離しにくくなる傾向がある。   As the swellable resin film 2, a resin film 2 having a swelling degree with respect to the swelling liquid of 50% or more can be preferably used. Furthermore, the resin film 2 having a swelling degree with respect to the swelling liquid of 100% or more is more preferable. In addition, when the said swelling degree is too low, there exists a tendency for the swelling resin film 2 to become difficult to peel in the said film removal process.

前記膨潤性樹脂被膜２の形成方法は、特に限定されず、上述した樹脂被膜２の形成方法と同様の方法であればよい。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の表面に、膨潤性樹脂被膜２を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される膨潤性樹脂被膜２を絶縁基材１の表面に転写する方法等が挙げられる。   The method for forming the swellable resin film 2 is not particularly limited as long as it is the same as the method for forming the resin film 2 described above. Specifically, for example, a liquid material that can form the swellable resin film 2 is applied to the surface of the insulating base material 1 and then dried, or the liquid material is applied to a support substrate and then dried. For example, a method of transferring the swellable resin film 2 formed on the surface of the insulating substrate 1 may be used.

前記膨潤性樹脂被膜２を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜２を容易に形成することができる。   Examples of the liquid material that can form the swellable resin film 2 include an elastomer suspension or an emulsion. Specific examples of the elastomer include a diene elastomer such as a styrene-butadiene copolymer, an acrylic elastomer such as an acrylate ester copolymer, and a polyester elastomer. According to such an elastomer, the swellable resin film 2 having a desired degree of swelling can be easily formed by adjusting the degree of crosslinking or gelation of the elastomer resin particles dispersed as a suspension or emulsion.

また、前記膨潤性樹脂被膜２としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜除去工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては膨潤性樹脂被膜２は絶縁基材１に対する高い密着力を維持し、被膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に膨潤性樹脂被膜２を剥離させることができる。   The swellable resin film 2 is particularly preferably a film whose degree of swelling changes depending on the pH of the swelling liquid. When such a coating is used, the liquid condition in the catalyst deposition step is different from the liquid condition in the coating removal step, so that the swellable resin can be obtained at the pH in the catalyst deposition step. The coating 2 maintains a high adhesion to the insulating substrate 1, and the swellable resin coating 2 can be easily peeled off at the pH in the coating removal step.

さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性めっき触媒コロイド溶液（酸性触媒金属コロイド溶液）中で処理する工程を備え、前記被膜除去工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜２は、前記酸性めっき触媒コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、さらには４０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜２であることが好ましい。   More specifically, for example, the catalyst deposition step includes a step of treating in an acidic plating catalyst colloid solution (acid catalytic metal colloid solution) having a pH in the range of 1-3, for example, and the coating removal step has a pH of 12-12. When the step of swelling the swellable resin film 2 in an alkaline solution in the range of 14 is provided, the swelling degree of the swellable resin film 2 with respect to the acidic plating catalyst colloid solution is 60% or less, and further 40% or less. It is preferable that the resin film 2 has a swelling degree with respect to the alkaline solution of 50% or more, further 100% or more, and more preferably 500% or more.

このような膨潤性樹脂被膜２の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲとも呼ぶ）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。   Examples of such swellable resin coating 2 include light used for a sheet formed from an elastomer having a predetermined amount of carboxyl groups, a dry film resist (hereinafter also referred to as DFR) for patterning printed wiring boards, and the like. Examples thereof include a sheet obtained by curing the entire surface of a curable alkali-developable resist, and thermosetting or alkali-developable sheet.

カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー；アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー；及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量，架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜２を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜２を膨潤させて、絶縁基材１表面から膨潤性樹脂被膜２を剥離する作用をする。また、酸当量とは、１当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。   Specific examples of the elastomer having a carboxyl group include a diene elastomer such as a styrene-butadiene copolymer having a carboxyl group in the molecule by containing a monomer unit having a carboxyl group as a copolymerization component; acrylic acid Examples include acrylic elastomers such as ester copolymers; and polyester elastomers. According to such an elastomer, the swellable resin film 2 having a desired alkali swelling degree can be formed by adjusting the acid equivalent, the degree of crosslinking, the degree of gelation, etc. of the elastomer dispersed as a suspension or emulsion. it can. The carboxyl groups in the elastomer act to swell the swellable resin film 2 with respect to the alkaline aqueous solution and to peel the swellable resin film 2 from the surface of the insulating substrate 1. The acid equivalent is the polymer weight per equivalent of carboxyl groups.

カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。   Specific examples of the monomer unit having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and the like.

このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大きすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。   The content ratio of the carboxyl group in the elastomer having such a carboxyl group is preferably 100 to 2000, more preferably 100 to 800 in terms of acid equivalent. When the acid equivalent is too small, the compatibility with the solvent or other composition tends to decrease, whereby the resistance to the plating pretreatment liquid tends to decrease. Moreover, when an acid equivalent is too large, there exists a tendency for the peelability with respect to aqueous alkali solution to fall.

また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜２の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。   The molecular weight of the elastomer is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 20,000 to 60,000. If the molecular weight of the elastomer is too large, the peelability tends to decrease, and if it is too small, the viscosity decreases, so that it is difficult to maintain a uniform thickness of the swellable resin film 2 and before plating. There is also a tendency for the resistance to the treatment liquid to deteriorate.

また、ＤＦＲとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂；エポキシ系樹脂；スチレン系樹脂；フェノール系樹脂；ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。   In addition, as DFR, a photocurable resin containing a photopolymerization initiator containing a predetermined amount of a carboxyl group, an acrylic resin; an epoxy resin; a styrene resin; a phenol resin; A sheet of a resin composition can be used. As specific examples of such DFR, a dry film of a photopolymerizable resin composition as disclosed in JP 2000-231190 A, JP 2001-201851 A, and JP 11-212262 A is used. Sheets obtained by curing, and commercially available as an alkali development type DFR, for example, UFG series manufactured by Asahi Kasei Corporation can be mentioned.

さらに、その他の膨潤性樹脂被膜２の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工株式会社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）やフェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製「１０４Ｆ」）等が挙げられる。   Furthermore, examples of other swellable resin coating 2 include a resin containing a carboxyl group and containing rosin as a main component (for example, “NAZDAR229” manufactured by Yoshikawa Chemical Co., Ltd.) or a resin containing phenol as a main component (for example, , "104F" manufactured by LEKTRACHEM, etc.).

膨潤性樹脂被膜２は、絶縁基材１表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基板に形成されたＤＦＲを真空ラミネータ等を用いて絶縁基材１表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。   The swellable resin coating 2 is formed on the surface of the insulating substrate 1 by applying a resin suspension or emulsion on the surface of the insulating substrate 1 using a conventionally known coating method such as a spin coating method or a bar coater method, and drying the coating. The bonded DFR can be easily formed by bonding the surface of the insulating base material 1 to the surface of the insulating substrate 1 using a vacuum laminator or the like and then curing the entire surface.

また、前記樹脂被膜２としては、上記のものに加えて、以下のようなものが挙げられる。例えば、前記樹脂被膜２を構成するレジスト材料としては、以下のようなものが挙げられる。   In addition to the above, the resin coating 2 includes the following. For example, as the resist material constituting the resin film 2, the following can be cited.

前記樹脂被膜２を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）後述の触媒被着工程で、樹脂被膜２が形成された絶縁基材１を浸漬させる液体（めっき核付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）後述の被膜除去工程、例えば、樹脂被膜２が形成された絶縁基材１をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜２（レジスト）が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。   The characteristics required for the resist material constituting the resin film 2 include, for example, (1) a liquid (plating nucleation chemical) in which the insulating base material 1 on which the resin film 2 is formed is immersed in a catalyst deposition process described later. (2) The resin film 2 (resist) can be easily removed by a film removal step described later, for example, a step of immersing the insulating base material 1 on which the resin film 2 is formed in alkali. (3 ) High film formability, (4) Easy dry film (DFR) formation, (5) High storage stability, and the like.

めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（ｐＨ１〜２）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐えることが必要である。なお、耐えうるとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、レジスト膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。   As the plating nucleating chemical solution, as will be described later, for example, in the case of an acidic Pd—Sn colloid catalyst system, all are acidic (pH 1-2) aqueous solutions. Moreover, in the case of an alkaline Pd ion catalyst system, the catalyst imparting activator is a weak alkali (pH 8 to 12), and the others are acidic. From the above, it is necessary to withstand pH 1 to 11, and preferably pH 1 to 12, as the resistance to the plating nucleating solution. Note that being able to withstand is that when a sample on which a resist is formed is immersed in a chemical solution, swelling and dissolution of the resist are sufficiently suppressed, and the resist serves as a resist. The immersion temperature is generally room temperature to 60 ° C., the immersion time is 1 to 10 minutes, and the resist film thickness is generally about 1 to 10 μm, but is not limited thereto.

被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０%程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。   As the alkali stripping chemical used in the film removal step, as will be described later, for example, an aqueous NaOH solution or an aqueous sodium carbonate solution is common. Its pH is 11 to 14, and it is desirable that the resist film can be easily removed preferably at pH 12 to 14. The NaOH aqueous solution concentration is generally about 1 to 10%, the processing temperature is room temperature to 50 ° C., the processing time is 1 to 10 minutes, and the immersion or spray treatment is generally performed, but is not limited thereto.

絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。   Since a resist is formed on an insulating material, film formability is also important. A uniform film formation without repelling or the like is necessary. Moreover, although it is made into a dry film for the simplification of a manufacturing process, reduction of material loss, etc., the flexibility of a film is required in order to ensure handling property. Also, a dry film resist is pasted on the insulating material with a laminator (roll, vacuum). The pasting temperature is room temperature to 160 ° C., and the pressure and time are arbitrary. Thus, adhesiveness is required at the time of pasting. For this reason, the resist formed into a dry film is generally used as a three-layer structure sandwiched by a carrier film and a cover film to prevent dust from adhering, but is not limited thereto.

保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。   The best preservation is that it can be stored at room temperature, but it must also be refrigerated or frozen. As described above, it is necessary to prevent the composition of the dry film from being separated at low temperatures or to be cracked due to a decrease in flexibility.

レジスト材料の樹脂組成は、メイン樹脂（バインダー樹脂）を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーやその他添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。   The resin composition of the resist material may include a main resin (binder resin) as an essential component, and at least one of oligomers, monomers, fillers, and other additives may be added.

また、前記樹脂被膜２としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物からなるものが挙げられる。   The resin coating 2 includes (a) at least one monomer of carboxylic acid or acid anhydride having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule, and (b) (a) a single amount. Examples thereof include a polymer resin obtained by polymerizing at least one monomer that can be polymerized with a polymer, or a resin composition containing the polymer resin.

前記樹脂組成物としては、メイン樹脂として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーやその他添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。メイン樹脂は熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。その分子量としては、数平均分子量で１０００〜５０００００程度であり、５０００〜５００００が好ましい。分子量が小さすぎると、膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性（耐酸性）が低下する傾向がある。また、分子量が大きすぎると、アルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる傾向がある。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。   As the resin composition, the polymer resin may be an essential component as a main resin, and at least one of oligomers, monomers, fillers, and other additives may be added. The main resin is preferably a linear polymer with thermoplastic properties. In order to control fluidity and crystallinity, it may be branched by grafting. The molecular weight is about 1,000 to 500,000 in terms of number average molecular weight, preferably 5,000 to 50,000. If the molecular weight is too small, the flexibility of the film and the resistance to the plating nucleation solution (acid resistance) tend to decrease. Moreover, when molecular weight is too large, there exists a tendency for the sticking property at the time of using alkali peelability or a dry film to worsen. Furthermore, a crosslinking point may be introduced to improve resistance to plating nucleus chemicals, suppress thermal deformation during laser processing, and control flow.

メイン樹脂の組成としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸または酸無水物の単量体と（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる単量体を重合させることで得られる。公知技術としては、例えば、特開平７−２８１４３７号公報、特開２０００−２３１１９０号公報、及び特開２００１−２０１８５１号公報に記載のもの等が挙げられる。（ａ）の一例として、例えば、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を（一個）有するものが一般的であり、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等が挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることができる。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定する、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は、酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましい。ここで酸当量とはその中に１当量のカルボキシル基を有するポリマーの重量をいう。その酸当量が低すぎる場合、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が高すぎる場合、剥離性が低下する傾向がある。また、（ａ）単量体の組成比率は、５〜７０重量％である。   As the composition of the main resin, (a) a carboxylic acid or acid anhydride monomer having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule and (b) (a) a monomer that can be polymerized with the monomer It is obtained by polymerizing. Examples of known techniques include those described in JP-A-7-281437, JP-A-2000-231190, and JP-A-2001-201851. Examples of (a) include, for example, (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid half ester, butyl acrylate, etc., alone or 2 More than one type may be combined. Examples of (b) are generally non-acidic and have (one) polymerizable unsaturated group in the molecule, but are not limited thereto. It is selected so as to maintain various properties such as resistance in the plating process and flexibility of the cured film. Specifically, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert. -Butyl (meth) acrylate, 2-hydroxylethyl (meth) acrylate, 2-hydroxylpropyl (meth) acrylates, etc. are mentioned. Further, esters of vinyl alcohol such as vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene, or a polymerizable styrene derivative may be used. It can also be obtained by polymerization of only a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Furthermore, a monomer having a plurality of unsaturated groups is selected as a monomer used in the polymer so that it can be three-dimensionally cross-linked, such as an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, an amide group, a vinyl group in the molecular skeleton. Reactive functional groups can be introduced. When the carboxyl group is contained in the resin, the amount of the carboxyl group contained in the resin is preferably 100 to 2000, preferably 100 to 800, as an acid equivalent. Here, the acid equivalent means the weight of the polymer having 1 equivalent of a carboxyl group therein. When the acid equivalent is too low, there is a tendency that compatibility with a solvent or other composition is lowered or plating pretreatment solution resistance is lowered. Moreover, when an acid equivalent is too high, there exists a tendency for peelability to fall. Moreover, the composition ratio of (a) monomer is 5 to 70% by weight.

モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（ＤＦＲ）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるための架橋剤を添加してもよい。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等も挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることができる。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを二種類以上含むことも可能である。このモノマーの例としては、例えば、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。また、上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。   Any monomer or oligomer may be used as long as it is resistant to plating nucleation chemicals and can be easily removed with alkali. Further, in order to improve the sticking property of the dry film (DFR), it can be considered that it is used as a tackifier as a plasticizer. Furthermore, a crosslinking agent for increasing various resistances may be added. Specifically, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert. -Butyl (meth) acrylate, 2-hydroxylethyl (meth) acrylate, 2-hydroxylpropyl (meth) acrylates, etc. are mentioned. In addition, esters of vinyl alcohol such as vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene, or a polymerizable styrene derivative are also included. It can also be obtained by polymerization of only a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Furthermore, a polyfunctional unsaturated compound may be included. Any of the above monomers or oligomers obtained by reacting the monomers may be used. In addition to the above monomers, it is possible to include two or more other photopolymerizable monomers. Examples of this monomer include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, Polyoxyalkylene glycol di (meth) acrylate such as polyoxyethylene polyoxypropylene glycol di (meth) acrylate, 2-di (p-hydroxyphenyl) propane di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (Meth) acrylate, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether tri (meth) acrylate, 2,2-bis (4-methyl) Methacryloxy pentaethoxy phenyl) propane, a polyfunctional (meth) acrylate containing urethane groups. Further, any of the above monomers or oligomers obtained by reacting the monomers may be used.

さらに、フィラーを含有してもよい。フィラーは特に限定されないが、具体的には、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。またレジストの厚みは、一般的に１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。   Furthermore, you may contain a filler. The filler is not particularly limited. Specifically, for example, silica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, clay, kaolin, titanium oxide, barium sulfate, alumina, zinc oxide, talc, mica, glass, titanic acid. Examples include potassium, wollastonite, magnesium sulfate, aluminum borate, and an organic filler. Moreover, since the resist thickness is generally as thin as 1 to 10 μm, a small filler size is preferable. Although it is preferable to use a material having a small average particle size and cut coarse particles, the coarse particles can be crushed during dispersion or removed by filtration.

その他の添加剤としては、例えば、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。   Other additives include, for example, photopolymerizable resins (photopolymerization initiators), polymerization inhibitors, colorants (dyes, pigments, coloring pigments), thermal polymerization initiators, and crosslinking agents such as epoxies and urethanes. Can be mentioned.

本発明のプリント板加工プロセスでは、例えば、レーザ加工が用いられる場合があるが、レーザ加工の場合、レジスト材料にレーザによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザ加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどが選定される。これらのレーザ加工機は、種々の固有の波長を持っており、この波長に対して吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザは微細加工に適しており、レーザ波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、レジスト材料としては、これらの波長に対して、吸収率が高いことが望ましい。一方、吸収率がある程度低い材料の方が好ましい場合もある。具体的には、例えば、ＵＶ吸収率の低い樹脂被膜２を用いると、ＵＶ光が樹脂被膜２を透過するので、下地の絶縁基材１の加工にエネルギーを集中させることができる。すなわち、レーザ光の吸収率によって利点が異なるので、状況に応じてレーザ光の吸収率を調整した樹脂被膜２を用いるのが好ましい。   In the printed board processing process of the present invention, for example, laser processing may be used, but in the case of laser processing, it is necessary to impart a laser ablation property to the resist material. As the laser processing machine, for example, a carbon dioxide laser, an excimer laser, a UV-YAG laser, or the like is selected. These laser processing machines have various intrinsic wavelengths, and productivity can be improved by using a material having a high absorption rate for these wavelengths. Among them, the UV-YAG laser is suitable for fine processing, and the laser wavelength is 3rd harmonic 355 nm and 4th harmonic 266 nm. Therefore, the resist material has a high absorptance with respect to these wavelengths. Is desirable. On the other hand, a material having a somewhat low absorption rate may be preferable. Specifically, for example, when the resin film 2 having a low UV absorption rate is used, the UV light is transmitted through the resin film 2, so that energy can be concentrated on the processing of the underlying insulating substrate 1. That is, since advantages differ depending on the absorption rate of the laser beam, it is preferable to use the resin coating 2 in which the absorption rate of the laser beam is adjusted according to the situation.

＜回路溝形成工程＞
回路溝形成工程は、絶縁基材１に回路溝３を形成する工程である。 <Circuit groove forming process>
The circuit groove forming step is a step of forming the circuit groove 3 in the insulating base material 1.

前記回路溝３を形成する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記樹脂被膜２が形成された絶縁基材１に、前記樹脂被膜２の外表面側から、レーザ加工、及びダイシング加工等の切削加工や型押加工等の機械加工等を施すことにより、所望の形状及び深さの回路溝３を形成させる方法等が挙げられる。高精度の微細な回路を形成する場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。よって、回路溝３の底面を平坦に形成することができ、絶縁基材１の外表面と回路溝３の底面とを平行にすることができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられうる。   A method for forming the circuit groove 3 is not particularly limited. Specifically, for example, on the insulating base material 1 on which the resin coating 2 is formed, from the outer surface side of the resin coating 2, machining such as laser processing and dicing processing, and mechanical processing such as embossing processing, etc. The method of forming the circuit groove 3 of a desired shape and depth by giving is mentioned. In the case of forming a highly accurate fine circuit, it is preferable to use laser processing. According to laser processing, the cutting depth or the like can be freely adjusted by changing the output of the laser or the like. Therefore, the bottom surface of the circuit groove 3 can be formed flat, and the outer surface of the insulating substrate 1 and the bottom surface of the circuit groove 3 can be made parallel. Further, as the stamping process, for example, a stamping process using a fine resin mold used in the field of nanoimprinting can be preferably used.

また、前記回路溝３として、細線状のライン部９を形成するための回路溝３や、表面実装部品を実装するパッド部８を形成するための回路溝３のほか、ビアホール等を形成するための貫通孔（図示省略）を形成してもよい。   Further, as the circuit groove 3, in addition to the circuit groove 3 for forming the thin line portion 9 and the circuit groove 3 for forming the pad portion 8 for mounting the surface mounting component, a via hole or the like is formed. Through-holes (not shown) may be formed.

この工程により、前記回路溝３の形状、深さ及び位置等が規定される。   By this step, the shape, depth, position and the like of the circuit groove 3 are defined.

前記回路溝形成工程で形成される回路溝３の幅は特に限定されない。なお、レーザ加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な回路（ライン部９）も容易に形成できる。また、回路溝３の深さは、フィルアップめっきにより、電気回路７と絶縁基材１とに段差をなくした場合には、本実施形態で形成する電気回路６の深さとなる。   The width of the circuit groove 3 formed in the circuit groove forming step is not particularly limited. When laser processing is used, a fine circuit (line portion 9) having a line width of 20 μm or less can be easily formed. In addition, the depth of the circuit groove 3 is the depth of the electric circuit 6 formed in the present embodiment when a step is eliminated between the electric circuit 7 and the insulating substrate 1 by fill-up plating.

＜触媒被着工程＞
触媒被着工程は、前記回路溝３の表面及び前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させる工程である。このとき、貫通孔（図示省略）が形成されている場合、貫通孔内壁表面にもめっき触媒又はその前駆体５を被着される。 <Catalyst deposition process>
The catalyst deposition step is a step of depositing a plating catalyst or its precursor 5 on the surface of the circuit groove 3 and the surface of the resin coating 2. At this time, when a through hole (not shown) is formed, the plating catalyst or its precursor 5 is also deposited on the inner wall surface of the through hole.

前記めっき触媒又はその前駆体５は、前記めっき処理工程において無電解めっきにより無電解めっき膜６を形成したい部分にのみ無電解めっき膜６を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体５を被着させ、樹脂被膜２の除去後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。   The plating catalyst or its precursor 5 is a catalyst applied to form the electroless plating film 6 only in a portion where the electroless plating film 6 is to be formed by electroless plating in the plating treatment step. Any plating catalyst can be used without particular limitation as long as it is known as a catalyst for electroless plating. Alternatively, the plating catalyst precursor 5 may be deposited in advance, and the plating catalyst may be generated after the resin coating 2 is removed. Specific examples of the plating catalyst include, for example, metal palladium (Pd), platinum (Pt), silver (Ag), etc., or a precursor that generates these.

めっき触媒又はその前駆体５を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。   Examples of the method of depositing the plating catalyst or its precursor 5 include a method of treating with an acidic Pd—Sn colloidal solution treated under acidic conditions of pH 1 to 3 and then treating with an acid solution. It is done. Specific examples include the following methods.

はじめに、回路溝３が形成された絶縁基材１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材１表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。 First, oil or the like adhering to the surface of the insulating base material 1 on which the circuit grooves 3 are formed is washed in hot water in a surfactant solution (cleaner / conditioner) for a predetermined time. Next, if necessary, a soft etching treatment is performed with a sodium persulfate-sulfuric acid based soft etching agent. And it pickles further in acidic solutions, such as sulfuric acid aqueous solution of pH 1-2, and aqueous hydrochloric acid. Next, a pre-dip treatment is performed in which a chloride ion is adsorbed on the surface of the insulating base material 1 by being immersed in a pre-dip solution mainly composed of a stannous chloride aqueous solution having a concentration of about 0.1%. Then, Pd and Sn are aggregated and adsorbed by further immersing in an acidic plating catalyst colloid solution such as acidic Pd—Sn colloid having pH 1 to 3 containing stannous chloride and palladium chloride. Then, an oxidation-reduction reaction (SnCl 2 + PdCl 2 → SnCl 4 + Pd ↓) is caused between the adsorbed stannous chloride and palladium chloride. Thereby, the metal palladium which is a plating catalyst precipitates.

なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。   In addition, as an acidic plating catalyst colloid solution, a well-known acidic Pd-Sn colloid catalyst solution etc. can be used, and the commercially available plating process using an acidic plating catalyst colloid solution may be used. Such a process is systematized and sold by Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd., for example.

このような触媒被着処理によって、前記回路溝３の表面及び前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させることができる。   By such a catalyst deposition process, the plating catalyst or its precursor 5 can be deposited on the surface of the circuit groove 3 and the surface of the resin coating 2.

＜被膜除去工程＞
被膜除去工程は、前記触媒被着工程を施した絶縁基材１から前記樹脂被膜２を除去する工程である。 <Film removal process>
The coating removal step is a step of removing the resin coating 2 from the insulating base material 1 subjected to the catalyst deposition step.

前記樹脂被膜２を除去する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を膨潤させた後に、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離させる方法、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を膨潤させ、さらに一部を溶解させた後に、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離させる方法、及び所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を溶解させて除去する方法等が挙げられる。前記膨潤液としては、前記樹脂被膜２を膨潤させることができるものであれば、特に限定されない。また、前記膨潤又は溶解は、前記樹脂被膜２で被覆された前記絶縁基材１を前記膨潤液に所定時間浸漬させること等によって行う。そして、その浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。   The method for removing the resin coating 2 is not particularly limited. Specifically, for example, after the resin film 2 is swollen with a predetermined solution (swelling liquid), the resin film 2 is peeled off from the insulating substrate 1, or the resin with a predetermined solution (swelling liquid). A method of removing the resin film 2 from the insulating substrate 1 after the film 2 is swollen and further partially dissolved, and a method of removing the resin film 2 by dissolving it with a predetermined solution (swelling liquid) Etc. The swelling liquid is not particularly limited as long as it can swell the resin film 2. The swelling or dissolution is performed by immersing the insulating base material 1 covered with the resin coating 2 in the swelling liquid for a predetermined time. And removal efficiency may be improved by irradiating with ultrasonic waves during the immersion. In addition, when it swells and peels, you may peel off with a light force.

また、前記樹脂被膜２として、前記膨潤性樹脂被膜２を用いた場合について、説明する。   The case where the swellable resin film 2 is used as the resin film 2 will be described.

前記膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる液体（膨潤液）としては、前記絶縁基材１、及び前記めっき触媒又はその前駆体５を実質的に分解又は溶解させることなく、前記膨潤性樹脂被膜２を膨潤又は溶解させることができる液体であれば特に限定なく用いられうる。また、前記膨潤性樹脂被膜２を容易に剥離される程度に膨潤させうる液体が好ましい。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜２の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜２がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。   As the liquid (swelling liquid) for swelling the swellable resin film 2, the swellable resin film 2 can be used without substantially decomposing or dissolving the insulating substrate 1 and the plating catalyst or its precursor 5. Any liquid that can be swollen or dissolved can be used without particular limitation. Moreover, the liquid which can swell so that the said swellable resin film 2 can be peeled easily is preferable. Such a swelling liquid can be appropriately selected depending on the type and thickness of the swellable resin film 2. Specifically, for example, when the swellable resin film 2 is formed from an elastomer such as a diene elastomer, an acrylic elastomer, and a polyester elastomer, for example, hydroxylation at a concentration of about 1 to 10% An aqueous alkali solution such as an aqueous sodium solution can be preferably used.

なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するめっきプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜２が、酸性条件下においては膨潤度が５０％未満であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜２は、ｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。   In the case of using a plating process that is performed under acidic conditions as described above in the catalyst deposition step, the swelling resin film 2 has a degree of swelling of less than 50% under acidic conditions, and under alkaline conditions. It is preferably formed from an elastomer such as a diene elastomer, an acrylic elastomer, and a polyester elastomer having a degree of swelling of 50% or more. Such a swellable resin film 2 is easily swollen and peeled off by an alkaline aqueous solution having a pH of 12 to 14, such as a sodium hydroxide aqueous solution having a concentration of about 1 to 10%. In addition, in order to improve peelability, you may irradiate with an ultrasonic wave during immersion. Moreover, you may peel by peeling with a light force as needed.

膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜２で被覆された絶縁基材１を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。   Examples of the method for swelling the swellable resin film 2 include a method of immersing the insulating base material 1 coated with the swellable resin film 2 in a swelling liquid for a predetermined time. Moreover, in order to improve peelability, it is particularly preferable to irradiate with ultrasonic waves during immersion. In addition, when not peeling only by swelling, you may peel off with a light force as needed.

＜めっき処理工程＞
めっき処理工程は、前記樹脂被膜２を除去した後の前記絶縁基材１に無電解めっき処理を施す工程である。 <Plating process>
The plating process is a process of performing an electroless plating process on the insulating substrate 1 after the resin film 2 is removed.

前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒又はその前駆体５が被着された絶縁基材１を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒又はその前駆体５が被着された部分のみに無電解めっき膜（めっき層）を析出させるような方法等が用いられうる。   As a method of the electroless plating treatment, the insulating base material 1 partially coated with the plating catalyst or its precursor 5 is immersed in an electroless plating solution, and the plating catalyst or its precursor 5 is applied. For example, a method of depositing an electroless plating film (plating layer) only on the portion may be used.

無電解めっきに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。   Examples of the metal used for electroless plating include copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and aluminum (Al). In these, the plating which has Cu as a main component is preferable from the point which is excellent in electroconductivity. Moreover, when Ni is included, it is preferable from the point which is excellent in corrosion resistance and adhesiveness with a solder.

無電解めっき膜６の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。特に、前記回路溝３の深さを深くすることにより、膜厚の厚いめっきであって、断面積が大きい金属配線を容易に形成することができる。この場合には、金属配線の強度を向上させることができる点から好ましい。   The film thickness of the electroless plating film 6 is not particularly limited. Specifically, for example, it is preferably about 0.1 to 10 μm, more preferably about 1 to 5 μm. In particular, by increasing the depth of the circuit groove 3, it is possible to easily form a metal wiring having a large thickness and a large cross-sectional area. In this case, it is preferable because the strength of the metal wiring can be improved.

めっき処理工程により、絶縁基材１表面のめっき触媒又はその前駆体５が残留する部分のみに無電解めっき膜６が析出する。そのために、回路溝３を形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路溝３を形成していない部分に対する無電解めっき膜６の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な回路を複数本形成するような場合でも、隣接する回路間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。   By the plating process, the electroless plating film 6 is deposited only on the portion where the plating catalyst or its precursor 5 remains on the surface of the insulating base 1. Therefore, it is possible to accurately form a conductive layer only in a portion where the circuit groove 3 is desired to be formed. On the other hand, the deposition of the electroless plating film 6 on the portion where the circuit groove 3 is not formed can be suppressed. Therefore, even when a plurality of fine circuits having a narrow line width with a narrow pitch interval are formed, an unnecessary plating film does not remain between adjacent circuits. Therefore, the occurrence of a short circuit and the occurrence of migration can be suppressed.

＜デスミア処理工程＞
また、本発明に係る回路基板の製造方法において、前記めっき処理工程を施した後、具体的には、フィルアップめっきを施す前又は施した後に、デスミア処理を施すデスミア処理工程をさらに備えていてもよい。デスミア処理を施すことによって、無電解めっき膜６に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、得られた回路基板１０を備える多層回路基板を想定した場合、前記絶縁基材１の、無電解めっき膜６が形成されていない部分の表面を粗し、前記回路基板１０の上層等との密着性を向上させることができる。さらに、ビア底にデスミア処理を施してもよい。そうすることによって、ビア底に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、前記デスミア処理としては、特に限定されず、公知のデスミア処理を用いることができる。具体的には、例えば、過マンガン酸溶液等に浸漬する処理等が挙げられる。 <Desmear treatment process>
The circuit board manufacturing method according to the present invention further includes a desmear treatment step of performing a desmear treatment after the plating treatment step, specifically, before or after the fill-up plating. Also good. By applying desmear treatment, unnecessary resin adhered to the electroless plating film 6 can be removed. Further, when a multilayer circuit board including the obtained circuit board 10 is assumed, the surface of the insulating base material 1 where the electroless plating film 6 is not formed is roughened, and the upper layer of the circuit board 10 and the like. It is possible to improve the adhesion. Further, a desmear process may be performed on the via bottom. By doing so, unnecessary resin adhered to the via bottom can be removed. Moreover, it does not specifically limit as said desmear process, A well-known desmear process can be used. Specifically, the process etc. which are immersed in a permanganic acid solution etc. are mentioned, for example.

上記のような工程を経て、図１（ｅ）に示すような回路基板１０が形成される。   Through the steps as described above, a circuit board 10 as shown in FIG. 1E is formed.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.

（実施例１）
厚み１００μｍのエポキシ樹脂の絶縁基材１（パナソニック電工（株）製のＲ１７６６）の表面に２μｍ厚のスチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）の樹脂被膜２を形成した（図１（ａ）参照）。なお、樹脂被膜２の形成は、前記エポキシ樹脂の絶縁基材１の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより行った。 Example 1
A 2 μm-thick styrene-butadiene copolymer (SBR) resin film 2 was formed on the surface of a 100 μm-thick epoxy resin insulating substrate 1 (R1766 manufactured by Panasonic Electric Works Co., Ltd.) (see FIG. 1A). . The resin coating 2 is formed on the principal surface of the insulating base material 1 of the epoxy resin by methyl ethyl ketone (MEK) suspension (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., acid equivalent 600, particles) of styrene-butadiene copolymer (SBR). 200 nm in diameter and 15% solid content) was applied and dried at 80 ° C. for 30 minutes.

そして、樹脂被膜２が形成されたエポキシ樹脂の絶縁基材１に対して、レーザー加工により、幅２０μｍ、深さ２０μｍのライン部９形成用の略長方形断面の回路溝３を形成すると共に、縦５０００μｍ、横５０００μｍ、深さ３０μｍのパッド部８形成用の平面視矩形状かつ略長方形断面の回路溝３を形成した（図１（ｂ）参照）。いずれの回路溝３の底面も平坦であった。なお、レーザー加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザーを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。   Then, a circuit groove 3 having a substantially rectangular cross section for forming the line portion 9 having a width of 20 μm and a depth of 20 μm is formed by laser processing on the insulating base material 1 of the epoxy resin on which the resin film 2 is formed. A circuit groove 3 having a rectangular shape in plan view and a substantially rectangular cross section for forming a pad portion 8 having a width of 5000 μm, a width of 5000 μm, and a depth of 30 μm was formed (see FIG. 1B). The bottom surface of any circuit groove 3 was flat. For laser processing, MODEL 5330 manufactured by ESI equipped with a UV-YAG laser was used.

次に、回路溝３が形成されたエポキシ樹脂の絶縁基材１をクリーナーコンディショナー（界面活性剤溶液、ｐＨ＜１：ローム＆ハース電子材料（株）製Ｃ／Ｎ３３２０）中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のｐＨ＜１のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト（株）製、ｐＨ＜１）を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、無電解銅めっきの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態でエポキシ樹脂の絶縁基材１に吸着させた。   Next, the insulating base material 1 of the epoxy resin in which the circuit groove 3 is formed is immersed in a cleaner conditioner (surfactant solution, pH <1: C / N 3320 manufactured by Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd.), and then Washed with water. Then, soft etching treatment was performed with a sodium persulfate-sulfuric acid-based soft etchant having a pH <1. And the pre-dip process was performed using PD404 (Shipley Far East Co., Ltd. product, pH <1). Then, by immersing in an acidic Pd-Sn colloidal solution (CAT44, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) having a pH of 1 containing stannous chloride and palladium chloride, the palladium serving as the core of electroless copper plating is tin-palladium. It was made to adsorb | suck to the insulating base material 1 of an epoxy resin in the colloidal state.

次に、ｐＨ＜１のアクセラレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、めっき触媒又はその前駆体５としてパラジウム核を発生させた（図１（ｃ）参照）。そして、エポキシ樹脂の絶縁基材１を、ｐＨ１４の５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬した。これにより、表面のＳＢＲ樹脂被膜２は膨潤し、きれいに剥離された（図１（ｄ）参照）。このとき、エポキシ樹脂の絶縁基材１表面にＳＢＲ樹脂被膜２の断片等が残っていなかった。そして、エポキシ樹脂の絶縁基材１を無電解めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。   Next, a palladium nucleus was generated as a plating catalyst or a precursor 5 thereof by immersing in an accelerator chemical solution (ACC19E, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) having pH <1 (see FIG. 1 (c)). Then, the insulating base material 1 made of epoxy resin was immersed for 10 minutes in a pH 14 5% aqueous sodium hydroxide solution while being ultrasonically treated. As a result, the SBR resin film 2 on the surface swelled and was peeled cleanly (see FIG. 1 (d)). At this time, no fragments of the SBR resin coating 2 remained on the surface of the insulating base material 1 made of epoxy resin. Then, the insulating base material 1 made of epoxy resin was immersed in an electroless plating solution (CM328A, CM328L, CM328C, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) to perform electroless copper plating.

無電解銅めっき処理により、無電解めっき膜６として厚み３〜５μｍの無電解銅めっき膜が析出し、電気回路７を構成するパッド部８及びライン部９を形成することができた（図１（ｅ）参照）。なお、無電解銅めっき処理されたエポキシ樹脂の絶縁基材１表面をＳＥＭ（走査型顕微鏡）により観察したところ、切削加工された部分のみに、正確に無電解めっき膜６が形成されていた。また、上記のように形成された回路基板１０は、絶縁基材１に電気回路７を露出するように埋設して形成されたものであり、電気回路７のパッド部８の最も厚い部分の厚みと最も薄い部分の厚みとの差は最も厚い部分の厚みに対して５％であった。また、絶縁基材１の外表面と電気回路７（パッド部８）の表面との段差（高低差）は０〜１．５μｍであった。   By the electroless copper plating treatment, an electroless copper plating film having a thickness of 3 to 5 μm was deposited as the electroless plating film 6, and the pad portion 8 and the line portion 9 constituting the electric circuit 7 could be formed (FIG. 1). (See (e)). In addition, when the surface of the insulating base material 1 of the epoxy resin subjected to the electroless copper plating treatment was observed with an SEM (scanning microscope), the electroless plating film 6 was accurately formed only on the cut portion. Further, the circuit board 10 formed as described above is formed by being embedded in the insulating base 1 so as to expose the electric circuit 7, and the thickness of the thickest portion of the pad portion 8 of the electric circuit 7. The difference between the thickness of the thinnest part and the thickness of the thinnest part was 5%. Moreover, the level | step difference (height difference) of the outer surface of the insulating base material 1 and the surface of the electric circuit 7 (pad part 8) was 0-1.5 micrometers.

（実施例２）
スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）の代わりに、カルボキシル基含有重合体（日本ゼオン（株）製、酸当量５００、重量平均分子量２５０００、固形分２０％）を用いた以外、実施例１と同様に行った。 (Example 2)
Instead of methyl ethyl ketone (MEK) suspension (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., acid equivalent 600, particle size 200 nm, solid content 15%) of styrene-butadiene copolymer (SBR), a carboxyl group-containing polymer (Nippon Zeon Co., Ltd.) ), Acid equivalent 500, weight average molecular weight 25000, solid content 20%).

このとき、ｐＨ１４の水酸化ナトリウム５％水溶液に対する膨潤度は１０００％であった。一方、ｐＨ１の塩酸５％水溶液に対する膨潤度は３０％であった。   At this time, the degree of swelling with respect to a 5% aqueous solution of sodium hydroxide at pH 14 was 1000%. On the other hand, the degree of swelling with respect to a 5% hydrochloric acid aqueous solution at pH 1 was 30%.

なお、膨潤性樹脂被膜２の膨潤度は、以下のように求めた。   In addition, the swelling degree of the swellable resin film 2 was determined as follows.

離型紙上に膨潤性樹脂被膜２を形成するために塗布したＳＢＲサスペンジョンを塗布し、８０℃で３０分間乾燥した。これにより２μｍ厚の樹脂被膜２を形成した。そして、形成された樹脂被膜２を強制的に剥離することにより、試料を得た。   The SBR suspension applied to form the swellable resin film 2 on the release paper was applied and dried at 80 ° C. for 30 minutes. Thereby, a resin film 2 having a thickness of 2 μm was formed. And the sample was obtained by peeling off the formed resin film 2 compulsorily.

そして、得られた試料０．０２ｇ程度を秤量した。このときの試料重量を膨潤前重量ｍ（ｂ）とする。そして、秤量された試料を２０±２℃の水酸化ナトリウム５％水溶液１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。また、別の試料を同様にして、２０±２℃の塩酸５％水溶液（ｐＨ１）１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。   And about 0.02 g of the obtained sample was weighed. The weight of the sample at this time is defined as the weight m (b) before swelling. The weighed sample was immersed in 10 ml of 5% aqueous sodium hydroxide solution at 20 ± 2 ° C. for 15 minutes. Similarly, another sample was immersed in 10 ml of a 5% aqueous hydrochloric acid solution (pH 1) at 20 ± 2 ° C. for 15 minutes.

そして、遠心分離器を用いて１０００Ｇで約１０分間遠心分離処理を行い、試料に付着した水分等を除去した。そして、遠心分離後の膨潤した試料の重量を測定し、膨潤後重量ｍ（ａ）とした。得られた、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）×１００（％）」の式から、膨潤度を算出した。なお、その他の条件は、ＪＩＳ Ｌ１０１５ ８．２７（アルカリ膨潤度の測定方法）に準じて行った。   Then, centrifugation was performed at 1000 G for about 10 minutes using a centrifuge to remove moisture and the like attached to the sample. Then, the weight of the swollen sample after centrifugation was measured and set as the weight m (a) after swelling. From the obtained weight m (b) before swelling and weight m (a) after swelling, the formula “swelling degree SW = (m (a) −m (b)) / m (b) × 100 (%)” From this, the degree of swelling was calculated. Other conditions were performed in accordance with JIS L1015 8.27 (measurement method of alkali swelling degree).

このとき、ｐＨ１４の水酸化ナトリウム５％水溶液に対する膨潤度は７５０％であった。一方、ｐＨ１の塩酸５％水溶液に対する膨潤度は３％であった。   At this time, the degree of swelling with respect to a sodium hydroxide 5% aqueous solution at pH 14 was 750%. On the other hand, the degree of swelling with respect to a 5% hydrochloric acid aqueous solution at pH 1 was 3%.

以上のように、膨潤性樹脂被膜２を剥離することにより、絶縁基材１表面の回路形成したい部分のみにめっき触媒を被着させることができる。従って、めっき触媒を被着させた部分のみに正確に無電解めっき膜６が形成される。また、膨潤性樹脂被膜２は膨潤作用により容易に剥離させることができるために、被膜除去工程も容易かつ正確に行うことができる。   As described above, by peeling the swellable resin coating 2, the plating catalyst can be applied only to the portion of the insulating base 1 surface where the circuit is to be formed. Therefore, the electroless plating film 6 is accurately formed only on the portion where the plating catalyst is deposited. Further, since the swellable resin film 2 can be easily peeled off by the swelling action, the film removal step can be easily and accurately performed.

１ 絶縁基材
７ 電気回路
８ パッド部 1 Insulating base material 7 Electrical circuit 8 Pad part

Claims (1)

絶縁基材に電気回路としてライン部及びパッド部を露出するように埋設して形成された回路基板において、前記ライン部が形成された回路溝が浅く、前記パッド部が形成された回路溝が深く形成されていると共に、前記パッド部の厚みが略均一であり、前記パッド部の最も厚い部分の厚みと最も薄い部分の厚みとの差が最も厚い部分の厚みに対して２０％以下であり、前記ライン部の厚みと前記パッド部の厚みが略等しいことを特徴とする回路基板。 In the circuit board formed by embedding the line portion and the pad portion as an electric circuit in the insulating base material, the circuit groove in which the line portion is formed is shallow and the circuit groove in which the pad portion is formed is deep. together are formed, Ri substantially uniform der thickness of the pad portion, be less than 20% of the thickness of the thickest portion difference thickest portion of the thinnest portion of the thickness as the thickness of the pad portion The circuit board is characterized in that the thickness of the line portion is substantially equal to the thickness of the pad portion .
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