JP5399803B2 - Circuit board manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、回路基板、及び前記回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a circuit board and a method for manufacturing the circuit board.
携帯電話機等の携帯情報端末機器、コンピュータ及びその周辺機器、及び各種情報家電製品等の電気機器において、高機能化が急速に進行している。それに伴って、これら電気機器に搭載される回路基板には、電気回路のさらなる高密度化が要求されている。このような回路の高密度化の要求を満たすために、線幅及び線間隔(隣り合う電気回路と電気回路との間の部分の幅)のより狭い電気回路の配線を正確に形成できる方法が求められている。高密度化された回路配線においては、配線間における短絡やマイグレーション等が発生しやすくなっている。 In mobile information terminal devices such as mobile phones, computers and peripheral devices, and electrical devices such as various information home appliances, high functionality is rapidly progressing. Accordingly, circuit boards mounted on these electric devices are required to have higher density of electric circuits. In order to satisfy such a demand for higher circuit density, there is a method capable of accurately forming wiring of an electric circuit with a narrower line width and line interval (width of a portion between adjacent electric circuits). It has been demanded. In high-density circuit wiring, short-circuiting or migration between wirings is likely to occur.
回路基板の製造方法としては、サブトラクティブ法やアディティブ法等によって、絶縁基材上に電気回路を形成する方法等が知られている。サブトラクティブ法とは、金属箔張積層板の表面の電気回路を形成したい部分以外の金属箔を除去(サブトラクティブ)することにより、電気回路を形成する方法である。一方、アディティブ法とは、絶縁基材上の回路を形成したい部分のみに無電解めっきを施すことにより、電気回路を形成する方法である。 As a method for manufacturing a circuit board, a method of forming an electric circuit on an insulating substrate by a subtractive method or an additive method is known. The subtractive method is a method of forming an electric circuit by removing (subtractive) a metal foil other than a portion where the electric circuit on the surface of the metal foil-clad laminate is desired to be formed. On the other hand, the additive method is a method of forming an electric circuit by performing electroless plating only on a portion where a circuit on an insulating substrate is to be formed.
サブトラクティブ法は、金属箔張積層板表面の金属箔をエッチングすることにより、電気回路を形成したい部分のみの金属箔を残し、その他の部分を除去する方法である。この方法によれば、除去される部分の金属を浪費することになるために製造コストの点等から不利である。一方、アディティブ法は、電気回路を形成したい部分にのみ、無電解めっきによって金属配線を形成することができる。このために、金属を浪費せず、資源の無駄が少ない。このような点からも、アディティブ法は、好ましい回路形成方法である。 The subtractive method is a method in which the metal foil on the surface of the metal foil-clad laminate is etched to leave only the portion where the electric circuit is to be formed, and the other portion is removed. This method is disadvantageous from the viewpoint of manufacturing cost because the portion of the metal to be removed is wasted. On the other hand, in the additive method, metal wiring can be formed by electroless plating only in a portion where an electric circuit is desired to be formed. For this reason, metal is not wasted and resources are not wasted. Also from such a point, the additive method is a preferable circuit forming method.
従来の代表的なアディティブ法の1つであるフルアディティブ法により、金属配線からなる電気回路を形成する方法について、図5を参照しながら説明する。なお、図5は、従来のフルアディティブ法による金属配線を形成する各工程を説明するための模式断面図である。 A method of forming an electric circuit made of metal wiring by a full additive method, which is one of conventional representative additive methods, will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining each step of forming a metal wiring by a conventional full additive method.
はじめに、図5(A)に示すように、スルーホール101が形成された絶縁基材100の表面にめっき触媒102を被着させる。なお、絶縁基材100の表面は、予め粗化されている。次に、図5(B)に示すように、めっき触媒102を被着させた絶縁基材100上に、フォトレジスト層103を形成させる。次に、図5(C)に示すように、所定の回路パターンが形成されたフォトマスク110を介して、前記フォトレジスト層103を露光させる。次に、図5(D)に示すように、露光したフォトレジスト層103を現像して、回路パターン104を形成させる。そして、図5(E)に示すように、無電解銅めっき等の無電解めっきを施すことによって、現像により形成された回路パターン104の表面及びスルーホール101の内壁面に金属配線105を形成させる。上記のような各工程を施すことにより、絶縁基材100上に金属配線105からなる回路が形成される。
First, as shown in FIG. 5A, a plating
上述した従来のアディティブ法においては、絶縁基材100の表面全体にめっき触媒102が被着される。そのために、次のような問題が生じていた。すなわち、フォトレジスト層103が高精度に現像された場合には、フォトレジストで保護されていない部分のみにめっきを形成させることができる。しかしながら、フォトレジスト層103が高精度に現像されなかった場合には、図6に示すように、本来めっきを形成したくない部分に不要なめっき部分106が残ることがある。これは、絶縁基材100の表面全体にめっき触媒102が被着されているために起こる。不要なめっき部分106は、隣接する回路間に短絡やマイグレーション等を引き起こす。このような短絡やマイグレーションは、線幅及び線間隔の狭い回路を形成する場合にはより生じやすくなる。なお、図6は、従来のフルアディティブ法により形成された回路の輪郭形状を説明するための模式断面図である。
In the conventional additive method described above, the plating
また、上記の回路基板の製造方法とは異なる製造方法としては、例えば、特許文献1及び特許文献2に記載の製造方法等が挙げられる。
Moreover, as a manufacturing method different from the manufacturing method of said circuit board, the manufacturing method of
特許文献1には、別のアディティブ法として以下のような方法が開示されている。
はじめに、絶縁基板(絶縁基材)に溶剤可溶性の第1の感光性樹脂層とアルカリ可溶性の第2の感光性樹脂層を形成する。そして、第1及び第2の感光性樹脂層を所定の回路パターンを有するフォトマスクを介して露光する。次に、第1及び第2の感光性樹脂層を現像する。次に、現像により生じた凹部を含む表面全体に触媒を吸着させた後、アルカリ可溶性の第2の感光性樹脂をアルカリ溶液で溶解させることにより不要な触媒のみを除去する。そして、その後、無電解めっきを施すことにより触媒が存在する部分にのみ正確に回路を形成する。 First, a solvent-soluble first photosensitive resin layer and an alkali-soluble second photosensitive resin layer are formed on an insulating substrate (insulating base material). Then, the first and second photosensitive resin layers are exposed through a photomask having a predetermined circuit pattern. Next, the first and second photosensitive resin layers are developed. Next, after the catalyst is adsorbed on the entire surface including the concave portions generated by development, only the unnecessary catalyst is removed by dissolving the alkali-soluble second photosensitive resin with an alkali solution. Then, after that, electroless plating is performed to accurately form a circuit only in a portion where the catalyst exists.
また、下記特許文献2には、以下のような方法が開示されている。
はじめに、絶縁基板(絶縁基材)上に樹脂の保護膜をコーティングする(第1の工程)。次に、前記保護膜をコーティングした絶縁基板上に機械加工あるいはレーザービームの照射により配線パターンに対応した溝及びスルーホールを単独又は同時に描画形成する(第2の工程)。次に、前記絶縁基板全面に活性化層を形成する(第3の工程)。次に、前記保護膜を剥離して前記絶縁基板上の活性化層を除去し溝及びスルーホールの内壁面にのみ活性化層を残す(第4の工程)。次に、前記絶縁基板にめっき保護膜を用いないめっきを施し前記活性化された溝およびスルーホールの内壁面にのみ選択的に導電層を形成する(第5の工程)。 First, a protective film of resin is coated on an insulating substrate (insulating base material) (first step). Next, a groove and a through hole corresponding to the wiring pattern are drawn or formed on the insulating substrate coated with the protective film alone or simultaneously by machining or laser beam irradiation (second step). Next, an activation layer is formed on the entire surface of the insulating substrate (third step). Next, the protective film is peeled off, the activation layer on the insulating substrate is removed, and the activation layer is left only on the inner wall surface of the groove and the through hole (fourth step). Next, the insulating substrate is plated without using a plating protective film, and a conductive layer is selectively formed only on the inner surfaces of the activated grooves and through holes (fifth step).
しかしながら、特許文献1に記載の方法によれば、溶剤溶解性の異なる2種の感光性樹脂層を形成し、また、現像時においても2種の溶剤で現像し、触媒を吸着させた後に、さらに、アルカリ溶液で第2の感光性樹脂を溶解させる必要があるなど、製造工程が非常に煩雑であった。
However, according to the method described in
また、特許文献2には、絶縁基板上に保護膜として熱硬化性樹脂をコーティングし加熱硬化させた後、所定の配線パターンに従って保護膜及び絶縁基板を切削加工することや、絶縁基板表面の熱硬化性樹脂を溶剤で除去することが記載されている(特許文献2の第2頁左下欄第16行〜右下欄第11行)。
特許文献2に記載された保護膜として用いられる熱硬化性樹脂については、その種類については特に記載されていない。一般的な熱硬化性樹脂は、耐溶剤性に優れているために単なる溶剤では除去しにくいという問題があった。また、このような熱硬化性樹脂は、樹脂基材との密着性が高すぎて、樹脂基材の表面に保護膜の断片を残すことなく、保護膜のみを正確に除去することは困難であった。また、充分に剥離するために強い溶剤を用いたり、長時間浸漬したりした場合には、基材表面のめっき触媒も除去されてしまう。この場合には、めっき触媒が除去された部分には導電層が形成されなくなる。また、強い溶剤を用いたり、長時間浸漬したりした場合には、熱硬化性樹脂からなる保護膜がバラバラになるように崩れ、保護膜中のめっき触媒が溶剤中に再分散されることがあった。このように溶剤中に再分散されためっき触媒は、樹脂基材表面に再付着してしまい、その部分に不要なめっき膜が形成されてしまうおそれもあった。そのために特許文献2に開示された方法のような方法によれば、正確な輪郭を有する回路を形成することが困難であった。
About the thermosetting resin used as a protective film described in
さらに、上述したような従来の各種回路基板の製造方法を用いて、電気回路の高密度化を実現するために線幅及び線間隔の狭い電気回路を形成した場合、以下のような問題が生じる。すなわち、回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、電気回路を構成する金属配線が、絶縁基材の回路溝から剥離しやすくなるという問題があった。このような回路の剥離は、電子機器の信頼性を低下させる原因になりうる。 Further, when an electric circuit with a narrow line width and line interval is formed in order to realize high density of the electric circuit using the conventional methods for manufacturing various circuit boards as described above, the following problems occur. . That is, as the line width and the line interval of the circuit are reduced, there is a problem that the metal wiring constituting the electric circuit is easily peeled from the circuit groove of the insulating base material. Such peeling of the circuit can cause a decrease in the reliability of the electronic device.
具体的に、携帯電話機をはじめとする携帯情報端末機器に搭載される電気回路基板において起こりうる問題を一例として説明する。 Specifically, a problem that may occur in an electric circuit board mounted on a portable information terminal device such as a cellular phone will be described as an example.
携帯情報端末機器に搭載される電気回路基板には、比較的大きなLSI(Large Scale Integration)が実装される。このようなLSIは、電気回路基板の回路の一部として形成されたランド部分において、半田バンプにより接合される。携帯情報端末機器は、携帯されるために衝撃を受ける機会が多々ある。このような衝撃を受けた場合、実装されたLSIに力が掛かってランド部分を構成する金属配線が絶縁基材から剥離するおそれがあった。 A relatively large LSI (Large Scale Integration) is mounted on an electric circuit board mounted on a portable information terminal device. Such an LSI is bonded to the land portion formed as a part of the circuit of the electric circuit board by solder bumps. Since the portable information terminal device is carried, there are many opportunities to receive an impact. When such an impact is applied, there is a risk that a force is applied to the mounted LSI and the metal wiring constituting the land portion is peeled off from the insulating base material.
さらに、回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、回路を構成する金属配線の強度も低下するという問題もあった。上記の例においては、このことが原因となって、LSIに実装されたLSIに力が掛かってランド部分を構成する金属配線が切断して損傷を受けるおそれがあった。 Furthermore, as the line width and line interval of the circuit are narrowed, there is a problem that the strength of the metal wiring constituting the circuit is also reduced. In the above example, due to this, there is a possibility that the metal wiring constituting the land portion may be cut and damaged due to the force applied to the LSI mounted on the LSI.
すなわち、電気回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、上記のような回路の損傷は起りやすくなるという問題があった。 That is, as the line width and the line interval of the electric circuit are narrowed, there is a problem that the circuit is easily damaged as described above.
上記のような問題を解決するために、回路配線の線幅を広くして、金属配線を補強し、金属配線と絶縁基材との接触面積を広げて、金属配線と絶縁基材との密着性を高める方法が考えられる。しかしながら、このような方法では、回路の高密度化が図れなくなる。 In order to solve the above problems, the circuit wiring is widened, the metal wiring is reinforced, the contact area between the metal wiring and the insulating base is increased, and the metal wiring and the insulating base are in close contact with each other. A method for improving the sex can be considered. However, such a method cannot increase the density of the circuit.
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板を提供することを目的とする。また、前記回路基板の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and even if the line width and the line interval of the electric circuit formed on the insulating substrate are narrow, the adhesion between the insulating substrate and the electric circuit is high, An object of the present invention is to provide a circuit board in which an electric circuit is hardly damaged. Moreover, it aims at providing the manufacturing method of the said circuit board.
本発明者等は、絶縁基材と電気回路との密着性を高めるために、絶縁基材の組成に着目した。フィラーを含有していない絶縁基材を用いた場合、レーザ加工又は機械加工することによって形成される回路溝の表面は、フィラーが含有されていないので、平滑になりやすいと考えられる。そして、一般的には、表面が平滑な回路溝のほうが、電気回路を形成しやすいと考え、レーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝の表面の平滑性を低めうるフィラーを含有させないと考えられる。 The present inventors paid attention to the composition of the insulating base material in order to improve the adhesion between the insulating base material and the electric circuit. When an insulating base material that does not contain a filler is used, it is considered that the surface of the circuit groove formed by laser processing or machining does not contain a filler, and therefore tends to be smooth. In general, a circuit groove with a smooth surface is considered to be easier to form an electric circuit, and a filler that can reduce the smoothness of the surface of the circuit groove formed by laser processing or machining is not included. It is done.
しかしながら、本発明者等は、フィラーを含有していない絶縁基材を用いた場合、前記絶縁基材に形成させた回路溝の表面に触媒金属を被着させた後に無電解めっきを施しても、回路溝上に電気回路となるめっき層が形成されていない箇所や形成されためっき層が剥がれるという現象が生じることを発見した。 However, when using an insulating base material that does not contain a filler, the present inventors may apply electroless plating after depositing a catalytic metal on the surface of a circuit groove formed on the insulating base material. The present inventors have found that a phenomenon occurs in which a plating layer to be an electric circuit is not formed on a circuit groove or a formed plating layer is peeled off.
そして、本発明者等は、この現象は以下のことによると推察した。 The present inventors have inferred that this phenomenon is due to the following.
まず、前記回路溝の表面が平滑であるので、前記回路溝の表面に触媒金属を被着させても、充分に被着せず、脱落することによると考えた。 First, since the surface of the circuit groove was smooth, it was considered that even if a catalyst metal was deposited on the surface of the circuit groove, it did not adhere sufficiently and dropped off.
さらに、絶縁基材は、フィラーを含有していないので、熱線膨張係数が大きいことによると考えた。具体的には、温度変化によって、絶縁基材が変形しやすく、その変形によって電気回路にかかる応力が、電気回路と絶縁基材との密着力を上回ってしまうためであると考えた。 Furthermore, since the insulating base material did not contain a filler, it was considered that the thermal expansion coefficient was large. Specifically, it was considered that the insulating base material was easily deformed due to temperature change, and the stress applied to the electric circuit due to the deformation exceeded the adhesive force between the electric circuit and the insulating base material.
そして、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されていないので、絶縁基材の耐熱性が低く、熱による溶融が発生して、回路溝の形状がいびつになることによると考えた。すなわち、電気回路にかかる応力が、このいびつな形状により不均一になり、電気回路にかかる応力が、電気回路と絶縁基材との密着力を上回ってしまう部分ができるためであると考えた。 When the circuit groove is formed by laser processing or machining, since the insulating base material does not contain a filler, the heat resistance of the insulating base material is low, melting due to heat occurs, and the shape of the circuit groove is distorted. Thought to be. That is, it was considered that the stress applied to the electric circuit became non-uniform due to this irregular shape, and a portion where the stress applied to the electric circuit exceeded the adhesive force between the electric circuit and the insulating base was formed.
そこで、本発明者等は、レーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝の表面の平滑性を低めうるフィラーを絶縁基材にあえて含有することによって、以下のような本発明に想到するに到った。 Therefore, the present inventors have conceived the present invention as described below by intentionally containing a filler capable of reducing the smoothness of the surface of the circuit groove formed by laser processing or machining. It was.
本発明の一態様に係る回路基板は、表面に樹脂被膜を形成し、前記樹脂被膜の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝を形成し、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させ、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離することによって形成された絶縁基材と、前記絶縁基材に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路とを備え、前記絶縁基材が、フィラーを含有することを特徴とする。 A circuit board according to one aspect of the present invention forms a resin film on a surface, and forms a circuit groove having a desired shape and depth by laser processing or machining from the outer surface side of the resin film, Applying a catalytic metal to the surface of the circuit groove and the surface of the resin coating, and applying the electroless plating to the insulating substrate formed by peeling the resin coating from the insulating substrate. And the insulating base material contains a filler.
上記のような構成によれば、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られる。なお、前記電気回路は、具体的には、前記無電解めっきを施すことによって、絶縁基材の回路溝上に形成される。 According to the above configuration, even if the line width and line interval of the electric circuit formed on the insulating base material are narrow, the circuit between the insulating base material and the electric circuit has high adhesion and the electric circuit is not easily damaged. A substrate is obtained. In addition, the said electric circuit is specifically formed on the circuit groove | channel of an insulating base material by giving the said electroless plating.
上述した絶縁基材と電気回路との密着性を高める効果は、以下のメカニズムによると推察される。 The effect of increasing the adhesion between the insulating base and the electric circuit described above is presumed to be due to the following mechanism.
まず、前記回路溝を形成する際、絶縁基材にレーザ加工又は機械加工を施すことによって、形成される回路溝の表面が、フィラーに由来する微小な凹凸が形成されると考えられる。そして、この微小な凹凸によって、前記回路溝の表面に被着させた触媒金属の脱落を充分に抑制することができると考えられる。よって、無電解めっきによって、前記回路溝上に形成される電気回路の欠損の発生を充分に抑制することができると考えられる。 First, when forming the circuit groove, it is considered that the surface of the formed circuit groove is formed with minute irregularities derived from the filler by performing laser processing or machining on the insulating substrate. And, it is considered that the catalyst metal deposited on the surface of the circuit groove can be sufficiently suppressed by the minute unevenness. Therefore, it is considered that the occurrence of defects in the electric circuit formed on the circuit groove can be sufficiently suppressed by electroless plating.
さらに、この微小な凹凸によるアンカー効果によって、絶縁基材の回路溝上に形成される電気回路と絶縁基材との密着性を高めることができると考えられる。 Furthermore, it is considered that the adhesion between the electric circuit formed on the circuit groove of the insulating base material and the insulating base material can be enhanced by the anchor effect due to the minute unevenness.
また、前記絶縁基材は、フィラーを含有するので、熱膨張係数が小さくなる。よって、温度変化により絶縁基材が変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力が少なくなる。したがって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。 Moreover, since the said insulating base material contains a filler, a thermal expansion coefficient becomes small. Therefore, the insulating base material is not easily deformed by a temperature change, and stress applied to the formed electric circuit is reduced. Therefore, it is considered that peeling of the electric circuit due to the stress applied to the electric circuit due to the deformation can be suppressed.
さらに、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されているので、絶縁基材の耐熱性が高く、熱による溶融が発生しにくい。よって、形成される回路溝の形状がいびつになることを充分に抑制できると考えられる。すなわち、回路溝の形状がいびつになることが抑制されるので、電気回路にかかる応力が均一になり、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。 Furthermore, when the circuit groove is formed by laser processing or machining, since the insulating base material contains a filler, the insulating base material has high heat resistance and is not easily melted by heat. Therefore, it is considered that the shape of the formed circuit groove can be sufficiently suppressed. That is, since it is suppressed that the shape of the circuit groove is distorted, it is considered that the stress applied to the electric circuit becomes uniform and peeling of the electric circuit can be suppressed.
以上のことから、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られると考えられる。 From the above, even if the line width and the line interval of the electric circuit formed on the insulating base material are narrow, a circuit board having high adhesion between the insulating base material and the electric circuit and being difficult to damage the electric circuit can be obtained. it is conceivable that.
また、前記フィラーの含有量が、前記絶縁基材に対して10〜90質量%であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。 Moreover, it is preferable that content of the said filler is 10-90 mass% with respect to the said insulating base material. According to such a configuration, even if the line width and the line interval of the electric circuit are narrow, a circuit board with higher adhesion between the insulating base and the electric circuit can be obtained.
また、前記フィラーの平均粒子径が、0.05〜10μmであることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。 Moreover, it is preferable that the average particle diameter of the said filler is 0.05-10 micrometers. According to such a configuration, even if the line width and the line interval of the electric circuit are narrow, a circuit board with higher adhesion between the insulating base and the electric circuit can be obtained.
また、前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅、前記回路溝の深さ、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、0.25〜50%であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。 The average particle diameter of the filler is 0.25 with respect to the minimum value among the width of the circuit groove, the depth of the circuit groove, and the width of the portion between adjacent circuit grooves. It is preferably ˜50%. According to such a configuration, even if the line width and the line interval of the electric circuit are narrow, a circuit board with higher adhesion between the insulating base and the electric circuit can be obtained.
また、前記フィラーが、無機微粒子であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。このことは、上記メカニズムのうち、例えば、絶縁基材の熱膨張係数をより小さくすることができることによる寄与をより大きくできると考えられる。すなわち、温度変化により絶縁基材がより変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力がより少なくなる。よって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離をより抑制することができると考えられる。 The filler is preferably inorganic fine particles. According to such a configuration, even if the line width and the line interval of the electric circuit are narrow, a circuit board with higher adhesion between the insulating base and the electric circuit can be obtained. This is considered to be able to make a larger contribution due to the fact that, among the above mechanisms, for example, the thermal expansion coefficient of the insulating base material can be made smaller. That is, the insulating base material is less likely to be deformed due to the temperature change, and the stress applied to the formed electric circuit is reduced. Therefore, it is considered that the peeling of the electric circuit due to the stress applied to the electric circuit due to the deformation can be further suppressed.
また、前記電気回路が、少なくとも5〜30μmの線幅の部分を含むことが好ましい。このような線幅の狭い部分を含む電気回路の場合、充分に高密度化された回路を備える回路基板が得られる。また、このような線幅の狭い電気回路の場合、一般的に、電気回路と絶縁基材との接触面積が狭く、電気回路と絶縁基材との密着性が低くなり、電気回路が絶縁基材から剥離しやすい。上記のような構成にすることによって、上記のような線幅の狭い電気回路の場合であっても、電気回路と絶縁基材との密着性が充分に高く、絶縁基材からの電気回路の剥離を抑制できる回路基板が得られる。 Further, it is preferable that the electric circuit includes a portion having a line width of at least 5 to 30 μm. In the case of an electric circuit including a portion having such a narrow line width, a circuit board having a sufficiently dense circuit can be obtained. In the case of such an electric circuit having a narrow line width, generally, the contact area between the electric circuit and the insulating substrate is narrow, the adhesion between the electric circuit and the insulating substrate is lowered, and the electric circuit is insulated from the insulating substrate. Easy to peel from the material. By adopting the above configuration, even in the case of an electric circuit with a narrow line width as described above, the adhesion between the electric circuit and the insulating base is sufficiently high, and the electric circuit from the insulating base is A circuit board capable of suppressing peeling is obtained.
また、本発明の他の一態様に係る回路基板の製造方法は、絶縁基材表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記絶縁基材にレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された絶縁基材に無電解めっきを施すめっき処理工程とを備え、前記被膜形成工程が、前記絶縁基材として、フィラーを含有するものを用いることを特徴とする。 A circuit board manufacturing method according to another aspect of the present invention includes a film forming step of forming a resin film on the surface of an insulating base, and laser processing or mechanical processing on the insulating base from the outer surface side of the resin film. A circuit groove forming step of forming a circuit groove having a desired shape and depth by processing; a catalyst deposition step of depositing a catalyst metal on the surface of the circuit groove and the surface of the resin coating; and the insulating base material A coating peeling process for peeling the resin coating from the coating, and a plating treatment process for electroless plating on the insulating substrate from which the resin coating has been peeled. The coating forming step contains a filler as the insulating substrate. It is characterized by using what to do.
上記の構成によれば、線幅及び線間隔の狭い電気回路を絶縁基材上に形成した場合であっても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板を製造することができる。 According to the above configuration, even when an electric circuit with a narrow line width and line interval is formed on an insulating substrate, the circuit with high adhesion between the insulating substrate and the electric circuit and the electric circuit is not easily damaged. A substrate can be manufactured.
本発明によれば、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高い回路基板を提供することができる。また、前記回路基板の製造方法が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if the line | wire width and line space | interval of the electric circuit formed on an insulating base material are narrow, a circuit board with high adhesiveness of an insulating base material and an electric circuit can be provided. A method for manufacturing the circuit board is also provided.
以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。 Hereinafter, although the embodiment concerning the present invention is described, the present invention is not limited to these.
本実施形態に係る回路基板は、表面に樹脂被膜を形成し、前記樹脂被膜の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝を形成し、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させ、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離することによって形成された絶縁基材と、前記絶縁基材に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路とを備え、前記絶縁基材が、フィラーを含有することを特徴とする。 The circuit board according to the present embodiment forms a circuit groove having a desired shape and depth by forming a resin film on the surface and laser processing or machining from the outer surface side of the resin film. Formed by depositing a catalytic metal on the surface of the resin and the surface of the resin coating, and peeling the resin coating from the insulating substrate, and applying electroless plating to the insulating substrate And the insulating base material contains a filler.
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態にかかる回路基板を製造する方法について説明する。図1は、第1実施形態に係る回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
(First embodiment)
First, a method for manufacturing a circuit board according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining each step of manufacturing the circuit board according to the first embodiment.
はじめに、図1(A)に示すように、絶縁基材1の表面に樹脂被膜2を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。なお、前記絶縁基材1は、フィラーが含有されている。具体的には、例えば、樹脂とフィラーとを含む基材等が挙げられる。
First, as shown in FIG. 1A, a
次に、図1(B)に示すように、前記樹脂被膜2が形成された絶縁基材1に、前記樹脂被膜2の外表面側からレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝3を形成させる。なお、前記回路溝3を形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、前記樹脂被膜2の外表面を基準として、前記樹脂被膜2の厚み分を超えて切削する。また、必要に応じて、前記絶縁基材1に貫通孔4を形成するための穴あけを行ってもよい。なお、この工程は、回路溝形成工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 1B, a desired shape and depth are obtained by laser processing or machining the insulating
次に、図1(C)に示すように、前記回路溝3の表面及び前記回路溝3が形成されなかった前記樹脂被膜2の表面に触媒金属(めっき触媒)5を被着させる。このとき、前記絶縁基材1に前記貫通孔4が形成されている場合には、前記貫通孔4の内壁表面にも前記触媒金属5が被着される。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 1C, a catalyst metal (plating catalyst) 5 is deposited on the surface of the
次に、図1(D)に示すように、前記絶縁基材1から前記樹脂被膜2を剥離させる。そうすることによって、前記絶縁基材1の、前記回路溝3や前記貫通孔4が形成された部分の表面にのみ触媒金属5を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜2の表面に被着された触媒金属5は、前記樹脂被膜2に担持された状態で、前記樹脂被膜2とともに除去される。なお、この工程は、被膜剥離工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 1D, the
次に、図1(E)に示すように、前記樹脂被膜2が剥離された絶縁基材1に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記触媒金属5が残存する部分にのみめっき層6が形成される。すなわち、前記回路溝3や前記貫通孔4が形成された部分に、電気回路となるめっき層6が形成される。そして、電気回路は、このめっき層6からなるものであってもよいし、前記めっき層6にさらに無電解めっき(フィルアップめっき)を施して、さらに厚膜化させたものであってもよい。具体的には、例えば、図1(E)に示すように、前記回路溝3全体を埋めるようにめっき層6からなる電気回路を形成させ、前記絶縁基材と前記電気回路との段差をなくすようにしてもよい。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 1E, electroless plating is performed on the insulating
上記各工程によって、図1(E)に示すような回路基板10が形成される。このように形成された回路基板10は、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい。
Through the above steps, a
上述した絶縁基材と電気回路との密着性を高める効果は、以下のメカニズムによると推察される。 The effect of increasing the adhesion between the insulating base and the electric circuit described above is presumed to be due to the following mechanism.
なお、図2は、第1実施形態において、前記回路溝形成工程後と前記めっき処理工程中の絶縁基材1の状態を説明するための図面である。図2(A)は、前記回路溝形成工程後の絶縁基材1の状態を示し、図2(B)は、前記めっき処理工程中の絶縁基材1の状態を示す。
In addition, FIG. 2 is drawing for demonstrating the state of the
まず、前記回路溝形成工程後の絶縁基材1は、図2(A)に示すように、絶縁基材1にレーザ加工又は機械加工を施すことによって、回路溝3が形成されている。そして、前記回路溝3の表面には、図2(A)に示すように、絶縁基材1に含有されていたフィラー11が部分的に露出したり、フィラー11に基づく隆起が形成されていたりすると考えられる。よって、前記回路溝3の表面が、フィラー11に由来する微小な凹凸が形成されると考えられる。そして、前記触媒被着工程によって、前記回路溝3の表面に被着させた触媒金属は、この微小な凹凸によって、脱落しにくいと考えられる。
First, as shown in FIG. 2 (A), the insulating
その後、前記被膜剥離工程によって、樹脂被膜2を剥離した後、前記めっき処理工程において、無電解めっきを施すことによって、図2(B)に示すように、前記回路溝3上に電気回路となるめっき層7が形成される。このめっき層7は、前記回路溝3の表面に被着させた触媒金属の脱落が抑制されているので、欠損の発生を充分に抑制しつつ形成できると考えられる。
Thereafter, after the
さらに、この微小な凹凸によるアンカー効果によって、絶縁基材の回路溝上に形成される電気回路と絶縁基材との密着性を高めることができると考えられる。 Furthermore, it is considered that the adhesion between the electric circuit formed on the circuit groove of the insulating base material and the insulating base material can be enhanced by the anchor effect due to the minute unevenness.
また、前記絶縁基材は、フィラーを含有するので、熱膨張係数が小さくなる。よって、温度変化により絶縁基材が変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力が少なくなる。したがって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。 Moreover, since the said insulating base material contains a filler, a thermal expansion coefficient becomes small. Therefore, the insulating base material is not easily deformed by a temperature change, and stress applied to the formed electric circuit is reduced. Therefore, it is considered that peeling of the electric circuit due to the stress applied to the electric circuit due to the deformation can be suppressed.
さらに、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されているので、絶縁基材の耐熱性が高く、熱による溶融が発生しにくい。よって、形成される回路溝の形状がいびつになることを充分に抑制できると考えられる。すなわち、回路溝の形状がいびつになることが抑制されるので、電気回路にかかる応力が均一になり、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。 Furthermore, when the circuit groove is formed by laser processing or machining, since the insulating base material contains a filler, the insulating base material has high heat resistance and is not easily melted by heat. Therefore, it is considered that the shape of the formed circuit groove can be sufficiently suppressed. That is, since it is suppressed that the shape of the circuit groove is distorted, it is considered that the stress applied to the electric circuit becomes uniform and peeling of the electric circuit can be suppressed.
以上のことから、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られると考えられる。すなわち、前記めっき層7にフィルアップめっきを施しても、得られた電気回路は、絶縁基材から剥離されにくいものになると考えられる。 From the above, even if the line width and the line interval of the electric circuit formed on the insulating base material are narrow, a circuit board having high adhesion between the insulating base material and the electric circuit and being difficult to damage the electric circuit can be obtained. it is conceivable that. That is, even if the plated layer 7 is subjected to fill-up plating, the obtained electric circuit is considered to be hardly peeled off from the insulating substrate.
これに対して、フィラーを含有していない絶縁基材21を用いた場合、本実施形態と同様の方法で、電気回路を形成しても、回路溝上に電気回路となるめっき層が形成されていない箇所や形成されためっき層が剥がれるという現象が生じることを、本発明者等は発見した。以下のようになると推察される。
On the other hand, when the insulating
なお、図3は、フィラーを含有していない絶縁基材21を用いた場合の絶縁基材21の状態を説明するため図面である。図3(A)及び図3(B)は、それぞれ、図2(A)及び図2(B)に対応する図面である。
In addition, FIG. 3 is drawing in order to demonstrate the state of the
まず、レーザ加工又は機械加工によって、絶縁基材21に形成された回路溝23の表面は、平滑であるので、前記回路溝23の表面に触媒金属を被着させても、充分に被着せず、脱落すると考えられる。
First, since the surface of the
その後、樹脂被膜22を剥離した後、無電解めっきを施しても、図3(B)に示すように、前記回路溝23の表面に触媒金属が被着されていない部分に起因する、前記回路溝23上に電気回路となるめっき層25が形成されない部分23aが形成されると考えられる。
Thereafter, even if electroless plating is performed after the resin film 22 is peeled off, the circuit is caused by a portion where the catalytic metal is not deposited on the surface of the
また、絶縁基材21は、フィラーを含有していないので、熱線膨張係数が大きくなる。よって、温度変化によって、絶縁基材21が変形しやすく、その変形によってめっき層25にかかる応力が、めっき層25と絶縁基材21との密着力を上回ってしまい、めっき層25が剥離した部分25aが形成されてしまうと考えられる。
Moreover, since the insulating
そして、レーザ加工又は機械加工によって回路溝23を形成する際、絶縁基材21にフィラーが含有されていないので、絶縁基材21の耐熱性が低く、熱による溶融が発生して、回路溝23の形状がいびつになると考えられる。よって、めっき層25にかかる応力が、このいびつな形状により不均一になり、めっき層25にかかる応力が、めっき層25と絶縁基材21との密着力を上回ってしまう部分ができ、めっき層25が剥離した部分25aが形成されてしまうと考えられる。
When the
以上のことから、電気回路となるめっき層25が絶縁基材21の回路溝23上に形成されなかったり、剥離してしまうと考えられる。すなわち、前記めっき層25にさらにフィルアップめっきを施した場合、得られた電気回路は、絶縁基材21からより剥離しやすいものになると考えられる。
From the above, it is considered that the
以下、本実施形態の各構成について、説明する。 Hereinafter, each configuration of the present embodiment will be described.
前記絶縁基材1は、フィラーが含有されている。具体的には、例えば、樹脂とフィラーとを含む基材等が挙げられる。
The insulating
前記樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成する樹脂であれば、特に限定なく用いることができる。具体的には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が挙げられる。 The resin can be used without particular limitation as long as it is a resin constituting various organic substrates that can be used in the manufacture of circuit boards. Specifically, for example, an epoxy resin, an acrylic resin, a polycarbonate resin, a polyimide resin, a polyphenylene sulfide resin, and the like can be given.
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、指環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂としては、上記各エポキシ樹脂を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it is an epoxy resin constituting various organic substrates that can be used for manufacturing a circuit board. Specifically, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, aralkyl epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin , Dicyclopentadiene type epoxy resins, epoxidized products of condensates of phenols and aromatic aldehydes having phenolic hydroxyl groups, triglycidyl isocyanurate, finger ring type epoxy resins and the like. Furthermore, in order to impart flame retardancy, the above-mentioned epoxy resin or the like that is brominated or phosphorus-modified is also included. Moreover, as said epoxy resin, said each epoxy resin may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.
また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Moreover, when comprising a base material with said each resin, in order to make it harden | cure, a hardening | curing agent is generally contained. The curing agent is not particularly limited as long as it can be used as a curing agent. Specific examples include dicyandiamide, phenolic curing agents, acid anhydride curing agents, aminotriazine novolac curing agents, and the like. As said phenol type hardening | curing agent, a novolak type, an aralkyl type, a terpene type etc. are mentioned, for example. Moreover, as said hardening | curing agent, said each hardening | curing agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.
前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。 The filler may be inorganic fine particles or organic fine particles, and is not particularly limited.
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、シリカ(SiO2)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、酸化チタン(TiO2)等の高誘電率充填材;ハードフェライト等の磁性充填材;水酸化マグネシウム(Mg(OH)2)、水酸化アルミニウム(Al(OH)2)、三酸化アンチモン(Sb2O3)、五酸化アンチモン(Sb2O5)、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤;タルク(Mg3(Si4O10)(OH)2)、硫酸バリウム(BaSO4)、炭酸カルシウム(CaCO3)、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。 Specific examples of the material constituting the inorganic fine particles include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), silica (SiO 2 ), High dielectric constant fillers such as barium titanate (BaTiO 3 ) and titanium oxide (TiO 2 ); magnetic fillers such as hard ferrite; magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ), aluminum hydroxide (Al (OH) 2 ), Antimony trioxide (Sb 2 O 3 ), antimony pentoxide (Sb 2 O 5 ), guanidine salts, zinc borate, molybdate compounds, zinc stannate, and other inorganic flame retardants; talc (Mg 3 (Si 4 O 10) (OH) 2), barium sulfate (BaSO 4), calcium carbonate (CaCO 3), mica, and the like. As said inorganic fine particle, the said inorganic fine particle may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type. Since these inorganic fine particles have high thermal conductivity, relative dielectric constant, flame retardancy, particle size distribution, color tone freedom, etc., when selectively exerting a desired function, appropriate blending and particle size design should be performed. And high filling can be easily performed.
また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The inorganic fine particles may be surface-treated with a silane coupling agent in order to improve dispersibility in the insulating base material. The insulating base material may contain a silane coupling agent in order to increase the dispersibility of the inorganic fine particles in the insulating base material. Specific examples of the silane coupling agent include epoxy silane, mercapto silane, amino silane, vinyl silane, styryl silane, methacryloxy silane, acryloxy silane, titanate silane couplings, and the like. Agents and the like. As said silane coupling agent, the said silane coupling agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.
また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The insulating base material may contain a dispersant in order to enhance the dispersibility of the inorganic fine particles in the insulating base material. Specific examples of the dispersant include alkyl ether-based, sorbitan ester-based, alkyl polyether amine-based, polymer-based dispersants, and the like. As said dispersing agent, the said dispersing agent may be used independently, and may be used in combination of 2 or more type.
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。 Specific examples of the organic fine particles include rubber fine particles.
前記フィラーは、上記各フィラー中でも、無機微粒子が、高充填化を容易に行うことができる点や、凹凸形状によるアンカー効果をより発揮できる点から好ましい。さらに、この中でも、シリカ微粒子が、上記効果に加えて、低膨張化、低吸湿化、低誘電率化、低誘電正接化、高強度化、高弾性率化等を発揮でき、耐熱性を高めることができる点から好ましい。また、得られる回路基板の放熱性を高める必要がある場合は、シリカ粒子だけではなく、シリカ微粒子とともにアルミナ微粒子や水酸化アルミニウム微粒子を含有させることが好ましい。 Among the above fillers, the filler is preferable from the viewpoint that the inorganic fine particles can easily achieve a high filling and can exhibit the anchor effect due to the uneven shape. Furthermore, among these, in addition to the above effects, silica fine particles can exhibit low expansion, low moisture absorption, low dielectric constant, low dielectric loss tangent, high strength, high elastic modulus, etc., and increase heat resistance. It is preferable because it can be used. Moreover, when it is necessary to improve the heat dissipation of the circuit board obtained, it is preferable to contain not only silica particles but also alumina particles and aluminum hydroxide particles together with silica particles.
前記フィラーの含有量は、前記絶縁基材に対して10〜90質量%であることが好ましく、30〜90質量%であることが好ましく、60〜90質量%であることが好ましい。前記フィラーの含有量として、上記範囲内にすると、電気回路、例えば、Cuからなる電気回路の線膨張係数に近づき、低反り及び低応力を実現できる。また、前記フィラーの含有量が少なすぎる場合、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向がある。このことは、前記回路溝や前記貫通孔の表面に、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくいことによると考えられる。また、前記フィラーの含有量が多すぎる場合、絶縁基材の平滑性が低下し、よって、被膜剥離工程での樹脂被膜を剥離する際、絶縁基材を損傷してしまう等の不具合が発生する傾向がある。 It is preferable that content of the said filler is 10-90 mass% with respect to the said insulating base material, it is preferable that it is 30-90 mass%, and it is preferable that it is 60-90 mass%. When the content of the filler is within the above range, it approaches the linear expansion coefficient of an electric circuit, for example, an electric circuit made of Cu, and low warpage and low stress can be realized. Moreover, when there is too little content of the said filler, there exists a tendency which cannot fully suppress generation | occurrence | production of the part in which a plating layer is not formed, or peeling of a plating layer. This is considered to be due to the fact that the fine irregularities derived from the filler as described above are hardly formed on the surface of the circuit groove or the through hole. Moreover, when there is too much content of the said filler, the smoothness of an insulation base material will fall, Therefore, when peeling the resin film in a film peeling process, malfunctions, such as damaging an insulation base material, generate | occur | produce. Tend.
前記フィラーの平均粒子径は、0.05〜10μmであることが好ましく、0.1〜7μmであることがより好ましい。また、前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅W、前記回路溝の深さD、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、0.25〜50%であることが好ましく、0.5〜40%であることがより好ましい。なお、ここで平均粒子径とは、体積平均粒子径のことを指し、一般的な粒度計、例えば、粒度計(株式会社島津製作所製のSALD2100)を用いて測定することができる。 The average particle diameter of the filler is preferably 0.05 to 10 μm, and more preferably 0.1 to 7 μm. The average particle diameter of the filler is 0 with respect to the minimum value among the width W of the circuit groove, the depth D of the circuit groove, and the width of the portion between adjacent circuit grooves. It is preferably 25 to 50%, more preferably 0.5 to 40%. Here, the average particle diameter means a volume average particle diameter, and can be measured using a general particle size meter, for example, a particle size meter (SALD2100 manufactured by Shimadzu Corporation).
前記フィラーが小さすぎると、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向がある。このことは、前記回路溝や前記貫通孔の表面に、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくいことによると考えられる。また、前記フィラーが大きすぎると、より高密度化された回路、例えば、線幅及び線間隔が10μm以下の回路を形成する際、所望の回路溝を形成できない傾向がある。さらに、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向もある。このことは、フィラーが大きすぎると、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくくなることによると考えられる。 If the filler is too small, there is a tendency that generation of a portion where the plating layer is not formed and peeling of the plating layer cannot be sufficiently suppressed. This is considered to be due to the fact that the fine irregularities derived from the filler as described above are hardly formed on the surface of the circuit groove or the through hole. On the other hand, if the filler is too large, there is a tendency that a desired circuit groove cannot be formed when forming a circuit with higher density, for example, a circuit having a line width and a line interval of 10 μm or less. Furthermore, there is a tendency that generation of a portion where the plating layer is not formed and peeling of the plating layer cannot be sufficiently suppressed. This is considered to be because if the filler is too large, the fine irregularities derived from the filler as described above are hardly formed.
また、フィラーの平均粒子径は、前記回路溝の幅(トレンチ幅)が10μm以下の場合、0.05〜3μmであることが好ましく、トレンチ幅が10μmを超え20μm以下の場合、0.05〜5μmであることが好ましく、トレンチ幅が20μmを超え30μm以下の場合、0.05〜7μmであることが好ましく、トレンチ幅が30μmを超える場合、0.05〜10μmであることが好ましい。 The average particle diameter of the filler is preferably 0.05 to 3 μm when the width of the circuit groove (trench width) is 10 μm or less, and 0.05 to 3 when the trench width is more than 10 μm and 20 μm or less. It is preferably 5 μm, preferably 0.05 to 7 μm when the trench width exceeds 20 μm and 30 μm or less, and preferably 0.05 to 10 μm when the trench width exceeds 30 μm.
また、前記隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅(トレンチ間幅)、及び前記回路溝の深さ(トレンチ深さ)についても、前記トレンチ幅と同様の関係が満たされる。 Further, the same relationship as the trench width is satisfied with respect to the width (inter-trench width) of the portion between the adjacent circuit grooves and the depth of the circuit groove (trench depth).
そして、前記トレンチ幅、前記トレンチ間幅、及び前記トレンチ深さのうちの最小値が、フィラーの平均粒子径の好適範囲を決定する。具体的には、例えば、前記トレンチ幅、前記トレンチ間幅、及び前記トレンチ深さのいずれもが、20μmである場合、平均粒子径が0.05〜5μmのフィラーが好適に用いられる。一方、前記トレンチ幅、及び前記トレンチ間幅がいずれも20μmであっても、前記トレンチ深さが10μmであれば、平均粒子径が0.05〜3μmのフィラーが好適に用いられる。 And the minimum value among the said trench width, the said width between trenches, and the said trench depth determines the suitable range of the average particle diameter of a filler. Specifically, for example, when all of the trench width, the inter-trench width, and the trench depth are 20 μm, a filler having an average particle diameter of 0.05 to 5 μm is preferably used. On the other hand, if the trench width and the inter-trench width are both 20 μm, a filler having an average particle diameter of 0.05 to 3 μm is preferably used if the trench depth is 10 μm.
また、前記絶縁基材の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。前記絶縁基材1の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、10〜200μmであることが好ましく、20〜100μm程度であることがより好ましい。
Further, the form of the insulating substrate is not particularly limited. Specifically, a sheet | seat, a film, a prepreg, a molded object of a three-dimensional shape etc. are mentioned. The thickness of the insulating
前記樹脂被膜2は、前記被膜剥離工程で剥離可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体(膨潤液)で膨潤しうる膨潤性樹脂からなる樹脂被膜等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜が特に好ましい。前記膨潤性樹脂被膜としては、例えば、後述する所定の液体(膨潤液)に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記絶縁基材1表面から容易に剥離するような樹脂被膜等が挙げられる。
The
前記樹脂被膜2の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材1の主面に液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、前記絶縁基材1の主面に予め形成された樹脂フィルム等の樹脂被膜2になり得るものを貼り合せる方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等が挙げられる。
A method for forming the
前記樹脂被膜2の厚みとしては、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜2の厚みとしては、0.1μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜2の厚みが厚すぎる場合には、レーザ加工又は機械加工することにより形成される溝や孔等の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜2の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜を形成しにくくなる傾向がある。
The thickness of the
次に、前記樹脂被膜2として好適な膨潤性樹脂被膜を例に挙げて説明する。
Next, a swellable resin film suitable as the
前記膨潤性樹脂被膜としては、膨潤液に対する膨潤度が50%以上である樹脂被膜が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が100%以上である樹脂被膜がより好ましく、1000%以下である樹脂被膜がさらに好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜剥離工程において膨潤性樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。また、前記膨潤度が高すぎる場合には、被膜強度が低下することにより剥離する際に破れる等して剥離が困難になる傾向がある。 As the swellable resin film, a resin film having a swelling degree with respect to the swelling liquid of 50% or more can be preferably used. Further, a resin film having a degree of swelling with respect to the swelling liquid of 100% or more is more preferable, and a resin film having 1000% or less is more preferable. In addition, when the said swelling degree is too low, there exists a tendency for a swelling resin film to become difficult to peel in the said film peeling process. Moreover, when the said swelling degree is too high, there exists a tendency for peeling to become difficult by tearing at the time of peeling, etc., when the film strength falls.
前記膨潤性樹脂被膜の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材1の主面に、膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される被膜を絶縁基材1の主面に転写する方法等が挙げられる。
The method for forming the swellable resin film is not particularly limited. Specifically, for example, a liquid material capable of forming a swellable resin film is applied to the main surface of the insulating
膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜を容易に形成することができる。 Examples of the liquid material capable of forming the swellable resin film include elastomer suspensions and emulsions. Specific examples of the elastomer include a diene elastomer such as a styrene-butadiene copolymer, an acrylic elastomer such as an acrylate ester copolymer, and a polyester elastomer. According to such an elastomer, it is possible to easily form a swellable resin film having a desired degree of swelling by adjusting the degree of crosslinking or gelation of the elastomer resin particles dispersed as a suspension or emulsion.
なお、前記膨潤性樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のpHに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜剥離工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるpHにおいては膨潤性樹脂被膜は絶縁基材に対する高い密着力を維持し、被膜剥離工程におけるpHにおいては容易に膨潤性樹脂被膜を剥離させることができる。 The swellable resin film is particularly preferably a film whose degree of swelling changes depending on the pH of the swelling liquid. When such a coating is used, the liquid condition in the catalyst deposition step is different from the liquid condition in the coating stripping step, so that a swellable resin can be obtained at the pH in the catalyst deposition step. The coating maintains high adhesion to the insulating substrate, and the swellable resin coating can be easily peeled off at the pH in the coating peeling step.
さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、pH1〜3の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がpH12〜14の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が25%以下、さらには10%以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が50%以上、さらには100%以上、さらには500%以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。 More specifically, for example, the catalyst deposition step includes a step of treating in an acidic catalyst metal colloid solution having a pH in the range of 1 to 3, for example, and the film peeling step is in an alkaline solution having a pH in the range of 12 to 14. When the step of swelling the swellable resin film is provided, the swellable resin film has a swelling degree with respect to the acidic catalyst metal colloid solution of 25% or less, further 10% or less, and a swelling degree with respect to the alkaline solution. It is preferable that the resin film has a thickness of 50% or more, more preferably 100% or more, and even more preferably 500% or more.
このような膨潤性樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト(以下、DFRとも呼ぶ)等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。 Examples of such a swellable resin film include photocuring used for a sheet formed from an elastomer having a predetermined amount of carboxyl groups, a dry film resist (hereinafter also referred to as DFR) for patterning printed wiring boards, and the like. And a sheet obtained by curing the entire surface of a curable alkali-developing resist, and thermosetting or alkali-developing sheet.
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー;アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー;及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量,架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂被膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは1当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。 Specific examples of the elastomer having a carboxyl group include a diene elastomer such as a styrene-butadiene copolymer having a carboxyl group in the molecule by containing a monomer unit having a carboxyl group as a copolymerization component; acrylic acid Examples include acrylic elastomers such as ester copolymers; and polyester elastomers. According to such an elastomer, a swellable resin film having a desired alkali swelling degree can be formed by adjusting the acid equivalent, the degree of crosslinking or the degree of gelation of the elastomer dispersed as a suspension or emulsion. . The carboxyl group in the elastomer swells the swellable resin film with respect to the alkaline aqueous solution and acts to peel the swellable resin film from the surface of the insulating substrate. The acid equivalent is the polymer weight per equivalent of carboxyl groups.
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。 Specific examples of the monomer unit having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and the like.
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で100〜2000、さらには100〜800であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が小さすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。 The content ratio of the carboxyl group in the elastomer having such a carboxyl group is preferably 100 to 2000, more preferably 100 to 800 in terms of acid equivalent. When the acid equivalent is too small, the compatibility with the solvent or other composition tends to decrease, whereby the resistance to the plating pretreatment liquid tends to decrease. Moreover, when an acid equivalent is too small, there exists a tendency for the peelability with respect to aqueous alkali solution to fall.
また、エラストマーの分子量としては、1万〜100万、さらには、2万〜6万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。 The molecular weight of the elastomer is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 20,000 to 60,000. When the molecular weight of the elastomer is too large, the releasability tends to decrease, and when it is too small, the viscosity decreases, so that it is difficult to maintain a uniform thickness of the swellable resin film, and plating pretreatment The resistance to the liquid also tends to deteriorate.
また、DFRとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂;エポキシ系樹脂;スチレン系樹脂;フェノール系樹脂;ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなDFRの具体例としては、特開2000−231190号公報、特開2001−201851号公報、特開平11−212262号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のDFRとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のUFGシリーズ等が挙げられる。 In addition, as DFR, a photocurable resin containing a photopolymerization initiator containing a predetermined amount of a carboxyl group, an acrylic resin; an epoxy resin; a styrene resin; a phenol resin; A sheet of a resin composition can be used. As specific examples of such DFR, a dry film of a photopolymerizable resin composition as disclosed in JP 2000-231190 A, JP 2001-201851 A, and JP 11-212262 A is used. Sheets obtained by curing, and commercially available as an alkali development type DFR, for example, UFG series manufactured by Asahi Kasei Corporation can be mentioned.
さらに、その他の膨潤性樹脂被膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂(例えば、吉川化工株式会社製の「NAZDAR229」)やフェノールを主成分とする樹脂(例えば、LEKTRACHEM社製「104F」)等が挙げられる。 Furthermore, as another example of the swellable resin film, a resin containing a carboxyl group and containing rosin as a main component (for example, “NAZDAR229” manufactured by Yoshikawa Chemical Co., Ltd.) or a resin containing phenol as a main component (for example, LEKTRACHEM “104F”) and the like.
膨潤性樹脂被膜は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方
法や、支持基材に形成されたDFRを真空ラミネーター等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
A swellable resin film is formed on a surface of an insulating substrate by applying a resin suspension or emulsion on the surface of the insulating substrate using a conventionally known application method such as a spin coat method or a bar coater method, and then drying it. The bonded DFR can be easily formed by pasting the DFR on the surface of the insulating substrate using a vacuum laminator or the like and then curing the entire surface.
また、前記回路溝形成工程で形成される回路溝の幅は特に限定されない。具体的には、例えば、前記回路溝が、少なくとも5〜30μmの線幅の部分を含むことが好ましい。前記回路溝3によって、無電解めっきによってめっき層が形成される部分、すなわち、電気回路が形成される部分が規定される。具体的には、例えば、ここで形成される回路溝の幅は、本実施形態で形成する電気回路の線幅となる。すなわち、このような線幅の狭い電気回路の場合、充分に高密度化された回路を備える回路基板が得られる。また、このような線幅の狭い電気回路の場合、一般的に、電気回路と絶縁基材との接触面積が狭く、電気回路と絶縁基材との密着性が低くなり、電気回路が絶縁基材から剥離しやすい。上記のような構成にすることによって、上記のような線幅の狭い電気回路の場合であっても、電気回路と絶縁基材との密着性が充分に高く、絶縁基材からの電気回路の剥離を抑制できる回路基板が得られる。
Further, the width of the circuit groove formed in the circuit groove forming step is not particularly limited. Specifically, for example, the circuit groove preferably includes a portion having a line width of at least 5 to 30 μm. The
なお、回路溝の深さは、フィルアップめっきにより、電気回路と絶縁基材とに段差をなくした場合には、本実施形態で形成する電気回路の深さとなる。また、レーザ加工を用いた場合には、線幅20μm以下のような微細な回路も容易に形成できる。 Note that the depth of the circuit groove is the depth of the electric circuit formed in this embodiment when a step is eliminated between the electric circuit and the insulating base material by fill-up plating. In addition, when laser processing is used, a fine circuit having a line width of 20 μm or less can be easily formed.
前記めっき触媒5は、前記めっき処理工程において無電解めっきによりめっき層を形成したい部分にのみめっき層を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜の剥離後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
The
めっき触媒5を被着させる方法としては、例えば、pH1〜3の酸性条件下で処理される酸性Pd−Snコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。
Examples of the method for depositing the
はじめに、回路溝3及び貫通孔4が形成された絶縁基材1の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液(クリーナー・コンディショナー)中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、pH1〜2の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度0.1%程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材1表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、pH1〜3の酸性Pd−Snコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりPd及びSnを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応(SnCl2+PdCl2→SnCl4+Pd↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
First, oil or the like adhering to the surface of the insulating
なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Pd−Snコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。 In addition, as an acidic catalyst metal colloid solution, a well-known acidic Pd-Sn colloid catalyst solution etc. can be used, You may use the commercial plating process using an acidic catalyst metal colloid solution. Such a process is systematized and sold by Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd., for example.
前記樹脂被膜2を除去する方法としては、アルカリ溶液等の液に樹脂被膜2で被覆された絶縁基材1を所定の時間浸漬することにより、樹脂被膜2を溶解除去又は膨潤剥離するような方法が挙げられる。アルカリ溶液としては、例えば、1〜10%程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等が用いられうる。また、浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。
As a method for removing the
また、前記樹脂被膜2として、前記膨潤性樹脂被膜を用いた場合について、説明する。
The case where the swellable resin film is used as the
前記膨潤性樹脂被膜2を膨潤させる液体(膨潤液)としては、絶縁基材1、膨潤性樹脂被膜2及びめっき触媒5を実質的に分解又は溶解させることなく、膨潤性樹脂被膜2が容易に剥離される程度に膨潤させうる液体であれば特に限定なく用いられうる。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜2の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されている場合には、例えば、1〜10%程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。
As the liquid (swelling liquid) for swelling the
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜2が、酸性条件下においては膨潤度が10%以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が50%以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜は、pH12〜14であるようなアルカリ水溶液、例えば、1〜10%程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。
In the case of using a plating process that is performed under acidic conditions as described above in the catalyst deposition step, the swelling
膨潤性樹脂被膜2を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜2で被覆された絶縁基材1を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
Examples of the method for swelling the
前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒5が被着された絶縁基材1を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒5が被着された部分のみに無電解めっき膜(めっき層)を析出させるような方法が用いられうる。
As a method of the electroless plating treatment, the insulating
無電解めっきに用いられる金属としては、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、アルミニウム(Al)等が挙げられる。これらの中では、Cuを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Niを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。 Examples of the metal used for electroless plating include copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and aluminum (Al). In these, the plating which has Cu as a main component is preferable from the point which is excellent in electroconductivity. Moreover, when Ni is included, it is preferable from the point which is excellent in corrosion resistance and adhesiveness with a solder.
無電解めっき膜6の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、0.1〜10μm、さらには1〜5μm程度であることが好ましい。特に、前記回路溝3の深さを深くすることにより、膜厚の厚いめっきであって、断面積が大きい金属配線を容易に形成することができる。この場合には、金属配線の強度を向上させることができる点から好ましい。
The film thickness of the electroless plating film 6 is not particularly limited. Specifically, for example, it is preferably about 0.1 to 10 μm, more preferably about 1 to 5 μm. In particular, by increasing the depth of the
めっき処理工程により、絶縁基材1表面のめっき触媒5が残留する部分のみに無電解めっき膜が析出する。そのために、回路溝を形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路溝を形成していない部分に対する無電解めっき膜の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な回路を複数本形成するような場合でも、隣接する回路間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
Through the plating process, an electroless plating film is deposited only on the portion of the surface of the insulating
(第2実施形態)
前記第1実施形態では、平面の絶縁基材上に電気回路を形成して得られる回路基板について説明したが、本発明は、特に、それに限定されない。具体的には、絶縁基材として、段差状の立体面を有するような三次元形状の絶縁基材を用いても、正確な配線の電気回路を備える回路基板(立体回路基板)が得られる。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the circuit board obtained by forming an electric circuit on a flat insulating base material has been described, but the present invention is not particularly limited thereto. Specifically, even when a three-dimensional insulating base material having a stepped three-dimensional surface is used as the insulating base material, a circuit board (stereoscopic circuit board) having an accurate electric circuit of wiring can be obtained.
以下、第2実施形態にかかる立体回路基板の製造方法について説明する。 Hereinafter, the manufacturing method of the three-dimensional circuit board concerning 2nd Embodiment is demonstrated.
図4は、第2実施形態に係る立体回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining each step of manufacturing the three-dimensional circuit board according to the second embodiment.
はじめに、図4(A)に示すように、段差部分を有する立体絶縁基材51の表面に樹脂被膜2を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。
First, as shown in FIG. 4A, the
前記立体絶縁基材51としては、従来から知られた立体回路基板の製造に用いられうるような各種樹脂成形体が特に限定なく用いられうる。このような成形体は射出成形により得ることが、生産効率の点から好ましい。樹脂成形体を得るための樹脂材料の具体例としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、各種ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が挙げられる。
As the three-dimensional insulating
前記樹脂被膜2の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記第1実施形態の場合と同様の形成方法等が挙げられる。
The method for forming the
次に、図4(B)に示すように、前記樹脂被膜2が形成された立体絶縁基材51に、前記樹脂被膜2の外表面側からレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝3を形成させる。なお、前記回路溝3を形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、前記樹脂被膜2の外表面を基準として、前記樹脂被膜2の厚み分を超えて切削する。なお、この工程は、回路溝形成工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 4 (B), a desired shape and depth are obtained by laser processing or machining the three-dimensional insulating
前記回路溝3によって、無電解めっきによってめっき層が形成される部分、すなわち、電気回路が形成される部分が規定される。
The
次に、図4(C)に示すように、前記回路溝3の表面及び前記回路溝3が形成されなかった前記樹脂被膜2の表面に触媒金属(めっき触媒)5を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。このような触媒被着処理により、図4(C)に示すように、回路溝3の表面、及び樹脂被膜2の表面に触媒金属5を被着させることができる。
Next, as shown in FIG. 4C, a catalytic metal (plating catalyst) 5 is deposited on the surface of the
次に、図4(D)に示すように、前記立体絶縁基材51から前記樹脂被膜2を剥離させる。そうすることによって、前記立体絶縁基材51の前記回路溝3が形成された部分の表面にのみ触媒金属5を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜2の表面に被着された触媒金属5は、前記樹脂被膜2に担持された状態で、前記樹脂被膜2とともに除去される。なお、この工程は、被膜剥離工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 4D, the
次に、図4(E)に示すように、前記樹脂被膜2が剥離された立体絶縁基材51に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記触媒金属5が残存する部分にのみめっき層6が形成される。すなわち、前記回路溝3や前記貫通孔4が形成された部分に、電気回路となるめっき層6が形成される。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
Next, as shown in FIG. 4 (E), electroless plating is applied to the three-dimensional insulating
上記各工程によって、図4(E)に示すような、三次元形状の立体絶縁基材51に電気回路6が形成された回路基板60が形成される。このように形成された回路基板60は、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい。また、本実施形態にかかる回路基板は、立体回路基板の段差部を有する面にも、正確且つ容易に回路形成されている。
Through the above steps, a
以下、本実施形態の製造方法を実施例により、さらに具体的に説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施例により何ら限定されて解釈されるものではない。 Hereinafter, the manufacturing method of the present embodiment will be described more specifically with reference to examples. The scope of the present invention is not construed as being limited in any way by the following examples.
(実施例1)
まず、絶縁基材として、平均粒子径0.5μmのシリカ粒子(株式会社アドマテックス製のSO−C2)と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC株式会社製の850S)と、硬化剤としてのジシアンジアミド(日本カーバイド工業株式会社製のDICY)とからなる基材を用意した。なお、前記絶縁基材は、前記シリカ粒子の含有量が前記絶縁基材に対して30質量%であり、厚みが100μmの基材であった。
Example 1
First, silica particles having an average particle diameter of 0.5 μm (SO-C2 manufactured by Admatechs Co., Ltd.), bisphenol A type epoxy resin (850S manufactured by DIC Corporation), and dicyandiamide ( The base material which consists of Nippon Carbide Industries Co., Ltd. product DICY) was prepared. In addition, the said insulating base material was 30 mass% with respect to the said insulating base material, and the thickness of the said silica particle was a base material of 100 micrometers.
次に、前記絶縁基材の表面に、2μm厚のスチレン−ブタジエン共重合体(SBR)の被膜(樹脂被膜)を形成した。なお、被膜の形成は、前記絶縁基材の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体(SBR)のメチルエチルケトン(MEK)サスペンジョン(日本ゼオン(株)製、酸当量600、粒子径200nm、固形分15%)を塗布し、80℃で30分間乾燥することにより行った。 Next, a 2 μm-thick styrene-butadiene copolymer (SBR) coating (resin coating) was formed on the surface of the insulating substrate. The coating was formed on the main surface of the insulating base material by methyl ethyl ketone (MEK) suspension (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., acid equivalent 600, particle diameter 200 nm, solid content 15) of styrene-butadiene copolymer (SBR). %) Was applied and dried at 80 ° C. for 30 minutes.
そして、樹脂被膜が形成された絶縁基材に対して、レーザ加工により幅20μm、深さ20μm、長さ30mmの略長方形断面の回路溝の形成を行った。なお、レーザ加工には、UV−YAGレーザを備えたレーザ光照射装置(ESI社製のMODEL5330)を用いた。 Then, a circuit groove having a substantially rectangular cross section having a width of 20 μm, a depth of 20 μm, and a length of 30 mm was formed on the insulating base material on which the resin coating was formed by laser processing. For laser processing, a laser beam irradiation device (MODEL 5330 manufactured by ESI) equipped with a UV-YAG laser was used.
次に、回路溝が形成された絶縁基材をクリーナーコンディショナ(界面活性剤溶液、pH<1:ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製のC/N3320)中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のpH<1のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、PD404(シプレイ・ファーイースト株式会社製、pH<1)を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むpH1の酸性Pd−Snコロイド溶液(CAT44、シプレイ・ファーイースト(株)製)に浸漬することにより、無電解銅めっきの核(触媒金属)となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で絶縁基材に吸着させた。
Next, the insulating base material on which the circuit grooves were formed was immersed in a cleaner conditioner (surfactant solution, pH <1: C / N 3320 manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.), and then washed with water. . Then, soft etching treatment was performed with a sodium persulfate-sulfuric acid-based soft etchant having a pH <1. Then, a pre-dip process was performed using PD404 (manufactured by Shipley Far East Co., Ltd., pH <1). And palladium which becomes the nucleus (catalyst metal) of electroless copper plating by being immersed in the acidic Pd-Sn colloidal solution (CAT44, Shipley Far East Co., Ltd.) of
次に、pH<1のアクセラレータ薬液(ACC19E、シプレイ・ファーイースト株式会社製)に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。そして、絶縁基材を、pH14の5%水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら10分間浸漬した。これにより、表面のSBR被膜は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、絶縁基材表面にSBR被膜の断片等が残っていなかった。そして、絶縁基材を無電解めっき液(シプレイ・ファーイースト株式会社製の、CM328A,CM328L、CM328C)に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。 Next, palladium nuclei were generated by immersing in an accelerator chemical solution (ACC19E, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) having a pH <1. Then, the insulating substrate was immersed for 10 minutes in a 5% aqueous sodium hydroxide solution of pH 14 while being subjected to ultrasonic treatment. As a result, the SBR coating on the surface swelled and peeled cleanly. At this time, no SBR coating fragments remained on the surface of the insulating base. Then, the insulating substrate was immersed in an electroless plating solution (CM328A, CM328L, CM328C, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.) to perform an electroless copper plating process.
前記無電解銅めっき処理により、前記回路溝上に厚み5μmのめっき層が形成された。さらに、無電解銅めっき処理(フィルアップめっき)を、前記回路溝を埋めるまで行った
なお、膨潤性樹脂被膜の膨潤度は、以下のように求めた。
A plating layer having a thickness of 5 μm was formed on the circuit groove by the electroless copper plating treatment. Furthermore, electroless copper plating treatment (fill-up plating) was performed until the circuit groove was filled. The swelling degree of the swellable resin film was determined as follows.
離型紙上に膨潤性樹脂被膜を形成するために塗布したSBRサスペンジョンを塗布し、80℃で30分間乾燥した。これにより2μm厚の樹脂被膜を形成した。そして、形成された被膜を強制的に剥離することにより、試料を得た。 The SBR suspension applied to form a swellable resin film on the release paper was applied and dried at 80 ° C. for 30 minutes. Thereby, a 2 μm thick resin film was formed. And the sample was obtained by forcibly peeling the formed film.
そして、得られた試料0.02g程度を秤量した。このときの試料重量を膨潤前重量m(b)とする。そして、秤量された試料を20±2℃の水酸化ナトリウム5%水溶液10ml中に15分間浸漬した。また、別の試料を同様にして、20±2℃の塩酸5%水溶液(pH1)10ml中に15分間浸漬した。 And about 0.02 g of the obtained sample was weighed. The weight of the sample at this time is defined as the weight m (b) before swelling. The weighed sample was immersed in 10 ml of 5% aqueous sodium hydroxide solution at 20 ± 2 ° C. for 15 minutes. Similarly, another sample was immersed in 10 ml of a 5% aqueous hydrochloric acid solution (pH 1) at 20 ± 2 ° C. for 15 minutes.
そして、遠心分離器を用いて1000Gで約10分間遠心分離処理を行い、試料に付着した水分等を除去した。そして、遠心分離後の膨潤した試料の重量を測定し、膨潤後重量m(a)とした。得られた、膨潤前重量m(b)及び膨潤後重量m(a)から、「膨潤度SW=(m(a)−m(b))/m(b)×100(%)」の式から、膨潤度を算出した。なお、その他の条件は、JIS L1015 8.27(アルカリ膨潤度の測定方法)に準じて行った。 Then, centrifugation was performed at 1000 G for about 10 minutes using a centrifuge to remove moisture and the like attached to the sample. Then, the weight of the swollen sample after centrifugation was measured and set as the weight m (a) after swelling. From the obtained weight m (b) before swelling and weight m (a) after swelling, the formula “swelling degree SW = (m (a) −m (b)) / m (b) × 100 (%)” From this, the degree of swelling was calculated. Other conditions were performed in accordance with JIS L1015 8.27 (measurement method of alkali swelling degree).
このとき、pH14の水酸化ナトリウム5%水溶液に対する膨潤度は750%であった。一方、pH1の塩酸5%水溶液に対する膨潤度は3%であった。
At this time, the degree of swelling with respect to a
(実施例2)
前記シリカ粒子の含有量が30質量%の絶縁基材から、50質量%の絶縁基材に代えたこと以外、実施例1と同様である。
(Example 2)
It is the same as Example 1 except having replaced the content of the said silica particle with the insulating base material of 50 mass% from the insulating base material of 30 mass%.
(実施例3)
平均粒子径が0.5μmのシリカ粒子を含有する絶縁基材から、平均粒子径が1.5μmのシリカ粒子を含有する絶縁基材に代えたこと以外、実施例1と同様である。
(Example 3)
Example 1 is the same as Example 1 except that the insulating base material containing silica particles having an average particle diameter of 0.5 μm is replaced with the insulating base material containing silica particles having an average particle diameter of 1.5 μm.
(実施例4)
平均粒子径が0.5μmのシリカ粒子を含有し、その含有量が30質量%の絶縁基材から、平均粒子径が1.5μmのシリカ粒子を含有し、その含有量が50質量%の絶縁基材に代えたこと以外、実施例1と同様である。
Example 4
Silica particles having an average particle diameter of 0.5 μm and containing 30 mass% of insulating base material, silica particles having an average particle diameter of 1.5 μm and containing 50 mass% of insulation Example 1 is the same as Example 1 except that the base material is replaced.
(実施例5)
平均粒子径が0.5μmのシリカ粒子を含有し、その含有量が30質量%の絶縁基材から、平均粒子径が1.7μmのシリカ粒子を含有し、その含有量が75質量%の絶縁基材に代えたこと以外、実施例1と同様である。
(Example 5)
Insulating silica particles having an average particle diameter of 0.5 μm, containing silica particles having an average particle diameter of 1.7 μm from an insulating base material having a content of 30% by mass, and having an insulating content of 75% by mass Example 1 is the same as Example 1 except that the base material is replaced.
(実施例6)
平均粒子径が0.5μmのシリカ粒子を含有する絶縁基材から、平均粒子径が0.05μmのシリカ粒子を含有する絶縁基材に代えたこと以外、実施例1と同様である。
(Example 6)
Example 1 is the same as Example 1 except that the insulating base material containing silica particles having an average particle diameter of 0.5 μm is replaced with the insulating base material containing silica particles having an average particle diameter of 0.05 μm.
(実施例7)
平均粒子径が0.5μmのシリカ粒子を含有し、その含有量が30質量%の絶縁基材から、平均粒子径が0.05μmのシリカ粒子を含有し、その含有量が50質量%の絶縁基材に代えたこと以外、実施例1と同様である。
(Example 7)
Insulating silica particles having an average particle diameter of 0.5 μm and containing silica particles having an average particle diameter of 0.05 μm from an insulating base material having a content of 30% by mass and an insulating content of 50% by mass. Example 1 is the same as Example 1 except that the base material is replaced.
(比較例)
絶縁基材として、フィラーを含有しない絶縁基材[ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC株式会社製の850S)と、硬化剤としてのジシアンジアミド(日本カーバイド工業株式会社製のDICY)とからなる基材]を用いること以外、実施例1と同様である。
(Comparative example)
As an insulating base material, an insulating base material [a base material made of bisphenol A type epoxy resin (850S manufactured by DIC Corporation) and dicyandiamide (DICY manufactured by Nippon Carbide Industries Co., Ltd.) as a curing agent] is used. It is the same as that of Example 1 except using.
前記実施例1〜7及び比較例を以下のように評価した。 The said Examples 1-7 and the comparative example were evaluated as follows.
(回路溝の形状)
まず、回路溝を形成した後の絶縁基材を、前記回路溝の延びる方向に垂直な方向に、
7箇所、切断した。その切断面をマイクロスコープ(株式会社ハイロックス製のKH−7700)を用いて観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
(Circuit groove shape)
First, the insulating base material after forming the circuit groove in a direction perpendicular to the direction in which the circuit groove extends,
7 places were cut. The cut surface was observed using a microscope (KH-7700 manufactured by Hilox Co., Ltd.). And it evaluated with the following evaluation criteria.
◎:樹脂の溶出が確認された箇所が全くなかった(0箇所であった)
○:樹脂の溶出が確認された箇所が、7箇所中、1箇所であった
△:樹脂の溶出が確認された箇所が、7箇所中、2箇所であった
×:樹脂の溶出が確認された箇所が、7箇所中、3箇所以上であった。
A: There was no place where resin elution was confirmed (0 places).
○: The location where resin elution was confirmed was 1 in 7 locations. Δ: The location where resin elution was confirmed was 2 locations in 7 locations. X: Elution of resin was confirmed. There were 3 or more locations in 7 locations.
(めっき未着)
前記無電解めっきによって、絶縁基材の回路溝(幅20μm、長さ30mm)上に形成されためっき層を、フィルアップめっきを行う前に、マイクロスコープ(株式会社ハイロックス製のKH−7700)を用いて、形成しためっき層全体を観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
(Not plated)
Before performing the fill-up plating on the plating layer formed on the circuit groove (width 20 μm, length 30 mm) of the insulating substrate by the electroless plating, a microscope (KH-7700 manufactured by Hilox Co., Ltd.) is used. Was used to observe the entire formed plating layer. And it evaluated with the following evaluation criteria.
◎:めっき層が形成されていないと確認された箇所が全くなかった(0箇所であった)
○:めっき層が形成されていないと確認された箇所が、1箇所であった
△:めっき層が形成されていないと確認された箇所が、2箇所であった
×:めっき層が形成されていないと確認された箇所が、3箇所以上であった。
A: There was no place where it was confirmed that the plating layer was not formed (it was 0 place).
○: The place where it was confirmed that the plating layer was not formed was one place. Δ: The place where it was confirmed that the plating layer was not formed was two places. ×: The plating layer was formed. There were three or more confirmed locations.
(めっき剥離)
前記無電解めっきによって、絶縁基材の回路溝(幅20μm、長さ30mm)上に形成されためっき層を、フィルアップめっきを行う前にマイクロスコープ(株式会社ハイロックス製のKH−7700)を用いて、形成しためっき層全体を観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
(Plating peeling)
Before performing fill-up plating on the plating layer formed on the circuit groove (width 20 μm, length 30 mm) of the insulating substrate by the electroless plating, a microscope (KH-7700 manufactured by Hilox Co., Ltd.) is used. Using, the whole plating layer formed was observed. And it evaluated with the following evaluation criteria.
◎:めっき層が剥離していると確認された箇所が全くなかった(0箇所であった)
○:めっき層が剥離していると確認された箇所が、1箇所であった
△:めっき層が剥離していると確認された箇所が、2箇所であった
×:めっき層が剥離していると確認された箇所が、3箇所以上であった。
A: There was no place where it was confirmed that the plating layer was peeled off (it was 0 place).
○: The place where it was confirmed that the plating layer was peeled was one place. Δ: The place where it was confirmed that the plating layer was peeled was two places. ×: The plating layer was peeled off. It was confirmed that there were three or more locations.
上記評価結果を、表1に示す。 The evaluation results are shown in Table 1.
表1からわかるように、フィラーであるシリカ粒子を含有する絶縁基材を用いた場合(実施例1〜7)は、フィラーを含有しない絶縁基材を用いた場合と比較して、回路溝を形成する際に、回路溝内に発生する樹脂の溶出を抑制されていた。さらに、実施例1〜7は、比較例と比較して、めっき未着やめっき剥離が抑制されていた。これらのことから、実施例1〜7によれば、電気回路と絶縁基材との密着性の高い回路基板が得られることがわかった。 As can be seen from Table 1, when the insulating base material containing silica particles as the filler was used (Examples 1 to 7), the circuit groove was compared with the case where the insulating base material not containing the filler was used. When forming, elution of the resin generated in the circuit groove was suppressed. Furthermore, compared with the comparative example, Examples 1-7 had plating non-adherence and plating peeling suppressed. From these, it was found that according to Examples 1 to 7, a circuit board having high adhesion between the electric circuit and the insulating base material can be obtained.
1,21 絶縁基材
2,22 樹脂被膜
3,23 回路溝
4 貫通孔
5 触媒金属
6 めっき層(電気回路)
7 めっき層
10 回路基板
11 フィラー
51 立体絶縁基材
60 回路基板
DESCRIPTION OF
7
Claims (1)
前記樹脂被膜の外表面側から前記絶縁基材にレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、
前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、
前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、
前記樹脂被膜が剥離された絶縁基材に無電解めっきを施すめっき処理工程とを備え、
前記被膜形成工程が、前記絶縁基材として、フィラーとして、無機微粒子を含有するものを用い、
前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅、前記回路溝の深さ、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、0.5〜50%であり、
前記フィラーの含有量が、前記絶縁基材に対して10〜90質量%であることを特徴とする回路基板の製造方法。
A film forming step of forming a resin film on the surface of the insulating substrate;
A circuit groove forming step of forming a circuit groove of a desired shape and depth by laser processing or machining the insulating base material from the outer surface side of the resin coating;
A catalyst deposition step of depositing a catalyst metal on the surface of the circuit groove and the surface of the resin coating;
A film peeling step for peeling the resin film from the insulating substrate;
A plating process step of performing electroless plating on the insulating base material from which the resin film has been peeled off,
The film forming step uses a material containing inorganic fine particles as a filler as the insulating base material,
The average particle diameter of the filler is 0.5 to 50 with respect to the minimum value among the width of the circuit groove, the depth of the circuit groove, and the width of the portion between adjacent circuit grooves. %
Content of the said filler is 10-90 mass% with respect to the said insulating base material, The manufacturing method of the circuit board characterized by the above-mentioned.
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