JP2011096495A - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】水分による劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と１０１、絶縁基板１０１の上方に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に配置され、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料によって形成された第１保護膜１１５Ａと、第１保護膜１１５Ａの上に積層され、有機材料を原料として形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料によって形成された第２保護膜１１５Ｂと、第２保護膜１１５Ｂの上に積層され、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料によって形成された第３保護膜１１５Ｃと、を備えている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置に関する。

近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。この有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように気密に封止する必要がある。

例えば、特許文献１によれば、有機エレクトロルミネッセンス装置として、一面側に有機ＥＬ素子が形成されて素子基板と、有機ＥＬ素子上に設けられた接着層を介して素子基板と貼り合せられた保護基板とを備えており、保護基板と素子基板との間に、両基板を所定の間隔に保持する離間部材が設けられた構成が開示されている。このような有機ＥＬ装置において、有機ＥＬ素子の水分による劣化を抑制することが要求されている。

特開２００５−２５１４１５号公報

本発明の目的は、水分による劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することにある。

本発明の第１の態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子の上に配置され、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料によって形成された第１保護膜と、前記第１保護膜の上に積層され、有機材料を原料として形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料によって形成された第２保護膜と、前記第２保護膜の上に積層され、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料によって形成された第３保護膜と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明の第２の態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子の上に配置され、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料によって形成された第１保護膜と、前記第１保護膜の上に積層され、有機材料を原料として形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料によって形成された第２保護膜と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明によれば、水分による劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。

図１は、本発明の一実施態様における有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含む表示パネルのアクティブエリア及び周辺エリアの構造を概略的に示す断面図である。 図３は、対向電極の上に異物が付着した状態で保護膜を形成した場合を概略的に示す断面図である。 図４は、本実施の形態における保護膜を備えことによる効果の検証結果を示す図である。 図５は、他の実施形態における表示パネルのアクティブエリア及び周辺エリアの構造を概略的に示す断面図である。

以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。

すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１０２と、このアクティブエリア１０２の周辺に枠状に形成された周辺エリア１０４と、を有している。アレイ基板１００のアクティブエリア１０２には、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがマトリクス状に配置されている。

封止基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。封止基板２００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板である。

これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、シール部材３００によって貼り合わされている。このシール部材３００は、途切れることなく配置され、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２を囲む枠状に形成されている。このようなシール部材３００は、例えば、樹脂材料によって形成されている。

図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含むアレイ基板１００の断面図である。なお、ここに示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプである。

アレイ基板１００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上方に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。このような第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１絶縁膜１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。

第１絶縁膜１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。

半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。

第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第３絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機材料によって形成されている。

第３絶縁膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。

これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第４絶縁膜１１４によって被覆されている。また、第４絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第４絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物によって形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。

この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。反射電極ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。また、透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、上述した２層構造に限らず、３層以上の積層構造であっても良いし、反射電極ＰＥＲ単層であっても良いし、透過電極ＰＥＴ単層であっても良い。トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの場合には、画素電極ＰＥは、少なくとも反射電極ＰＥＲを有している。

第４絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。また、この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの一部に重なっている。このような隔壁ＰＩは、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物や、シリコン窒化物などの各種無機化合物などの絶縁材料によって形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。なお、有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。このような対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などによって形成された半透過層によって構成されている。なお、対向電極ＣＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成された透過層を含んでいても良い。

対向電極ＣＥの上には、保護膜１１５が配置されている。図２に示した例では、保護膜１１５は、第１保護膜１１５Ａと、第２保護膜１１５Ｂと、第３保護膜１１５Ｃと、を有する３層構造である。

第１保護膜１１５Ａは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に配置されている。第１保護膜１１５Ａは、対向電極ＣＥの上に配置され、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第１保護膜１１５Ａは、酸素を含まず、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）などによって形成されている。ここで、非酸化物系セラミックスとは、金属の窒化物や炭化物、あるいはホウ化物など酸化物以外のものである。この第１保護膜１１５Ａは、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成されている。

第２保護膜１１５Ｂは、第１保護膜１１５Ａの上に積層されている。このような第２保護膜１１５Ｂは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第２保護膜１１５Ｂは、有機材料、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料として形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）などによって形成されている。この第２保護膜１１５Ｂは、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成されている。

第３保護膜１１５Ｃは、第２保護膜１１５Ｂの上に積層されている。このような第３保護膜１１５Ｃは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第３保護膜１１５Ｃは、酸素を含まず、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスでる無機材料、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成されている。この第３保護膜１１５Ｃは、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成されている。

図２に示した例では、第２保護膜１１５Ｂの膜厚は、第１保護膜１１５Ａの膜厚及び第３保護膜１１５Ｃの膜厚より厚い。寸法の一例として、第１保護膜１１５Ａの膜厚が０．５μｍであり、第２保護膜１１５Ｂの膜厚が１μｍであり、第３保護膜１１５Ｃの膜厚が０．５μｍである。

なお、上述した第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、第１保護膜１１５Ａ、第２保護膜１１５Ｂ、第３保護膜１１５Ｃなどは、アクティブエリア１０２のみならず、隔壁ＰＩより外側の周辺エリア１０４に延在している。図２では、アクティブエリア１０２の最外部に位置した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを図示しており、保護膜１１５を構成する第１保護膜１１５Ａ、第２保護膜１１５Ｂ、及び、第３保護膜１１５Ｃは、隔壁ＰＩのみならず第４絶縁膜１１４を覆い、第３絶縁膜１１３の上に延在している。

図２では、図示を省略したが、封止基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面に配置された第３保護膜１１５Ｃの上方に位置している。第３保護膜１１５Ｃと封止基板２００との間には隙間が形成されている場合もあるが、封止基板２００と第３保護膜１１５Ｃとの間に形成された隙間に樹脂材料などの光透過性を有する材料が充填されていてもよい。

本実施の形態において、保護膜１１５を構成する第１保護膜１１５Ａと、第２保護膜１１５Ｂと、第３保護膜１１５Ｃとは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に配置されており、水分から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを保護する水分バリア膜として機能する。このような保護膜１１５を配置したことにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの水分による劣化を抑制することができ、表示品位の良好な有機ＥＬ装置を提供することができる。

ところで、保護膜１１５を形成する前に、例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥの上に異物が付着している場合において、通常、プラズマＣＶＤなどの手法によって窒化シリコンなどからなる保護膜１１５を形成した場合、異物と対向電極ＣＥとの接点からその周辺に亘って対向電極ＣＥが保護膜１１５から露出する領域（あるいは亀裂）が形成されることがある。このような対向電極ＣＥが露出した領域から侵入した水分により有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが劣化してしまうことがある。

このため、保護膜１１５の膜厚を十分に厚くし、例えば、異物の径より厚くすることが考えられるが、異物の径は不定であるため、保護膜１１５の最適な膜厚を設定することができない。また、プラズマＣＶＤにより厚い膜厚の保護膜１１５を形成するためには、保護膜１１５を形成するのに要する時間が長くなり、製造歩留まりの低下や、製造コストの増加を招く一因となりうる。また、窒素及びケイ素が主成分である保護膜１１５は、可視領域で光を吸収するため、厚い膜厚に形成した場合には、特にトップエミッションタイプの場合に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤから放射された光の一部が吸収され、輝度の低下を招く一因となりうる。

本実施の形態において、対向電極ＣＥの上に異物が付着した状態で保護膜１１５を形成した場合について図３を参照して説明する。なお、図３において主要部のみを図示している。

まず、対向電極ＣＥの上に第１保護膜１１５Ａを形成する。このとき、第１保護膜１１５Ａは、異物の上側表面にも形成されるが、異物と対向電極ＣＥとの間には形成されない場合がある。また、保護膜１１５Ａが異物の下側と対向電極ＣＥとの間にも少し形成される場合もあるが、異物を覆う保護膜１１５Ａと対向電極ＣＥの上の保護膜１１５Ａとが途切れることがある。

その後、第１保護膜１１５Ａの上に第２保護膜１１５Ｂを形成する。この第２保護膜１１５Ｂは、有機材料を原材料として形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料によって形成されており、第１保護膜１１５Ａと比較してカバレージ性がよい。このため、第２保護膜１１５Ｂは、対向電極ＣＥと異物との間に入り込み、第１保護膜１１５Ａが途切れた領域を被覆するとともに、異物の略全体をカバーする。このような第２保護膜１１５Ｂは、異物の影響で途切れることなく形成可能である。

その後、第２保護膜１１５Ｂの上に第３保護膜１１５Ｃを形成する。この第３保護膜１１５Ｃは、下地となる第２保護膜１１５Ｂが途切れていないため、異物の周辺であってもほとんど途切れることなく形成される。図示した例は、保護膜１１５の膜厚Ｔ（第１保護膜１１５Ａの膜厚、第２保護膜１１５Ｂの膜厚及び第３保護膜１１５Ｃの膜厚の総和）が異物の径Ｄよりも小さい場合に相当する。

したがって、本実施の形態において適用した構成の保護膜１１５によれば、保護膜１１５を形成する前に異物が付着した場合においても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを水分から保護することができる。特に、保護膜１１５の膜厚Ｔが異物の径Ｄよりも小さい場合であっても、第２保護膜１１５Ｂが第１保護膜１１５Ａに入った亀裂を埋めるため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを水分から保護することができる。

また、保護膜１１５の膜厚Ｔは、必ずしも異物の径Ｄよりも大きくする必要はないため、保護膜１１５を形成するのに要する時間を短縮することができる。このため、製造コストを低減することができる。

また、窒素及びケイ素が主成分である第１保護膜１１５Ａ及び第３保護膜１１５Ｃについては、異物の径Ｄほど厚く形成する必要はないため、これらの第１保護膜１１５Ａ及び第３保護膜１１５Ｃによる可視領域での光の吸収を低減することができ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度の低減を抑制することができる。

さらに、本実施の形態において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを被覆する第１保護膜１１５Ａは、酸素を含まない無機材料によって形成されているため、第１保護膜１１５Ａを形成する際の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへのダメージを低減できる。また、第２保護膜１１５Ｂは有機材料を原料としてプラズマＣＶＤによって形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料によって形成されているが、第１保護膜１１５Ａが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に配置されているため、第１保護膜１１５Ａが第２保護膜１１５Ｂを形成する際に発生する酸素プラズマから有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを保護している。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへのプラズマダメージを低減できる。

以上、本実施の形態によれば、表示品位の良好な有機ＥＬ装置を提供することができる。

次に、保護膜１１５が第１保護膜１１５Ａと、第２保護膜１１５Ｂと、第３保護膜１１５Ｃと、を有する３層構造であることによる効果を検証した。

まず、第１ガラス基板の上に５０ｎｍの膜厚でマグネシウム（Ｍｇ）の薄膜を形成し、異物を想定して直径４μｍのビーズを散布した。第２ガラス基板の上にも同様に５０ｎｍの膜厚のマグネシウム薄膜を形成し、異物を想定して直径８μｍのビーズを散布した。

サンプル１において、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のそれぞれについて、マグネシウム薄膜及びビーズの上に、１μｍの膜厚の窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる保護膜を形成した。

サンプル２において、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のそれぞれについて、マグネシウム薄膜及びビーズの上に、２μｍの膜厚の窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる保護膜を形成した。

サンプル３において、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のそれぞれについて、マグネシウム薄膜及びビーズの上に、０．５μｍの膜厚の窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第１保護膜１１５Ａを形成した。また、この第１保護膜１１５Ａの上に１μｍの膜厚のＴＥＯＳを原料として形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる第２保護膜１１５Ｂを形成した。さらに、この第２保護膜１１５Ｂの上に０．５μｍの膜厚の窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第３保護膜１１５Ｃを形成した。

サンプル１乃至サンプル３において、水分が浸入し、水分がマグネシウム薄膜に到達すると、マグネシウムが酸化し透明となる。このような基板を顕微鏡の透過モードで観察すると、マグネシウムが酸化した箇所で光ぬけが生じる。つまり、光ぬけが生じた箇所を調べることによって、水分が浸入した箇所が分かる。

サンプル１乃至サンプル３の基板を温度８５℃、湿度８５％の環境下に５２８時間投入し、光ぬけした箇所の数を調べた。その結果を図４に示す。ここで、光ぬけ率とは、散布したビーズの個数に対する光りぬけを発生した箇所の数の比率である。

図４に示すように、サンプル１において、４μｍのビーズを散布した第１ガラス基板、８μｍのビーズを散布した第２ガラス基板で光ぬけ率は１００％であった。また、サンプル２において、４μｍのビーズを散布した第１ガラス基板で光抜け率は１００％であり、８μｍのビーズを散布した第２ガラス基板で光ぬけ率は９５％であった。これに対して、サンプル３において、４μｍのビーズを散布した第１ガラス基板で光ぬけ率は６４％であり、８μｍのビーズを散布した第２ガラス基板で光ぬけ率は９０％であった。

この結果から、サンプル３において、サンプル１及び２と比較して水分が浸入した箇所が少なく、異物と見立てたビーズをカバーできる割合が高いことが確認された。また、サンプル３において、保護膜１１５の膜厚（第１保護膜の膜厚、第２保護膜の膜厚、第３保護膜の膜厚の総和）は、サンプル２の保護膜の膜厚と同一の２μｍであるが、窒化シリコンのみからなる単層構造の保護膜を適用したサンプル２と比較して、より多くのビーズをカバーできることが確認された。さらに、サンプル３においては、保護膜１１５の膜厚が２μｍである一方で、保護膜１１５の膜厚よりも大きな径、つまり２μｍ以上の径のビーズをカバーできることが確認され、異物の径よりも薄い保護膜１１５で水分に侵入を抑制できることが確認された。

次に、他の実施形態について説明する。この図５に示した例の表示パネル１は、図２に示した表示パネル１と比較して、保護膜１１５の構成が異なる。なお、他の構成については、図２に示した例と同一であるため、同一の参照符号を付して詳細な説明は省略する。

すなわち、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、絶縁基板１０１の上に順に積層された第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４に加え、スイッチングトランジスタＳＷ、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの周囲に配置された隔壁ＰＩなどを備えている。

図５に示すように、保護膜１１５は、第１保護膜１１５Ａと、第２保護膜１１５と、を有する２層構造である。第１保護膜１１５Ａは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に配置されている。第１保護膜１１５Ａは、対向電極ＣＥの上に配置され、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第１保護膜１１５Ａは、酸素を腹膜、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）などによって形成されている。この第１保護膜１１５Ａは、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成されている。第２保護膜１１５Ｂは、第１保護膜１１５Ａの上に積層されている。このような第２保護膜１１５Ｂは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。この第２保護膜１１５Ｂは、有機材料、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料として形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）などによって形成されている。この第２保護膜１１５Ｂは、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成されている。

図５に示した例では、第２保護膜１１５Ｂの膜厚は、第１保護膜１１５Ａの膜厚より厚い。寸法の一例として、第１保護膜１１５Ａの膜厚が０．５μｍであり、第２保護膜１１５Ｂの膜厚が１μｍである。

この実施の形態においても、図２に示した例と同様の効果が得られる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。

本実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプである場合について説明したが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがアレイ基板１００の絶縁基板１０１を介して光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。

１０１…絶縁基板 ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子 １１５Ａ…第１保護膜 １１５Ｂ…第２保護膜 １１５Ｃ…第３保護膜

Claims (9)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、
   前記有機ＥＬ素子の上に配置され、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料によって形成された第１保護膜と、
   前記第１保護膜の上に積層され、有機材料を原料として形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料によって形成された第２保護膜と、
   前記第２保護膜の上に積層され、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料によって形成された第３保護膜と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 前記第１保護膜及び前記第３保護膜は、窒化シリコンによって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記第２保護膜の膜厚は、前記第１保護膜の膜厚及び前記第３保護膜の膜厚より厚いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
4. 前記第１保護膜、前記第２保護膜及び前記第３保護膜は、前記有機ＥＬ素子が配置されたアクティブエリアより外側に延在していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
5. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子と、
   前記有機ＥＬ素子の上に配置され、窒素及びケイ素が主成分の非酸化物系セラミックスである無機材料によって形成された第１保護膜と、
   前記第１保護膜の上に積層され、有機材料を原料として形成された酸素及びケイ素が主成分である無機材料によって形成された第２保護膜と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
6. 前記第１保護膜は、窒化シリコンによって形成されたことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
7. 前記第２保護膜の膜厚は、前記第１保護膜の膜厚より厚いことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
8. 前記第１保護膜及び前記第２保護膜は、前記有機ＥＬ素子が配置されたアクティブエリアより外側に延在していることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
9. 前記第２保護膜は、テトラエトキシシランを原料として形成されたことを特徴とする請求項１または５に記載の有機ＥＬ装置。

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