KR102091402B1 - 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 다수의 화소영역이 정의된 소자기판과; 상기 소자기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와; 상기 유기전계 발광 다이오드 위에 구비된 페이스 씰과; 상기 페이스 씰과 접촉 부착되며, SiO₂ 55 내지 65wt%, Al₂O₃ 13 내지 18wt%, B₂O₃ 8 내지 13wt%, 그리고 부가물로서 MgO, CaO, SrO 및 BaO를 합한 함량은 10 내지 20wt%인 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질로 이루어지며 제 1 두께를 갖는 대향기판을 포함하는 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.

Description

유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법{Organic electro luminescent device and method of fabricating the same}

본 발명은 유기전계 발광소자(Organic electroluminescent device)에 관한 것이며, 특히 수분 및 산소 침투를 억제하여 수명을 향상시킬 수 있으며, 벤더블한 특성을 갖는 경량 박형의 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

평판 디스플레이(FPD: Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.

따라서, 전술한 바와 같은 장점을 갖는 유기전계 발광소자는 최근에는 TV, 모니터, 핸드폰 등 다양한 IT기기에 이용되고 있다.

이하, 유기전계 발광 소자의 기본적인 구조에 대해서 조금 더 상세히 설명한다.

도 1은 종래의 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도이다.

종래의 유기전계 발광소자(1)는 크게 어레이 소자(미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되는 소자기판(10)과 인캡슐레이션을 위한 배리어 필름(40)으로 구성되고 있다.

상기 소자기판(10)에는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 및 데이터 배선(미도시, 12)과, 이들 두 배선(미도시, 12) 중 어느 하나의 배선(미도시)과 나란하게 이격하는 전원배선(미도시)과, 각 화소영역(P)에 구비되는 어레이 소자와, 상기 어레이 소자 중 일부와 연결되며 각 화소영역(P)에 형성되어 각각 적, 녹, 청색을 발광하는 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되고 있다.

상기 소자 기판(10)에 있어서 상기 어레이 소자(미도시)는 도면에 나타내지 않았지만, 게이트 및 데이터 배선(미도시, 12)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결된 구동 박막트랜지스터(미도시)로 이루어고 있다.

그리고 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 상기 구동 박막트랜지스터(미도시)와 연결된 제 1 전극(15)과 유기 발광층(20) 및 제 2 전극(25)으로 이루어지고 있다.

한편, 이러한 구성을 갖는 소자기판(10)과 마주하도록 위치하는 상기 배리어 필름(40)은 그 자체로 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 수분 및 산소 등이 침투하는 것을 방지하기 위한 역할을 하는 것으로 통상 어떠한 구성요소가 형성되지 않고 있다.

이때, 상기 배리어 필름(40)은 상기 소자기판(10)에 구비되는 유기전계 발광다이오드(E)로의 수분 및 산소 침투를 억제하기 위해 다중층 구조로 이루어지고 있다.

즉, 상기 배리어 필름(40)은 PET, PEN, PVA 등의 고분자 유기물질로 이루어진 유기 고분자막(40a)과, 무기절연물질로 이루어진 무기막(40b), 이들 구성요소 사이에 개재된 다수의 접착층(40c, 40d) 및 보호필름(40e)을 포함하여 구성되고 있다.

하지만, 전술한 구성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자(1)는 소자기판(10)에 대해 페이스 씰(35)을 개재하여 다중층 구조를 갖는 배리어 필름(40)을 부착하는 단계에서 상기 배리어 필름(40) 자체의 늘어남, 구겨짐 또는 주름 등의 문제로 재단 공차에 따른 부착 공차에 의한 네로우 베젤 구현의 제약이 발생하며, 페이스 씰(35)과의 접착하는 과정에서의 구겨짐 또는 주름 등에 의해 기포 등이 발생되는 문제가 발생되고 있다.

나아가 상기 배리어 필름(40)은 다중층 구조를 이룸으로서 이를 제조하는데 복잡한 공정 진행에 의해 제조 비용이 상승되며, 다중층 구조 구성에 의해 광 투과도가 저하되고 있다.

또한, 상기 배리어 필름(40)은 이렇게 다중층 구조를 이룬다 하더라도 수분 및 산소가 미세하게 침투하게 됨으로서 수분 및 산소 침투 억제력 저감에 의해 상기 소자 기판에는 상기 배리어 필름(40)을 통해 침투 될 수 있는 수분 및 산소가 상기 유기전계 발광소자 내부로 영향을 미치는 것을 억제시키고자 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 상부에 무기막과 유기막이 교대하며 적층된 것을 특징으로 하는 다중층 구조의 보호막(30)이 더욱 구비되고 있다.

그리고 상기 배리어 필름(40)의 수분 침투를 더욱 억제시키고자 이러한 유기전계 발광소자(1)를 포함하는 최종 제품에는 상기 배리어 필름(40)의 상부에 커버 글라스(50)가 더욱 구비되고 있다.

한편, 전술한 바와같은 구성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자(1)는 배리어 필름(40)의 복잡한 다중층 구성과, 이들 다중층 구조를 갖는 배리어 필름(40) 제조 시 상기 다중층 구현을 위한 고분자 유기막(40a) 및 무기막(40b)과 접착층(40c, 40d)을 형성하는 과정에서 불량이 발생됨으로서 제조 단가를 상승시켜, 최종적으로 유기전계 발광소자(1)의 제조 비용을 상승시키고 있다.

또한, 종래의 유기전계 발광소자(1)는 배리어 필름(40)을 소자기판(10)에 부착시키는 과정에서 기포가 발생됨으로서 이렇게 발생된 기포를 제거하기 위한 탈포 공정을 별도로 진행해야 하므로 제조 공정 수를 증가시키는 요인이 되고 있다.

나아가, 배리어 필름(40) 자체의 수분 침투력 방지 저감을 억제하기 위해 최종 제품에서는 별도의 커버 글라스(50)를 더욱 구비시키고 있는데, 이는 제품의 비용을 상승 기키는 요인이 되며 최근 표시소자의 트렌드인 경량 박형의 구현을 저해하는 동시에 최근 표시장치의 또 다른 트렌드인 벤딩 즉 휘는 표시장치 구현을 방해하는 요인이 되고 있다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 현 표시장치의 트렌드인 경량 박형과 벤딩 특성을 가지면서도 외부의 수분 및 산소에 대한 침투 방지력이 우수한 대향기판을 구비한 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역이 정의된 소자기판과; 상기 소자기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와; 상기 유기전계 발광 다이오드 위에 구비된 페이스 씰과; 상기 페이스 씰과 접촉 부착되며, SiO₂ 55 내지 65wt%, Al₂O₃ 13 내지 18wt%, B₂O₃ 8 내지 13wt%, 그리고 부가물로서 MgO, CaO, SrO 및 BaO를 합한 함량은 10 내지 20wt%인 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질로 이루어지며 제 1 두께를 갖는 대향기판을 포함한다.

이때, 상기 소자기판은 플라스틱 재질의 기판으로 이루어진 것이 특징이다.

그리고 상기 소자기판은 SiO₂ 55 내지 65wt%, Al₂O₃ 13 내지 18wt%, B₂O₃ 8 내지 13wt%, 그리고 부가물로서 MgO, CaO, SrO 및 BaO를 합한 함량은 10 내지 20wt%인 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질로 이루어지며, 제 1 두께를 갖는 것이 특징이다.

또한, 상기 제 1 두께는 30 내지 80㎛인 것이 특징이다.

그리고 상기 유기전계 발광 다이오드와 상기 페이스 씰 사이에는 단일층 또는 다중층 구조의 보호막이 더 구비된 것이 특징이다.

또한, 상기 소자기판에는 각 화소영역의 경계를 따라 서로 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선이 구비되며, 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 나란하게 이격하며 전원배선이 구비되며, 상기 게이트 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스 전극과 연결되며, 상기 전원배선은 상기 구동 박막트랜지스터의 소스 전극과 연결되도록 형성된 것이 특징이다.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 다수의 화소영역이 정의된 소자기판과, 상기 소자기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와, 상기 유기전계 발광 다이오드 위에 구비된 페이스 씰과, 상기 페이스 씰과 접촉 부착되며, SiO₂ 55 내지 65wt%, Al₂O₃ 13 내지 18wt%, B₂O₃ 8 내지 13wt%, 그리고 부가물로서 MgO, CaO, SrO 및 BaO를 합한 함량은 10 내지 20wt%인 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질로 이루어지며 제 1 두께를 갖는 대향기판을 포함하며, 상기 소자기판 또한 상기 대향기판을 이루는 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조 방법에 있어서, 투명한 유리재질의 캐리어 기판상에 점착층을 개재하여 상기 소자기판을 부착시키는 단계와; 상기 소자기판의 상부에 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드를 형성하고, 상기 유기전계 발광 다이오드 위에 페이스 씰을 도포하는 단계와; 상기 페이스 씰과 접촉하도록 상기 대향기판을 접착하는 단계와; 상기 소자기판으로부터 상기 캐리어 기판을 탈착시키는 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 일 구성요소인 대향기판이 30 내지 80㎛정도의 두께를 가짐으로서 수 백 ㎛ 정도의 두께를 갖는 배리어 필름을 포함하는 종래의 유기전계 발광소자 대비 빛 투과율 향상의 효과가 있으며, 나아가 경량 박형을 구현할 수 있는 장점을 갖는다.

나아가 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 특정 조성물질 및 조성비를 갖는 유리재질의 대향기판이 구비됨으로서 산소 및 수분 침투 억제 측면에서 종래의 접착재와 고분자 유기물질로 이루어진 유기막과 무기절연물질로 이루어진 무기막 및 접착층을 포함하는 배리어 필름 대비 월등히 우수한 효과가 있다.

또한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 산소 및 수분 침투 방지력이 배리어 필름을 구비한 종래의 유기전계 발광소자 대비 월등히 우수하므로 최종 제품화시 별도의 커버 글라스를 구비할 필요가 없으며, 다중층 구조를 갖는 배리어 필름 대비 저가인 유리재질의 대향기판이 구비됨에 의해 제조 비용을 저감시키는 효과가 있다.

또한, 유리재질의 대향기판은 유리재질로 이루어지는 특성 상 구부러짐 및 주름 등은 원천적으로 억제되므로 그 자체의 구부러짐 및 주름이 발생되는 배리어 기판과 소자기판을 합착시키는 단계에서 발생되는 기포에 의한 불량을 원천적으로 억제하며, 별도의 탈포 공정을 필요로 하지 않으므로 종래의 유기전계 발광소자 제조 대비 불량 저감 및 공정 단순화의 효과가 있다.

도 1은 종래의 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도.
도 2는 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 구비되는 대향기판과 더불어 비교예로서 배리어 필름을 이루는 여러 유기 물질의 산소 및 수분 침투율을 측정한 그래프.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계 중 소자기판으로부터 캐리어 기판을 탈착하는 단계를 나타낸 공정 단면도.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계 중 소자기판으로부터 캐리어 기판을 탈착하는 단계를 나타낸 공정 단면도.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

우선, 유기전계 발광소자의 구성 및 동작에 대해서 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도인 도 2를 참조하여 간단히 설명한다.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역은 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 구동 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC), 그리고 유기전계 발광 다이오드(E)로 이루어진다.

제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 배치되어 상기 게이트 배선(GL)과 더불어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 각 화소영역(P) 내부에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다.

따라서 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계 발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도이다. 이때, 설명의 편의를 위해 각 화소영역 내에 스위칭 박막트랜지스터가 형성될 영역을 스위칭 영역, 구동 박막트랜지스터가 형성될 영역을 구동영역(DA)이라 정의하였으며, 구동 박막트랜지스터(DTr)는 각 화소영역(P)별로 형성되지만, 도면에 있어서는 하나의 화소영역(P)에 대해서만 나타내었다.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 소자기판(110)과, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 보호 및 인캡슐레이션을 위한 대향기판(170)으로 구성되고 있다.

이때, 상기 소자기판(110)과 대향기판(170)은 페이스 씰(190)이 개재되어 합착된 상태를 이루고 있는 것이 특징이다.

우선, 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 소자기판(110)의 구성에 대해 설명한다.

상기 소자기판(110)은 베이스를 이루는 투명한 절연기판인 플라스틱 재질 예를들면 고분자 물질인 폴리이미드로 이루어진 베이스 기판(109) 상에 각 화소영역(P) 내에 순수 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널이 형성되는 제 1 영역(113a), 그리고 상기 제 1 영역(113a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제 2 영역(113b)으로 구성된 반도체층(113)이 형성되어 있다.

상기 반도체층(113)과 상기 베이스 기판(109) 사이에는 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다.

상기 버퍼층(미도시)은 상기 반도체층(113)의 결정화시 상기 베이스 기판(109) 내부로부터 나오는 알카리 이온의 방출에 의한 상기 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하기 위함이다.

또한, 상기 반도체층(113)을 덮으며 전면에 게이트 절연막(116)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 반도체층(113)의 제 1 영역(113a)에 대응하여 게이트 전극(120)이 형성되어 있다.

그리고 상기 게이트 절연막(116) 위로는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시)과 연결되며 일 방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다.

이때, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)를 이루는 게이트 전극(120, 미도시)과 게이트 배선(미도시)은 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금(MoTi) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어져 단일층 또는 다중층 구조를 이룬다.

또한, 상기 게이트 전극(120, 미도시)과 게이트 배선(미도시) 위로 전면에 층간절연막(123)이 형성되어 있다.

이때, 상기 층간절연막(123)과 그 하부의 게이트 절연막(116)은 상기 제 1 영역(113a) 양측면에 위치한 상기 제 2 영역(113b) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(125)이 형성되어 있다.

다음, 상기 반도체층 콘택홀(125)을 포함하는 층간절연막(123) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 각 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 형성되고 있다.

또한, 상기 층간절연막(123) 위로 각 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에는 각각 서로 이격하며 상기 반도체층 콘택홀(125)을 통해 노출된 제 2 영역(113b)과 각각 접촉하며 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다.

이때, 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)과, 이들 전극(133, 136)과 접촉하는 제 2 영역(113b)을 포함하는 반도체층(113)과, 상기 반도체층(113) 상부에 형성된 게이트 절연막(116) 및 게이트 전극(120)은 각각 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 이룬다.

상기 데이터 배선(130)과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136) 또한 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금(MoTi) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어져 단일층 또는 다중층 구조를 이룬다.

한편, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)과 전기적으로 연결되고 있으며, 상기 데이터 배선(130)은 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 소스 전극(미도시)과 연결되며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 상기 전원배선(미도시)과 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결되고 있다.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 폴리실리콘의 반도체층(113)을 가지며 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 도면에 나타내지 않았지만, 비정질 실리콘의 반도체층 또는 산화물 반도체 물질로 이루어진 반도체층을 갖는 보텀 게이트 타입(Bottom gate type)으로 구성될 수도 있다.

상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터가 보텀 게이트 타입으로 구성되는 경우, 게이트 전극과, 게이트 절연막과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층으로 이루어진 반도체층과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극의 적층구조를 갖거나, 또는 게이트 전극과, 게이트 절연막과, 산화물 반도체층과, 에치스토퍼와, 상기 에치스토퍼 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층과 접촉하는 소스 및 드레인 전극의 적층구조를 갖는다.

이러한 보텀 게이트 타입의 구동 및 스위칭 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판의 경우, 상기 게이트 배선은 상기 게이트 전극이 형성된 동일한 층에 상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극과 연결되도록 형성되며, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스 전극이 형성된 동일한 층에 상기 소스 전극과 연결되도록 형성된 구성을 이루게 된다.

한편, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 게이트 배선(미도시)이 형성된 동일한 층 또는 상기 데이터 배선(130)이 형성된 동일한 층에는 전원배선(미도시)이 형성되고 있으며, 이러한 전원배선(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 일 전극과 연결되고 있다.

다음, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다.

이때, 상기 보호층(140)은 하부 구성요소의 단차에 영향을 거의 받지 않고 평탄한 표면을 이룰 수 있도록 유기절연물질 예를들면 포토아크릴(photo acryl)로 이루어지는 것이 특징이다.

한편, 평탄한 표면을 갖는 상기 보호층(140) 상부에는 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 제 1 전극(150)이 형성되어 있다.

한편, 상기 제 1 전극(147)은 일함수 값이 큰 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어진 단일층 구성을 이룰 수도 있고, 또는 유기전계 발광 다이오드(E)의 상부로의 발광효율 증대를 위해 반사율이 우수한 금속물질인 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd) 중 어느 하나로 이루어진 하부층(147a)이 더욱 구비되어 하부층(147a)과 상부층(147b)의 이중층 구조를 이룰 수도 있다.

이렇게 상기 제 1 전극이 이중층 구조를 이루는 경우, 상기 제 1 전극(147)의 상부에 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛이 상기 제 1 전극(147)의 하부층(147a)을 통해 반사되어 상부로 반사시킴으로서 발광된 빛의 이용 효율을 증대시켜 최종적으로 휘도 특성을 향상시키는 효과를 갖게 된다.

도면에 있어서는 상기 제 1 전극(147)은 이중층 구조를 이루는 것을 일례로 나타내었다.

다음, 상기 이중층 구조를 갖는 제 1 전극(147) 위로 각 화소영역(P)의 경계에는 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 상기 제 1 전극(147)의 테두리와 중첩하도록 상기 제 1 전극(147)의 중앙부를 노출시키며 뱅크(150)가 형성되어 있다.

이때, 상기 뱅크(150)는 일반적인 투명한 유기절연물질 예를들면 폴리이미드(poly imide), 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수도 있으며, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를들면 블랙수지로 이루어질 수도 있다.

또한, 상기 뱅크(150)로 둘러싸인 각 화소영역(P)에 있어 상기 제 1 전극(147) 위로는 적, 녹, 청색 중 어느 하나의 색을 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광층(155)이 형성되고 있다.

이때, 상기 유기 발광층(155)은 전술한 적, 녹, 청색을 발광하는 발광 물질 이외에 화이트를 발광하는 물질로 이루어진 것을 더욱 포함하여 적, 녹, 청 및 화이트를 발광하는 구성을 이룰 수도 있다.

도면에 있어서는 일례로 적, 녹, 청색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성된 것을 도시하였다.

상기 유기 발광층(155) 상부에는 표시영역 전면에는 캐소드 전극의 역할을 하며 투명성을 유지하는 것을 특징으로 하는 제 2 전극(158)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1, 2 전극(147, 158)과 그 사이에 형성된 유기 발광층(155)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이루게 된다.

한편, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155) 사이 및 상기 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158) 사이에는 각각 상기 유기 발광층(155)의 발광 효율 향상을 위해 다층 구조의 제 1 발광보상층(미도시)과 제 2 발광보상층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다.

이때, 다층의 상기 제 1 발광보상층(미도시)은 상기 제 1 전극(147)으로부터 순차 적층되며 정공주입층(hole injection layer) 및(또는) 정공수송층(hole transporting layer)으로 이루어질 수 있으며, 상기 제 2 발광보상층(미도시)은 상기 유기 발광층(155)으로부터 전자수송층(electron transporting layer) 및(또는) 전자주입층(electron injection layer)으로 이루어질 수 있다.

나아가 상기 유기 발광층과 상기 제 1 발광보상층 사이에는 전자 블록킹층(electron blocking layer)이 더 구비될 수도 있으며, 상기 유기 발광층과 상기 제 2 발광보상층 사이에는 정공 블록킹층(hole blocking layer)이 더 구비될 수도 있다.

한편, 상기 유기 발광층(155) 상부에 형성된 상기 제 2 전극(158)은 캐소드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어지고 있다.

이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)가 상부발광 방식으로 구동되는 경우, 상기 제 2 전극(158)은 상기 유기 발광층(155)으로부터 나온 빛의 투과가 원활하게 이루어져 투광성이 유지되는 두께인 10Å 내지 200Å 정도가 되는 것이 바람직하다.

다음, 상기 제 2 전극(158) 위로 무기절연물질 또는 절연성 금속물질 및 유기절연물질로 이루어진 다중층 또는 단일층 구조의 보호막(160)이 형성되고 있다.

이러한 보호막(160)은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101) 특성 상 배리어 필름(도 1의 40)을 부착한 종래의 유기전계 발광소자(도 1의 1) 대비 우수한 수분 및 산소 침투 억제 효과를 갖는 유리재질의 대향기판(170)을 구비한 특성 상 반드시 형성될 필요는 없다.

한편, 이러한 구성을 갖는 소자기판(110)에 대응하여 위치하는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서, 가장 특징적인 구성을 갖는 대향기판(170)을 살펴보면, 상기 대향기판(170)은 다음과 같은 조성물질 및 조성비를 갖는 유리기판으로 이루어지고 있는 것이 특징이다.

즉, 상기 대향기판(170)은 SiO₂와, Al₂O₃, B₂O₃와 부가물 예를들면 MgO, CaO, SrO 및 BaO 로 이루어진 유리기판이 되고 있다.

이때, 상기 유리재질의 상기 대향기판(170)을 이루는 각 조성물의 함량비는,

SiO₂ 는 55 내지 65wt%

Al₂O₃ 는 13 내지 18wt%

B₂O₃ 는 8 내지 13wt%

그리고, 부가물 즉 MgO, CaO, SrO 및 BaO를 합한 함량은 10 내지 20wt%

가 되는 것이 특징이다.

전술한 조성물질 및 함량비를 갖는 유리재질의 대향기판(170)의 경우, 30 내지 80 ㎛의 두께를 이룰 경우 벤딩 특성이 매우 우수하여 10㎝ * 15㎝의 면적에 대해 그 길이방향으로 양 끝단이 서로 접촉하도록 구부려도 절단되거나, 또는 크렉 발생이 전혀 없었다.

또한 전술한 성물질 및 함량비를 갖는 유리재질의 대향기판(170)의 경우 그 두께가 30㎛인 경우, 산소 및 수분 침투 억제력이 배리어 필름(도 1의 40)대비 월등함을 실험적으로 알 수 있었다.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 구비되는 유리재질의 대향기판과 더불어 비교예로서 배리어 필름을 이루는 여러 유기 고분자물질의 산소 및 수분 침투율을 측정한 그래프이다. 이때, 그래프에 있어서 OA-10G라고 기재된 것이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 구비되는 유리재질의 대향기판이 되고 있다.

도시한 바와같이, 전술한 조성물질 및 함량비를 갖는 대향기판은 그 두께가 30㎛인 경우, 산소 투과율은 1.E-02(cc/㎡·day), 수분 투과율은 7*1.E-06(g/㎡·day)가 되고 있음을 알 수 있다.

반면, 고분자 유기물질 중 하나인 PEN은 그 두께가 100㎛인 경우 산소 투과율은 5*1.E+00(cc/㎡·day), 수분 투과율은 4*0.1(g/㎡·day)이 되며, 또 다른 고분자 유기 물질인 PET은 그 두께가 100㎛인 경우 산소 투과율은 4*1.E+01(cc/㎡·day), 수분 투과율은 1(g/㎡·day)이 되고 있음을 알 수 있다.

또한, 또 다른 고분자 유기 물질인 PVA는 그 두께가 20㎛인 경우 산소 투과율은 6*1.E+01(cc/㎡·day), 수분 투과율은 80(g/㎡·day)이 됨을 알 수 있다.

따라서 산소 및 수분 침투 억제 측면에서 전술한 조성물질 및 조정비를 갖는 유리 재질의 대향기판(170)이 종래의 접착층(도 1의 40c, 40d)와 고분자 유기물질로 이루어진 유기막(도 1의 40a)과 무기절연물질로 이루어진 무기막(도 1의 40b) 및 보호필름(도 1의 4e)을 포함하는 배리어 필름(도 1의 40)대비 산소 및 수분 침투에 대해 월등히 우수한 장점을 가짐을 알 수 있다.

나아가 종래의 배리어 필름(도 1의 40)은 필수적으로 다중층 구조를 이루어져야 하므로 그 두께가 수 백㎛ 정도가 되었다.

하지만, 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 일 구성요소인 대향기판(170)은 30 내지 80㎛정도의 두께를 가짐으로서 수 백 ㎛ 정도의 두께를 갖는 배리어 필름(도 1의 40)을 포함하는 종래의 유기전계 발광소자(도 1의 1) 대비 경량 박형을 구현할 수 있는 장점을 갖는다.

나아가 배리어 필름(도 1의 40)은 다중층 구조를 이룸으로서 이로 입사되는 빛은 각 층 내부에서 일부 흡수되며, 각 층의 경계에서 굴절율 차이에 의해 전반사 조건을 만족하는 경우 상기 배리어 필름(도 1의 40)의 측면으로 유도되어 사라지게 됨으로서 빛의 투과율 측면에서 단일층 구조를 갖는 본 발명에 따른 유리재질의 대향기판(170) 대비 저하됨을 알 수 있다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어 상기 대향기판(170)이 30 내지 80㎛의 두께를 갖도록 한 것은 벤딩 특성을 극대화하기 위함이다.

산수 및 수분 침투 억제를 위해서는 상기 대향기판(170)의 두께를 더욱 두껍게 하는 것이 유리하지만, 상기 대향기판(170)의 두께가 두꺼워지면 그 내부로 입사된 빛이 일부 흡수됨으로서 투과율이 저하되며, 나아가 벤딩 특성 또한 저감되기 때문이다.

최근의 표시소자는 평면표시에서 곡면 형태의 표시를 할 수 있도록 진화되고 있으며, 나아가 표시장치는 휴대의 간편화 및 디자인 측면에서 벤딩 특성이 요구되고 있다.

따라서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 내부로의 산소 및 수분 침투를 효과적으로 억제하여 장 수명을 갖도록 하는 동시에 최근의 표시장치의 트렌드에 부응하고자 30 내지 80㎛의 두께를 가지며, 특정 조성물 및 조정비를 가져 깨짐 또는 크렉 발생없이 벤딩 특성이 극대화된 것을 특징으로 하는 유리기판을 대향기판(170)으로 구성한 것이다.

한편, 전술한 30 내지 80㎛의 두께를 가지며 벤딩 특성이 우수한 유리재질의 대향기판(170)은 유리재질로 이루어지는 특성 그 자체로 상온에서 늘어나거나 또는 변색되는 일이 거의 없으며, 그 자체로 구부러지거나 주름이 발생되는 일이 없으므로 재단 오차 등이 거의 발생되지 않는다.

따라서 이러한 특성을 갖는 유리재질의 대향기판(170)을 페이스 씰(190)을 개재하여 소자기판(110)과 합착 시에도 종래의 배리어 필름(도 1의 40)을 페이스 씰(도 1의35)를 개재하여 소자기판(도 1의 10)과 합착하는 과정에서 발생되는 기포 발생에 의한 불량 등이 전혀 발생되지 않으므로 배리어 필름(도 1의 40) 부착 후 별도 진행하는 탈포 공정은 진행할 필요가 없으므로 제조 공정 단순화하는 효과를 갖는다

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 산소 및 수분 침투 방지력이 배리어 필름(도 1의 40)을 구비한 종래의 유기전계 발광소자(도 1의 1) 대비 월등히 우수하므로 최종 제품화시 별도의 커버 글라스를 구비할 필요가 없으며, 다중층 구조를 갖는 배리어 필름(도 1의 40) 대비 저가인 유리재질의 대향기판(170)이 구비됨에 의해 제조 비용을 저감시키는 효과가 있다.

한편, 전술한 본 발명의 제 1 실시예 따른 유기전계 발광소자(101)의 경우, 배리어 필름(도 1의 40)을 대신하여 특정 조성비를 갖는 조성물질로 이루어진 유리재질의 기판이 대향기판(170)만 이루고 있음을 일례로 보이고 있지만, 도 5(본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201)는 소자기판(110)의 베이스 기판(209)까지 SiO₂ 55 내지 65wt%, Al₂O₃ 13 내지 18wt%, B₂O₃ 8 내지 13wt%, 그리고 부가물로서 MgO, CaO, SrO 및 BaO를 합한 함량은 10 내지 20wt%로 이루어진 것을 특징으로 하는 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질의 기판으로 이루어 질수도 있다.

이때, 이러한 특정 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질의 베이스 기판(209) 상부에 구비되는 어레이 소자(DTr, 미도시) 및 유기전계 발광 다이오드(E)를 포함하는 구성요소는 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(도 3의 101)와 동일한 구성을 가지므로 이들 구성요소의 구조에 대한 설명은 생략한다.

이렇게 특정 조성비를 갖는 조성물질로 이루어진 유리기판을 소자기판(110)의 베이스 기판(209)과 대향기판(170)으로 구비한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201)의 경우, 비록 유리기판이 구비되고 있지만, 상기 유리기판은 30 내지 80㎛의 두께를 갖는 경우, 깨짐 또는 크렉 발생없이 벤딩 특성이 매우 우수하게 됨으로서 플렉스블 표시장치를 구현하는데 전혀 문제되지 않는다.

한편, 대향기판(170)과 더불어 어레이 소자(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 적층 형성되는 상기 소자기판(110)의 베이스 기판(209)까지 전술한 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질의 기판으로 이루어지는 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(209)의 경우, 상기 소자기판(도 3의 110)의 베이스 기판(도 3의 109)이 플렉서블한 플라스틱 재질로 이루어지는 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(도 1의 101) 대비 제조 방법적인 면에서 유리한 장점이 있다.

즉, 도 6a 내지 도 6d(본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계 중 소자기판으로부터 캐리어 기판을 탈착하는 단계를 나타낸 공정 단면도)에 도시한 바와같이, 플라스틱 재질의 기판을 소자기판(110)의 베이스 기판(109)으로 하는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 상기 플라스틱 재질의 베이스 기판(109)을 통상 액상의 고분자 물질 예를들면 폴리이미드를 투명한 절연재질 일례로 유리재질 이루어진 캐리어 기판(195)에 도포한 후 경화시켜 형성한 상태에서 이러한 캐리어 기판(195)과 더불어 이의 상부에 어레이 소자(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)를 형성하는 공정과, 선택적으로 다중층 또는 단일층 구조의 보호막(160)을 형성하는 공정과 페이스 씰(190)을 코팅하는 공정 및 특정 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질의 대향기판(170)을 합착하는 공정을 진행한 후, 상기 플라스틱 재질의 베이스 기판(109)으로부터 상기 캐리어 기판(195)을 제거하는 공정을 진행하고 있다.

하지만, 캐리어 기판(195)의 상부에 폴리이미드를 도포하고 경화시켜 형성된 상기 플라스틱 재질의 베이스 기판(109)을 탈착시키는 경우, 이들 두 기판 즉 캐리어 기판(195)과 플라스틱 재질의 베이스 기판(109)간의 접착력이 강해 탈착 시 상기 플라스틱 재질의 베이스 기판(109)이 뜯김이 발생되거나 찢어지는 등의 손상이 발생되어 수율이 저하되고 있다.

따라서, 이러한 것을 방지하고자 도 6a에 도시한 바와같이, 상기 캐리어 기판(195) 상에 폴리이미드를 도포하기 전 비정질 실리콘을 우선 증착하여 희생층(197)을 형성하고, 이의 상부에 폴리이미드를 도포하여 플라스틱 재질의 베이스 기판(109)을 형성한다.

이후 도 6b에 도시한 바와같이, 상기 캐리어 기판(195)이 부착된 상태의 플라스틱 재질의 상기 베이스 기판(109) 상에 어레이 소자(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)를 형성하는 공정과, 선택적으로 다중층 또는 단일층 구조의 보호막(160)을 형성하는 공정과 페이스 씰(190)을 코팅하는 공정 및 특정 두께와 특정 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질의 대향기판(170)을 합착하는 공정을 진행한다.

다음, 도 6c에 도시한 바와같이, 상기 캐리어 기판(195)의 저면에서 레이저 장치(199)를 통해 레이저 빔(LB)을 조사한다.

레이저 빔(LB)이 상기 캐리어 기판(195)을 통해 상기 희생층(197)에 도달하게 되면, 상기 희생층(197)으로부터 수소(H) 기체가 발생하며, 이로 인해 상기 캐리어 기판(195)과 플라스틱 재질의 베이스 기판(109) 간에 계면에서 상기 수소(H) 기체에 의해 접착력이 약화되며, 이렇게 접착력이 약화된 상태에서 상기 플라스틱 재질의 베이스 기판(109)에서 캐리어 기판(195)을 용이하게 탈착시킬 수 있게 된다.

이러한 캐리어 기판의 탈착 과정을 통해 도 6d에 도시한 바와같이, 상기 캐리어 기판(195)을 탈착시킴으로서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)를 완성하고 있다.

따라서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 경우, 플라스틱 재질의 베이스 기판(109)으로부터 상기 캐리어 기판(195)을 탈착시키기 위해 부가적으로 희생층(도 6c의 197)을 형성하고, 레이저 장치(도 6c의 199)를 통해 레이저 빔(도 6c의 LB)을 조사하는 공정을 더욱 필요로 하고 있다.

하지만, 도 7a 내지 도 7d(본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계 중 소자기판으로부터 캐리어 기판을 탈착하는 단계를 나타낸 공정 단면도)에 도시한 바와같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201)의 경우, 소자기판(110)의 베이스 기판(209)이 SiO₂ 55 내지 65wt%, Al₂O₃ 13 내지 18wt%, B₂O₃ 8 내지 13wt%, 그리고 부가물로서 MgO, CaO, SrO 및 BaO를 합한 함량은 10 내지 20wt%로 이루어진 것을 특징으로 하는 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질로 이루어지고 있다.

따라서, 도 7a 및 도 7b에 도시한 바와같이, 투명한 절연재질 일례로 유리재질 이루어진 캐리어 기판(195) 상에 점착층(198)을 개재하여 유리재질의 베이스 기판(209)을 부착시킨 상태에서, 도 7c에 도시한 바와같이, 상기 베이스 기판(209) 상에 어레이 소자(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)를 형성하는 공정과, 선택적으로 다중층 또는 단일층 구조의 보호막(160)을 형성하는 공정과 페이스 씰(190)을 코팅하는 공정 및 특정 두께와 특정 조성물 및 조성비를 갖는 유리재질의 대향기판(170)을 합착하는 공정을 진행한다.

이후, 도 7c 및 도 7d에 도시한 바와같이, 레이저 빔 조사 등의 공정 진행없이 간단히 상기 캐리어 기판(195)을 상기 유리재질의 베이스 기판(209)과 분리함으로서 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 완성할 수 있다.

이렇게 캐리어 기판(195)의 탈착이 용이한 이유는, 상기 캐리어 기판(195)과 베이스 기판(209)은 모두 유리재질이며, 나아가 상기 캐리어 기판(195)과 유리재질의 베이스 기판(209) 사이에 개재된 점착층(198)은 그 점착력이 적절히 조절되어 포스트 잇 정도의 점착력을 가지거나, 또는 소정의 열 처리 공정에 의해 그 점착력이 매우 저감될 수 있기 때문이다.

한편, 유리재질의 베이스 기판(209)은 캐리어 기판(195)의 탈착 시 플라스틱 재질의 베이스 기판(도 6c의 109)과는 달리 뜯김 등의 손상이 발생될 여지가 없다.

따라서 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201)의 경우, 베이스 기판(209)으로부터 캐리어 기판(195)의 탈착 시 발생되는 뜯김, 찢어짐 등의 불량을 원천적으로 억제함으로서 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

나아가 레이저 장치(도 6c의 199)를 이용한 레이저 빔(도 6c의 LB) 조사 등을 필요로 하지 않으므로 공정 단순화를 통해 제조 비용을 저감시킬 수 있는 효과를 갖는다.

본 발명은 전술한 실시예 및 변형예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

101 : 유기전계 발광소자 109 : 베이스 기판
110 : 소자기판 113 : 폴리실리콘의 반도체층
113a, 113b : 제 1, 2 영역 116 : 게이트 절연막
120 : 게이트 전극 123 : 층간절연막
125 : 반도체층 콘택홀 133 : 소스 전극
136 : 드레인 전극 140 : 보호층
143 : 드레인 콘택홀 147 : 제 1 전극
150 : 뱅크 155 : 유기 발광층
158 : 제 2 전극 170 : 대향기판
190 : 페이스 씰 DA : 구동영역
DTr : 구동 박막트랜지스터 P : 화소영역

Claims (8)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 다수의 화소영역이 정의된 소자기판과, 상기 소자기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와, 상기 유기전계 발광 다이오드 위에 구비된 페이스 씰과, 상기 페이스 씰과 접촉 부착되며, SiO₂ 55 내지 65wt%, Al₂O₃ 13 내지 18wt%, B₂O₃ 8 내지 13wt%, 그리고 부가물로서 MgO, CaO, SrO 및 BaO를 합한 함량은 10 내지 20wt%인 조성물 및 조성비를 가지고 산소 투과율은 1.E-02(㏄/㎡·day) 이하이고 수분 투과율은 7*1.E-06(g/㎡·day) 이하인 유리재질로 이루어지며 제 1 두께를 갖는 대향기판을 포함하며, 상기 소자기판 또한 상기 대향기판을 이루는 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조 방법에 있어서,
   투명한 유리재질의 캐리어 기판상에 레이저 조사 공정 없이 열 처리 공정 또는 물리적인 힘으로 탈착 가능한 점착층을 개재하여 상기 소자기판을 부착시키는 단계와;
   상기 소자기판의 상부에 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드를 형성하고, 상기 유기전계 발광 다이오드 위에 페이스 씰을 도포하는 단계와;
   상기 페이스 씰과 접촉하도록 상기 대향기판을 접착하는 단계와;
   상기 소자기판으로부터 상기 캐리어 기판을 레이저 조사 공정 없이 열 처리 공정 또는 물리적인 힘으로 탈착시키는 단계
   를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.
   
   
   
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