JP2011091631A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 時間及び手間を要し、かつ、コストが嵩む煩雑な調整工程等を設けることなく、容易に、周波数及び頂点温度のばらつきを抑制する。
【解決手段】 膜厚のばらつきによる頂点温度のばらつきが補償されるように、基板1の中心部領域S1と、中間部領域S2と、周縁部領域S3とで、膜厚が比較的厚くなる中心部領域でメタライズ比(伝搬路λ/2内における金属の占める割合)が小さく、膜厚が比較的薄くなる周縁部領域でメタライズ比が大きくなるように、櫛形電極を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 膜厚のばらつきによる頂点温度のばらつきが補償されるように、基板1の中心部領域S1と、中間部領域S2と、周縁部領域S3とで、膜厚が比較的厚くなる中心部領域でメタライズ比(伝搬路λ/2内における金属の占める割合)が小さく、膜厚が比較的薄くなる周縁部領域でメタライズ比が大きくなるように、櫛形電極を形成する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、例えば、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)等の弾性波を励振可能な弾性表面波素子の製造方法に関する。
近年、弾性表面波素子は、通信分野等で広く利用され、例えば、共振子や、帯域フィルタ等に用いられている。こうした弾性表面波素子の製造方法は、水晶等の圧電性の基板(ウェハ)上に、櫛形電極(簾状電極)を複数形成する工程を含んでいる(例えば、特許文献1等参照。)。
ところが、製造装置の能力により、基板上の櫛形電極の膜厚の分布を、正確に一様とすることが困難であるため、周波数特性にばらつきが生じ、歩留りが悪化してしまう。一例として、櫛形電極の膜厚が、基板(ウェハ)の中央部において厚く、周縁部で薄くなるように分布する場合がある。この場合、図8に示すように、基板上の位置(中心からの動径方向の位置r)に対応して、周波数が曲線h0に示すように、変化してしまう。
このため、周波数偏差をキャンセルするように、膜厚分布に応じて、櫛形電極の電極指のピッチ(=λ(λ:弾性表面波の波長))を異らせて電極パターンを形成する技術が提案されている。例えば、図8にあげた例の場合で考えると、基板の中心部(r<ra)と、中間部(ra≦r≦rb)と、周縁部(r>rb)とで、電極指のピッチが、中心部で小さく、周縁部で大きくなるように、櫛形電極を形成する。
すなわち、基板の中心部(r<ra)においては、図10に示すように、圧電性基板101上に、櫛形電極102,103が形成される。櫛形電極102(103)の電極指102a(103a)のピッチpa、及び電極指102a,103aの間隔qaは、ともに比較的小さく設定される。
また、中間部(ra≦r≦rb)においては、図11に示すように、圧電性基板101上に、櫛形電極104,105が形成される。櫛形電極104(105)の電極指104a(105a)のピッチpb、及び電極指104a,105aの間隔qbは、ともにピッチpa、及び間隔qaよりも大きく(pb>pa、qb>qa)設定される。
また、周縁部(r>rb)においては、図12に示すように、圧電性基板101上に、櫛形電極106,107が形成される。櫛形電極106(107)の電極指106a(107a)のピッチpc、及び電極指106a,107aの間隔qcは、ともにピッチpb、及び間隔qbよりも大きく(pc>pb、qc>qb)設定される。なお、電極指102a(103a),104a(105a),106a(107a)の幅ma,mb,mcは、略同一とされる。
これにより、図9に示すように、r<raで、曲線h0が曲線haに、周波数が高い方へシフトし、r>rbで、曲線h0が曲線hcに、周波数が低い方へシフトし、ra≦r≦rbにおける曲線hbとともに、周波数のずれが小範囲内に抑えられ、全領域に亘って周波数のばらつきが低減される。
しかしながら、周波数のばらつきは低減されるものの、電極指のピッチを異らせて電極パターンを形成することにより、規格化膜厚のばらつきが増大し、頂点温度(周波数温度特性(温度と中心周波数との間の関係)で中心周波数が最大となる温度)のばらつきを新たに引き起こしてしまう。
このため、膜厚分布に応じて、櫛形電極をその電極指のピッチを異ならせて形成する代わりに、電極パターンを形成した後に、プラズマを用いてエッチングする技術が提案されている。この技術では、図13に示すように、基板109に櫛形電極111を形成して、容器112内に収容し、CF4プラズマ114によって、エッチングを行う。ここで、膜厚分布に応じて、エッチングマスク113を取り換えながら、複数回の周波数調整を行う必要がある。
上記従来技術では、時間及び手間を要し、かつ、コストが嵩む煩雑な調整工程が不可欠であるという問題がある。
この発明は、前記の課題を解決し、例えば、煩雑な調整工程等を設けることなく、容易に、周波数及び頂点温度のばらつきを抑制することができる弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的としている。
前記の課題を解決するために、請求項1の発明は、圧電性の基板上に電極を形成する電極形成工程を含む弾性表面波素子の製造方法であって、前記電極形成工程で、前記基板の電極形成位置に応じて、前記電極を、メタライズ比を異らせて形成することを特徴としている。
請求項2の発明は、請求項1記載の弾性表面波素子の製造方法であって、前記電極形成工程で、前記電極の膜厚又は規格化膜厚の変化による少なくとも周波数温度特性の変化が補償されるように、前記基板の電極形成位置に応じて、前記電極を、メタライズ比を異ならせて形成することを特徴としている。
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の弾性表面波素子の製造方法であって、前記電極形成工程で、前記基板の中心部から周縁部に向かって、メタライズ比が増加するように、前記電極を形成することを特徴としている。
請求項4の発明は、請求項2又は3記載の弾性表面波素子の製造方法であって、前記電極形成工程で、前記基板上に、複数の電極指を有する櫛形の電極を複数対形成し、前記膜厚又は前記規格化膜厚のばらつきによる頂点温度のばらつきが補償されるように、前記基板の中心部領域には、メタライズ比が比較的小さくなるように前記電極を形成し、前記基板の周縁部領域には、メタライズ比が比較的大きくなるように前記電極を形成するとともに、各前記電極を、前記電極指のピッチが、前記電極形成位置によらず略同一となるように形成することを特徴としている。
本発明によれば、基板の電極層形成位置に応じて、電極を、メタライズ比を異ならせて形成するので、例えば、電極の膜厚又は規格化膜厚の変化による少なくとも周波数温度特性の変化が補償されるように、メタライズ比を異ならせて電極を形成することによって、例えば、頂点温度のばらつきを抑制することができる。
次に、この発明の実施の形態について、図面を用いて詳しく説明する。
図1は、この発明の一実施の形態に係る基板の構成を示す平面図、図2は、同基板を用いて製造される弾性表面波素子の主要部の構成を示す断面図、図3乃至図5は、同弾性表面波素子の主要部の構成を示す平面図、図6は、弾性表面波素子における規格化膜厚と頂点温度との間の関係を示す示性図、図7は、弾性表面波素子におけるメタライズ比と頂点温度との間の関係を示す示性図である。
図1及び図2に示すように、この実施の形態の弾性表面波素子の製造方法は、圧電性の基板(ウェハ)1上に櫛形電極を形成する工程を含み、膜厚分布に応じて、すなわち、基板1上の電極形成位置に応じて、櫛形電極を、そのメタライズ比α(α=m/(m+s))を異ならせて形成する。ここで、mは、櫛形電極の電極指2a(3a)の幅、sは、電極指2a,3a間の間隙の幅であり、メタライズ比は、伝搬路λ/2内における金属の占める割合として定義される。
また、櫛形電極の電極指2a(3a)のピッチ(電極周期)p、及び電極指2a,3aの間隔qは、基板1上の全電極形成領域に亘って略一定に設定する。また、圧電性の基板1の材料としては、例えば、水晶が用いられる。また、櫛形電極の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)が用いられる。
この実施の形態では、膜厚(規格化膜厚)のばらつきによる頂点温度(周波数温度特性(温度と中心周波数との間の関係)で中心周波数が最大となる温度)のばらつきが補償されるように、櫛形電極を、そのメタライズ比αを異ならせて形成する。例えば、基板1の中心部領域S1(0≦r<r1)と、中間部領域S2(r1≦r≦r2)と、周縁部領域S3(r2<r≦r3)とで、メタライズ比を、中心部領域で小さく、周縁部領域で大きくなるように、櫛形電極を形成する。
すなわち、基板1の中心部領域S1(0≦r<r1)においては、図3に示すように、圧電性の基板1上に、櫛形電極4,5が形成される。櫛形電極4(5)の電極指4a(5a)の幅m1は、比較的小さく、電極指4a,5a間の間隙の幅s1は、比較的大きく設定される。こうして、メタライズ比α1(α1=m1/(m1+s1))は、比較的小さく設定される。
また、中間部領域S2(r1≦r≦r2)においては、図4に示すように、圧電性の基板1上に、櫛形電極6,7が形成される。櫛形電極6(7)の電極指6a(7a)の幅m2は、幅m1よりも大きく、電極指6a,7a間の間隙の幅s2は、幅s1よりも小さく設定される。こうして、メタライズ比α2(α2=m2/(m2+s2))は、メタライズ比α1よりも大きく設定される。
また、周縁部領域S3(r2<r≦r3)においては、図5に示すように、圧電性の基板1上に、櫛形電極8,9が形成される。櫛形電極8(9)の電極指8a(9a)の幅m3は、幅m2よりも大きく、電極指8a,9a間の間隙の幅s3は、幅s2よりも小さく設定される。こうして、メタライズ比α3(α3=m3/(m3+s3))は、メタライズ比α2よりも大きく設定される。
なお、図3乃至図5に示すように、電極指4a(5a),6a(7a),8a(9a)のピッチp1,p2,p3、及び電極指4a,5a、電極指6a,7a、電極指8a,9aの間隔q1,q2,q3は、基板1上の全形成領域に亘って略一定に設定される。
メタライズ比が異なる櫛形電極4,5、櫛形電極6,7、櫛形電極8,9は、例えば、圧電性の基板1上に、マスク蒸着や、フォトリソグラフィ等によって、同時に形成される。なお、基板(ウェハ)上に複数の弾性表面波素子が形成されてから、ダイシングにより個片化される。
次に、上述した櫛形電極の形成方法を採用した根拠について説明する。頂点温度は、規格化膜厚(h/λ、h:膜厚、λ:弾性表面波の波長)と、メタライズ比と、基板(ウェハ)の切断方向とにより決定される。発明者は、規格化膜厚を変化させて頂点温度を求め、規格化膜厚と頂点温度との間の関係について、図6の直線d1に示す結果を得た。これにより、従来技術で述べた頂点温度のばらつきは、規格化膜厚のばらつきの増大によって生じることがわかる。
そこで、発明者は、規格化膜厚のばらつきによる頂点温度のばらつきは、メタライズ比と、基板(ウェハ)の切断方向とによって補償されると考えた。頂点温度は、基板面内で一様に変化するため、基板切断方向による補償は適さない。一方、メタライズ比が電極形成領域によって異なる電極パターンを、配置することは可能である。
発明者は、メタライズ比を変化させて頂点温度を求め、メタライズ比と頂点温度との間の関係について、図7の直線d2に示す結果を得た。図6及び図7を参照してもわかる通り、規格化膜厚のばらつきによる頂点温度のばらつきは、メタライズ比を変化させることによって補償(キャンセル)される。
したがって、例えば、基板1の中心部領域S1と、中間部領域S2と、周縁部領域S3とで、メタライズ比を、膜厚が比較的厚くなる中心部領域S1でメタライズ比が小さく、膜厚が比較的薄くなる周縁部領域S3でメタライズ比が大きくなるように、櫛形電極を形成すればよいことがわかる。
こうして、この実施の形態の構成によれば、基板1の中心部領域S1と、中間部領域S2と、周縁部領域S3とで、メタライズ比を、膜厚が比較的厚くなる中心部領域でメタライズ比が小さく、膜厚が比較的薄くなる周縁部領域でメタライズ比が大きくなるように、櫛形電極を形成するので、頂点温度のばらつきが補償され、膜厚(規格化膜厚)のばらつきによる周波数及び頂点温度のばらつきを容易に抑制し、歩留まりを向上させることができる。また、電極形成後に、煩雑な調整工程等を設ける必要がないので、無用な時間及び手間を低減し、かつ、コスト上昇を抑えることができる。
以上、この発明の実施の形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。上述した実施の形態では、基板の電極形成領域を3領域に分けたが、4領域以上としても良いし、2領域としても良い。また、圧電性の基板の材料として、水晶を用いる場合について述べたが、水晶のほか、LiTaO3や、LiNbO3、Li2B4O7等を用いても良い。また、櫛形電極は、例えば、圧電性の基板上に、SiO2から成る絶縁層を形成し、レジストをパターニングした後、絶縁層をエッチングし、更に電極層を積層して、リフトオフによりレジスト上の電極層を除去して形成しても良い。また、圧電性の基板と電極との間に保護膜を形成しても良い。
電極の材料として、アルミニウムのほか、例えば、アルミニウムを含む合金や、銅(Cu)等を用いる場合に適用できる。
1 基板
4,5,6,7,8,9 櫛形電極(電極)
2a,3a,4a,5a,6a,7a,8a,9a 電極指
S1 中心部領域
S2 中間部領域
S3 周縁部領域
4,5,6,7,8,9 櫛形電極(電極)
2a,3a,4a,5a,6a,7a,8a,9a 電極指
S1 中心部領域
S2 中間部領域
S3 周縁部領域
Claims (4)
- 圧電性の基板上に電極を形成する電極形成工程を含む弾性表面波素子の製造方法であって、
前記電極形成工程で、前記基板の電極形成位置に応じて、前記電極を、メタライズ比を異らせて形成することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。 - 前記電極形成工程で、前記電極の膜厚又は規格化膜厚の変化による少なくとも周波数温度特性の変化が補償されるように、前記基板の電極形成位置に応じて、前記電極を、メタライズ比を異ならせて形成することを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子の製造方法。
- 前記電極形成工程で、前記基板の中心部から周縁部に向かって、メタライズ比が増加するように、前記電極を形成することを特徴とする請求項1又は2記載の弾性表面波素子の製造方法。
- 前記電極形成工程で、前記基板上に、複数の電極指を有する櫛形の電極を複数対形成し、前記膜厚又は前記規格化膜厚のばらつきによる頂点温度のばらつきが補償されるように、前記基板の中心部領域には、メタライズ比が比較的小さくなるように前記電極を形成し、前記基板の周縁部領域には、メタライズ比が比較的大きくなるように前記電極を形成するとともに、各前記電極を、前記電極指のピッチが、前記電極形成位置によらず略同一となるように形成することを特徴とする請求項2又は3記載の弾性表面波素子の製造方法。
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JP2009243561A JP2011091631A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 弾性表面波素子の製造方法 |
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