JP2011088369A - 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 - Google Patents
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Abstract
びに圧電素子を提供する。
【解決手段】ノズル開口21に連通する圧力発生室12が設けられた流路形成基板10と
、前記流路形成基板10上に設けられた振動板と、前記振動板上に設けられた圧電素子3
00とを有する液体噴射ヘッドであって、前記圧電素子300は、前記振動板上に形成さ
れニッケル酸ランタン(LNO)を含む第1LNO層61と、前記第1LNO層61上に
形成された配線層62と、前記配線層62上に形成されニッケル酸ランタンを含む第2L
NO層63とからなる第1電極60と、前記第1電極60上に形成された圧電体層70と
、前記圧電体層70上に形成された第2電極80とを有するものとする。
【選択図】図3
Description
層に電圧を印加する電極を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並
びに圧電素子に関する。
圧電材料を2つの電極で挟んで構成されたものがある。このような圧電素子は、例えば撓
み振動モードのアクチュエーター装置として液体噴射ヘッドに搭載される。液体噴射ヘッ
ドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一
部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧
してノズル開口からインク滴として吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。この
ようなインクジェット式記録ヘッドに搭載される圧電素子は、例えば、振動板の表面全体
に亘って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィー法
により圧力発生室に対応する形状に切り分けて圧力発生室毎に独立するように圧電素子を
形成したものがある。
繰り返し駆動されるため、振動板から電極が剥離する、すなわち、振動板から圧電素子が
剥離する虞があるという問題がある。このような問題に対して、振動板上にチタン酸化膜
からなる密着層を形成しその上に電極を設けることにより密着性を向上させる技術が開示
されている(特許文献1参照)。
れている。なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘ
ッドに限定されず、他の装置に搭載されるアクチュエーター装置等の圧電素子においても
同様に存在する。
ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。
路形成基板と、前記流路形成基板上に設けられた振動板と、前記振動板上に設けられた圧
電素子と、を有する液体噴射ヘッドであって、前記圧電素子は、前記振動板上に形成され
ニッケル酸ランタンを含む第1LNO層と、前記第1LNO層上に形成された配線層と、
前記配線層上に形成されニッケル酸ランタンを含む第2LNO層と、からなる第1電極と
、前記第1電極上に形成された圧電体層と、前記圧電体層上に形成された第2電極と、を
有することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、酸化膜等で形成された振動板と振動板上に形成された第1電極との密
着力が優れた圧電素子を有する液体噴射ヘッドとなる。
動板との密着力に優れ且つ導電性に優れた電極を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッ
ドとなる。
。これによれば、配線層を白金層及び酸化イリジウム層を有するものとすることにより、
配線層と振動板との密着力がさらに優れたものとなる。
るものとしてもよい。これによれば、振動板との密着力に優れた圧電素子を有し且つ絶縁
性に優れた振動板を有する液体噴射ヘッドとなる。
れば、振動板との密着力に優れ且つ変位量等の圧電特性に優れた圧電素子を有する液体噴
射ヘッドとなる。
、40nm以上であると、振動板との密着力が特に優れた圧電素子を有する液体噴射ヘッ
ドとなる。
ある。かかる態様では、振動板と振動板上に形成された第1電極との密着力が優れた圧電
素子を有する液体噴射ヘッドを具備するため、耐久性及び信頼性に優れた液体噴射装置と
なる。
LNO層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成されニッケル酸ランタンを含む第
2LNO層とからなる第1電極と、前記第1電極上に形成された圧電体層と、前記圧電体
層上に形成された第2電極とを有することを特徴とする。これによれば、酸化膜等の振動
板上に圧電素子を設けた際に、振動板との密着力に優れる。
図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録
ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3は図2の
A−A′断面図(図3(a))及び要部拡大図(図3(b))である。
なり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。
流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、
流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連
通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及
び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のリザーバー部
31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバーの一部を構成する。
インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧
力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では
、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞
ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向か
ら絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、
圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設け
られていることになる。
対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や
熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラ
スセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
0が形成され、この弾性膜50上には、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55が形成さ
れている。なお、絶縁体膜55は酸化ジルコニウムに限定されず、例えばイットリア安定
化ジルコニア、酸化セリウム、酸化チタン、酸化アルミ、酸化マグネシウム、酸化セリウ
ム、酸化ベリリウム、酸化カルシウム等でもよい。
.3〜1.5μmの薄膜の圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧電素
子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び
第2電極80を含む部分をいう。すなわち、本実施形態においては、振動板が酸化物から
なる弾性膜50及び絶縁体膜55で構成され、この振動板上に圧電素子300が形成され
ている。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及
び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第
1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極
としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、
圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアク
チュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50及び絶縁体膜55を振動
板としたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、絶縁体膜55を設けずに弾性
膜50のみを振動板としてもよく、また、弾性膜50を設けずに絶縁体膜55のみを振動
板としてもよい。例えば、弾性膜50のみを振動板とした場合、絶縁体膜55を設けた場
合よりも剛性が低いため、変位量を大きくすることができる。
55側から順に、ニッケル酸ランタンを含む第1LNO層61と、第1LNO層61上に
形成され導電性を担う配線層62と、配線層62上に形成されニッケル酸ランタンを含む
第2LNO層63が積層されたものである。このような構成の第1電極60とすることに
より、振動板と振動板上に形成された第1電極60との密着力が優れた圧電素子300と
なる。
iO3、La3Ni2O6、LaNiO2、La2NiO4、La3Ni2O7、La4
Ni3O10等が挙げられる。
ム層、これら白金層と酸化イリジウム層の積層構造が挙げられる。そして、配線層62が
白金層を有する場合、白金層は(111)面に優先配向していることが好ましい。振動板
と圧電素子との密着力がより高くなるためである。なお、「(111)に優先配向してい
る」とは、全ての結晶が(111)面に配向している場合と、ほとんどの結晶(例えば、
90%以上)が(111)面に配向している場合とを含むものである。
厚さが40nm以上であることが好ましい。40nm以上では、後述する実施例に示すよ
うに、振動板との密着性が特に高くなるためである。なお、配線層62や第2LNO層6
3の厚さも特に制限はなく、たとえば、配線層62は30〜100nm程度、第2LNO
層63は10〜100nm程度とすればよい。
ZT)等の鉛を有する強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、
ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、
チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸バリウムストロンチウム((Ba,Sr)
TiO3)、マグネシウム酸ニオブ酸鉛(PMN)とチタン酸鉛(PT)との固溶体等で
もよい。圧電体層70は、ペロブスカイト構造、すなわちABO3型構造の複合酸化物で
あることが好ましい。また、圧電体層70は、(100)面に優先配向していることが好
ましい。なお、ペロブスカイト構造は、Aサイトは酸素が12配位しており、また、Bサ
イトは酸素が6配位して8面体(オクタヘドロン)をつくっている構造である。
また、第2電極80の材質も特に限定されないが、例えば、白金等で形成すればよい。
1とすることにより、弾性膜50や絶縁体膜55などの振動板と第1電極60との密着力
はある程度向上する。しかし、配線層62の圧電体層70側に第2LNO層63を設けな
い場合は、圧電体層70を構成する金属、例えば圧電体層70がペロブスカイト型構造で
あれば鉛やビスマス等のAサイトに位置する元素が、配線層62や振動板まで拡散して配
線層62や振動板に欠陥が形成されるためか、配線層62や振動板が不安定になって第1
電極60と振動板との密着力が低下する。なお、配線層62が(100)面に配向してい
ると圧電体層70を構成する金属が拡散しやすくなるためか、配線層62が(111)面
に配向している場合よりも密着力が低下する。
NO層63の二つのニッケル酸ランタンの層で配線層62を挟む構造とすることにより、
第1LNO層61で鉛など圧電体層70を構成する金属の拡散が防止されて、後述する実
施例に示すように、第1電極60と振動板との密着力が顕著に優れたものとなる。
する層としたので、この二つのLNO層から配線層62へニッケル等の金属が拡散したと
しても拡散するのは同じ金属種であるため、配線層62に種々の金属が拡散することによ
り生じる配線層62の不安定化が防止できる。したがって、密着力がより向上する。
、例えば、以下の方法で製造することができる。まず、シリコンウェハーである流路形成
基板用ウェハーの表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン(SiO2)等からなる二
酸化シリコン膜を形成する。次いで、弾性膜50(二酸化シリコン膜)上に、酸化ジルコ
ニウム等からなる絶縁体膜55を形成する。
ンタンからなる第1LNO層61を形成する。第1LNO層61の形成方法は特に制限は
なく、例えば、スパッタリング法、レーザーアブレーション法やMOCVD法等が挙げら
れる。次いで、第1LNO層61上に、配線層62をスパッタリング法等により全面に形
成する。その後、スパッタリング法、レーザーアブレーション法やMOCVD法等により
、ニッケル酸ランタンからなる第2LNO層63を形成した後パターニングして、第1L
NO層61、配線層62及び第2LNO層63からなる第1電極60を形成する。
限定されないが、例えば、有機金属化合物を溶媒に溶解・分散したゾルを塗布乾燥してゲ
ル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆる
ゾル−ゲル法を用いて圧電体層70を形成できる。なお、圧電体層70の製造方法は、ゾ
ル−ゲル法に限定されず、例えば、MOD(Metal−Organic Decomp
osition)法などの液相法や、PVD法、CVD法などを用いてもよい。
有機金属化合物を含むゾルやMOD溶液(前駆体溶液)を、スピンコート法などを用いて
、塗布して圧電体前駆体膜を形成する(塗布工程)。
む有機金属化合物を、各構成金属が所望のモル比となるように混合し、該混合物をアルコ
ールなどの有機溶媒を用いて溶解または分散させたものである。圧電材料の構成金属を含
む有機金属化合物としては、例えば、金属アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体など
を用いることができる。具体的には、例えば、以下のものが挙げられる。鉛(Pb)を含
む有機金属化合物としては、例えば酢酸鉛などが挙げられる。ジルコニウム(Zr)を含
む有機金属化合物としては、例えばジルコニウムアセチルアセトナート、ジルコニウムテ
トラアセチルアセトナート、ジルコニウムモノアセチルアセトナート、ジルコニウムビス
アセチルアセトナート等が挙げられる。チタニウム(Ti)を含む有機金属化合物として
は、例えばチタニウムアルコキシド、チタニウムイソプロポキシド等が挙げられる。
定時間乾燥させる(乾燥工程)。次に、乾燥した圧電体前駆体膜を所定温度に加熱して一
定時間保持することによって脱脂する(脱脂工程)。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体
前駆体膜に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させるこ
とである。
持することによって結晶化させ、圧電体膜を形成する(焼成工程)。乾燥工程、脱脂工程
及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱す
るRTA(Rapid Thermal Annealing)装置やホットプレート等
が挙げられる。
び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返すことにより、複数層の圧電体膜からな
る圧電体層を形成してもよい。
電極80を積層し、圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして圧電素子3
00を形成する。
。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成するこ
とができ、かつ、圧電体層70の結晶性をさらに改善することができる。
に限定されるものではない。
まず、シリコン基板の表面に熱酸化により二酸化シリコン膜を形成した。次に、二酸化
シリコン膜上にジルコニウムをスパッタ法により成膜した後熱酸化することにより、厚さ
10nmの酸化ジルコニウム膜を形成した。
3からなる第1LNO層を形成した。次に、第1LNO層上にDCスパッタ法により膜厚
80nmの白金膜を形成した。なお、この白金膜を広角X線回折法によって測定したとこ
ろ、(111)面に単一配向(配向率100%)を示した。次いで、この白金膜上にRF
スパッタ法により、厚さ40nmのLaNiO3からなる第2LNO層を形成した。
は以下のとおりである。まず、酢酸鉛3水和物(Pb(CH3COO)2・3H2O)、
チタニウムイソプロポキシド(Ti[OCH(CH3)2]4)、ジルコニウムアセチル
アセトナート(Zr(CH3COCHCOCH3)4)を主原料とし、ブチルセロソルブ
(C6H14O6)を溶媒とし、ジエタノールアミン(C4H11NO2)を安定剤とし
、ポリエチレングリコール(C2H6O6)を増粘剤として混合した前駆体溶液を、第1
電極60上にスピンコートにより塗布して、圧電体前駆体膜を形成した(塗布工程)。な
お、前駆体溶液は、酢酸鉛3水和物:チタニウムイソプロポキシド:ジルコニウムアセチ
ルアセトナート:ブチルセロソルブ:ジエタノールアミン:ポリエチレングリコール=1
.1:0.44:0.56:3:0.65:0.5(モル比)の割合で混合した。また、
酢酸鉛3水和物は蒸発による減少を考慮して10%過剰に加えている。次に80℃(乾燥
工程)及び360℃(脱脂工程)の熱処理を経た後、700℃で焼成し圧電体前駆体膜を
結晶化させて、厚さ1300nmのチタン酸ジルコン酸鉛からなりペロブスカイト構造を
有する圧電体層70を形成した(焼成工程)。
て圧電素子300を形成した。
第1LNO層の厚さを40nmとした以外は、実施例1と同様の操作を行った。
白金膜の上にDCスパッタ法により膜厚10nmのイリジウム膜を形成し、このイリジ
ウム膜の上に第2LNO層を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。なお、得
られた圧電体層の第1電極は、振動板側から順に、第1LNO層、白金層、酸化イリジウ
ム層、第2LNO層となっていた。
第1LNO層の厚さを40nmとした以外は、実施例3と同様の操作を行った。
第1LNO層及び第2LNO層を設けず、白金膜の厚さを130nmとした以外は、実
施例1と同様の操作を行った。
第1LNO層の代わりに厚さ40nmの酸化チタン層を設けた以外は、実施例1と同様
の操作を行った。
実施例1〜4及び比較例1〜2の圧電素子の振動板との密着力を測定した。具体的には
、第2電極80および圧電体層70をドライエッチングで除去し、第1電極60を露出さ
せた状態で、第1電極60上に、エポキシ樹脂を用いてスタッドピンを固定し、150℃
で1時間加熱乾燥させた後、スタッドピンをセバスチャン法で引き抜き試験を行い、二酸
化シリコン膜及び酸化ジルコニウム膜で形成された振動板と第1電極とが剥離した際の力
を密着力とした。各実施例1〜4及び比較例1〜2について、それぞれ6箇所測定した。
密着力の平均値を表1に示す。
電素子との密着力が高かった。配線層を白金層と酸化イリジウム層の積層体とした実施例
3及び4は、特に密着力が高く、また、ばらつきも小さかった。一方、LNO層を設けな
かった比較例1は、密着力が非常に低かった。これは、鉛が白金膜からなる配線層に拡散
したためと考えられる。また、第1LNO層を設けなかった比較例2は、比較例1よりは
密着力が高かったが、実施例1〜4と比較して密着力は半分以下程度と低かった。
の端部近傍から引き出され、絶縁体膜55上にまで延設される、例えば、金(Au)等か
らなるリード電極90が接続されている。
、絶縁体膜55及びリード電極90上には、リザーバー100の少なくとも一部を構成す
るリザーバー部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このリ
ザーバー部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12
の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通さ
れて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバー100を構成している。また、
流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、リザーバー部31
のみをリザーバーとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12の
みを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材(例えば、弾性膜50
、絶縁体膜55等)にリザーバーと各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設
けるようにしてもよい。
害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32
は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封
されていても、密封されていなくてもよい。
ば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板
10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
いる。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔
33内に露出するように設けられている。
0が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路
(IC)等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボン
ディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続され
ている。
イアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する
材料からなり、この封止膜41によってリザーバー部31の一方面が封止されている。ま
た、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のリザーバー1
00に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザ
ーバー100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバー100からノズル開
口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧
力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、
弾性膜50、絶縁体膜55、第1電極60及び圧電体層70を撓み変形させることにより
、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。本発明に
おいては、弾性膜50や絶縁体膜55などの振動板と、第1電極60との密着性が優れて
いるので、たわみ変形させた際の圧電素子300の振動板からの剥離が抑制されるため、
耐久性及び信頼性に優れたインクジェット式記録ヘッドとなる。
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定さ
れるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン
単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料
を用いるようにしてもよい。
するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録
装置に搭載される。図4は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A
及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリ
ッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられてい
る。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及
びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキ
ャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5
に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙
等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになって
いる。
ッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、イ
ンク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体
噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッ
ド、液晶ディスプレー等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機E
Lディスプレー、FED(電界放出ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴
射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
る圧電素子に限られず、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧力センサ
ー等他の装置に搭載される圧電素子にも適用することができる。
装置(液体噴射装置)、 10 流路形成基板、 12 圧力発生室、 13 連通部、
14 インク供給路、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30 保護基
板、 31 リザーバー部、 32 圧電素子保持部、 40 コンプライアンス基板、
60 第1電極、 61 第1LNO層、 62 配線層、 63 第2LNO層、
70 圧電体層、 80 第2電極、 90 リード電極、 100 リザーバー、 1
20 駆動回路、 300 圧電素子
Claims (8)
- ノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板と、前記流路形成基板上に
設けられた振動板と、前記振動板上に設けられた圧電素子と、を有する液体噴射ヘッドで
あって、
前記圧電素子は、前記振動板上に形成されニッケル酸ランタンを含む第1LNO層と、
前記第1LNO層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成されニッケル酸ランタン
を含む第2LNO層と、からなる第1電極と、
前記第1電極上に形成された圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第2電極と、を有することを特徴とする液体噴射ヘッド。 - 前記配線層は、白金を含む白金層を有することを特徴とする請求項1に記載の液体噴射
ヘッド。 - 前記配線層は、さらに酸化イリジウムを含む酸化イリジウム層を有することを特徴とす
る請求項2に記載の液体噴射ヘッド。 - 前記振動板は、酸化ジルコニウム層及び酸化シリコン層の少なくとも一層からなること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。 - 前記圧電体層は、鉛を含有する圧電材料からなることを特徴とする請求項1〜4のいず
れか一項に記載の液体噴射ヘッド。 - 前記第1LNO層の厚さが40nm以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれ
か一項に記載の液体噴射ヘッド。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液
体噴射装置。 - ニッケル酸ランタンを含む第1LNO層と、前記第1LNO層上に形成された配線層と
、前記配線層上に形成されニッケル酸ランタンを含む第2LNO層とからなる第1電極と
、
前記第1電極上に形成された圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第2電極と、を有することを特徴とする圧電素子。
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