JP2011086694A - バンプ形成方法及び配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バンプ形成方法は、基板11上に、バンプ形成用の貫通孔15を形成する工程(工程1)と、基板11の裏面に第1導体層41を積層する積層工程(工程2)と、積層工程の前または後に、貫通孔15内に半田塊25を埋設し、貫通孔15の開口から半田塊25の一部を突出させて基板11の表面に凸部を形成する埋込工程(工程3)と、半田塊25が、半田からなる半田層22と、半田層22の外側に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂層23と、を有し、樹脂層23を加熱溶融して貫通孔15内を埋設しつつ、第1導体層41と半田塊25とを電気的に接続する接続工程(工程4)と、を含む。
【選択図】図3
Description
基板上に、バンプ形成用の貫通孔を形成する工程と、
前記基板の裏面に第1導体層を積層する積層工程と、
前記積層工程の前または後に、前記貫通孔内に半田塊を埋設し、前記貫通孔の開口から前記半田塊の一部を突出させて前記基板の表面に凸部を形成する埋込工程と、
前記半田塊が、半田からなる半田層と、前記半田層の外側に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂と、を有し、前記樹脂を加熱溶融して前記貫通孔内を埋設しつつ、前記第1導体層と前記半田塊とを電気的に接続する接続工程と、
を含み、前記凸部がバンプとして機能することを特徴とするバンプ形成方法が提供される。
基板と、
前記基板を貫通する貫通孔に埋設され、前記基板の表面に突出した半田塊と、
前記半田塊と電気的に接続し、前記基板の裏面に形成された第1導体層と、
を備え、
半田からなる半田層と、前記半田層の外側に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂と、を有した前記半田塊の前記樹脂を加熱溶融して、前記貫通孔内を埋設し、前記半田塊の前記基板の表面に突出した凸部がバンプとして機能するように構成されたことを特徴とする配線基板が提供される。
そのため、半田リフロー接続の際、半田塊の樹脂が加熱溶融され貫通孔内の隙間を埋めることができるとともに、樹脂が流動して半田層が露出されるため、半田塊と基板の裏面の導体層とを接続できる。また、フラックス活性化合物を含有する樹脂により、半田と導体層との接続を良好にできる。これにより、基板の裏面の導体層と、基板の表面側に突出した半田塊とが電気的に接続され、基板の表面にバンプが得られる。したがって、簡便なプロセスでバンプを形成できると共に、良好な電気的接続が得られる。
図1〜3は、本発明の第1実施形態に係るバンプ形成方法の工程の一例を示す工程断面図である。
基板11上に、バンプ形成用の貫通孔15を形成する工程(工程1)と、
基板11の裏面に第1導体層41を積層する積層工程(工程2)と、
積層工程の前または後に、貫通孔15内に半田塊25を埋設し、貫通孔15の開口から半田塊25の一部を突出させて基板11の表面に凸部を形成する埋込工程(工程3)と、
半田塊25が、半田からなる半田層22と、半田層22の外側に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂層23と、を有し、樹脂層23を加熱溶融して貫通孔15内を埋設しつつ、第1導体層41と半田塊25とを電気的に接続する接続工程(工程4)と、を含む。
さらに、本実施形態において、(工程3)と(工程4)との間に、基板11の表面に第2導体層42を積層し、凸部の形状に沿うように第2導体層42を変形させる工程、および(工程4)の後に凸部の形状に沿うように第2導体層42を選択的に除去する工程を含む。以下、各工程について詳述する。
まず、図1(a)に示すように、基板11を準備する。次に、図1(b)に示すように、例えば、エッチング、ドリル加工、レーザー加工などの方法により、基板11を貫通するバンプ形成用の貫通孔15を形成する。
基板11の裏面に、第1絶縁層31及び第1導体層41をこの順で積層する(図1(c)参照)。
次に、図1(c)に示すように、基板11の表面に、振り込み用マスク40を設置する。
次に、図2(b)に示すように、基板11の表面に第2絶縁層32、第2導体層42を積層する。
次に、リフロー炉にて加熱することにより、半田塊252、半田塊251の最外周に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂層23を加熱溶融して、半田層22を露出させる。さらに、半田層22の一部が加熱溶融することにより、第1導体層41と半田塊251とを電気的に接続し、かつ第2導体層42と半田塊252とを電気的に接続する。このとき、半田塊251及び252の最外周に形成された樹脂層23の一部が溶融して広がり、貫通孔15の内部の隙間を埋め込むことができる(図2(c)中の領域16)。さらに、第1絶縁層31、第2絶縁層32が溶融により広がることによって、さらに貫通孔15を隙間なく埋めることができる。また、コア21は、半田層22よりも溶融温度が高いため、半田リフロー時でも溶融せず、半田塊251及び252の熱変形が低減される。
次に、積層板50を取り外し、第1導体層41、第2導体層42それぞれを選択的に除去することにより、所定の回路パターン43、バンプ45をそれぞれ形成する。より具体的には、第1導体層41上に、レジスト層を形成し、レジスト層に所定のパターンを形成し、レジスト層をマスクとして第1導体層41を選択的にエッチングし、回路パターン43を形成する。同様にして第2導体層42を所定のバンプ形状になるように選択的にエッチングし、バンプ45を形成する。このようにして、図3に示すような、配線基板100が得られる。
図4〜6は、本発明の第2実施形態に係るバンプ形成方法の一例を示す工程断面図である。
まず、図4(a)に示すように、基板11を準備する。次に、図4(b)に示すように、例えば、エッチング、ドリル加工、レーザー加工などの方法により、基板11を貫通するバンプ形成用の貫通孔15を形成する。
基板11の裏面に、第1絶縁層31及び第1導体層41をこの順で積層する(図4(c)参照)。
貫通孔15に半田塊25を埋設する方法は、例えば図7に示される方法が用いられる。詳細は後述するが、まず図7に示される方法により半田塊253を貫通孔15に埋設した後、図7に示される方法を繰り返して半田塊254を貫通孔15に埋設する。または、まず図7に示される方法により半田塊253を貫通孔15に埋設した後、図2(a)に示すようにして、振り込み用マスク40上に半田塊254を配置し、基板11全体に振動を与えながら、振り込み用マスク40の開口を通じて貫通孔15に半田塊254を埋設し、振り込み用マスク40上の過剰な半田塊254を、ブレード48により移動させて取り除いてもよい。
次に、リフロー炉にて加熱することにより、半田塊253の最外周に形成された樹脂層23を加熱溶融して、半田層22を露出させる。さらに、半田層22の一部が加熱溶融することにより、第1導体層41、半田塊253及び半田塊254を電気的に接続する。このとき、半田塊253の最外周に形成された樹脂層23の一部が溶融して広がり、貫通孔15の内部の隙間を埋め込むことができる(図5(b)中の領域16)。また、コア21は、半田層22よりも溶融温度が高いため、半田リフロー時でも溶融せず、半田塊253及び254の熱変形が低減される。
15 貫通孔
16 領域
17 貫通孔
21 コア
22 半田層
23 樹脂層
25 半田塊
31 第1絶縁層
32 第2絶縁層
40 マスク
41 第1導体層
42 第2導体層
43 回路パターン
44 導体層
45 バンプ
46 バンプ
48 ブレード
49 フィルム
50 積層板
60 吸着プレート
100 配線基板
200 配線基板
251 半田塊
252 半田塊
253 半田塊
254 半田塊
Claims (13)
- 基板上に、バンプ形成用の貫通孔を形成する工程と、
前記基板の裏面に第1導体層を積層する積層工程と、
前記積層工程の前または後に、前記貫通孔内に半田塊を埋設し、前記貫通孔の開口から前記半田塊の一部を突出させて前記基板の表面に凸部を形成する埋込工程と、
前記半田塊が、半田からなる半田層と、前記半田層の外側に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂と、を有し、前記樹脂を加熱溶融して前記貫通孔内を埋設しつつ、前記第1導体層と前記半田塊とを電気的に接続する接続工程と、
を含み、前記凸部がバンプとして機能することを特徴とするバンプ形成方法。 - 請求項1に記載のバンプ形成方法において、
前記埋込工程と、前記接続工程との間に、前記基板の表面に第2導体層を積層し、前記凸部の形状に沿うように前記第2導体層を変形させる工程、を含み、
前記接続工程において、前記半田塊を、前記第1導体層および前記第2導体層と電気的に接続し、
前記接続工程の後、前記凸部の形状に沿うように前記第2導体層を選択的に除去する工程をさらに含むことを特徴とするバンプ形成方法。 - 請求項1に記載のバンプ形成方法において、
前記埋込工程において、前記半田塊を複数埋設し、前記凸部を形成する半田塊が金属からなることを特徴とするバンプ形成方法。 - 請求項2に記載のバンプ形成方法において、
前記第1導体層が、第1絶縁層を介して前記基板の裏面に積層され、前記第2導体層が、第2絶縁層を介して前記基板の表面に積層されることを特徴とするバンプ形成方法。 - 請求項1乃至4いずれかに記載のバンプ形成方法において、
前記半田層は内部に半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とするバンプ形成方法。 - 請求項1乃至5いずれかに記載のバンプ形成方法において、
前記半田塊の形状は、球状または柱状であることを特徴とするバンプ形成方法。 - 請求項1乃至6いずれかに記載のバンプ形成方法において、
前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とするバンプ形成方法。 - 基板と、
前記基板を貫通する貫通孔に埋設され、前記基板の表面に突出した半田塊と、
前記半田塊と電気的に接続し、前記基板の裏面に形成された第1導体層と、
を備え、
半田からなる半田層と、前記半田層の外側に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂と、を有した前記半田塊の前記樹脂を加熱溶融して、前記貫通孔内を埋設し、前記半田塊の前記基板の表面に突出した凸部がバンプとして機能するように構成されたことを特徴とする配線基板。 - 請求項8に記載の配線基板において、
前記バンプは、第2導体層で覆われていることを特徴とする配線基板。 - 請求項8に記載の配線基板において、
前記半田塊が複数であって、前記基板の表面に突出した半田塊が金属からなることを特徴とする配線基板。 - 請求項9に記載の配線基板において、
前記第1導体層は、第1絶縁層を介して前記基板の裏面上に形成され、前記第2導体層は、第2絶縁層を介して前記基板の表面上に形成されていることを特徴とする配線基板。 - 請求項8乃至11いずれかに記載の配線基板において、
前記半田層は内部に半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とする配線基板。 - 請求項8乃至12いずれかに記載の配線基板において、
前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とする配線基板。
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---|---|---|---|---|
JP2019113574A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-11 | 新光電気工業株式会社 | 光導波路装置、レンズ部品 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60113675U (ja) * | 1984-01-06 | 1985-08-01 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路基板 |
JPH08228075A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Mitsui High Tec Inc | 基板の製造方法 |
JPH11291082A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-26 | Ace Denshi Kogyo Kk | 固型接着半田球およびこの製造方法並びにこれを用いたプリント配線板の実装方法 |
JP2001077497A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Denso Corp | プリント基板及びその製造方法 |
JP2002314245A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Ngk Insulators Ltd | コア基板の製造方法及びその製造方法により製造されたコア基板、そのコア基板を用いた複層コア基板の製造方法及び多層積層基板の製造方法 |
JP2004209852A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | バンプ内蔵型両面銅張り板 |
JP2005038918A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60113675U (ja) * | 1984-01-06 | 1985-08-01 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路基板 |
JPH08228075A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Mitsui High Tec Inc | 基板の製造方法 |
JPH11291082A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-26 | Ace Denshi Kogyo Kk | 固型接着半田球およびこの製造方法並びにこれを用いたプリント配線板の実装方法 |
JP2001077497A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Denso Corp | プリント基板及びその製造方法 |
JP2002314245A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Ngk Insulators Ltd | コア基板の製造方法及びその製造方法により製造されたコア基板、そのコア基板を用いた複層コア基板の製造方法及び多層積層基板の製造方法 |
JP2004209852A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | バンプ内蔵型両面銅張り板 |
JP2005038918A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019113574A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-11 | 新光電気工業株式会社 | 光導波路装置、レンズ部品 |
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