JP2011082870A - 圧電デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】積層構造の圧電デバイスの接合時におけるロウ材の濡れ広がりを防止し、CI値や周波数の変化を防止する圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、振動領域に形成された励振電極26Aと電気的に接続され、外部に電極を引き出すための接続電極25Aを有する圧電素子と、前記接続電極25Aが金属系ロウ材により電気的に接続される外部電極44A、44Bを有する基体と、を備えた圧電デバイスであって、前記圧電素子の圧電基板上には、前記励振電極26Aと前記接続電極25Aとをつなぐ引き出し電極27Aが形成され、前記引き出し電極27Aの表面には、前記励振電極26Aと前記接続電極25Aとを隔てるように、前記引き出し電極27Aよりも濡れ性の低い材料が形成されると共に、前記引き出し電極27Aの表面上の前記材料が前記圧電基板の地肌にまで延出されて形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】圧電デバイスは、振動領域に形成された励振電極26Aと電気的に接続され、外部に電極を引き出すための接続電極25Aを有する圧電素子と、前記接続電極25Aが金属系ロウ材により電気的に接続される外部電極44A、44Bを有する基体と、を備えた圧電デバイスであって、前記圧電素子の圧電基板上には、前記励振電極26Aと前記接続電極25Aとをつなぐ引き出し電極27Aが形成され、前記引き出し電極27Aの表面には、前記励振電極26Aと前記接続電極25Aとを隔てるように、前記引き出し電極27Aよりも濡れ性の低い材料が形成されると共に、前記引き出し電極27Aの表面上の前記材料が前記圧電基板の地肌にまで延出されて形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電素子上に励振電極と電気的に接続された引き出し電極を有し、この引き出し電極と金属系ロウ材で接合される基体を備えた圧電デバイスに関する。
従来、複数の基板を重ねて形成された圧電デバイスがある。図6は従来の圧電デバイスの構成概略図である。(1)に示すように中央の基板100は上下面を凹状に加工して振動領域102を備えた逆メサ形にして、振動領域102の上下に内部空間Sが形成されている。振動領域102の上下面には励振電極104が形成され外部電極106に接続する引き出し電極108と電気的に接続させている。
積層構造の3枚の基板の接着は、振動領域102を備えた基板100を上下面から挟むように上下の基板110,112の接合面に金/錫などの金属系のロウ材114で接合固定している。このときロウ材114は内部空間Sの外周に沿って塗布した後、加熱溶融して基板同士を接合させている。
このような圧電デバイスは引き出し電極108とロウ材114とが接触する構造となっており、水晶板を接合するためにロウ材を加熱溶融すると、金/錫などの金属系のロウ材114は引き出し電極108に濡れ広がって、励振電極104までの距離が短い引き出し電極108の場合、励振電極104まで濡れ広がろうとする虞がある。ロウ材114が励振電極104に付着すると中央の振動領域102の重量が重くなりCI値や周波数が変化して所望の圧電デバイスの特性を得ることができない。
そこで特許文献1では、図6(2)に示すように励振電極200と引き出し電極202とをつなぐ連結電極204の表面に金属系ロウ材206と濡れ性の悪い凸状の材料208が、励振電極200と引き出し電極202とを隔てるように配置させている。このような構成により、金属系ロウ材206が振動領域に付着することを防止でき、優れた振動特性を得ることができる。
しかしながら濡れ性の悪い凸状の材料208となるSiO2は、Au膜との密着性が悪い。また特許文献1には濡れ性の悪い材料は、連結電極を切断しないようにして、連結電極の表面の幅一杯に被膜するように形成されている。このため、連結電極上に配置したSiO2膜が落下衝撃等により剥離する虞がある。パッケージ内で剥離したSiO2膜は、異物となり、励振電極に付着すると、発振周波数が変わり安定した圧電デバイスの特性が得られなくなるという問題がある。
そこで本発明は、上記従来技術の問題点を解決するため、積層構造の圧電デバイスの接合時におけるロウ材の濡れ広がりを防止するとともに、CI値や周波数の変化を防止することができる圧電デバイスを提供することを目的としている。
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]振動領域に形成された励振電極と電気的に接続され、外部に電極を引き出すための接続電極を有する圧電素子と、前記接続電極が金属系ロウ材により電気的に接続される外部電極を有する基体と、を備えた圧電デバイスであって、前記圧電素子の圧電基板上には、前記励振電極と前記接続電極とをつなぐ引き出し電極が形成され、前記引き出し電極の表面には、前記励振電極と前記接続電極とを隔てるように、前記引き出し電極よりも濡れ性の低い材料が形成されると共に、前記引き出し電極の表面上の前記材料が前記圧電基板の地肌にまで延出されて形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
[適用例1]振動領域に形成された励振電極と電気的に接続され、外部に電極を引き出すための接続電極を有する圧電素子と、前記接続電極が金属系ロウ材により電気的に接続される外部電極を有する基体と、を備えた圧電デバイスであって、前記圧電素子の圧電基板上には、前記励振電極と前記接続電極とをつなぐ引き出し電極が形成され、前記引き出し電極の表面には、前記励振電極と前記接続電極とを隔てるように、前記引き出し電極よりも濡れ性の低い材料が形成されると共に、前記引き出し電極の表面上の前記材料が前記圧電基板の地肌にまで延出されて形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
上記構成により濡れ性の低い材料を圧電基板上の地肌まで延出させて、密着性が高まり、落下衝撃等で剥離してパッケージ内で異物が発生することを防止できる。また励振電極に近い引き出し電極からのロウ材の濡れ広がりを止めることができるので、励振電極に付着することによるCI値や周波数の変化を防止することができる。また接続電極から引き出し電極へのロウ材の濡れ広がりを止めることにより、共晶合金による接合強度を維持することができる。
[適用例2]前記引き出し電極は、前記圧電基板の主面上から下地層、上地層の順に形成されていることを特徴とする適用例1に記載の圧電デバイス。
基板と密着性の高い下地層の上に上地層を形成しているので、引き出し電極が基板から剥離することを防止できる。
基板と密着性の高い下地層の上に上地層を形成しているので、引き出し電極が基板から剥離することを防止できる。
[適用例3]前記下地層は、Cr又はNiからなり、前記上地層はAuからなる金属膜であることを特徴とする適用例2に記載の圧電デバイス。
基体とAu膜に密着性の良いCr又はNiの下地層を用いているので、基体からAu膜の剥離を防止することができる。
基体とAu膜に密着性の良いCr又はNiの下地層を用いているので、基体からAu膜の剥離を防止することができる。
[適用例4]前記濡れ性の低い材料が形成される領域の引き出し電極は、下地層が一部露出していることを特徴とする適用例2又は適用例3に記載の圧電デバイス。
上記構成により濡れ性の低い材料と引き出し電極との密着性を高めることができる。従って基板から濡れ性の低い材料が剥離してパッケージ内に異物が発生することを防止できる。
上記構成により濡れ性の低い材料と引き出し電極との密着性を高めることができる。従って基板から濡れ性の低い材料が剥離してパッケージ内に異物が発生することを防止できる。
[適用例5]前記上地層の表面に前記下地層と同じ材料からなる最表層を形成し、当該最表層の表面に前記濡れ性の低い材料が形成されていることを特徴とする適用例2又は適用例3に記載の圧電デバイス。
上記構成により濡れ性の低い材料と引き出し電極との密着性を高めることができる。従って基板から濡れ性の低い材料が剥離してパッケージ内に異物が発生することを防止できる。
上記構成により濡れ性の低い材料と引き出し電極との密着性を高めることができる。従って基板から濡れ性の低い材料が剥離してパッケージ内に異物が発生することを防止できる。
本発明の圧電デバイスの実施形態を添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。図1は本発明の圧電デバイスの一実施例である圧電振動子の第2保持基板の斜め下方から見た分解斜視図である。図2は前記圧電振動子の第1保持基板の斜め上方から見た分解斜視図である。図3は前記圧電振動子の側面から見た断面の模式図である。
圧電振動子10は、振動体基板20と、当該振動体基板20の両主面を夫々保持する第1保持基板30と、第2保持基板40と、第1接合部50と、第2接合部60、凸部70を主な構成要素としている。
圧電素子となる振動体基板20は、振動体21と、この振動体21外周と所定間隔を隔てて振動体21を囲む枠体22とから構成されている。振動体21と枠体22とは連結部23A,23Bを介して一体形成されている。なお本実施形態の振動体21は、枠体22よりも薄肉に形成されており、連結部23A,23Bはテーパ状に形成している。振動体21を中心として連結部23Aと対角線上に位置する枠体22には突出部24を形成している。連結部23Aと突出部24の裏面(第2保持基板40側)には、一対の接続電極25A,25Bが形成されている。振動体21の表裏面には、一対の励振電極26A,26Bが対向して形成されている。励振電極26A,26Bは夫々引き出し電極27A,27Bを介して振動体基板20の裏面に対角線上に形成した接続電極25A,25Bと電気的に接続している。本発明の引き出し電極27A,27Bは、圧電基板となる振動体基板20の主面上から下地層、上地層の順に形成されている。下地層は、振動体基盤20と密着性の良いCr又はNiを材質に用いている。一方、上地層はAuからなる導電性の金属膜であり、いずれもスパッタリング法などの被膜形成方法により形成することができる。
なお励振電極26Bは、接続電極25A,25Bが形成された主面の裏面に形成されている。このため、励振電極26Bから引き出された引き出し電極27Bは、連結部23Bの側面を経由して(引き出して)接続電極25A,25Bが形成された主面の接続電極25Bと接続させている。
図4は接続電極の部分拡大図である。図4(1)は接続電極25Aの部分拡大図であり、(2)は接続電極25Bの部分拡大図であり、(3)は(1)のA−A線の断面図である。(1)に示すように接続電極25Aと励振電極26Aの間に形成した引き出し電極27A上に凸部70Aを形成している。凸部70は、後述する低融点金属層(金属系ロウ材)に対し、引き出し電極27よりも濡れ性の低い材料であり、また低融点金属層と共晶合金を形成しない材料である。凸部70は一例としてSiO2を用いることができる。ここで有機物を用いると加熱の際にガスが発生し、励振電極に付着してCI値や周波数が変化してしまうが、SiO2を用いることにより加熱の際にガスが発生することがなく、励振電極に付着することによるCI値や周波数の変化を防止することができる。
凸部70は、引き出し電極27の上地層に直接形成すると密着性が弱く剥離し易い。このため(3)に示すように、まず振動体基板20上の下地層80、上地層82からなる引き出し電極27Aの上地層82の上に密着性の高い下地層84(Cr又はNi)をスパッタリング法などの被膜形成方法により形成する。ついで、最表層となる下地層84の上と、振動体基板20の地肌の両方に接触、換言すれば引き出し電極27Aを覆うように(引き出し電極27と交差する方向)凸部70Aをスパッタリング法などの被膜形成方法により形成している。
(2)に示す接続電極25Bも同様に、まず引き出し電極27B上に下地層84をスパッタリング法などの被膜形成方法により形成し最表層とする。ついで最表層と振動体基板20の地肌に接触するように凸部70Bをスパッタリング法などの被膜形成方法により形成している。
なお実施形態に係る振動体基板20は、一例として平板状のATカット水晶基板を用いて説明するが、振動体基板20は水晶以外にもタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、チタン酸ジルコン酸鉛等の圧電材料、シリコン半導体などの半導体材料、またはその他絶縁体材料などを適用することが可能である。
第1及び第2保持基板30,40は、材質に水晶、ガラス或いはセラミック基板を用いることができる。第1及び第2保持基板30,40は、熱膨張係数差による内部応力を回避するために振動体基板20と同質の材料を用いることが好ましい。第1保持基板30は、前記振動体基板20の上面を覆う平板基板である。第2保持基板40は、前記振動体基板20の下面を支持する平板基板である。基体となる第2保持基板40は、振動体基板20の下面に形成した接続電極25A,25Bと対向する位置に貫通孔42A,42Bが形成されている。貫通孔42A,42Bは内部に金属被膜した貫通電極43A,43Bが形成されている。第2保持基板40の下面には、外部電極44A,44Bが形成されている。外部電極44A,44Bは貫通電極43A,43Bと電気的に接続させている。
本発明において、第1及び第2接合部50,60と、接続電極25A,25B及び貫通電極43A,43Bは、接合する2つの端子電極の間に配置した金属ロウ材やインサート金属を一時的に溶融・液化した後、前記端子電極の金属の中へ前記金属ロウ材を拡散させて等温凝固することにより接合させる方法、所謂、液相拡散接合法(以下、TLP(Transient Liquid Phase)接合と称す)を採用している。
第1及び第2接合部50,60は、TLP接合により形成された共晶合金である。本実施形態では一例として、第1及び第2接合部50,60にAu−In共晶合金を形成している。第1接合部50は、振動体基板20と第1保持基板30の間に形成する膜である。第2接合部60は、振動体基板20と第2保持基板40の間に形成する第1接合部50と同質の膜である。
第1接合部50は、第1被接合部材となる第1保持基板30の下面に形成した下地膜(金属メタライズ)51及び低融点金属層(ロウ材)52と、第2被接合部材となる振動体基板20の上面に形成した接合用金属膜53から構成されている。
具体的に下地膜51は、まず第1保持基板30に水晶基板と密着性の高いCr層を形成し、その後Auとの密着性も高いCr層の上にAu層を積層させて形成してなる2層構造を有する。
低融点金属層52は、Au(融点:1064度)よりも融点の低いIn(インジウム、融点:156度)を用い、In層を下地膜51の最上層であるAu層の表面上に積層させて形成することができる。
接合用金属膜53は、前記下地膜51と同様に、まず振動体基板20の上面に水晶基板と密着性の高いCr層を形成し、その後Auとの密着性も高いCr層の上にAu層を積層させて形成してなる2層構造を有する。
なお第2接合部60も同様に、第1被接合部材となる第2保持基板40の上面に形成した下地膜61及び低融点金属層62と、第2被接合部材となる振動体基板20の下面に形成した接合用金属膜63から構成されている。
Au−In共晶合金を形成するプロセスは、具体的に両基板の接合面を重ね合わせて積層体を形成すると、第1接合部50は、上からCr層、Au層、In層、Au層、Cr層の積層構造となる。そしてIn層の融点(約156度)以上の温度、例えば200度で加熱加圧することにより、Au層間のIn層を溶融して、InをAu層間中へ拡散させることにより共晶反応を引き起こし、共晶合金であるAu−Inを形成させる。
本発明の圧電振動子10は、第1及び第2接合部50,60の接合と同時に、接続電極25A,25Bと貫通電極43A,43Bの液相拡散接合法による接合を行っている。接続電極25と貫通電極43の間に低融点金属層62を形成し、第1及び第2の接合部50,60の加熱加圧と同時に、Au層間のIn層が溶融して、InがAu層間中へ拡散することにより共晶反応を引き起こし、共晶合金であるAu−Inを形成させることができる。接続電極25Aでは、加熱加圧の際、溶融した低融点金属層62は、接続電極25Aから引き出し電極27Aを解して励振電極26Aへ濡れ広がろうとするが、引き出し電極27Aよりも濡れ性の低い凸部70Aにより濡れ広がりが止められる。また接続電極25Bでは、溶融した低融点金属層62が接続電極25Bから引き出し電極26Bへ濡れ広がろうとするが、引き出し電極27Bよりも濡れ性の低い凸部70Bにより濡れ広がりが止められる。
このような構成の本発明の圧電デバイスによれば、濡れ性の低い材料となる凸部が圧電基板の地肌にまで延出されて形成されているため、剥離する虞がない。
また接続電極と励振電極の間の距離が短い引き出し電極では、共晶合金の形成の際に接続電極から引き出し電極へ濡れ広がるロウ材を凸部で止めることができる。従って励振電極に付着することによるCI値や周波数の変化を防止することができる。
また接続電極と励振電極の間の距離が短い引き出し電極では、共晶合金の形成の際に接続電極から引き出し電極へ濡れ広がるロウ材を凸部で止めることができる。従って励振電極に付着することによるCI値や周波数の変化を防止することができる。
また接続電極から引き出し電極へロウ材の流れ込みを防止して、共晶合金の接合強度を維持することができる。従って、接続電極と外部電極との接触不良を防止することができる。
図5は変形例の凸部の部分拡大図である。(1)は引き出し電極の一部を部分的に拡大した平面図であり、(2)は(1)の断面図であり、(3)は凸部を形成した(1)の断面図である。変形例の凸部は(1)、(2)に示すように引き出し電極27の濡れ性の低い材料が形成される領域90の上地層82をレーザ照射、又はフォトリソグラフィによるマスクを形成した後、エッチングにより電気的に切断しないように除去して下地層80を一部露出させている。その後、上地層82と振動体基板20の地肌の両方に接触、換言すれば引き出し電極27を覆うように(引き出し電極27と交差する方向)凸部70Cをスパッタリング法などの被膜形成方法により形成している。
また引き出し電極27の形成の際に、下地層80を形成し、濡れ性が低い材料が形成される領域90に予めメッシュ状に上地層82を形成して下地層80を一部露出させるように形成することもできる。
このような構成であっても、濡れ性の低い材料となる凸部が圧電基板の地肌にまで延出されて形成されているため、剥離する虞がない。また接続電極と励振電極の間の距離が短い引き出し電極では、共晶合金の形成の際に接続電極から引き出し電極へ流れ込むロウ材を凸部で止めることができる。従って励振電極に付着することによるCI値や周波数の変化を防止することができる。また接続電極から引き出し電極へロウ材の流れ込みを防止して、共晶合金の接合強度を維持することができる。従って、接続電極と外部電極との接触不良を防止することができる。
10………圧電振動子、20………振動体基板、21………振動体、22………枠体、23………連結部、24………突出部、25………接続電極、26………励振電極、27………引き出し電極、30………第1保持基板、40………第2保持基板、42………貫通孔、43………貫通電極、44………外部電極、50………第1接合部、51………下地膜、52………低融点金属層、53………接合用金属膜、60………第2接合部、61………下地膜、62………低融点金属層、63………接合用金属膜、70………凸部、80………下地層、82………上地層、84………下地層、90………領域、100………基板、102………振動領域、104………励振電極、106………外部電極、108………引き出し電極、110………基板、112………基板、114………ロウ材、200………励振電極、202………引き出し電極、204………連結電極、206………金属系ロウ材、208………材料。
Claims (5)
- 振動領域に形成された励振電極と電気的に接続され、外部に電極を引き出すための接続電極を有する圧電素子と、
前記接続電極が金属系ロウ材により電気的に接続される外部電極を有する基体と、
を備えた圧電デバイスであって、
前記圧電素子の圧電基板上には、前記励振電極と前記接続電極とをつなぐ引き出し電極が形成され、
前記引き出し電極の表面には、前記励振電極と前記接続電極とを隔てるように、前記引き出し電極よりも濡れ性の低い材料が形成されると共に、
前記引き出し電極の表面上の前記材料が前記圧電基板の地肌にまで延出されて形成されていることを特徴とする圧電デバイス。 - 前記引き出し電極は、前記圧電基板の主面上から下地層、上地層の順に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記下地層は、Cr又はNiからなり、前記上地層はAuからなる金属膜であることを特徴とする請求項2に記載の圧電デバイス。
- 前記濡れ性の低い材料が形成される領域の引き出し電極は、下地層が一部露出していることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の圧電デバイス。
- 前記上地層の表面に前記下地層と同じ材料からなる最表層を形成し、当該最表層の表面に前記濡れ性の低い材料が形成されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の圧電デバイス。
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