JP2011082352A - 塗布現像装置及び塗布現像方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の薬液を用いて各基板に順次第1の液処理を行い、再び各基板に第1の薬液を用いて順次第2の液処理を行う第1の液処理モジュールM4と、第1の液処理を行った後、第2の液処理を行う前の各基板を、順次一時的に格納するバッファモジュールBUFと、バッファモジュールBUFから取り出した後、第2の液処理を行う前の各基板に、第2の薬液を用いて順次第3の液処理を行う第2の液処理モジュールM5とを有する。基板群の最後の基板に第1の液処理を行った後、直ぐに基板群の最初の基板に第2の液処理を行うことができるように、最後の基板に行う第1の液処理が終了する前に、最初の基板に行う第3の液処理を開始する。
【選択図】図2
Description
を有することを特徴とする。
(第1の実施の形態)
初めに、図1から図9を参照し、第1の実施の形態に係る塗布現像装置及び塗布現像方法について説明する。
(第2の実施の形態)
次に、図10から図16を参照し、第2の実施の形態に係る加熱処理装置について説明する。
BUF、BUF1、BUF2 バッファモジュール
COT 塗布処理モジュール(レジスト塗布処理モジュール)
DEV、DEV1 第1の現像処理モジュール
FOUP フープ
M1〜M5 モジュール
SC スリミングコート塗布処理モジュール(塗布処理モジュール)
SR、DEV2 第2の現像処理モジュール
Claims (10)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された複数の基板よりなる基板群の各基板を順次処理モジュールに受け渡し、前記処理モジュールにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の各基板を前記処理モジュールにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すことにより、前記基板群の各基板を順次液処理する塗布現像装置において、
第1の薬液を用いて前記各基板に順次第1の液処理を行い、前記第1の液処理を行った前記各基板に、再び前記第1の薬液を用いて順次第2の液処理を行う第1の液処理モジュールと、
前記第1の液処理を行った後、前記第2の液処理を行う前の前記各基板を、順次一時的に格納するバッファモジュールと、
前記バッファモジュールから取り出した後、前記第2の液処理を行う前の前記各基板に、第2の薬液を用いて順次第3の液処理を行う第2の液処理モジュールと
を有し、
前記基板群の最後の基板に前記第1の液処理を行った後、直ぐに前記基板群の最初の基板に前記第2の液処理を行うことができるように、前記最後の基板に行う前記第1の液処理が終了する前に、前記最初の基板に行う前記第3の液処理を開始することを特徴とする塗布現像装置。 - 前記バッファモジュールは、該バッファモジュールと前記第1の液処理モジュールとの間で、一つの基板搬送アームにより前記各基板が受け渡されることを特徴とする請求項1に記載の塗布現像装置。
- 前記第3の液処理を行った後、前記第2の液処理を行う前の前記各基板に、第3の薬液を用いて順次第4の液処理を行う第3の液処理モジュールを有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の塗布現像装置。
- 前記第1の液処理モジュールは、第1の現像処理モジュールであり、
前記第2の液処理モジュールは、第2の現像処理モジュールであり、
前記第3の液処理モジュールは、塗布処理モジュールであり、
前記第1の薬液は、第1の現像液であり、
前記第2の薬液は、前記第1の現像液よりも高温又は高濃度の第2の現像液であり、
前記第3の薬液は、レジストを可溶化する酸であることを特徴とする請求項3に記載の塗布現像装置。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された複数の基板よりなる基板群の各基板を順次処理モジュールに受け渡し、前記処理モジュールにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の各基板を前記処理モジュールにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すことにより、前記基板群の各基板を順次液処理する塗布現像装置において、
第1の薬液を用いて前記各基板に順次第1の液処理を行い、前記第1の液処理を行った前記各基板に、再び第2の薬液を用いて順次第2の液処理を行う第1の液処理モジュールと、
前記第1の液処理を行った前記各基板に、第3の薬液を用いて順次第3の液処理を行う第2の液処理モジュールと、
前記第3の液処理を行った後、前記第2の液処理を行う前の前記各基板を、前記基板群の最後の基板に行う前記第1の液処理が終了するまで、順次一時的に格納するバッファモジュールと
を有することを特徴とする塗布現像装置。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された複数の基板よりなる基板群の各基板を順次処理モジュールに受け渡し、前記処理モジュールにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の各基板を前記処理モジュールにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すことにより、前記基板群の各基板を順次液処理する塗布現像方法において、
前記基板群の一の基板に、第1の液処理モジュールにより第1の薬液を用いて液処理を行う第1の液処理工程と、
前記第1の液処理工程を行った前記一の基板を、一時的にバッファモジュールに格納する格納工程と、
前記格納工程の後、前記バッファモジュールから取り出した前記一の基板に、第2の液処理モジュールにより第2の薬液を用いて液処理を行う第2の液処理工程と、
前記第2の液処理工程を行った前記一の基板に、再び前記第1の液処理モジュールにより前記第1の薬液を用いて液処理を行う第3の液処理工程と
を有し、
前記基板群の最後の基板に前記第1の液処理工程を行った後、直ぐに前記基板群の最初の基板に前記第3の液処理工程を行うことができるように、前記最後の基板に行う前記第1の液処理工程が終了する前に、前記最初の基板に行う前記第2の液処理工程を開始することを特徴とする塗布現像方法。 - 前記バッファモジュールは、該バッファモジュールと前記第1の液処理モジュールとの間で、一つの基板搬送アームにより前記一の基板が受け渡されることを特徴とする請求項6に記載の塗布現像方法。
- 前記第2の液処理工程を行った後、前記第3の液処理工程を行う前の前記一の基板に、第3の液処理モジュールにより第3の薬液を用いて液処理を行う第4の液処理工程を有することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の塗布現像方法。
- 前記第1の液処理モジュールは、第1の現像処理モジュールであり、
前記第2の液処理モジュールは、第2の現像処理モジュールであり、
前記第3の液処理モジュールは、塗布処理モジュールであり、
前記第1の薬液は、第1の現像液であり、
前記第2の薬液は、前記第1の現像液よりも高温又は高濃度の第2の現像液であり、
前記第3の薬液は、レジストを可溶化する酸であることを特徴とする請求項8に記載の塗布現像方法。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された複数の基板よりなる基板群の各基板を順次処理モジュールに受け渡し、前記処理モジュールにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の各基板を前記処理モジュールにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すことにより、前記基板群の各基板を順次液処理する塗布現像方法において、
前記基板群の一の基板に、第1の液処理モジュールにより第1の薬液を用いて液処理を行う第1の液処理工程と、
前記第1の液処理工程を行った前記一の基板に、第2の液処理モジュールにより第2の薬液を用いて液処理を行う第2の液処理工程と、
前記第2の液処理工程を行った前記一の基板を、前記基板群の最後の基板に行う前記第1の液処理工程が終了するまで一時的にバッファモジュールに格納する格納工程と、
前記格納工程の後、前記バッファモジュールから取り出した前記一の基板に、再び前記第1の液処理モジュールにより第3の薬液を用いて液処理を行う第3の液処理工程と
を有することを特徴とする塗布現像方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009233583A JP5023128B2 (ja) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 塗布現像装置及び塗布現像方法 |
KR1020100088507A KR101553082B1 (ko) | 2009-10-07 | 2010-09-09 | 도포 현상 장치 및 도포 현상 방법 |
US12/896,957 US8568043B2 (en) | 2009-10-07 | 2010-10-04 | Coating and developing apparatus and coating and developing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009233583A JP5023128B2 (ja) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 塗布現像装置及び塗布現像方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011082352A true JP2011082352A (ja) | 2011-04-21 |
JP5023128B2 JP5023128B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=43855115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009233583A Active JP5023128B2 (ja) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 塗布現像装置及び塗布現像方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8568043B2 (ja) |
JP (1) | JP5023128B2 (ja) |
KR (1) | KR101553082B1 (ja) |
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-
2009
- 2009-10-07 JP JP2009233583A patent/JP5023128B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-09 KR KR1020100088507A patent/KR101553082B1/ko active IP Right Grant
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KR20110037845A (ko) | 2011-04-13 |
US20110086316A1 (en) | 2011-04-14 |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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