JP2011080996A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１のチャネル電極（１２）および第２のチャネル電極（１４）に接している半導体チャネル（１０）と、該半導体チャネル（１０）に対応付けられており、且つ、気体の作用に対する応答として前記半導体チャネル（１０）の導電率が変化するように該半導体チャネル（１０）と相互作用するゲート電極（１６）とを備えた気体感応型の半導体装置において、
   前記ゲート電極（１６）、および／または、該ゲート電極（１６）を前記半導体チャネル（１０）から絶縁するゲート絶縁層（２０）、および／または、前記ゲート電極（１６）と前記半導体チャネル（１０）との間に設けられるゲートスタック層（１８）が２つの面セクション（２２，２４）を有し、該２つの面セクション（２２，２４）は、複数の気体に対して異なる感度を有することを特徴とする、気体感応型の半導体装置。
2. 半導体装置はＣＨＥＭＦＥＴの形の半導体素子であり、前記第１のチャネル電極（１２）は前記ＣＨＥＭＦＥＴのドレイン電極であり、前記第２のチャネル電極（１４）は前記ＣＨＥＭＦＥＴのソース電極である、請求項１記載の半導体装置。
3. 前記ゲート電極（１６）は面状に構成されており、且つ、前記２つの面セクション（２２，２４）に応じて、異なる材料から成る２つの領域に分割されており、該２つの領域の領域移行部は前記第１のチャネル電極（１２）と前記第２のチャネル電極（１４）との間に位置し、且つ、前記半導体チャネル（１０）の延在方向を横断する方向に延在している、請求項１または２記載の半導体装置。
4. 前記ゲート電極（１６）は、前記２つの面セクション（２２，２４）を実現するために、２つの異なる金属部または金属化部を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体装置。
5. 前記ゲート電極（１６）の前記２つの面セクション（２２，２４）のうちの一方の面セクションは気密なコーティング部を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体装置。
6. 前記ゲート電極（１６）の前記２つの面セクション（２２，２４）のうちの少なくとも一方の面セクションは、多孔性コーティング部、および／または、触媒活性のコーティング部を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体装置。
7. 前記ゲート電極（１６）は多孔性の金属化部を有し、前記ゲートスタック層（１８）は前記２つの面セクション（２２，２４）を実現するために異なる表面材料を有する、請求項１から４までおよび６のいずれか１項記載の半導体装置。
8. 第１の動作モードにおいて、前記第１のチャネル電極（１２）と前記第２のチャネル電極（１４）との間に第１の極性の第１の電圧を印加することによって動作点を調整する手段が設けられており、該動作点を調整する手段は、第２の動作モードにおいて、前記第１の極性とは反対の第２の極性の第２の電圧の前記第１のチャネル電極（１２）と前記第２のチャネル電極（１４）との間への印加を制御するよう構成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体装置。
9. 前記第１の動作モードおよび前記第２の動作モードにおける半導体装置の動作信号を検出し、該動作信号を比較する、および／または、該動作信号の差を形成する電子的な評価手段が設けられている、請求項８記載の装置。
10. 工業オートメーションおよび／またはホームオートメーションのための気体センサおよび／または監視を目的とした気体センサおよび／または排ガスセンサである、請求項１から９までのいずれか１項に記載された気体感応型の半導体装置。