JP2008145128A - ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【構成】 本発明は、電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に,触媒金属からなる下部ゲート電極と,イオン導伝性膜と,触媒金属からなる上部ゲート電極の積層構造を設けた多層ゲート型ガスセンサである。
【選択図】 図1
Description
「A Noninvasive Electromagnetic Conductivity Sensor for Biomedical Applications」 Lynn W. Hart, et al., IEEE Transactions on Biomedical Engineering, Vol. 35, No. 12 (1988) pp. 1011-1021 「Non-contact SQUID-NDT method using a ferrite core for carbon-fibre composites」 Y. Hatsukade, et al., Superconductor Science and Technology, Vol. 15 (2002) pp. 1728-1732
「実施例1」
「実施例2」
「実施例3」
1−2 Si基板
1−3 Si基板
2−1 ドレイン
2−2 ドレイン
2−3 ドレイン
2−4 ドレイン
3−1 ソース
3−2 ソース
3−3 ソース
3−4 ソース
4−1 ドレイン電極
4−2 ドレイン電極
5−1 ソース電極
5−2 ソース電極
6 ゲート絶縁膜
7−1 下部ゲート電極
7−2 下部ゲート電極
7−3 下部ゲート電極
8 イオン導伝性膜
9−1 上部ゲート電極
9−2 上部ゲート電極
9−3 上部ゲート電極
10 ドレイン用電極パッド
11 ソース用電極パッド
12 下部ゲート用電極パッド
13 上部ゲート用電極パッド
14 ヒーター
15−1 ヒーター用電極パッド
15−2 ヒーター用電極パッド
16 温度センサ
17−1 温度センサ用電極パッド
17−2 温度センサ用電極パッド
20 ボルテージフォロワー回路
21 上部・下部ゲート電極間電圧印加用電源
22 ボルテージフォロワー回路出力
23 多層ゲート型ガスセンサ
24 単層ゲート型ガスセンサ
25−1 白金ゲート
25−2 白金ゲート
26 パラジウムゲート
Claims (7)
- 電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に,触媒金属からなる下部ゲート電極と,イオン導伝性膜と,触媒金属からなる上部ゲート電極の積層構造を設けたことを特徴とする多層ゲート型ガスセンサ
- 前記多層ゲート型ガスセンサとともに,電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に触媒金属からなるゲート電極を設けた単層ゲート型ガスセンサを一つのセンサ基板上に集積化,あるいはそれぞれを一つの実装基板上に配置したことを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ
- 前記電界効果型トランジスタの基板に,ヒーターと温度センサを設けたことを特徴とする請求項1〜2に記載のガスセンサ
- 前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極との間に電圧を印加して計測することを特徴とする請求項1〜3に記載のガスセンサ
- 前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極との間に印加する電圧を時間変動させて計測することを特徴とする請求項1〜4のガスセンサ
- 前記多層ゲート型ガスセンサの前記イオン導伝性膜としてプロトン導電性高分子膜を用いることを特徴とする請求項1〜5のガスセンサ
- 前記多層ゲート型ガスセンサの前記下部ゲート電極として白金を,前記上部ゲート電極としてパラジウムを用いたことを特徴とする請求項1〜6のガスセンサ
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