JP2011074489A - 薄膜製造装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】同じ成膜室内で薄膜を蒸着及びスパッタすることができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、成膜室をスパッタチャンバー及び蒸着チャンバーに分け、スパッタチャンバー及び蒸着チャンバーを連通する貫通孔1213を有する固定板121を備える。ワークピースを積載する第一積載板122を有する積載装置120と、スパッタ装置と、蒸着装置140と、を備え、第一積載板は、スパッタチャンバー又は蒸着チャンバーに回動可能に取り付けられ且つ貫通孔の近傍に位置する。第一積載板を回動して、第一積載板が貫通孔を遮蔽しない際には、第一積載板に積載されるワークピースはスパッタチャンバー又は蒸着チャンバーに暴露され、第一積載板を回動して、第一積載板が貫通孔を遮蔽する際には、第一積載板に積載されるワークピースは蒸着チャンバー又はスパッタチャンバーに暴露される。
【選択図】図2

Description

本発明は、薄膜製造技術に関するものであって、特に同じ成膜室内でワークピースの表面に薄膜を蒸着及びスパッタすることができる薄膜製造装置に関すものである。
目下、薄膜製造技術は、半導体工業及び精密機械に広く応用されている。多くの工業製品の表面には、機能薄膜が形成されている。例えば、光学レンズの表面に反射防止薄膜を形成することにより、レンズ表面の反射率を低減して、レンズを透過する入射光の光損耗を低減する。薄膜製造技術として、スパッタ法、真空蒸着法などがある。マグネトロンスパッタは、磁界の束縛を利用して二次電子の運動経路を延長し、二次電子の運動方向を変換し、不活性ガスの電離率を高め、電子のエネルギーを効果的に利用して、スパッタ効率を高める(非特許文献1を参照)。
半導体素子又は他の光電素子の同じ表面に別々にスパッタ法及び蒸着法により薄膜を形成することを必要とする。従来の技術において、スパッタ装置及び蒸着装置は2つの独立の装置であるため、生産過程において、薄膜を成膜しようとするワークピースをスパッタ装置又は蒸着装置に移送しなければならない。前記ワークピースを移送する際、前記ワークピースの成膜表面に他の粒子が付着して、ワークピースの成膜表面が汚染されるため、薄膜を成膜した製品の不良を招く。
Safi、"Surface & Coating Technology"、Recent Aspects Concerning DC Reactive Magnetron Sputtering of Thin Film:a Review、2000年
本発明の目的は、前記課題を解決し、同じ成膜室内で薄膜を蒸着及びスパッタすることができる薄膜製造装置を提供することである。
本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室と、前記成膜室をスパッタチャンバー及び蒸着チャンバーに分け且つ前記スパッタチャンバー及び前記蒸着チャンバーを連通する貫通孔を有する固定板及び薄膜を成膜するワークピースを積載する第一積載板を備える積載装置と、前記スパッタチャンバーに設置されるスパッタ装置と、前記蒸着チャンバーに連通される蒸着装置と、を備え、前記第一積載板は、前記スパッタチャンバー又は前記蒸着チャンバーに回動可能に取り付けられ且つ前記貫通孔の近傍に位置し、前記第一積載板を回動して前記第一積載板が前記貫通孔を遮蔽しない際、前記第一積載板に積載されるワークピースは、前記スパッタチャンバー又は前記蒸着チャンバーに暴露され、前記第一積載板を回動して前記第一積載板が前記貫通孔を遮蔽する際、前記第一積載板に積載されるワークピースは、前記蒸着チャンバー又は前記スパッタチャンバーに暴露される。
本発明に係わる薄膜製造装置には、積載板及び固定板が設けられ、前記固定板は成膜室を蒸着チャンバー及びスパッタチャンバーに分け、且つ前記固定板には貫通孔が設けられているため、前記積載板を回動可能に前記成膜室に取り付けて、前記積載板を回動することにより、前記積載板によって前記固定板の貫通孔を遮蔽するか又は暴露して、同じ成膜室で前記積載板に積載されたワークピースの表面に選択的に薄膜を蒸着するか又はスパッタして、異なる薄膜製造法により薄膜を形成するために、ワークピースを異なる成膜室に移送しなくてもよく、従ってワークピースを移送する際にワークピースの成膜表面が汚染されることを免れ、且つ成膜効率を高める。
本発明の実施形態に係る薄膜製造装置の立体組立図である。 本発明の実施形態に係る薄膜製造装置の立体分解図である。 図1に示す薄膜製造装置のIII-III線に沿う断面図である。 本発明の実施形態に係る薄膜製造装置の使用状態を示す図である。 本発明の実施形態に係る薄膜製造装置の他の使用状態を示す図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図1〜図3を参照すると、本発明の薄膜製造装置100は、成膜室110と、積載装置120と、スパッタ装置130と、蒸着装置140と、を備える。
前記成膜室110は、前記積載装置120、前記スパッタ装置130及び前記蒸着装置140を固定するために用いられ、且つ収容空間1101を有する。前記成膜室110は、長方体形、円柱形又は角柱形のキャビティを有するハウジングである。本実施形態において、前記成膜室110は、長方体形のハウジングである。前記成膜室110は、対向して設置される上板111及び下板112と、対向して設置される第一側板113及び第三側板115と、対向して設置される第二側板114及び第四側板116と、を備える。前記上板111と、前記下板112と、前記第一側板113と、前記第二側板114と、前記第三側板115と、前記第四側板116とが囲んで収容空間1101を形成する。前記下板112と、前記第一側板113と、前記第二側板114と、前記第三側板115と、前記第四側板116とは一体成形される。前記第一側板113には、2つの第一取付孔117が設けられ、前記2つの第一取付孔117と前記下板112との間の距離は同じである。前記第三側板115には、前記2つの第一取付孔117に対応する2つの第二取付孔118が設けられ、前記2つの第一取付孔118と前記下板112との間の距離は同じである。互いに対応する前記第一取付孔117及び前記第二取付孔118の中心軸線は同じ直線に位置し、且つ該直線は前記下板112に平行し且つ前記第一側板113に直交する。前記下板112の中心位置には、前記蒸着装置140を固定するために用いられる固定孔119が設けられる。
前記積載装置120は、前記成膜室110の内部に取り付けられて、前記成膜室110の収容空間1101をスパッタチャンバー1102及び蒸着チャンバー1103に分け、且つ表面に薄膜を成膜するワークピースを積載するために用いられる。本実施形態において、前記積載装置120は、固定板121と、第一積載板122、第二積載板123、第一回転軸124及び第二回転軸125を備える。前記固定板121は、前記成膜室110の内部に固定され且つ前記下板112に平行する。前記固定板121の形状は、前記収容空間1101の横断面の形状に対応し、前記固定板121は、前記第一側板113、前記第二側板114、前記第三側板115及び前記第四側板116に緊密に接触する。本実施形態において、前記固定板121と前記成膜室110は一体成形される。前記第一取付孔117及び前記第二取付孔118は、全て前記スパッタチャンバー1102に連通する。前記固定板121は、対向して設置される第一表面1211及び第二表面1212を備え、前記第一表面1211は前記上板111に対面し、前記第二表面1212は前記下板112に対面する。前記固定板121の中心には、前記第一表面1211及び前記第二表面1212を貫通する貫通孔1213が設けられる。前記貫通孔1213の横断面は長方形である。前記第一表面1211の前記貫通孔1213の周囲には、表面に薄膜を成膜するワークピースを保持するために用いられる保持部1215が設けられる。前記第一表面1211の前記貫通孔1213の両側には、それぞれ1つの定位部1214及び1つの支持部1216が設けられる。前記貫通孔1213の片側に位置する前記定位部1214及び前記支持部1216において、前記定位部1214と前記貫通孔1213との間の距離は、前記支持部1216と前記貫通孔213との間の距離より小さい。前記保持部1215の高さは、前記定位突起1214の高さより低い。
前記第一積載板122及び前記第二積載板123は、全て表面に薄膜を成膜するワークピースを積載するために用いられる。前記第一積載板122は、互いに固定接続する第一積載部1221及び第一固定部1222を備える。前記第一積載部1221は、略長方体であり、対向して設置される第一積載面1223及び第一底面1224を備える。前記第一積載面1223には、表面に薄膜を成膜するワークピースを収容固定するために用いられる第一収容スロット1225が設けられる。前記第一積載板122の前記第一収容スロット1225の両側には、それぞれ1つの第一定位孔1226が設けられる。前記第一定位孔1226の形状は、前記定位突起1214の形状に対応し、且つ前記2つの第一定位孔1226の間の距離は、前記2つの定位突起1214の間の距離と等しいため、前記2つの定位突起1214は、別々に前記2つの第一定位孔1226に挿入することができる。前記第一固定部1222により、前記第一積載板122を前記第一回転軸124に固定する。前記第一固定部1222に前記第一回転軸124を貫通させて固定する。前記第二積載板123の構造及び形状は、前記第一積載板122の構造及び形状と等しい。
前記第一回転軸124は、円柱形であり、その長さは前記第一側板113と前記第三側板115との間の距離より長い。前記第一積載板122の前記第一固定部1222は、前記第一回転軸124の中心に固定接続し、前記第一積載板122の第一積載部1221は前記1つの支持部1216に支持される。前記第一回転軸124の両端は、前記1つの第一取付孔117及び該第一取付孔117に対応する第二取付孔118を貫く。前記第一回転軸124の一端又は両端は、前記成膜室110から突出して、前記成膜室110の外部で前記第一回転軸124を制御して、前記第一回転軸124及び前記第一回転軸124に固定されている第一積載板122を回動させる。
前記第二回転軸125の形状及び構造は、前記第一回転軸124の形状及び構造と等しい。前記第二積載板123の第二固定部(図示せず)は、前記第二回転軸125の中心に固定接続し、前記第二積載板122の第二積載部(図示せず)は他の一つの支持部1216に支持される。前記第二回転軸125の両端は、他の一つの第一取付孔117及び該第一取付孔117に対応する第二取付孔118を貫く。従って、前記第一回転軸124と前記第二回転軸125は、互いに平行する。前記第二回転軸125の一端又は両端は、前記成膜室110から突出して、前記成膜室110の外部で前記第二回転軸125を制御して、前記第二回転軸125及び前記第二回転軸125に固定されている第二積載板123を回動させる。
図4及び図5を参照すると、前記第一積載板122及び前記第二積載板123に積載されているワークピースの表面に同時に薄膜を成膜するために、前記第一回転軸124を回動して、前記第一積載板122の第一積載面1223が前記固定板121の第一表面1211に対面すると、前記第一積載板122の第一収容スロット1225に収容固定されるワークピースは前記貫通孔1213を遮蔽して前記蒸着チャンバー1103に暴露され、且つ前記第二積載板123の第二底面は前記固定板121の第一表面1211に対面して、前記第二積載板123の第二収容スロット1235に収容固定されるワークピースは、前記スパッタチャンバー1102に暴露される。再び前記第一回転軸124及び前記第二回転軸125を回動して、前記第二積載板123の第二積載面が前記固定板121の第一表面1211に対面すると、前記第二積載板123の第二収容スロット1235に収容固定されるワークピースは、前記貫通孔1213を遮蔽して前記蒸着チャンバー1103に暴露され、且つ前記第一積載板122の第一底面1224は前記固定板121の第一表面1211に対面して、前記第一積載板122の第一収容スロット1225に収容固定されるワークピースは、前記スパッタチャンバー1102に暴露される。
前記第一回転軸124及び前記第二回転軸125は、全て前記スパッタチャンバー1102に設置されることができ、又は前記第一回転軸124及び前記第二回転軸125は、全て前記蒸着チャンバー1103に設置されることができ、又は前記第一回転軸124及び前記第二回転軸125の中の一方は、前記蒸着チャンバー1103に設置されるとともに、他の一方は前記スパッタチャンバー1102に設置されることができる。前記第一積載板122は前記第一回転軸124に固定されており、前記第二積載板123は前記第二回転軸125に固定されているため、前記第一回転軸124及び前記第二回転軸125を回動することにより、前記第一積載板122及び前記第二積載板123を連動して前記固定板121に相対して回動させて、前記貫通孔1213を遮蔽するか又は暴露する。
前記スパッタ装置130は、前記上板111の前記固定板121に対面する表面に固定される。前記スパッタ装置130は、スパッタリングターゲットを備える。前記スパッタリングターゲットと前記固定板121又は前記2つの積載板122、123との間に高圧電界を発生させ、前記スパッタチャンバー1102にアルゴンガスのような不活性ガスを導入し、前記電界の作用によって前記アルゴンガスをアルゴンイオンと電子に電離し、前記ターゲットに前記アルゴンイオンが衝突することでターゲット材料が飛散され、前記第一積載板122又は前記第二積載板123に積載されたワークピースの表面に薄膜として堆積される。前記スパッタ装置130は、マグネトロン装置をさらに備えることができ、従って前記不活性ガスの運行軌跡を制御して、前記ターゲットの複数の領域を衝突させて、前記ターゲットの利用率を高める。
前記蒸着装置140は、前記下板112に固定される。前記蒸着装置140は、成膜材料を収容する蒸発源141と、前記蒸発源141を固定する第一固定部材142と、第二固定部材143と、噴霧器144と、を備える。本実施形態において、前記第一固定部材142は、略円柱形であり、対向して設置される第一端部1421及び第二端部1422を備え、前記蒸発源141は前記第一端部1421に固定される。前記第一固定部材142の外表面には、外部ねじ山が設けられる。前記第二固定部材143は、一体成形され且つ同軸に設置される取付部1431及び固定部1432を備える。前記第二固定部材143には、前記取付部1431及び前記固定部1432を貫く収容孔1433が設けられる。前記収容孔1433の内壁には、前記第一固定部材142の外部ねじ山に螺合できる内部ねじ山が設けられる。前記固定部1432は、円柱形であり、その横断面の直径の大きさは前記下板112の固定孔119の直径に対応する。前記固定部1432を前記固定孔119に挿入して固定する際、前記取付部1431は前記成膜室110の外部に位置し、前記収容孔1433と前記固定孔119は同軸である。前記第一固定部材142の第一端部1421は、前記固定部1432に向い、前記第一固定部材142の第二端部1422は、前記取付部1431から露出する。
前記噴霧器144は、前記第二固定部材143の固定部1432に固定され且つ前記第二固定部材143と同軸に設置される。前記噴霧器144は、略円錐台形キャビティである。前記噴霧器144は、対向して設置される第一端1441及び第二端1442を備え、前記第一端1441から前記第二端1442に向ってその直径がだんだん大きくなり、前記第一端1441には、開口1443が設けられ、前記第二端1442は前記固定部1432に固定され、前記噴霧器144と前記第二固定部材143との間に収容空間が形成される。前記開口1443と前記貫通孔1213は同軸であることが好ましい。前記蒸発源141内の成膜材料が揮発して、成膜材料蒸気が前記収容空間で所定の濃度に達すると、前記貫通孔1213を遮蔽するワークピースの表面に噴霧されて、蒸着膜の品質を高める。
前記薄膜製造装置100において、前記第一積載板122と前記第二積載板123にそれぞれ薄膜を成膜するワークピースを積載し、前記第一回転軸124及び前記第二回転軸125を回動することにより、前記第一積載板122に積載されたワークピースの表面に蒸着膜を形成するとともに、前記第二積載板123に積載されたワークピースの表面にスパッタ膜を形成し、且つ前記第一回転軸124及び前記第二回転軸125を回動することにより、前記第一積載板122に積載された蒸着膜を形成したワークピースの表面にスパッタ膜を形成し、前記第二積載板123に積載されたスパッタ膜を形成したワークピースの表面に蒸着膜を形成する。このように、前記薄膜製造装置100によって、ワークピースの表面に積み重ねた薄膜構造を形成することができる。
前記積載板及び前記回転軸の数量は1つでもよく、即ち薄膜製造要求に基づいて、前記回転軸を回転することにより、前記積載板に積載されたワークピースの表面を蒸着チャンバー又はスパッタチャンバーに選択的に対面させて、蒸着膜及びスパッタ膜を交互に形成する。なお、前記スパッタチャンバーに遮蔽板を設置して、前記積載板に積載されたワークピースが前記貫通孔を遮蔽しない場合、前記遮蔽板によって前記固定板の貫通孔を遮蔽する。複数のワークピースの表面に同時に薄膜を成膜するために、さらに多い積載板、回転軸及び固定版の貫通孔を設けることができ、2つ毎の積載板を固定板の貫通孔に対応させて、成膜効率をさらに高めることができる。
本発明に係わる薄膜製造装置には、積載板及び固定板が設けられ、前記固定板は成膜室を蒸着チャンバー及びスパッタチャンバーに分け、且つ前記固定板には貫通孔が設けられているため、前記積載板を回動可能に前記成膜室に取り付けて、前記積載板を回動することにより、前記積載板によって前記固定板の貫通孔を遮蔽するか又は暴露して、同じ成膜室で前記積載板に積載されたワークピースの表面に選択的に薄膜を蒸着するか又はスパッタして、異なる薄膜製造法により薄膜を形成するために、ワークピースを異なる成膜室に移送しなくてもよく、従ってワークピースを移送する際にワークピースの成膜表面が汚染されることを免れ、且つ成膜効率を高める。
以上、本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることは勿論であって、本発明の保護範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。
100 薄膜製造装置
110 成膜室
111 上板
112 下板
113 第一側板
114 第二側板
115 第三側板
116 第四側板
117 第一取付孔
118 第二取付孔
119 固定孔
120 積載装置
121 固定板
122 第一積載板
123 第二積載板
124 第一回転軸
125 第二回転軸
130 スパッタ装置
140 蒸着装置
141 蒸発源
142 第一固定部材
143 第二固定部材
144 噴霧器
1101 収容空間
1102 スパッタチャンバー
1103 蒸着チャンバー
1211 第一表面
1212 第二表面
1213 貫通孔
1214 定位部
1215 保持部
1216 支持部
1221 第一積載部
1222 第一固定部
1223 第一積載面
1224 第一底面
1225 第一収容スロット
1226 第一定位孔
1235 第二収容スロット
1421 第一端部
1422 第二端部
1431 取付部
1432 固定部
1433 収容孔
1441 第一端
1442 第二端
1443 開口

Claims (6)

  1. 成膜室と、
    前記成膜室をスパッタチャンバー及び蒸着チャンバーに分け且つ前記スパッタチャンバー及び前記蒸着チャンバーを連通する貫通孔を有する固定板及び薄膜を成膜するワークピースを積載する第一積載板を備える積載装置と、
    前記スパッタチャンバーに設置されるスパッタ装置と、
    前記蒸着チャンバーに連通される蒸着装置と、
    を備えてなる薄膜製造装置であって、
    前記第一積載板は、前記スパッタチャンバー又は前記蒸着チャンバーに回動可能に取り付けられ且つ前記貫通孔の近傍に位置し、前記第一積載板を回動して前記第一積載板が前記貫通孔を遮蔽しない際には、前記第一積載板に積載されるワークピースは、前記スパッタチャンバー又は前記蒸着チャンバーに暴露され、前記第一積載板を回動して前記第一積載板が前記貫通孔を遮蔽する際には、前記第一積載板に積載されるワークピースは、前記蒸着チャンバー又は前記スパッタチャンバーに暴露されることを特徴とする薄膜製造装置。
  2. 前記積載装置は、前記成膜室に回動可能に取り付けられる第一回転軸をさらに備え、前記第一回転軸の一端又は両端は前記成膜室から突出し、前記第一積載板は前記第一回転軸に固定されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造装置。
  3. 前記薄膜製造装置は、前記第一積載板が前記貫通孔を遮蔽しない際に、前記貫通孔を遮蔽するために用いられる遮蔽板をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造装置。
  4. 前記積載装置は、薄膜を成膜する他のワークピースを積載する第二積載板をさらに備え、前記第二積載板は、前記スパッタチャンバー又は前記蒸着チャンバーに回動可能に取り付けられ且つ前記貫通孔の近傍に位置し、前記第一積載板が前記貫通孔を遮蔽しない際には、前記第二積載板を回動して前記貫通孔を遮蔽することを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造装置。
  5. 前記積載装置は、前記成膜室に回動可能に取り付けられる第二回転軸をさらに備え、前記第二回転軸の一端又は両端は前記成膜室から突出し、前記第二積載板は前記第二回転軸に固定されることを特徴とする請求項4に記載の薄膜製造装置。
  6. 前記成膜室は、対向して設置される上板及び下板を有し、前記固定板は前記上板と前記下板との間に設置され、前記スパッタ装置は前記上板に固定され、前記蒸着装置は前記下板に固定されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造装置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100189929A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Neal James W Coating device and deposition apparatus
TW201134972A (en) * 2010-04-14 2011-10-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
CN103147052B (zh) * 2013-03-20 2015-01-21 上海理工大学 一种真空镀膜装置
CN105002473B (zh) * 2014-04-21 2017-06-27 友威科技股份有限公司 同步快速真空工艺的设备
CN104862656B (zh) * 2015-06-10 2017-12-08 光驰科技(上海)有限公司 双向沉积镀膜装置及镀膜方法
US20180269044A1 (en) * 2017-03-20 2018-09-20 International Business Machines Corporation Pvd tool to deposit highly reactive materials
CN110923655B (zh) * 2018-09-19 2023-04-28 苏州能讯高能半导体有限公司 一种载物装置及镀膜设备
CN112458424B (zh) * 2020-11-09 2023-05-16 湘潭宏大真空技术股份有限公司 用于双室磁控镀膜机的前处理室
CN114453345B (zh) * 2021-12-30 2023-04-11 广东鼎泰高科技术股份有限公司 一种等离子体清洗系统

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0763056B2 (ja) * 1986-08-06 1995-07-05 三菱電機株式会社 薄膜形成装置
ES2022946T5 (es) * 1987-08-26 1996-04-16 Balzers Hochvakuum Procedimiento para la aportacion de capas sobre sustratos.
US4992153A (en) * 1989-04-26 1991-02-12 Balzers Aktiengesellschaft Sputter-CVD process for at least partially coating a workpiece
DE69227313T2 (de) * 1991-04-29 1999-04-08 Scient Ind Enterprise Novatech Verfahren und vorrichtung zur behandlung von bauteilen in einem gasentladungsplasma
DE19505258C2 (de) * 1995-02-16 1998-08-06 Samsung Electronics Co Ltd Beschichtungsvorrichtung
US7300559B2 (en) * 2000-04-10 2007-11-27 G & H Technologies Llc Filtered cathodic arc deposition method and apparatus
US6494997B1 (en) * 2000-08-18 2002-12-17 General Electric Company Radio frequency magnetron sputtering for lighting applications
TW201134972A (en) * 2010-04-14 2011-10-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device

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