JP2011071361A5 - - Google Patents
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本発明のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法は、基板を収容してエッチング処理するプラズマエッチング装置の処理室内部に配置されるプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、プラズマエッチング装置用シリコン製部品と、半導体ウエハ用シリコンインゴットの、いずれかのシリコン廃材を回収する工程と、回収した前記シリコン廃材の電気特性から不純物の含有量を求める測定工程と、前記測定工程で求めた不純物の含有量と最終製品の電気特性の目標値とに基づき、前記シリコン廃材の投入量と、シリコン原料の投入量と、不純物の投入量を決定する投入量決定工程と、前記投入量決定工程で決定した投入量の前記シリコン廃材と、シリコン原料と、不純物とを坩堝に投入し、シリコンインゴットを製造する工程とを具備したことを特徴とする。
本発明のプラズマエッチング装置用シリコン製部品は、基板を収容してエッチング処理するプラズマエッチング装置の処理室内部に配置されるプラズマエッチング装置用シリコン製部品であって、プラズマエッチング装置用シリコン製部品と、半導体ウエハ用シリコンインゴットの、いずれかのシリコン廃材を回収する工程と、回収した前記シリコン廃材の電気特性から不純物の含有量を求める測定工程と、前記測定工程で求めた不純物の含有量と最終製品の電気特性の目標値とに基づき、前記シリコン廃材の投入量と、シリコン原料の投入量と、不純物の投入量を決定する投入量決定工程と、前記投入量決定工程で決定した投入量の前記シリコン廃材と、シリコン原料と、不純物とを坩堝に投入し、シリコンインゴットを製造する工程とを具備したプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法によって再生されたシリコンを含むことを特徴とする。
Claims (6)
- 基板を収容してエッチング処理するプラズマエッチング装置の処理室内部に配置されるプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
プラズマエッチング装置用シリコン製部品と、半導体ウエハ用シリコンインゴットの、いずれかのシリコン廃材を回収する工程と、
回収した前記シリコン廃材の電気特性から不純物の含有量を求める測定工程と、
前記測定工程で求めた不純物の含有量と最終製品の電気特性の目標値とに基づき、前記シリコン廃材の投入量と、シリコン原料の投入量と、不純物の投入量を決定する投入量決定工程と、
前記投入量決定工程で決定した投入量の前記シリコン廃材と、シリコン原料と、不純物とを坩堝に投入し、シリコンインゴットを製造する工程と
を具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。 - 請求項１記載のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
前記シリコン廃材の表面に付着した反応生成物を除去する反応生成物除去工程をさらに具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。 - 請求項２記載のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
前記反応生成物除去工程は、研掃材を圧縮気体と共に前記シリコン廃材に噴射して物理的に反応生成物を除去する段階を含む
ことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。 - 請求項２記載のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
前記研掃材は、ＣＯ２粒子、Ａｌ２Ｏ３粒子、ＳｉＯ２粒子、ナイロンビーズのうちの少なくともいずれか１種からなる
ことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。 - 請求項２〜４いずれか１項記載のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
前記反応生成物除去工程は、酸エッチング又はアルカリエッチングによって前記シリコン廃材の反応生成物を除去する段階を含む
ことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。 - 基板を収容してエッチング処理するプラズマエッチング装置の処理室内部に配置されるプラズマエッチング装置用シリコン製部品であって、
プラズマエッチング装置用シリコン製部品と、半導体ウエハ用シリコンインゴットの、いずれかのシリコン廃材を回収する工程と、
回収した前記シリコン廃材の電気特性から不純物の含有量を求める測定工程と、
前記測定工程で求めた不純物の含有量と最終製品の電気特性の目標値とに基づき、前記シリコン廃材の投入量と、シリコン原料の投入量と、不純物の投入量を決定する投入量決定工程と、
前記投入量決定工程で決定した投入量の前記シリコン廃材と、シリコン原料と、不純物とを坩堝に投入し、シリコンインゴットを製造する工程と
を具備したプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法によって再生されたシリコンを含む
ことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009221793A JP5623722B2 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | プラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法 |
| KR1020100090529A KR101710592B1 (ko) | 2009-09-28 | 2010-09-15 | 플라즈마 에칭 장치용 실리콘제 부품의 재생 방법 및 플라즈마 에칭 장치용 실리콘제 부품 |
| CN2010102873413A CN102034700B (zh) | 2009-09-28 | 2010-09-17 | 等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法 |
| US12/888,566 US8785214B2 (en) | 2009-09-28 | 2010-09-23 | Method of recycling silicon component for plasma etching apparatus and silicon component for plasma etching apparatus |
| TW099132505A TWI525695B (zh) | 2009-09-28 | 2010-09-27 | A method for regenerating a silicon member for a plasma etching apparatus, a silicon member for a plasma etching apparatus, a silicon focusing ring, and a silicon electrode plate |
| US14/306,445 US9290391B2 (en) | 2009-09-28 | 2014-06-17 | Silicon component for plasma etching apparatus |
| US15/016,474 US9399584B2 (en) | 2009-09-28 | 2016-02-05 | Silicon focus ring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009221793A JP5623722B2 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | プラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011071361A JP2011071361A (ja) | 2011-04-07 |
| JP2011071361A5 true JP2011071361A5 (ja) | 2012-11-08 |
| JP5623722B2 JP5623722B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=43780621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009221793A Expired - Fee Related JP5623722B2 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | プラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8785214B2 (ja) |
| JP (1) | JP5623722B2 (ja) |
| KR (1) | KR101710592B1 (ja) |
| CN (1) | CN102034700B (ja) |
| TW (1) | TWI525695B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5623722B2 (ja) | 2009-09-28 | 2014-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法 |
| JP2013016532A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | シリコン製部品の製造方法及びエッチング処理装置用のシリコン製部品 |
| EP2736637B1 (en) * | 2011-07-27 | 2019-07-17 | Johnson Matthey Public Limited Company | Low phosphorus chabazites |
| CN103406344B (zh) * | 2013-08-28 | 2015-04-08 | 河北宁晋松宫半导体有限公司 | 一种线切碎硅片杂质的处理方法 |
| US11393663B2 (en) * | 2019-02-25 | 2022-07-19 | Tokyo Electron Limited | Methods and systems for focus ring thickness determinations and feedback control |
| CN114373836A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-19 | 南通同方半导体有限公司 | 一种蓝宝石衬底的回收方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2097222A1 (en) * | 1992-06-01 | 1993-12-02 | Somyong Visaisouk | Particle blasting utilizing crystalline ice |
| US5366585A (en) * | 1993-01-28 | 1994-11-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor |
| JPH08236505A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Sumitomo Sitix Corp | プラズマエッチング装置用シリコン電極 |
| JPH104083A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Kyocera Corp | 半導体製造用耐食性部材 |
| JPH11191555A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Gunze Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| WO2002048421A1 (fr) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Limited | Procede de regeneration de contenant pour le traitement de plasma, element a l'interieur de ce contenant, procede de preparation de l'element a l'interieur de ce contenant, et appareil de traitement de plasma |
| JP4456769B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2010-04-28 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | フロロカーボン系プラズマ生成用シリコン製電極の洗浄方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法 |
| CN1436862A (zh) * | 2002-02-08 | 2003-08-20 | 王启振 | 高强度钢性球铁的制造方法 |
| JP2004079983A (ja) | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Creative Technology:Kk | シリコンフォーカスリングの再生使用方法 |
| JP4391808B2 (ja) | 2003-12-01 | 2009-12-24 | シャープ株式会社 | 太陽電池用シリコンウエハの再生方法、太陽電池セルの形成方法及び太陽電池用シリコンインゴットの作製方法 |
| US8058186B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Components for substrate processing apparatus and manufacturing method thereof |
| JP4689373B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | シリコンの再利用方法 |
| JP2007273707A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハとほぼ同じ寸法のシリコン電極板を用いてウエハ表面を均一にプラズマエッチングする方法。 |
| JP2008308345A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体材料の再生装置、太陽電池の製造方法および製造装置 |
| JP2009215135A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Sharp Corp | シリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| JP5623722B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2014-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法 |
| US8357263B2 (en) * | 2010-10-05 | 2013-01-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for electrical measurements in a plasma etcher |
-
2009
- 2009-09-28 JP JP2009221793A patent/JP5623722B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-15 KR KR1020100090529A patent/KR101710592B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-17 CN CN2010102873413A patent/CN102034700B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-23 US US12/888,566 patent/US8785214B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-27 TW TW099132505A patent/TWI525695B/zh active
-
2014
- 2014-06-17 US US14/306,445 patent/US9290391B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-05 US US15/016,474 patent/US9399584B2/en active Active
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