JP2011060389A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 非選択セルに流れる逆方向バイアスの電流を低減することができ、かつ降伏現象への耐圧を増加し高電位でも対応可能な、ReRAMセルから構成されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置におけるReRAMセルMは、ビット線BLとワード線WLとの交差部かつ間に、それらビット線BLとワード線WLとに電気的に接続されるように形成されている。そして、ReRAMセルMは、第1電極1、第1ダイオードD1、抵抗素子R、第2ダイオードD2、第2電極2の順番に、ビット線BLからワード線WL方向にそれらが直列的に接続されて形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明の実施形態による半導体メモリ装置におけるReRAMセルMは、ビット線BLとワード線WLとの交差部かつ間に、それらビット線BLとワード線WLとに電気的に接続されるように形成されている。そして、ReRAMセルMは、第1電極1、第1ダイオードD1、抵抗素子R、第2ダイオードD2、第2電極2の順番に、ビット線BLからワード線WL方向にそれらが直列的に接続されて形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体メモリ装置に係り、特にReRAM(Resistance Random Access Memory)セルから構成されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置に関する。
従来から、電圧、電流等を利用して物質の抵抗値を可逆的に変化させ、その抵抗値の異なる状態を情報として記憶する抵抗変化メモリであるReRAMセルから構成されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置が知られている(例えば、特許文献1。)。このような半導体メモリ装置では、複数のメモリセルアレイが積層して形成された三次元構造のメモリブロックを構成している。
一般的に、ReRAMセルはビット線およびワード線に接続され、ビット線およびワード線の間に1つのReRAMセルが形成されている。また、1つのReRAMセルは、抵抗素子と2つ電極からなるメモリ部、および1つのダイオードを有した構造をしている。
このような構造を有するReRAMセルにおいては、選択されたメモリセル内のデータの読み出し、書き込み等を行う際、非選択のメモリセルにおいて逆方向バイアスの電流がダイオードにより微量ながら発生することとなる。例えば、1Mbのメモリセルにおいて、順方向バイアスの電流が流れるメモリセルは1つであるのに対し、逆方向バイアスの電流が流れるメモリセルはほぼ全てのメモリセルである。
仮に、選択されたメモリセルに流れる順方向バイアスの電流と、非選択のメモリセルに流れる逆方向バイアスの電流との電流比を1,000,000対1とした場合、1Mbのメモリセル全体では、逆方向バイアスの電流が順方向バイアスの電流と同程度流れていることとなり、電流を無駄に流していることとなる。
上記原因により、従来のReRAMセルでは、電力消費が大きくなってしまうという問題が存在した。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、非選択セルに流れる逆方向バイアスの電流を低減することができ、かつ降伏現象への耐圧を増加し高電位でも対応可能な、ReRAMセルから構成されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による一形態の半導体メモリ装置は、ワード線と前記ワード線に一端が接続され、かつ複数のダイオードと抵抗素子とが直列に接続されてなるメモリセルと、前記メモリセルの他端に接続されたビット線と、前記ワード線を選択する行デコーダと、前記ビット線を選択する列デコーダと、を具備し、前記抵抗素子が電気的に抵抗値を変化させることができる。
また、本発明による他の形態の半導体メモリ装置は、ワード線と、前記ワード線と交差するビット線と、前記ワード線と前記ビット線との交差部で前記ワード線と前記ビット線との間に形成されたメモリセルと、前記ワード線を選択する行デコーダと、前記ビット線を選択する列デコーダと、を具備し、前記メモリセルは、前記ワード線と前記ビット線とに電気的に接続され、かつ、前記メモリセルは、複数のダイオードと抵抗素子とが直列に接続されて形成され、前記抵抗素子は、電気的に抵抗値を変化させることが可能であり、前記複数のダイオードは順方向電流の向きが同一であることを特徴とする。
また、本発明による他の形態の半導体メモリ装置は、第一の複数のワード線と、前記第一の複数のワード線と交差する第一の複数のビット線と、前記第一の複数のワード線と前記第一の複数のビット線との各々の交差部で前記第一の複数のワード線と前記第一の複数のビット線との各々の間にそれぞれ1つずつ形成された第一の複数のメモリセルを有する第一のメモリセルアレイと、第二の複数のワード線と、前記第二の複数のワード線と交差する第二の複数のビット線と、前記第二の複数のワード線と前記第二の複数のビット線との各々の交差部で前記第二の複数のワード線と前記第二の複数のビット線との各々の間にそれぞれ1つずつ形成された第二の複数のメモリセルを有する第二のメモリセルアレイと、前記第一および第二の複数のワード線から、特定のワード線を選択する行デコーダと、前記第一および第二の複数のビット線から、特定のビット線を選択する列デコーダと、を具備し、前記第一および第二の複数のメモリセルは、各々、1本のワード線および1本のビット線に電気的に接続され、かつ、前記第一および第二の複数のメモリセルは、各々、複数のダイオードと抵抗素子とが直列に接続されて形成され、前記抵抗素子は、電気的に抵抗値を変化させることが可能であり、前記複数のダイオードは順方向電流の向きが同一であり、前記第一および第二のメモリセルアレイが互いに積層して形成されることを特徴とする。
本発明によれば、非選択セルに流れる逆方向バイアスの電流を低減することができ、かつ降伏現象への耐圧を増加し高電位でも対応可能な、ReRAMセルから構成されたメモリセルアレイを有する、低消費電力な半導体メモリ装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施形態による半導体メモリ装置におけるメモリセルであるReRAMセルMの立体図である。
図1に示すように、本発明の実施形態による半導体メモリ装置におけるReRAMセルMは、ビット線BLとワード線WLとの交差部かつ間に、それらビット線BLとワード線WLとに電気的に接続されるように形成されている。そして、ReRAMセルMは、第1電極1、第1ダイオードD1、抵抗素子R、第2ダイオードD2、第2電極2の順番に、ビット線BLからワード線WL方向にそれらが直列的に接続されて形成されている。
ダイオードDは、P型半導体、絶縁膜、N型半導体から形成されている。
ここで、第1ダイオードD1と第2ダイオードD2とは、それぞれ同一の形状および寸法を有するP型半導体、絶縁膜、N型半導体から形成されているものとする。即ち、第1ダイオードD1と第2ダイオードD2とは、同一の電流‐電圧特性を有しているものとする。
抵抗素子Rは、遷移金属酸化物を記録層として用いており、印加する電圧等により内部の物理構造が変化するため、電気的に抵抗素子R自身の抵抗値が変化する特徴を有している。その可逆的に変化する抵抗値にデータを割り当て、不揮発に記憶することができる。
図2は、抵抗素子Rのセット/リセット電圧波形の一例を示している。ここで抵抗素子Rは、熱的に安定な高抵抗状態をリセット状態とし、所定の電圧Vαを所定の時間Tα印加することにより、低抵抗状態に遷移させることができる。この動作をセット動作と呼ぶ。低抵抗状態の抵抗素子Rに対して、電圧Vβ(<Vα)を所定の時間Tβ(>Tα)印加すると、大きな電流が流れて抵抗素子R自身が発生するジュール熱により元の高抵抗状態に遷移させることができる。この動作をリセット動作と呼ぶ。
即ち、この例では、抵抗素子Rは、セット動作を電圧過程により、リセット動作を熱過程により実現するものとしている。但し、セットおよびリセットの定義は、相対的なもので、抵抗素子の記録層によっては、低抵抗状態が熱的安定状態であり、これをリセット状態と定義しても良い。
この実施の形態では、図2により説明したセット/リセット動作を基本として、1ワード線上の複数のメモリセルにセット動作とリセット動作とを同時に行わせることを可能とする。
これらセット動作およびリセット動作が、半導体メモリ装置の書き込み動作に該当する。そして、抵抗素子Rの低抵抗状態や高抵抗状態を各々読み出すことで、記録されたデータを読み出すことができる。
図1においては、1つのメモリセルであるReRAMセルMのみ図示したが、図3に示すように、複数のReRAMセルMを3次元方向に集積化することもできる。更に、大容量の抵抗変化型メモリセルを得るために、図4に示すように、複数のメモリセルアレイCAを積層して三次元構造のメモリブロックを形成することもできる。ここでは、シリコン基板12上に4層のメモリセルアレイCA0−CA3を積層した例を示している。各メモリセルアレイCAのワード線WLは、ワード線コンタクト11により共通接続され、シリコン基板12上の行デコーダ20に接続される。各メモリセルアレイCAのビット線BLは独立に、それぞれビット線コンタクト10を介して、シリコン基板12上の列デコーダ21およびセンスアンプ22に接続されている。
図5は、本発明の実施形態による半導体メモリ装置の構成例の概略図である。
図5に示すように、行デコーダ20はワード線WLを、列デコーダ21はビット線BLをそれぞれ選択する回路である。センスアンプ22は、ビット線BLから出る電流を検知する回路である。制御回路部23は、行デコーダ20、列デコーダ21、センスアンプ22等を制御する制御信号を生成する回路部にあたる。
ここで、図5を用いて、本発明の実施形態による半導体メモリ装置の動作方法を説明する。
リセット動作およびセット動作時等においては、第一に、制御回路部23で制御信号の入力を行デコーダ20、列デコーダ21、センスアンプ22等の各構成に対して行い、行デコーダ20および列デコーダ21により選択したいビット線BLおよびワード線WLを選択する。例えば、BL1およびWL1が選択され、メモリセルMC1が選択されたとする。第二に、選択されたメモリセルMC1に、それぞれの動作に対応した電圧を印加することでリセット動作およびセット動作等を行う。また、読み出し動作を行う場合は、上記第一および第二の動作に加えて、第三に、BL1に流れる電流をセンスアンプ22で検知し、0/1データの出力を行う。
図6は、本発明の実施形態による半導体メモリ装置におけるメモリセルアレイの一部の回路図である。メモリセルであるReRAMセルMは、ビット線BLおよびワード線WLのクロスポイントに接続されている。ここでは、ReRAMセルMを抵抗素子RとダイオードDの回路図で示している。
ビット線BLに対し、ワード線WLよりも高い電圧を印加した場合、ダイオードDは順方向バイアス状態となり、ビット線BLからワード線WL方向に順方向電流が流れることとなる。一方、ワード線WLに対し、ビット線BLよりも高い電圧を印加した場合、ダイオードDは逆方向バイアス状態となり、ReRAMセル単体としては微量ではあるが、ワード線WLからビット線BL方向に逆方向電流が流れることとなる。
図7は、本発明の実施形態による半導体メモリ装置を動作させるための、ビット線BLおよびワード線WLへの電圧の印加状態を示している。ここで、動作とはリセット動作、セット動作、読み出し動作等を意味する。
図7−1に示すように、何も動作させない場合は、全てのビット線BLおよび全てのワード線WLに同電位V1を印加する(V1は任意の電圧であるが、通常0Vである。)。
図7−2に示すように、動作する前段階としては、全てのワード線WLにV1より高い電圧V2を印加する。そのため、全てのメモリセルのダイオードDにおいて、逆方向バイアスの電圧がかかっていることになる。
図7−3に示すように、動作時に於いては、選択されたBL1をV2に、選択されたWL1をV1に印加する。従って、選択されたメモリセルMC1では、ビット線電位の方がワード線電位より高くなり、選択されたメモリセルMC1のダイオードDが順方向バイアス状態となり、ビット線BLからワード線WL方向に順方向電流が流れることとなる。一方、その他の非選択のメモリセルにおいては、図7−1または図7−2の状態になるため、ビット線BLからワード線WL方向に順方向電流が流れることはない。
以下、本発明の実施形態による半導体メモリ装置の動作時に於ける、各ReRAMセルの状態を述べる。
第一に、選択ビット線および選択ワード線に接続されたReRAMセルに於いては、先述の通り、ビット線電位の方がワード線電位より高いため、選択メモリセルのダイオードは順方向バイアス状態となり、ビット線からワード線方向に順方向電流が流れることとなる。第二に、選択ビット線および非選択ワード線に接続されたReRAMセルに於いては、ビット線電位とワード線電位が同じであるため、非選択メモリセルのダイオードに電流は流れない。第三に、非選択ビット線および選択ワード線に接続されたReRAMに於いても、ビット線電位とワード線電位が同じであるため、非選択メモリセルのダイオードに電流は流れない。第四に、非選択ビット線および非選択ワード線に接続されたReRAMセルに於いては、ビット線電位の方がワード線電位より低いため、非選択メモリセルのダイオードは逆方向バイアス状態となり、ReRAMセル単体としては微量ではあるが、ワード線からビット線方向に逆方向電流が流れることとなる。
上記の通り、非選択ビット線および非選択ワード線に接続されたReRAMセルに関しては、逆方向バイアスにおいてダイオードはその性質上高抵抗になるため、2つのダイオードDが直列に接続されているこの実施の形態では、メモリセルにかかる抵抗はダイオードDが1つしか設けられていない従来例と比べ約2倍高くなる。また、選択ビット線および選択ワード線に接続されたReRAMセルに関しても、2つのダイオードDが直列に接続されているこの実施の形態では、メモリセルにかかる抵抗はダイオードDが1つしか設けられていない従来例と比べ約2倍高くなる。しかし、順方向バイアスにおいてダイオードはその性質上限りなく低い抵抗となるため、2つのダイオードが直列に接続されている場合であっても、ダイオードが1つしか設けられていない従来例と比べ、同程度の電流を流すことができる。
従って、本発明の実施形態による半導体メモリ装置は、選択メモリセルに流れる順方向電流を落とすことなく、非選択ビット線および非選択ワード線に接続された非選択メモリセルに流れる逆方向電流の電流量を下げることが可能である。
図8は、ReRAMセルに於ける、ダイオードの有する電流‐電圧特性を示す模式図である。単数のダイオードの電流‐電圧特性を破線で、複数のダイオードを直列に接続した場合の電流‐電圧特性を実線で表現している。また、ここでは、横軸において、ダイオードに順方向の電流が流れる際の電圧Vを正に取っている。
図8に示すように、複数のダイオードDを直列につなぐことにより、従来例と比較して降伏電圧の大きさが増し、高電位が印加された場合においても動作可能な半導体メモリ装置を提供することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々、変更して実施してもよいことは勿論である。
例えば、図9に上記実施形態の変形例を示す。
図9−1に示すように、第1電極1と第2電極2との間のダイオードDおよび抵抗素子Rが積層される順番は、如何様にも変更可能である。
また、図9−2に示すように、3つ以上のダイオードDを直列に接続することで、更に非選択ビット線および非選択ワード線に接続された非選択メモリセルに流れる逆方向電流の電流量を下げることも可能である。この場合においても、第1電極1と第2電極2との間のダイオードDおよび抵抗素子Rが積層される順番は、如何様にも変更可能である。
更に、ビット線およびワード線への電圧の印加方法に関し、各段階に於いて、本実施形態でビット線に印加した電圧をワード線に、ワード線に印加した電圧をビット線に印加する場合(図示略)であっても、ワード線からビット線方向に順方向電流が流れるようダイオードを形成することで対応可能である。
1 第1電極
2 第2電極
10 ビット線コンタクト
11 ワード線コンタクト
12 シリコン基板
20 行デコーダ
21 列デコーダ
22 センスアンプ
23 制御回路部
BL ビット線
WL ワード線
D ダイオード
R 抵抗素子
M ReRAMセル
CA メモリセルアレイ
2 第2電極
10 ビット線コンタクト
11 ワード線コンタクト
12 シリコン基板
20 行デコーダ
21 列デコーダ
22 センスアンプ
23 制御回路部
BL ビット線
WL ワード線
D ダイオード
R 抵抗素子
M ReRAMセル
CA メモリセルアレイ
Claims (5)
- ワード線と
前記ワード線に一端が接続され、かつ複数のダイオードと抵抗素子とが直列に接続されてなるメモリセルと、
前記メモリセルの他端に接続されたビット線と、
前記ワード線を選択する行デコーダと、
前記ビット線を選択する列デコーダと、
を具備し、
前記抵抗素子が電気的に抵抗値を変化させることのできる半導体メモリ装置。 - ワード線と、
前記ワード線と交差するビット線と、
前記ワード線と前記ビット線との交差部で前記ワード線と前記ビット線との間に形成されたメモリセルと、
前記ワード線を選択する行デコーダと、
前記ビット線を選択する列デコーダと、
を具備し、
前記メモリセルは、前記ワード線と前記ビット線とに電気的に接続され、
かつ、前記メモリセルは、複数のダイオードと抵抗素子とが直列に接続されて形成され、
前記抵抗素子は、電気的に抵抗値を変化させることが可能であり、
前記複数のダイオードは順方向電流の向きが同一である
ことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 第一の複数のワード線と、前記第一の複数のワード線と交差する第一の複数のビット線と、前記第一の複数のワード線と前記第一の複数のビット線との各々の交差部で前記第一の複数のワード線と前記第一の複数のビット線との各々の間にそれぞれ1つずつ形成された第一の複数のメモリセルを有する第一のメモリセルアレイと、
第二の複数のワード線と、前記第二の複数のワード線と交差する第二の複数のビット線と、前記第二の複数のワード線と前記第二の複数のビット線との各々の交差部で前記第二の複数のワード線と前記第二の複数のビット線との各々の間にそれぞれ1つずつ形成された第二の複数のメモリセルを有する第二のメモリセルアレイと、
前記第一および第二の複数のワード線から、特定のワード線を選択する行デコーダと、
前記第一および第二の複数のビット線から、特定のビット線を選択する列デコーダと、
を具備し、
前記第一および第二の複数のメモリセルは、各々、1本のワード線および1本のビット線に電気的に接続され、
かつ、前記第一および第二の複数のメモリセルは、各々、複数のダイオードと抵抗素子とが直列に接続されて形成され、
前記抵抗素子は、電気的に抵抗値を変化させることが可能であり、
前記複数のダイオードは順方向電流の向きが同一であり、
前記第一および第二のメモリセルアレイが互いに積層して形成される
ことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記複数のダイオードが、それぞれ同一の電流‐電圧特性を有していることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の半導体メモリ装置。
- 前記メモリセルが、2つの前記ダイオードが前記抵抗素子を挟むように形成されることを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項記載の半導体メモリ装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9117516B2 (en) | 2013-05-10 | 2015-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance change memory |
US9424905B2 (en) | 2013-12-05 | 2016-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of operating semiconductor memory device |
CN112447902A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | 铠侠股份有限公司 | 半导体存储装置 |
-
2009
- 2009-09-11 JP JP2009210547A patent/JP2011060389A/ja active Pending
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