JP2011049558A - 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011049558A JP2011049558A JP2010187052A JP2010187052A JP2011049558A JP 2011049558 A JP2011049558 A JP 2011049558A JP 2010187052 A JP2010187052 A JP 2010187052A JP 2010187052 A JP2010187052 A JP 2010187052A JP 2011049558 A JP2011049558 A JP 2011049558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- moving body
- heads
- measurement
- head
- position information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F7/00—Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
- G06F7/06—Arrangements for sorting, selecting, merging, or comparing data on individual record carriers
- G06F7/20—Comparing separate sets of record carriers arranged in the same sequence to determine whether at least some of the data in one set is identical with that in the other set or sets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 ステージWST1上に搭載された4つのヘッド601〜604のうち、互いに異なる1つのヘッドを含む3つのヘッドが属する第1ヘッド群と第2ヘッド群とに含まれるヘッドがスケール板上の対応する領域に対向する領域A0内で、第1ヘッド群を用いて得られる位置情報に基づいてステージWST1を駆動するとともに、第1及び第2ヘッド群を用いて得られる位置情報を用いて対応する第1及び第2基準座標系C1,C2間のずれ(位置、回転、スケーリングのずれ)を求める。その結果を用いて第2ヘッド群を用いて得られる計測結果を補正することにより、第1及び第2基準座標系C1,C2間のずれが較正され、4つのヘッド601〜604のそれぞれが対向するスケール板上の領域の相互間のずれに伴う計測誤差が修正される。
【選択図】図8
Description
ウエハステージWST2も、ウエハステージWST1と同様に構成されている。
+(cosθz−sinθz)Y/√2+√2psinθz…(1)
C2=−(cosθz−sinθz)X/√2
−(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(2)
C3= (cosθz+sinθz)X/√2
−(cosθz−sinθz)Y/√2+√2psinθz…(3)
C4= (cosθz−sinθz)X/√2
+(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(4)
ただし、pは、図5に示されるように、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッドのX軸及びY軸方向に関する距離である。
D2= ptanθy+ptanθx+Z …(9)
D3= ptanθy−ptanθx+Z …(10)
D4=−ptanθy−ptanθx+Z …(11)
ただし、pは、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッドのX軸及びY軸方向に関する距離(図5参照)である。
Claims (63)
- 物体を露光する露光方法であって、
所定平面に沿って移動する移動体に設けられた複数のヘッドのうち、相互に異なるヘッドを少なくとも1つ含む複数のヘッドがそれぞれ属する複数のヘッド群が、前記移動体の外部に前記所定平面に略平行に配置された計測面上の対応する領域にそれぞれ対向する前記移動体の第1移動領域内で、前記複数のヘッド群のそれぞれに対応する複数の異なる基準座標系間のずれの修正情報を求めることと;
前記第1移動領域内で、前記複数のヘッド群のそれぞれに属する複数のヘッドを用いて前記移動体の位置情報を求め、該位置情報と前記複数のヘッド群のそれぞれに対応する複数の異なる基準座標系間のずれの前記修正情報とを用いて前記移動体を駆動して、前記移動体に保持される物体を露光することと;を含む露光方法。 - 前記基準座標系間のずれの修正情報を求めることは、前記複数のヘッド群のうち、第1、第2のヘッド群が前記計測面上の対応する領域にそれぞれ対向する前記移動体の前記第1移動領域内の領域で、前記第1ヘッド群を用いて前記移動体の第1の位置情報を求め、該第1の位置情報に基づいて前記移動体を駆動するとともに、前記第2ヘッド群を用いて前記移動体の第2の位置情報を求め、前記第1の位置情報及び前記第2の位置情報を用いて前記第1及び第2ヘッド群のそれぞれに対応する第1及び第2基準座標系間のずれの修正情報を求めることを含み、
前記物体を露光することでは、前記第1移動領域内で、前記第2ヘッド群に対応する複数のヘッドを用いて計測された前記移動体の位置情報が、前記第1及び第2基準座標系間のずれの修正情報を用いて修正される請求項1に記載の露光方法。 - 第1及び第2基準座標系間のずれの修正情報を求めることでは、前記第2ヘッド群を用いて求められる前記移動体の第2の位置情報を前記第1ヘッド群を用いて求められる前記移動体の第1の位置情報に一致させるための第1修正情報を作成する請求項2に記載の露光方法。
- 前記物体を露光することでは、前記第1修正情報を前記第2の位置情報に適用して、前記第1及び第2ヘッド群に属するヘッドのそれぞれが対向する前記計測面上の領域間のずれに起因する前記第1及び第2の位置情報間のずれを修正する請求項3に記載の露光方法。
- 前記基準座標系間のずれの修正情報を求めることは、前記第2のヘッド群と該第2のヘッド群とは異なるヘッドを少なくとも1つ含む複数のヘッドが属する第3のヘッド群とが前記計測面上の対応する領域にそれぞれ対向する前記移動体の移動領域内の領域で、前記第2ヘッド群を用いて前記移動体の第2の位置情報を計測し、該第2の位置情報と前記第1修正情報とに基づいて前記移動体を駆動するとともに前記第3ヘッド群を用いて前記移動体の第3の位置情報を計測し、前記第2及び第3位置情報と前記第1修正情報とを用いて前記第2及び第3ヘッド群のそれぞれに対応する第2及び第3基準座標系間のずれの修正情報を求めることをさらに含み、
前記物体を露光することでは、前記第1移動領域内で、前記第3ヘッド群に属する複数のヘッドを用いて計測された前記移動体の位置情報が、前記第2及び第3基準座標系間のずれの修正情報を用いて修正される請求項3又は4に記載の露光方法。 - 前記基準座標系間のずれの修正情報を求めることは、前記第3位置情報を前記第1修正情報が適用された前記第2位置情報に一致させるための第2修正情報を作成することをさらに含む請求項5に記載の露光方法。
- 前記物体を露光することでは、前記第2修正情報を前記第3ヘッド群の計測結果に適用して、前記第2及び第3ヘッド群間の異なるヘッドのそれぞれが対向する前記計測面上の領域間のずれに起因する前記第2位置情報及び前記第3位置情報間のずれを修正する請求項6に記載の露光方法。
- 前記修正情報は、前記複数のヘッドのうちのヘッド群に対応する複数の基準座標系のそれぞれについての前記第1基準座標系を基準とする並進、回転、及びスケーリングの少なくとも1つを含む請求項2〜7のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記基準座標系間のずれの修正情報を求めることでは、前記複数の基準座標系のそれぞれに対応する複数のヘッド群に含まれる全てのヘッドが前記計測面上の対応する領域にそれぞれ対向する前記移動体の移動領域内で前記移動体を駆動して、前記複数の基準座標系相互間のずれの修正情報を求める請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記複数のヘッドが前記所定平面に略平行に設けられた前記計測面とは別の計測面に対向する前記移動体の第2移動領域内で、前記複数のヘッドに対応する複数の基準座標系間のずれの修正情報を求めることと;
前記第2移動領域内で、前記複数のヘッドを用いて前記移動体の位置情報を求め、該位置情報と前記複数のヘッド群のそれぞれに対応する複数の異なる基準座標系間のずれの前記修正情報とを用いて前記移動体を駆動して、前記移動体に保持される物体上のマークを検出することと;をさらに含み、
前記物体を露光することでは、前記マークの検出結果を用いて前記移動体を駆動する請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記第1移動領域内で規定される複数の基準座標系を含む第1基準座標系群と前記第2移動領域内で規定される複数の基準座標系を含む第2基準座標系群との位置関係を求めることをさらに含む請求項10に記載の露光方法。
- 前記位置関係を求めることでは、前記計測面に対向する前記複数のヘッドを用いて前記移動体の位置情報を計測し、該計測結果に基づいて前記移動体を駆動して該移動体に設けられた基準マークを第1検出位置に位置決めして検出し、前記計測面とは別の計測面に対向する前記複数のヘッドを用いて前記移動体の位置情報を求め、該位置情報に基づいて前記移動体を駆動して前記基準マークを前記第1検出位置と離間する第2検出位置に位置決めして検出し、前記基準マークの検出結果を用いて、前記計測面に対向する前記複数のヘッドに対応する前記第1基準座標系群と前記別の計測面に対向する前記複数のヘッドに対応する前記第2基準座標系群との位置関係を求める請求項11に記載の露光方法。
- 前記位置関係には、前記第1及び第2基準座標系群間の相対位置、相対角、相対スケーリングの少なくとも1つが含まれる請求項12に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記移動体の位置情報の計測結果の補正に用いられる請求項1〜13のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記移動体を駆動する際に、前記移動体の現在位置又は目標位置に加えられるオフセットとして用いられる請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記パターンの転写時における前記パターンの原版であるマスクを保持するマスクステージの前記移動体に対する相対位置の補正に用いられる請求項1〜15のいずれか一項に記載の露光方法。
- 物体を露光する露光方法であって、
前記物体を露光するため、前記物体を保持する移動体上に搭載された第1の数のヘッドのうち、互いに異なる1つのヘッドを含む第1ヘッド群と第2ヘッド群とにそれぞれ属する第2の数のヘッドが計測面上の対応する領域に対向する所定領域内で、前記第1、第2ヘッド群を用いて得られる第1、第2の位置情報の少なくとも一方に基づいて、前記移動体を駆動することを含む露光方法。 - 物体を露光する露光装置であって、
物体を保持して所定平面に沿って移動する移動体と;
前記移動体に設けられた複数のヘッドのうち、前記物体に対する露光位置の近傍に前記移動体の外部に前記所定平面に略平行に配置された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光するヘッドの出力に基づいて、前記移動体の位置情報を求める位置計測系と;
前記位置計測系で取得された前記位置情報に基づいて、前記移動体を駆動するとともに、前記移動体の位置に応じて前記複数のヘッドの中から前記位置計測系が前記位置情報の取得に用いるヘッドを切り換える制御系と;を備え、
前記制御系は、前記複数のヘッドが前記計測面に対向する前記移動体の第1移動領域内で、前記複数のヘッドに対応する複数の基準座標系相互間のずれを修正する露光装置。 - 前記制御系は、前記複数のヘッドのうち、相互に異なるヘッドを少なくとも1つ含む複数のヘッドがそれぞれ属する複数のヘッド群が、前記計測面上の対応する領域にそれぞれ対向する前記移動体の前記第1移動領域内で、前記複数のヘッド群のそれぞれに対応する複数の異なる基準座標系間のずれを修正する請求項18に記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記複数の基準座標系のそれぞれに対応する複数のヘッド群に含まれる全てのヘッドが前記計測面上の対応する領域にそれぞれ対向する前記移動体の移動領域内で前記移動体を駆動して、前記複数の基準座標系相互間のずれの修正情報を求める請求項19に記載の露光装置。
- 前記修正情報は、前記複数のヘッドのうちのヘッド群に対応する複数の基準座標系のそれぞれについての前記第1基準座標系を基準とする並進、回転、及びスケーリングの少なくとも1つを含む請求項20に記載の露光装置。
- 前記計測面は、前記複数のヘッド群のそれぞれが対向する複数部分から構成される請求項19〜21のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記計測面には、前記所定平面内で互いに直交する2軸方向を周期方向とする2次元グレーティングが形成されている請求項18〜22のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記2軸方向のいずれかを計測方向とする請求項23に記載の露光装置。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記所定平面に垂直な方向を計測方向とする請求項18〜24のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記移動体に保持される前記物体上のマークを検出するマーク検出系と;
前記複数のヘッドのうち、前記マーク検出系の近傍に前記移動体の外部に前記所定平面に略平行に配置された別の計測面に計測ビームを照射し、該別の計測面からの戻りビームを受光するヘッドの出力に基づいて、前記移動体の位置情報を求める別の位置計測系と;をさらに備え、
前記制御系は、さらに、前記別の位置計測系で取得された前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動する請求項18〜25のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記別の計測面は、前記複数のヘッドのそれぞれが対向する複数部分から構成される請求項26に記載の露光装置。
- 物体を露光する露光装置であって、
物体を保持して所定平面に沿って移動する移動体と;
前記移動体上に搭載された第1の数のヘッドのうち、前記物体に対する露光位置の近傍に前記移動体の外部に前記所定平面に略平行に配置された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光するヘッドの出力に基づいて、前記移動体の位置情報を求める位置計測系と;
前記移動体を駆動する駆動系と;
前記位置計測系の第1の数のヘッドのうち、互いに異なる1つのヘッドを含む第1ヘッド群と第2ヘッド群とにそれぞれ属する第2の数のヘッドが計測面上の対応する領域に対向する所定領域内で、前記第1、第2ヘッド群を用いて得られる第1、第2の位置情報の少なくとも一方に基づいて、前記駆動系を制御する制御系と;を備える露光装置。 - 物体を露光する露光装置であって、
物体を保持して所定平面に沿って移動する移動体と;
前記移動体に設けられた複数のヘッドのうち、前記物体に対する露光位置の近傍に前記移動体の外部に前記所定平面に略平行に配置された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光するヘッドの出力に基づいて、前記移動体の位置情報を求める位置計測系と;
前記位置計測系で取得された前記位置情報に基づいて、前記移動体を駆動するとともに、前記移動体の位置制御に用いる第1の数のヘッドよりも数が多い第2の数のヘッドでそれぞれ位置計測が可能な領域内で前記移動体を移動して前記位置計測系によって求められる前記移動体の位置情報の補正情報を取得する制御系と;を備える露光装置。 - 前記制御系は、前記第2の数のヘッドのうち、相互に異なるヘッドを少なくとも1つ含む前記第1の数のヘッドがそれぞれ属する複数のヘッド群の出力に基づいて求められる前記移動体の位置情報の補正情報を取得する請求項29に記載の露光装置。
- 前記計測面は、前記複数のヘッド群のそれぞれが対向する複数部分から構成される請求項29又は30に記載の露光装置。
- 前記計測面には、前記所定平面内で互いに直交する2軸方向を周期方向とする2次元グレーティングが形成されている請求項29〜31のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記2軸方向のいずれかを計測方向とする請求項32に記載の露光装置。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記所定平面に垂直な方向を計測方向とする請求項29〜33のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記補正情報は、前記制御系により、前記位置計測系による計測結果の補正に用いられる請求項29〜34のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記補正情報は、前記制御系により、前記移動体を駆動する際に、前記移動体の現在位置又は目標位置に加えられるオフセットとして用いられる請求項29〜35のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記パターンが形成された原版であるマスクを保持するマスクステージをさらに備え、
前記補正情報は、前記制御系により、前記マスクステージの前記移動体に対する相対位置の補正に用いられる請求項29〜36のいずれか一項に記載の露光装置。 - 物体を露光する露光方法であって、
所定平面に沿って移動する移動体に設けられた複数のヘッドのうち、相互に異なるヘッドを少なくとも1つ含む前記移動体の位置制御に必要な第1の数のヘッドがそれぞれ属する複数のヘッド群が、前記移動体の外部に前記所定平面に略平行に配置された計測面上対向する前記移動体の第1移動領域内で、前記移動体を移動して前記位置計測系によって求められる前記移動体の位置情報の補正情報を取得することと;
前記補正情報を用いて前記移動体を駆動して、前記移動体に保持される物体を露光することと;を含む露光方法。 - 前記計測面は、前記複数のヘッド群のそれぞれが対向する複数部分から構成される請求項38に記載の露光方法。
- 前記計測面には、前記所定平面内で互いに直交する2軸方向を周期方向とする2次元グレーティングが形成されている請求項38又は39に記載の露光方法。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記2軸方向のいずれかを計測方向とする請求項40に記載の露光方法。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記所定平面に垂直な方向を計測方向とする請求項38〜41のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記移動体の位置情報の計測結果の補正に用いられる請求項38〜42のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記移動体を駆動する際に、前記移動体の現在位置又は目標位置に加えられるオフセットとして用いられる請求項38〜43のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記パターンの転写時における前記パターンの原版であるマスクを保持するマスクステージの前記移動体に対する相対位置の補正に用いられる請求項38〜44のいずれか一項に記載の露光方法。
- 物体を露光する露光装置であって、
物体を保持して所定平面に沿って移動する移動体と;
前記移動体に設けられた複数のヘッドのうち、前記物体に対する露光位置の近傍に前記移動体の外部に前記所定平面に略平行に配置された複数のスケール板から成る計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光するヘッドの出力に基づいて、前記移動体の位置情報を求める位置計測系と;
前記位置計測系で取得された前記位置情報に基づいて、前記移動体を駆動するとともに、前記移動体の位置に応じて前記複数のヘッドの中から前記位置計測系が前記位置情報の取得に用いるヘッドを切り換える制御系と;を備え、
前記制御系は、前記複数のヘッドが前記計測面に対向する前記移動体の第1移動領域内で、前記複数のヘッドに対応する複数のスケール板相互の位置関係を取得する露光装置。 - 前記複数のヘッドのうち、相互に異なるヘッドを少なくとも1つ含む複数のヘッドがそれぞれ属する複数のヘッド群が、それぞれ前記複数のスケール板に対向する請求項46に記載の露光装置。
- 前記制御系は、前記複数のスケール板のそれぞれに対応する複数のヘッド群に含まれる全てのヘッドが対応する前記スケール板にそれぞれ対向する前記移動体の移動領域内で前記移動体を駆動して、前記複数のスケール板相互の位置関係を取得する請求項47に記載の露光装置。
- 前記計測面には、前記所定平面内で互いに直交する2軸方向を周期方向とする2次元グレーティングが形成されている請求項46〜48のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記2軸方向のいずれかを計測方向とする請求項49に記載の露光装置。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記所定平面に垂直な方向を計測方向とする請求項46〜50のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記スケール板相互の位置関係は、前記制御系により、前記位置計測系による計測結果の補正に用いられる請求項46〜51のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記スケール板相互の位置関係は、前記制御系により、前記移動体を駆動する際に、前記移動体の現在位置又は目標位置に加えられるオフセットとして用いられる請求項46〜52のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記パターンが形成された原版であるマスクを保持するマスクステージをさらに備え、
前記スケール板相互の位置関係は、前記制御系により、前記マスクステージの前記移動体に対する相対位置の補正に用いられる請求項46〜53のいずれか一項に記載の露光装置。 - 請求項18〜37、46〜54に記載の露光装置を用いて物体を露光し、前記物体上にパターンを形成することと;
前記パターンが形成された前記物体を現像することと;を含むデバイス製造方法。 - 物体を露光する露光方法であって、
所定平面に沿って移動する移動体に設けられた複数のヘッドのうち、相互に異なるヘッドを少なくとも1つ含む複数のヘッドがそれぞれ属する複数のヘッド群が、前記移動体の外部に前記所定平面に略平行に配置された複数のスケール板から成る計測面にそれぞれ対向する前記移動体の第1移動領域内で、前記複数のヘッド群のそれぞれに対応する複数のスケール板相互の位置関係を取得することと;
前記第1移動領域内で、前記複数のヘッド群のそれぞれに属する複数のヘッドを用いて前記移動体の位置情報を求め、該位置情報と前記複数のヘッド群のそれぞれに対応する複数のスケール板相互の位置関係とを用いて前記移動体を駆動して、前記移動体に保持される物体を露光することと;を含む露光方法。 - 前記計測面には、前記所定平面内で互いに直交する2軸方向を周期方向とする2次元グレーティングが形成されている請求項56に記載の露光方法。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記2軸方向のいずれかを計測方向とする請求項57に記載の露光方法。
- 前記複数のヘッドのそれぞれは、少なくとも、前記所定平面に垂直な方向を計測方向とする請求項56〜58のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記移動体の位置情報の計測結果の補正に用いられる請求項56〜59のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記移動体を駆動する際に、前記移動体の現在位置又は目標位置に加えられるオフセットとして用いられる請求項56〜60のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記補正情報は、前記パターンの転写時における前記パターンの原版であるマスクを保持するマスクステージの前記移動体に対する相対位置の補正に用いられる請求項56〜61のいずれか一項に記載の露光方法。
- 請求項1〜17、38〜45、56〜62に記載の露光方法を用いて物体を露光し、前記物体上にパターンを形成することと;
前記パターンが形成された前記物体を現像することと;を含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23670409P | 2009-08-25 | 2009-08-25 | |
US61/236,704 | 2009-08-25 | ||
US12/860,097 US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-20 | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US12/860,097 | 2010-08-20 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014045912A Division JP5812370B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-03-10 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011049558A true JP2011049558A (ja) | 2011-03-10 |
JP5637496B2 JP5637496B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=43625432
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010187052A Active JP5637496B2 (ja) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014045912A Active JP5812370B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-03-10 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014125963A Active JP5846255B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-06-19 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002653A Active JP6035692B2 (ja) | 2009-08-25 | 2015-01-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127274A Active JP6035695B2 (ja) | 2009-08-25 | 2015-06-25 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004179A Active JP6107981B2 (ja) | 2009-08-25 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016218331A Active JP6292546B2 (ja) | 2009-08-25 | 2016-11-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018025540A Active JP6548150B2 (ja) | 2009-08-25 | 2018-02-16 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014045912A Active JP5812370B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-03-10 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014125963A Active JP5846255B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-06-19 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002653A Active JP6035692B2 (ja) | 2009-08-25 | 2015-01-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127274A Active JP6035695B2 (ja) | 2009-08-25 | 2015-06-25 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004179A Active JP6107981B2 (ja) | 2009-08-25 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016218331A Active JP6292546B2 (ja) | 2009-08-25 | 2016-11-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018025540A Active JP6548150B2 (ja) | 2009-08-25 | 2018-02-16 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (10) | US8514395B2 (ja) |
EP (7) | EP2818928B8 (ja) |
JP (8) | JP5637496B2 (ja) |
KR (7) | KR101539191B1 (ja) |
CN (4) | CN105182694B (ja) |
HK (8) | HK1171267A1 (ja) |
TW (8) | TWI594084B (ja) |
WO (1) | WO2011024984A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014150264A (ja) * | 2009-08-25 | 2014-08-21 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014212332A (ja) * | 2009-08-25 | 2014-11-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014232753A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2017181935A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置、ステージ較正システム、ステージ較正方法、および較正治具 |
JP2018049279A (ja) * | 2017-10-18 | 2018-03-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2018142020A (ja) * | 2012-10-02 | 2018-09-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
JP5832345B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2015-12-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
DE102012218039A1 (de) * | 2012-10-02 | 2014-04-03 | Schaeffler Technologies Gmbh & Co. Kg | Planarantrieb sowie Verfahren zu dessen Kalibrierung |
CN103198035B (zh) * | 2013-02-28 | 2016-07-20 | 北京优纳科技有限公司 | 对位方法及对位系统 |
US10276418B2 (en) * | 2013-12-31 | 2019-04-30 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Silicon wafer pre-alignment device and method therefor |
CN104865798B (zh) * | 2014-02-21 | 2017-07-11 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法 |
CN105185703B (zh) * | 2014-06-18 | 2019-09-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆边缘找平的方法 |
JP6661270B2 (ja) | 2015-01-16 | 2020-03-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光システム、および物品の製造方法 |
US20180015614A1 (en) * | 2015-02-04 | 2018-01-18 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Robot shakes automatically adjusting device and method of automatically adjusting shakes of robot |
CN107250915B (zh) | 2015-02-23 | 2020-03-13 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法 |
EP3264030B1 (en) * | 2015-02-23 | 2020-07-22 | Nikon Corporation | Measurement device, lithography system and exposure device, and device manufacturing method |
WO2016136691A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2016159295A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 |
US10268121B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-04-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method |
DE102015219810A1 (de) * | 2015-10-13 | 2017-04-13 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | X-Y-Tisch mit einer Positionsmesseinrichtung |
CN105425550A (zh) * | 2016-01-14 | 2016-03-23 | 哈尔滨工业大学 | 基于交错磁钢排布的动线圈气磁结合气浮双工件台矢量圆弧换台方法及装置 |
US9865477B2 (en) * | 2016-02-24 | 2018-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Backside polisher with dry frontside design and method using the same |
CN205427436U (zh) * | 2016-03-23 | 2016-08-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的对位检测设备及曝光工艺系统 |
JP7081490B2 (ja) | 2016-09-27 | 2022-06-07 | 株式会社ニコン | レイアウト情報提供方法、レイアウト情報、決定方法、プログラム、並びに情報記録媒体 |
JP6752450B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-09-09 | 株式会社ニコン | 移動体装置、移動方法、露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、並びにデバイス製造方法 |
CN107883887B (zh) | 2016-09-30 | 2019-11-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光学测量装置和方法 |
US10670977B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-06-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, moving method, exposure apparatus, exposure method, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method |
CN107883884B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光学测量装置和方法 |
KR102318643B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2021-10-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 이동 방법, 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN106773525B (zh) * | 2017-03-01 | 2020-06-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 掩模板、对位方法、显示面板、显示装置及其对盒方法 |
US10585360B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-03-10 | Applied Materials, Inc. | Exposure system alignment and calibration method |
CN109116593B (zh) * | 2018-08-02 | 2021-07-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 母板曝光方法 |
NL2023546A (en) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | Asml Netherlands Bv | Stage apparatus and method for calibrating an object loading process |
KR20200122665A (ko) | 2019-04-18 | 2020-10-28 | 삼성전자주식회사 | 진공 챔버용 계측 장치, 및 그 계측 장치를 포함한 계측 시스템 |
CN114056937B (zh) * | 2021-12-13 | 2023-06-23 | 芯峰光电技术(深圳)有限公司 | 一种电子芯片多工位自动吸取加工生产线 |
TWI814668B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-09-01 | 南韓商細美事有限公司 | 用於處理基板之設備及用於處理基板之方法 |
CN115574722B (zh) * | 2022-11-04 | 2024-03-29 | 中国计量科学研究院 | 一种自溯源干涉式位移传感器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007318119A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | 変位測定システム、リソグラフィ装置、変位測定方法およびデバイス製造方法 |
WO2009084244A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nikon Corporation | 露光装置、移動体駆動システム、パターン形成装置、及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3330964A (en) * | 1963-09-09 | 1967-07-11 | Itck Corp | Photoelectric coordinate measuring system |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JP2829642B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1998-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP3149472B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
US5196745A (en) | 1991-08-16 | 1993-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Magnetic positioning device |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JP2963603B2 (ja) | 1993-05-31 | 1999-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置のアライメント方法 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
DE69738910D1 (de) | 1996-11-28 | 2008-09-25 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
WO1998028665A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
CN100578876C (zh) | 1998-03-11 | 2010-01-06 | 株式会社尼康 | 紫外激光装置以及使用该紫外激光装置的曝光装置和曝光方法 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
SG124257A1 (en) | 2000-02-25 | 2006-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
DE10011130A1 (de) | 2000-03-10 | 2001-09-13 | Mannesmann Vdo Ag | Entlüftungseinrichtung für einen Kraftstoffbehälter |
US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
TW527526B (en) | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1182509B1 (en) * | 2000-08-24 | 2009-04-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, calibration method thereof and device manufacturing method |
US7289212B2 (en) | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
US6480271B1 (en) * | 2001-01-08 | 2002-11-12 | The Boeing Company | Traversing laser locating system |
US6611316B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7025498B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
TWI295408B (en) | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
US7256871B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
EP1804278A4 (en) * | 2004-09-14 | 2011-03-02 | Nikon Corp | CORRECTION METHOD AND EXPOSURE DEVICE |
EP1794650A4 (en) | 2004-09-30 | 2008-09-10 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION DEVICE AND EXPOSURE DEVICE |
US20090213357A1 (en) * | 2004-10-08 | 2009-08-27 | Dai Arai | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US20060139595A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7349069B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
WO2006112554A1 (en) * | 2005-04-21 | 2006-10-26 | Fujifilm Corporation | Method of and system for drawing |
US8693006B2 (en) * | 2005-06-28 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method |
US7348574B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
KR100869306B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2008-11-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7362446B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
US7978339B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
EP2963498B8 (en) * | 2006-01-19 | 2017-07-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CN101385122B (zh) | 2006-02-21 | 2010-12-08 | 株式会社尼康 | 图案形成装置、标记检测装置、曝光装置、图案形成方法、曝光方法及组件制造方法 |
US7602489B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070281149A1 (en) * | 2006-06-06 | 2007-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080094592A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-04-24 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
JP5486189B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2014-05-07 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
KR101323530B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2013-10-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
KR101360507B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2014-02-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 시스템, 패턴 형성 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US7619207B2 (en) | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7561280B2 (en) | 2007-03-15 | 2009-07-14 | Agilent Technologies, Inc. | Displacement measurement sensor head and system having measurement sub-beams comprising zeroth order and first order diffraction components |
US7903866B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804579B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product |
US8194232B2 (en) * | 2007-07-24 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method |
US8243257B2 (en) * | 2007-07-24 | 2012-08-14 | Nikon Corporation | Position measurement system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and device manufacturing method, and tool and measuring method |
US8264669B2 (en) * | 2007-07-24 | 2012-09-11 | Nikon Corporation | Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head |
US9304412B2 (en) * | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
US8237919B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
DE102007046927A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036180A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method. |
US8269945B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8237916B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
NL1036742A1 (nl) * | 2008-04-18 | 2009-10-20 | Asml Netherlands Bv | Stage system calibration method, stage system and lithographic apparatus comprising such stage system. |
US8279401B2 (en) * | 2008-04-25 | 2012-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Position control system, a lithographic apparatus and a method for controlling a position of a movable object |
EP2131245A3 (en) * | 2008-06-02 | 2012-08-01 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and its focus determination method |
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5926153B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-05-25 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | クレードル、テーブル、および医用装置 |
JP6207390B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-10-04 | 日本化薬株式会社 | 赤外線遮蔽シート及びその用途 |
JP6211821B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2017-10-11 | 東芝産業機器システム株式会社 | 固定子鉄心の製造方法 |
-
2010
- 2010-08-20 US US12/860,097 patent/US8514395B2/en active Active
- 2010-08-24 CN CN201510542373.6A patent/CN105182694B/zh active Active
- 2010-08-24 JP JP2010187052A patent/JP5637496B2/ja active Active
- 2010-08-24 KR KR1020147018900A patent/KR101539191B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 EP EP14179101.2A patent/EP2818928B8/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020147018901A patent/KR101539192B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 EP EP16166162.4A patent/EP3098655B1/en active Active
- 2010-08-24 WO PCT/JP2010/064662 patent/WO2011024984A1/en active Application Filing
- 2010-08-24 EP EP15173361.5A patent/EP2957956B1/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020127005302A patent/KR101533143B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 CN CN201080037584.XA patent/CN102625924B/zh active Active
- 2010-08-24 EP EP10752443.1A patent/EP2470961B1/en active Active
- 2010-08-24 EP EP15173365.6A patent/EP2957957B1/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020157029936A patent/KR101680541B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 KR KR1020157001128A patent/KR101596206B1/ko active Application Filing
- 2010-08-24 EP EP17169460.7A patent/EP3244263B1/en active Active
- 2010-08-24 CN CN201510541459.7A patent/CN105182693B/zh active Active
- 2010-08-24 KR KR1020187007269A patent/KR101969267B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 EP EP17169465.6A patent/EP3244264B1/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020167032581A patent/KR101840582B1/ko active Application Filing
- 2010-08-24 CN CN201510542536.0A patent/CN105182695B/zh active Active
- 2010-08-25 TW TW105125603A patent/TWI594084B/zh active
- 2010-08-25 TW TW103129832A patent/TWI554845B/zh active
- 2010-08-25 TW TW106120904A patent/TWI636340B/zh active
- 2010-08-25 TW TW103129829A patent/TWI554844B/zh active
- 2010-08-25 TW TW108102144A patent/TWI684075B/zh active
- 2010-08-25 TW TW106113430A patent/TWI652550B/zh active
- 2010-08-25 TW TW099128363A patent/TWI529495B/zh active
- 2010-08-25 TW TW104144191A patent/TWI585549B/zh active
-
2012
- 2012-11-23 HK HK12112035.8A patent/HK1171267A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-07-17 US US13/944,397 patent/US8842278B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-10 JP JP2014045912A patent/JP5812370B2/ja active Active
- 2014-06-19 JP JP2014125963A patent/JP5846255B2/ja active Active
- 2014-08-19 US US14/462,668 patent/US9477155B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002653A patent/JP6035692B2/ja active Active
- 2015-02-09 HK HK16114078A patent/HK1225812A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-02-09 HK HK15101393.4A patent/HK1200924A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-06-25 JP JP2015127274A patent/JP6035695B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004179A patent/JP6107981B2/ja active Active
- 2016-02-23 HK HK16101982.0A patent/HK1214369A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-02-23 HK HK16101985.7A patent/HK1214371A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-02-23 HK HK16101983.9A patent/HK1214370A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-03-30 HK HK16103597.3A patent/HK1215733A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-03-30 HK HK16103601.7A patent/HK1215734A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-09-19 US US15/269,030 patent/US9971246B2/en active Active
- 2016-09-19 US US15/269,160 patent/US10073345B2/en active Active
- 2016-11-08 JP JP2016218331A patent/JP6292546B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-30 US US15/608,130 patent/US10151979B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-16 JP JP2018025540A patent/JP6548150B2/ja active Active
- 2018-08-07 US US16/056,875 patent/US10527943B2/en active Active
- 2018-08-08 US US16/058,255 patent/US10527944B2/en active Active
- 2018-10-30 US US16/174,652 patent/US10545407B2/en active Active
-
2019
- 2019-12-04 US US16/702,650 patent/US11067894B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007318119A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | 変位測定システム、リソグラフィ装置、変位測定方法およびデバイス製造方法 |
WO2009084244A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nikon Corporation | 露光装置、移動体駆動システム、パターン形成装置、及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016128911A (ja) * | 2009-08-25 | 2016-07-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015109458A (ja) * | 2009-08-25 | 2015-06-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014150264A (ja) * | 2009-08-25 | 2014-08-21 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015109459A (ja) * | 2009-08-25 | 2015-06-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016106255A (ja) * | 2009-08-25 | 2016-06-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015207013A (ja) * | 2009-08-25 | 2015-11-19 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015212833A (ja) * | 2009-08-25 | 2015-11-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014212332A (ja) * | 2009-08-25 | 2014-11-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018142020A (ja) * | 2012-10-02 | 2018-09-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US10409166B2 (en) | 2012-10-02 | 2019-09-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US10852639B2 (en) | 2012-10-02 | 2020-12-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US11256175B2 (en) | 2012-10-02 | 2022-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US11579532B2 (en) | 2012-10-02 | 2023-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US11747736B2 (en) | 2012-10-02 | 2023-09-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP2014232753A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2017181935A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置、ステージ較正システム、ステージ較正方法、および較正治具 |
JP2018049279A (ja) * | 2017-10-18 | 2018-03-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6292546B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140929 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141012 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5637496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |