JP2011043640A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッシベーション膜336をエッチングして、配線330との電気的接続を図るためのスルーホール342を形成する。パッシベーション膜336上及び配線330のスルーホール342内の部分上に金属層を形成する。金属層をエッチングして画素電極348を形成する。パッシベーション膜336をエッチングする工程で、配線330の、ドレイン電極334及びソース電極332よりも基板310の切断ライン方向の位置で、配線330の幅を内側に含む大きさの貫通穴344をパッシベーション膜336に形成する。金属層を形成する工程で、金属層を、配線330の貫通穴344内の部分の上にも形成する。金属層322をエッチングする工程で、配線330の貫通穴344内の部分もエッチングして配線330を切断する。
【選択図】図7
Description
図1〜図8は、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
図12〜図22は、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
Claims (4)
- (a)基板に、相互に分離されたドレイン電極及びソース電極を有するようにパターニングされた配線を形成する工程と、
(b)前記配線の電気的検査を行う工程と、
(c)パターニングされた前記配線の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
(d)前記パッシベーション膜をエッチングして、前記配線との電気的接続を図るためのスルーホールを形成する工程と、
(e)前記パッシベーション膜上及び前記配線の前記スルーホール内の部分上に金属層を形成する工程と、
(f)前記金属層をエッチングして画素電極を形成する工程と、
(g)前記基板を切断する工程と、
を含み、
前記パッシベーション膜をエッチングする(d)工程で、前記配線の、前記ドレイン電極及び前記ソース電極よりも前記基板の切断ライン方向の位置で、前記配線の幅を内側に含む大きさの貫通穴又は切り欠きを前記パッシベーション膜に形成し、
前記金属層を形成する(e)工程で、前記金属層を、前記配線の前記貫通穴又は前記切り欠き内の部分の上にも形成し、
前記金属層をエッチングする(f)工程で、前記配線の前記貫通穴又は前記切り欠き内の前記部分もエッチングして前記配線を切断することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に位置する部分を有するように形成された配線と、
前記半導体層及び前記配線を覆い、前記配線上に位置するスルーホールを有するパッシベーション膜と、
前記スルーホールを介して前記配線に電気的に接続されるように前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、
を有し、
前記パッシベーション膜は、貫通穴又は切り欠きを有し、
前記配線の先端面と前記貫通穴又は前記切り欠きの面が面一になっていることを特徴とする表示装置。 - (a)基板にゲート配線を形成する工程と、
(b)前記ゲート配線の電気的検査を行う工程と、
(c)前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
(d)前記ゲート絶縁膜上に、パターニングされた半導体層及び前記半導体層上の信号配線を形成する工程と、
(e)前記信号配線上にパッシベーション膜を形成する工程と、
(f)前記パッシベーション膜をエッチングして、前記信号配線との電気的接続を図るためのスルーホールを前記パッシベーション膜に形成する工程と、
(g)前記パッシベーション膜上及び前記信号配線の前記スルーホール内の部分上に金属層を形成する工程と、
(h)前記金属層をエッチングして画素電極を形成する工程と、
(i)前記画素電極を形成した後に、前記基板を切断する工程と、
を含み、
前記パッシベーション膜をエッチングする(f)工程で、前記ゲート配線の、前記半導体層よりも前記基板の切断ライン方向の位置で、前記ゲート配線の幅を内側に含む大きさの貫通穴又は切り欠きを前記パッシベーション膜及び前記ゲート絶縁膜に形成し、
前記金属層を形成する(g)工程で、前記金属層を、前記ゲート配線の前記貫通穴又は前記切り欠き内の部分の上にも形成し、
前記金属層をエッチングする(h)工程で、前記ゲート配線の前記貫通穴又は前記切り欠き内の前記部分もエッチングして前記ゲート配線を切断することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 基板と、
ゲート配線と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に位置する部分を有するように形成された信号配線と、
前記半導体層及び前記信号配線を覆い、前記配線上に位置するスルーホールを有するパッシベーション膜と、
前記スルーホールを介して前記信号配線に電気的に接続されるように前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、
を有し、
前記ゲート絶縁膜及び前記パッシベーション膜は、連通する貫通穴又は切り欠きを有し、
前記ゲート配線の先端面と前記貫通穴又は前記切り欠きの面が面一になっていることを特徴とする表示装置。
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